KR940022693A - 미세패턴 형성방법 - Google Patents

미세패턴 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940022693A
KR940022693A KR1019940004285A KR19940004285A KR940022693A KR 940022693 A KR940022693 A KR 940022693A KR 1019940004285 A KR1019940004285 A KR 1019940004285A KR 19940004285 A KR19940004285 A KR 19940004285A KR 940022693 A KR940022693 A KR 940022693A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
exposure
light
mask
pattern
Prior art date
Application number
KR1019940004285A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0166401B1 (ko
Inventor
소이치 이노우에
이치로 모리
츠요시 시바타
Original Assignee
사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사토 후미오, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 사토 후미오
Publication of KR940022693A publication Critical patent/KR940022693A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0166401B1 publication Critical patent/KR0166401B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은, 피노광기판상에 적어도 2층의 다층막을 형성하는 공정과, 미세패턴이상의 크기의 패턴을 갖춘 제1마스크를 통하여 상기 다층막의 최상층의 막에 대해 제1의 광에 의해 노광을 행하는 제1노광공정, 상기 다층막의 최상층의 막의 전사영역에 상기 미세패턴에 대응하는 주패턴과 이 주패턴의 근방에 배치된 보조패턴을 갖춘 제2마스크의 주패턴이 겹치도록 상기 제2마스크를 위치결정하는 공정 및, 상기 제2마스크를 통하여 상기 다층막 또는 이 다층막의 최상층이외의 막에 대해 제2의 광에 의해 노광을 행하는 제2노광공정을 구비한 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법을 제공한다.

Description

미세패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 광학상을 형성하기 위해 마스크구조 및 노광방법의 전형적인 예를 나타낸 도면.
제3도는 고립개구부의 주변에 보조개구부를 형성한 마스크를 이용하여 패턴전사하는 예를 나타낸 도면.
제4도(A) 내지 제4도(D)는 실시예1에 따른 미세패턴 형성공정을 나타낸 사시도.

Claims (19)

