JP2001305714A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 透明板の平坦な表面上に位相シフタ膜が部分的に形成され、非金属からなり、ＯＤ値が３以上の遮光膜が上記位相シフタ膜の端部を覆って部分的に設けられたマスクを通して、電子装置を構成する被加工物の表面に設けられた感光性膜を露光し、上記感光性膜を現像することを特徴とする電子装置の製造方法。
2. 上記位相シフタ膜の端部はその厚さ方向の断面がテーパ形状であることを特徴とする請求項１記載の電子装置の製造方法。
3. 上記遮光膜は誘電体、高抵抗体又は有機体の膜であることを特徴とする請求項１記載の電子装置の製造方法。
4. 上記遮光膜はノボラック樹脂又はフェノール樹脂又はポリアニリン樹脂を主体とするフォトレジスト膜であることを特徴とする請求項１記載の電子装置の製造方法。
5. 凹部又は凸部が部分的に形成された透明板の表面に、非金属からなり、ＯＤ値が３以上の遮光膜がこの凹部又は凸部の端部を覆うように部分的に設けられたマスクを通して、電子装置を構成する被加工物の表面に設けられた感光性膜を露光し、上記感光性膜を現像することを特徴とする電子装置の製造方法。
6. 上記遮光膜は誘電体、高抵抗体又は有機体の膜であることを特徴とする請求項５記載の電子装置の製造方法。
7. 上記遮光膜はノボラック樹脂又はフェノール樹脂又はポリアニリン樹脂を主体とするフォトレジスト膜であることを特徴とする請求項５記載の電子装置の製造方法。
8. 転写時の露光光に対して位相を反転させる位相シフト手段が透明板の表面部に部分的に形成され、非金属からなり、ＯＤ値が３以上の遮光膜パターンが上記位相シフト手段の端部を覆って部分的に設けられたマスクを用いて、被加工物体の表面に設けられた感光性膜に上記遮光膜パターンを投影露光し、上記露光された感光性膜を現像することを特徴とするパターン形成方法。
9. 上記透明板は透明基板とその表面上に設けられた第１透明膜とからなり、上記位相シフト手段が上記第１透明膜の表面上に形成された第２透明膜で構成され、上記露光光に対する上記第１透明膜の屈折率が上記透明基板のそれよりも大きく上記第２透明膜のそれ以下であることを特徴とする請求項８記載のパターン形成方法。
10. 上記位相シフト手段は上記透明板の表面に形成された凹部又は凸部で構成されていることを特徴とする請求項８記載のパターン形成方法。
11. 上記遮光膜は誘電体、高抵抗体又は有機体の膜からなることを特徴とする請求項８記載のパターン形成方法。
12. 上記遮光膜はノボラック樹脂又はフェノール樹脂又はポリアニリン樹脂を主体とするフォトレジスト膜からなることを特徴とする請求項８記載のパターン形成方法。
13. 転写時の露光光に対して位相を反転させる位相シフト手段が透明板の表面部に部分的に形成され、非金属からなり、ＯＤ値が３以上の遮光体レイアウトパターンが上記位相シフト手段の端部を覆って設けられた第１のマスクと、
    上記第１のマスクの遮光体レイアウトパターンと同じ第２の遮光体レイアウトパターンを有しかつ上記第１のマスクの位相シフト手段とは位相が互いに逆転した第２の位相シフト手段を有する第２のマスクとを用いて、被加工物の表面に設けられた一つの感光性膜に対して多重に投影露光し、上記露光された感光性膜を現像することを特徴とするパターン形成方法。
14. フォトレジスト膜からなり、ＯＤ値が３以上の遮光パターンが表面に配置されたマスクを用いて投影露光装置により電子装置を構成する非加工物体の表面に上記遮光パターンを転写する際に、上記フォトレジスト膜表面を上記投影露光装置のステージ及びその搬送手段に接触させないで転写処理することを特徴とする電子装置の製造方法。
15. レジスト膜が形成された基体を準備する工程と、
    レジスト遮光領域内に設けられた複数の開口パターンを有する第１の位相シフトパターン領域と、
    前記第１の位相シフトパターン領域のパターンと同一のパターンを備え、前記第１の位相シフトパターン領域とは位相配置が互いに反転している第２の位相シフトパターン領域とが同一マスク基板に形成されたマスクを準備する工程と、
    前記第１の位相シフトパターン領域のパターンを前記基体上のレジスト膜に転写する工程と、
    前記第２の位相シフトパターン領域のパターンが前記基体上のレジスト膜に転写された前記第１の位相シフトパターン領域のパターンと重なるように前記第２の位相シフトパターン領域のパターンを前記基体上のレジスト膜に転写する工程とを有する電子装置の製造方法。
16. 請求項１５記載の電子装置の製造方法において、前記複数の開口パターンは、前記基体に転写されるライン状の繰り返しパターンを有する。
17. 請求項１５記載の電子装置の製造方法において、前記複数の開口パターンは、前記基体に転写される孤立パターン及びそれに隣接して設けられ、前記基体には転写されない補助パターンとを有する。
18. 請求項１５記載の電子装置の製造方法において、前記第１の位相シフトパターン領域及び前記第２の位相シフトパターン領域はスキャナを用いて前記基体上の前記レジスト膜に転写される。
19. レジスト膜が形成された半導体基板を準備する工程と、
    レジスト遮光領域内に設けられた第１と第２の開口パターンを有し、前記第１と第２の開口パターンを通過する露光光の位相が互いに反転する第１の位相シフトマスクと、前記第１及び第２の開口パターンと同一の第３及び第４の開口パターンを備え、前記第３及び第４の開口パターンは前記第１及び第２の開口パターンとは位相配置が互いに反転している第２の位相シフトマスクを準備する工程と、
    前記第１の位相シフトマスクの第１及び第２の開口パターンを前記半導体基板上のレジスト膜に転写する工程と、
    前記第２の位相シフトマスクの前記第３及び第４の開口パターンが前記半導体基板上のレジスト膜に転写された前記第１の位相シフトマスクの第１及び第２の開口パターンとそれぞれ重なるように前記第３及び第４の開口パターンを前記半導体基板上のレジスト膜に転写する工程とを有する半導体装置の製造方法。
20. 請求項１９記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の位相シフトマスクと第２の位相シフトマスクとは同じマスク基板に形成されている。