  1. 피노광기판상에 적어도 2층의 다층막을 형성하는 공정과, 미세패턴이상의 크기의 패턴을 갖는 제1마스크를 통하여 상기 다층막의 최상층의 막에 대해 노광을 행하는 제1노광공정, 상기 미세패턴에 대응하는 주패턴과 이 주패턴의 근방에 배치된 보조패턴을 갖춘 제2마스크를 이용하여 상기 제2마스크의 주패턴이 상기 다층막의 최상층의 막의 전사영역에 겹치도록 상기 제2마스크를 위치결정하는 공정 및, 상기 제2마스크를 통하여 상기 다층막 또는 이 다층막의 최상층이외의 막에 대해 노광을 행하는 제2노광공정을 구비한 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2마스크는 위상시프트 마스크인 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1마스크는 하프톤 위상시프트 마스크 및 자기정합형 위상시프트 마스크로 이루어진 군에서 선택된 1종류이고, 상기 제2마스크는 레벤슨 위상시프트 마스크인 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2노광공정은 경사조명법에 의해 행하여지는 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 다층막은 2층이상 적층된 감광막인 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 다층막은, 최상층의 막인 상기 제1노광의 광에 감광하는 제1감광막과, 상기 제2노광의 광에 감광하는 제2감광막을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1감광막은, 상기 제1노광의 광의 조사에 의해 상기 제2노광의 광에 대하여 투명하게 되는 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1감광막은 현상액에 대해 불용(不溶)으로, 상기 제1노광의 광의 조사에 의해 현상액에 대해 가용(可溶)으로 되는 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1감광막은 현상액에 대해 가용으로, 상기 제1노광의 광의 조사에 의해 현상액에 대해 불용으로 되는 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제2감광막은 현상액에 대해 불용으로, 상기 제1노광의 광의 조사에 의해 현상액에 대해 가용으로 되는 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 제2감광막은 현상액에 대해 가용으로 상기 제1노광의 광의 조사에 의해 현상액에 대해 불용으로 되는 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  12. 제6항에 있어서, 상기 제2감광막은 레지스트막이고, 상기 제1감광막은 CEL층(contrast enhancement lithograpy layer)인 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  13. 피노광기판상에 감광막을 형성하는 공정과, 미세패턴에 대응하는 주패턴과 이 주패턴의 근방에 배치된 보조패턴을 갖춘 제1위상시프트 마스크를 통하여 상기 감광막에 대해 노광을 행하는 제1노광공정, 상기 감광막상의 상기 주패턴의 전사영역에 상기 미세패턴이상의 크기의 패턴을 갖춘 제2위상시프트 마스크의 패턴이 겹치도록 상기 제2마스크를 위치결정하는 공정 및, 상기 제2마스크를 통하여 상기 감광막에 대해 노광을 행하는 제2노광공정을 구비한 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제2위상시프트 마스크는 하프톤 위상시프트 마스크 및 자기정합형 위상시프트 마스크로 이루어진 군에서 선택된 1종류이고, 상기 제1위상시프트 마스크는 레벤슨 위상시프트 마스크인 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 제1노광은 MUV에 의해 행하여지고, 상기 제2노광은 DUV에 의해 행하여지는 것을 특징으로 하는 미세패턴을 피노광기판에 전사하는 방법.
  16. 투광성 기판 및, 이 투광성 기판상에 형성되며 주개구부와 이 주개구부의 근방에 배치된 부개구부를 갖춘 차광막을 구비하고, 상기 부개구부에는 편광층이 형성되어 있으며, 상기 주개구부를 통과하는 광과 상기 부개구부를 통과하는 광의 위상차가 (2n-1)π(n은 정수, π는 원주율)인 것을 특징으로 하는 노광용 마스크.
  17. 투광성 기판과, 이 투광성 기판상에 형성되며 주개구부와 이 주개구부의 근방에 배치된 부개구부를 갖춘 차광막을 구비하고, 상기 부개구부에는 편광층이 형성되어 있으며, 상기 주개구부를 통과하는 광과 상기 부개구부를 통과하는 광의 위상차가 (2n-1)π(n은 정수, π는 원주율)인 노광용 마스크를 이용하여 이 노광용 마스크에 형성된 미세패턴을 적어도 2층의 다층막이 형성된 감광기판에 전사하는 미세패턴 형성방법으로서, 상기 감광기판에 상기 노광용 마스크를 통하여 상기 편향층의 편향방향에 대해 수직한 성분의 제1편광광으로 노광하는 제1노광공정 및, 상기 감광기판에 상기 노광용 마스크를 통하여 상기 편광방향에 대해 평행성분의 제2편광광으로 노광하는 제2노광공정을 구비한 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 감광기판은 레지스트층과 이 레지스트층상에 형성된 CEL층(contrast enhancement lithograpy layer)을 갖춘 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 제1노광공정에 의해 상기 주개구부에 대응하는 상기 CEL층의 부분이 투명하게 되고, 상기 제2노광공정에 의해 이 투명하게 된 상기 CEL층의 부분을 통과한 광에 의해 상기 레지스트층이 감광하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940004285A 1993-03-03 1994-03-03 미세패턴 형성방법 KR0166401B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4284293 1993-03-03
JP93-42842 1993-03-03
JP93-233929 1993-09-20
JP23392993 1993-09-20
JP35421493A JP3234084B2 (ja) 1993-03-03 1993-12-28 微細パターン形成方法
JP93-354214 1993-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940022693A true KR940022693A (ko) 1994-10-21
KR0166401B1 KR0166401B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=27291365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940004285A KR0166401B1 (ko) 1993-03-03 1994-03-03 미세패턴 형성방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5422205A (ko)
JP (1) JP3234084B2 (ko)
KR (1) KR0166401B1 (ko)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5595843A (en) * 1995-03-30 1997-01-21 Intel Corporation Layout methodology, mask set, and patterning method for phase-shifting lithography
US5635315A (en) * 1995-06-21 1997-06-03 Hoya Corporation Phase shift mask and phase shift mask blank
US5741624A (en) 1996-02-13 1998-04-21 Micron Technology, Inc. Method for reducing photolithographic steps in a semiconductor interconnect process
US6383719B1 (en) 1998-05-19 2002-05-07 International Business Machines Corporation Process for enhanced lithographic imaging
JP3352405B2 (ja) * 1998-09-10 2002-12-03 キヤノン株式会社 露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法並びに半導体デバイス
US6204187B1 (en) * 1999-01-06 2001-03-20 Infineon Technologies North America, Corp. Contact and deep trench patterning
JP3257593B2 (ja) * 1999-02-05 2002-02-18 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000299266A (ja) * 1999-04-12 2000-10-24 Canon Inc Ｘ線マスク、およびｘ線マスク作製方法
JP4613364B2 (ja) * 2000-06-14 2011-01-19 学校法人東京電機大学 レジストパタン形成方法
DE10106861C1 (de) * 2001-02-14 2003-02-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung feiner Resiststrukturen bei der Herstellung mikroelektronischer Bauelemente
US7115986B2 (en) * 2001-05-02 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Flexible ball grid array chip scale packages
SG122743A1 (en) * 2001-08-21 2006-06-29 Micron Technology Inc Microelectronic devices and methods of manufacture
SG104293A1 (en) 2002-01-09 2004-06-21 Micron Technology Inc Elimination of rdl using tape base flip chip on flex for die stacking
US6787272B2 (en) * 2002-03-01 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Assist feature for random, isolated, semi-dense, and other non-dense contacts
SG115456A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-28 Micron Technology Inc Semiconductor die packages with recessed interconnecting structures and methods for assembling the same
SG115459A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-28 Micron Technology Inc Flip chip packaging using recessed interposer terminals
US6975035B2 (en) 2002-03-04 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for dielectric filling of flip chip on interposer assembly
SG121707A1 (en) * 2002-03-04 2006-05-26 Micron Technology Inc Method and apparatus for flip-chip packaging providing testing capability
SG115455A1 (en) 2002-03-04 2005-10-28 Micron Technology Inc Methods for assembly and packaging of flip chip configured dice with interposer
SG111935A1 (en) * 2002-03-04 2005-06-29 Micron Technology Inc Interposer configured to reduce the profiles of semiconductor device assemblies and packages including the same and methods
US20040036170A1 (en) * 2002-08-20 2004-02-26 Lee Teck Kheng Double bumping of flexible substrate for first and second level interconnects
DE10240099A1 (de) * 2002-08-30 2004-03-11 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur
US7071014B2 (en) * 2002-10-30 2006-07-04 Amberwave Systems Corporation Methods for preserving strained semiconductor substrate layers during CMOS processing
KR100930361B1 (ko) * 2002-12-02 2009-12-08 엘지디스플레이 주식회사 요철형 반사판의 제조방법
US7026106B2 (en) * 2003-04-09 2006-04-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Exposure method for the contact hole
TWI225574B (en) * 2003-05-01 2004-12-21 Nanya Technology Corp Photomask structure and method of reducing lens aberration and pattern displacement
JP2005136244A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 露光方法
JP4540327B2 (ja) * 2003-11-06 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 フォトマスクのパターン形成方法
US7150945B2 (en) * 2003-11-18 2006-12-19 Micron Technology, Inc. Polarized reticle, photolithography system, and method of forming a pattern using a polarized reticle in conjunction with polarized light
JP3998645B2 (ja) * 2004-02-10 2007-10-31 株式会社東芝 リソグラフィ補正システム、リソグラフィ補正方法及び半導体装置の製造方法
KR100598980B1 (ko) * 2004-09-17 2006-07-12 주식회사 하이닉스반도체 다이폴 노광 장치에서의 수직 패턴의 레이아웃
US7550236B2 (en) * 2004-09-29 2009-06-23 Lsi Corporation Multi wavelength mask for multi layer printing on a process substrate
KR20060071228A (ko) * 2004-12-21 2006-06-26 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 패턴 및 그 형성방법
US7531868B2 (en) * 2005-09-21 2009-05-12 Citizen Holdings Co., Ltd. Non-volatile semiconductor memory device
KR100722138B1 (ko) * 2005-12-14 2007-05-25 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 제조용 포토 마스크
KR100755140B1 (ko) * 2006-05-24 2007-09-04 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 컨택 홀 형성방법
US7807319B2 (en) * 2007-03-29 2010-10-05 Intel Corporation Photomask including contrast enhancement layer and method of making same
KR100827490B1 (ko) * 2007-05-18 2008-05-06 주식회사 동부하이텍 반도체 소자의 제조 방법
US8053810B2 (en) * 2007-09-07 2011-11-08 International Business Machines Corporation Structures having lattice-mismatched single-crystalline semiconductor layers on the same lithographic level and methods of manufacturing the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0690504B2 (ja) * 1985-06-21 1994-11-14 株式会社日立製作所 ホトマスクの製造方法
JPH04355910A (ja) * 1991-02-27 1992-12-09 Nikon Corp マスク及び露光方法及び露光装置
JP3084761B2 (ja) * 1991-02-28 2000-09-04 株式会社ニコン 露光方法及びマスク
JPH05165223A (ja) * 1991-12-17 1993-07-02 Matsushita Electron Corp 微細レジストパターンの形成方法
US5308741A (en) * 1992-07-31 1994-05-03 Motorola, Inc. Lithographic method using double exposure techniques, mask position shifting and light phase shifting

Also Published As

Publication number Publication date
KR0166401B1 (ko) 1999-02-01
JP3234084B2 (ja) 2001-12-04
US5422205A (en) 1995-06-06
JPH07181668A (ja) 1995-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940022693A (ko) 미세패턴 형성방법
US5565286A (en) Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor
Wang et al. Polarized phase shift mask: concept, design, and potential advantages to photolithography process and physical design
TW344129B (en) Pattern forming method and method of manufacturing liquid crystal display device
US6682858B2 (en) Method of forming small contact holes using alternative phase shift masks and negative photoresist
CN1653388B (zh) 使用相移和辅助微细结构使半导体层形成图案
JP3957504B2 (ja) フォトマスク及び半導体装置の製造方法
KR100223940B1 (ko) 하프톤 위상반전 마스크의 제조방법
US7479355B1 (en) Mask design for enhancing line end resolution
JPH03156459A (ja) メモリ半導体構造及び位相シフトマスク
KR20020035172A (ko) 반투명한 위상 쉬프트 영역을 가지고 있는 트리밍 마스크
JPH1092706A (ja) 露光方法、及び該露光方法を用いた半導体装置の製造方法
JP3421466B2 (ja) レジストパターン形成方法
US20020106588A1 (en) Photolithography process for forming an opening
US6593033B1 (en) Attenuated rim phase shift mask
KR19980039477A (ko) 하프톤형 위상반전마스크 및 그 제조방법
TWI298420B (en) Phase shift mask for ultra-small hole patterning
US20040013948A1 (en) Chromeless PSM with chrome assistant feature
JPH06132216A (ja) パターン形成方法
KR970016762A (ko) 하프-톤 위상 반전 마스크 제작 방법
WO1998002782A1 (en) Sidelobe suppressing attenuated phase-shifting mask
KR100272656B1 (ko) 반도체 소자의 레티클 구조
KR0132750B1 (ko) 초 미세팬턴 형성방법
KR0135064B1 (ko) 편광층을 이용한 마스크 및 그를 이용한 반도체웨이퍼의 노광방법
KR950015584A (ko) 반도체 장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030901

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee