KR100189741B1 - 위상반전마스크 및 그의 제조방법 - Google Patents

위상반전마스크 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100189741B1
KR100189741B1 KR1019960029145A KR19960029145A KR100189741B1 KR 100189741 B1 KR100189741 B1 KR 100189741B1 KR 1019960029145 A KR1019960029145 A KR 1019960029145A KR 19960029145 A KR19960029145 A KR 19960029145A KR 100189741 B1 KR100189741 B1 KR 100189741B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
phase inversion
phase
deposition
delete
Prior art date
Application number
KR1019960029145A
Other languages
English (en)
Inventor
박찬민
전영권
Original Assignee
구본준
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구본준, 엘지반도체주식회사 filed Critical 구본준
Priority to KR1019960029145A priority Critical patent/KR100189741B1/ko
Priority to DE19704709A priority patent/DE19704709C2/de
Priority to JP8978897A priority patent/JP2923262B2/ja
Priority to US08/861,938 priority patent/US5871869A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100189741B1 publication Critical patent/KR100189741B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 위상반전마스크 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 투명기판 상에 위상반전층 및 증착방지층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 증착방지층 및 위상반전층을 소정 패턴으로 형성하는 공정과, 상기 증착방지층을 상기 위상반전층 상의 소정 부분에 잔류하도록 습식식각하는 공정과, 상기 위상반전층의 노출된 부분에 선택적으로 차광층을 형성하는 공정과, 상기 잔류하는 증착방지층을 제거하는 공정을 구비한다. 따라서, 위상반전층 상에 차광층을 선택적으로 형성하므로 차광영역과 위상반전영역을 동시에 한정할 수 있어 제조가 용이하고 공정이 간단하다.

Description

위상반전마스크 및 그의 제조방법
제1도(a) 내지 (d)는 종래 기술에 따른 위상반전마스크의 제조공정도.
제2도는 본 발명에 따른 위상반전마스크의 단면도.
제3도(a) 내지 (d)는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상반전마스크의 제조공정도.
제4도(a) 내지 (e)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전마스크의 제조공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21 : 투명기판 23 : 위상반전층
25 : 증착방지층 27 : 감광막
29 : 차광막 31 : 감광막
본 발명은 위상반전마스크 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 개구부를 제외한 위상반전층 상에 선택 증착 방법으로 차광층을 형성하여 위상반전영역의 한정시 차광영역이 자동적으로 한정할 수 있는 위상반전마스크 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
반도체장치가 고집적화 및 고밀도화에 따라 단위 소자의 크기가 감소되고, 이에 따라 도선 등의 선폭이 작아지고 있다. 그러므로 미세 패턴을 형성하기 위해서는 접촉묘화(contact printing) 방법, 프록시미티묘화(proximity printing) 방법 및 프로젝션묘화(projection printing) 방법 등의 노광 방법을 이용하는 포토리쏘그래피(photolithography) 공정으로는 한계가 있다. 따라서, 미세 패턴을 형성하기 위해 전자 빔 또는 이온 빔 등을 이용하여 노광 방법을 개선하거나, 또는 노광시 위상반전마스크(Phase Shifting Mask)를 이용할 수 있다.
상기 위상반전마스크는 위상반전영역과 투광영역을 포함하는데, 위상반전영역을 통과하는 광의 위상을 180°로 반전시켜 투광영역을 통과하는 광과 상쇄 간섭을 일으켜 해상력과 초점심도를 향상시켜 양호한 패턴을 얻을 수 있다. 위상반전마스크는 종류에 따라 교번형(Alternated type), 림형(Rim type), 감쇄형(Attenuated type) 또는 아웃리거형(Outrigger type) 등이 있다.
종래의 교번형 위상반전마스크가 일본 공개 특허 제6-35169호(공개일자 : 1994. 2. 10)에 위상 쉬프트 마스크의 제조방법이라는 명칭으로 게시되어 있다.
제1도(a) 내지 (d)는 상기 종래 기술에 따른 위상반전마스크의 제조공정도이다.
제1도(a)를 참조하면, 투명기판(11)상에 ITO(Indium Tin Oxide) 등을 스퍼터링 방법으로 증착하여 투명도전층(13)을 형성한다. 그리고 투명도전층(13) 상에 산화실리콘 또는 SOG(Spin On Glass) 등의 위상반전층(15)을 형성하고, 이 위상반전층(15) 상에 크롬 등을 스퍼터링 방법으로 증착하여 차광층(17)를 형성한다. 그 다음, 이 차광층(17) 상에 감광막(18)을 도포한다.
제1도(b)를 참조하면, 감광막(18)을 노광 및 현상하여 차광층(17)의 소정 부분을 노출시킨다. 그리고 상기 감광막(18)을 마스크로 사용하여 차광층(17)의 노출된 부분을 위상반전층(15)이 노출되도록 건식 식각한다. 이때, 상기 차광층(17)이 제거되지 않은 부분은 차광영역이 된다.
제1도(c)를 참조하면, 상기 감광막(18)을 제거한다. 그리고 상기 위상반전층(15) 및 차광층(17) 상에 재차 감광막(19)을 도포하고, 이 감광막(19)을 노광 및 현상하여 소정 부분의 위상반전층(15)을 노출시킨다.
제1도(d)를 참조하면, 감광막(19)을 마스크로 사용하여 위상반전층(15)의 노출된 부분을 건식 식각하고 감광막(19)을 제거한다. 상기에서, 차광층(17)이 형성되지 않은 부분 중 위상반전층(15)이 제거된 부분은 투광영역이 되고, 위상반전층(15)이 제거되지 않은 부분은 위상반전영역이 된다.
그러나, 상술한 종래 기술에 따른 위상반전마스크의 제조방법은 위상반전층을 식각하여 투광영역을 한정할 때 포토레지스 패턴을 투광영역에 정렬하기 어려우며, 또한 투광영역을 포토리쏘그래피 방법으로 한정하므로 공정이 복잡해지는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 위상반전층 상에 차광층을 선택적으로 형성하여 차광영역 한정시 위상반전영역을 한정할 수 있는 위상반전마스크를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 위상반전층 상에 차광층을 선택적으로 형성하여 차광영역과 위상반전영역을 동시에 한정할 수 있어 공정을 줄일 수 있는 위상반전마스크의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 위상반전마스크는 투명기판과, 상기 투명기판 상에 중앙부와 패터닝된 측면을 포함하는 주변부를 갖고 직접 접촉되게 형성되며 입사 광을 위상반전시키는 위상반전층과, 상기 위상반전층의 상기 중앙부를 제외한 상기 주변부 상에 선택적으로 DMAH(Dimethylaluminumhydride)에 의해 증착된 알루미늄 박막으로 형성되며 상기 위상반전층의 상기 주변부로 광이 통과되는 것을 방지하는 차광층을 포함한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 위상반전마스크의 제조방법은 투명기판 상에 위상반전층 및 증착방지층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 증착방지층 및 위상반전층을 소정 패턴으로 형성하는 공정과, 상기 증착방지층을 상기 위상반전층 상의 소정 부분에 잔류하도록 습식식각하는 공정과, 상기 위상반전층의 노출된 부분에 선택적으로 차광층을 형성하는 공정과, 상기 잔류하는 증착방지층을 제거하는 공정을 구비한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명에 따른 위상반전마스크의 단면도이다.
본 발명에 따른 위상반전마스크는 소다 라임유리(soda lime glass) 또는 석영등의 투명한 물질로 이루어진 투명기판(21) 상의 소정 부분에 위상반전층(23)이 직접 접촉되게 형성된다. 상기에서 위상반전층(23)은 TiO2, ZrO2, CrO2또는 ZnO2등의 금속산화막으로 이루어지는데, 이는 알콜레이트-알콜 용액(Alcohlatealcohol solution)을 사용한 졸-겔(sol-gel) 방법으로 도포하거나, 또는 플라즈마 화학기상증착(Plasma Chemical Vapor Deposition : 이하 플라즈마 CVD라 칭함) 방법으로 증착하므로써 형성된다. 상기 위상반전층(23)은 입사광 파장의 위상을 180°로 반전시키기 위해 소정 두께 t로 형성되어야 하는데, 두께 t는 다음 식에 의해 결정된다.
t=λ/{2(n-1)} ……… (식1)
상기 (식1)에서 λ는 입사광의 파장이고, n은 위상반전층(23)의 굴절률이다. 상기에서 위상반전층(23)의 굴절율(n)은 알콜레이트-알콜 용액을 졸-겔 방법에 의해 도포된 것이 1.6∼2.3 정도이고, 플라즈마 CVD 방법에 의해 증착된 것이 2.5∼3.5 정도로 서로 다르다. 그러므로, 노광시 파장이 365nm인 I-라인(i-line)의 광을 사용하는 경우에 위상반전층(23)의 두께는 전자의 경우에 1400∼3100Å 정도이고, 후자의 경우에는 700∼1200Å 정도의 두께로 형성된다.
그리고, 위상반전층(23) 상의 소정 부분을 제외한 부분에 알루미늄(A1)이 1000∼1500Å 정도 두께로 선택적으로 증착되어 차광층(29)이 형성된다. 상기 차광층(29)은 DMAH(Dimethylaluminumhydride)이 위상반전층(23)의 표면과 내부에 다량으로 함유된 수산(OH)기와 화학적으로 반응하여 위상반전층(23) 상에 증착되고, 증착된 DMAH로부터 기체가 증발되어 잔류하는 알루미늄이 박막을 이루면서 형성된다. 또한, 차광층(29)은 위상반전층의 상부 표면의 소정 부분에만 형성되나, 상부 표면의 소정 부분 뿐만 아니라 측면에도 형성될 수도 있다. 상기에서, 투명기판(21) 상의 위상반전층(23)이 형성되지 않은 부분은 투광영역이며, 위상반전층(23) 상의 증착방지층(25)에 의해 차광층(29)가 형성되지 않은 부분은 위상반전영역이고 차광층(29)이 형성된 부분은 차광영역이 된다.
제3도(a) 내지 (d)는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상반전마스크의 제조공정도이다.
제3도(a)를 참조하면, 소다 라임유리(soda lime glass) 또는 석영 등의 투명한 물질로 이루어진 투명기판(21) 상에 TiO2, ZrO2, CrO2또는 ZnO2등의 금속산화막으로 위상반전층(23)을 형성한다. 상기에서 위상반전층(23)은 알콜레이트-알콜 용액을 사용한 졸-겔 방법으로 도포하거나, 또는, 플라즈마 화학기상증착(Plasma Chemical Vapor Deposition : 이하, 플라즈마 CVD라 칭함) 방법으로 증착하여 형성된다. 상기 위상반전층(23)은 입사광 파장의 위상을 180°로 반전시키기 위해 상기(식1)에 따라 두께를 한정한다. 상기에서 위상반전층(23)은 알콜레이트-알콜 용액을 졸-겔 방법으로 도포하여 형성하는 것과 플라즈마 CVD 방법으로 증착한 것의 굴절률이 각각 1.6∼2.3 정도의 2.5∼3.5 정도이다. 그러므로, 노광시 파장이 365nm인 I-라인(i-line)의 광을 사용하는 경우에 전자를 1400∼3100Å 정도의 두께로, 후자를 700∼1200Å 정도의 두께로 각각 형성한다.
그리고, 위상반전층(23) 상에 질화실리콘(SixNy), 산화실리콘(SixOy) 또는 SOG(Spin On Glass) 같이 위상반전층(23)을 형성하는 물질과 식각선택비가 큰 물질을 CVD 방법으로 형성할 패턴의 폭 보다 크도록 4500∼5000Å 정도의 두께로 증착하여 증착방지층(25)을 형성한다. 그 다음, 증착방지층(25) 상에 감광막(27)을 도포한 후 노광 및 현상하여 증착방지층(25)의 소정 부분을 노출시킨다.
제3도(b)를 참조하면, 감광막(27)을 마스크로 이용하여 노출된 부분의 증착방지층(25)과 위상반전층(23)을 반응성이온식각(Reative Ion Etching : 이하 RIE라 칭함) 등과 같은 이방성식각 방법으로 순차적으로 식각하여 투명기판(21)을 노출시킨다. 상기에서, 증착방지층(25)을 습식식각하고 위상반전층(23)을 이방성식각 방법으로 각각 식각할 수도 있다. 즉 인산(H3PO4)과 같이 위상반전층(23)과 식각선택비가 큰 식각용액으로 증착방지층(25)을 습식식각하고, 이어서, 위상반전층(23)을 RIE 방법으로 이방성식각할 수도 있다. 그리고, 감광막(27)을 제거한다.
제3도(c)를 참조하면, 상기 인산(H3PO4) 등의 식각용액으로 별도의 마스크 없이 증착방지층(25)을 1000∼1500Å 정도의 두께만 남도록 식각하여 위상반전층(23)을 노출시킨다. 이때, 상기 증착방지층(25)이 등방성으로 식각되어 위상반전층(23)의 노출되는 양측의 폭이 동일하게 된다. 또한, 위상반전층(23)은 식각선택비가 크므로 식각되지 않는다. 그리고, 위상반전층(23)의 노출된 부분에 알루미늄(A1)을 선택적으로 증착하여 차광층(29)을 형성한다. 즉 상기 투명기판(21), 위상반전층(23) 및 증착방지층(25) 상에 DMAH(Dimethylaluminumhydride)를 100∼230℃ 정도의 낮은 온도와 500토르(Torr) 이하의 압력에서 증착하면, 이 DMAH는 위상반전층(23) 상에만 증착되고 투명기판(21)과 증착방지층(25) 상에는 증착되지 않는다. 이는 위상반전층(23)을 이루는 금속산화물의 표면과 내부에 다량의 수산(OH)기를 함유하고 있는데, 이 수산기는 위상방지층(25)과 하기(식 2)와 같이 반응한다.
M-OH+A1(CH3)2H→M-OA1(CH3)2+H2………… (식 2)
상기 (식 2)에서 M은 위상반전층(23)을 이루는 금속산화물인데, 수산기는 DMAH와 화학적으로 반응하여 위상반전층(23)에 증착을 쉽게한다. 이에 반해 투명기판(21)과 증착방지층(25)은 수산기를 함유하고 있지 않으므로 DMAH와 화학적으로 반응하지 않게되어 투명기판(21)과 증착방지층(25) 상에는 DMAH가 증착되지 않는다.
또한, DMAH 증착시 투명기판(21)이 용융되어 증착도는 DMAH와 화학반응하는 것을 방지하기 위해 100∼230℃ 정도의 낮은 온도가 요구된다.
그리고, 위상반전층(23)에 증착된 DMAH는 기체가 증발되면서 알루미늄 박막이 형성되는데, 이 알루미늄 박막은 위상반전층(23)의 표면에 선택적으로 형성된다. 이때, 증착방지층(25)은 1000∼1500Å 정도의 두께가 되도록 한다.
제3도(d)를 참조하면, 상기 증착방지층(25)을 제거한다. 이때, 상기 위상반전층(23) 상의 증착방지층(25)이 제거되며 차광층(29)가 형성되지 않은 부분은 위상반전영역으로 한정되고 차광층(29)이 형성된 부분은 차광영역으로 한정된다. 또한, 투명기판(21) 상의 위상반전층(23)이 형성되지 않은 부분은 투광영역이 된다.
제4도(a) 내지 (e)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전마스크의 제조공정도이다.
제4(a)를 참조하면, 소다 라임유리(soda lime glass) 또는 석영 등의 투명한 물질로 이루어진 투명기판(21) 상에 TiO2, ZrO2, CrO2또는 ZnO2등의 금속산화막으로 위상반전층(23)을 형성한다. 상기에서 위상반전층(23)은 알콜레이트-알콜 용액을 사용한 졸-겔 방법으로 도포하거나, 또는 플라즈마 CVD 방법으로 증착하여 형성된다. 상기 위상반전층(23)은 입사광 파장의 위상을 180°로 반전시키기 위한 것으로 노광시 파장이 365nm인 I-라인의 광을 사용하는 경우에 상기 (식 1)에 의해 전자의 경우에는 1400∼3100Å 정도이고, 후자의 경우에는 700∼1200Å 정도의 두께로 형성된다. 그리고, 위상반전층(23) 상에 감광막(27)을 도포한 후 노광 및 현상하여 위상반전층(23)의 소정 부분을 노출시킨다.
제4도(b)를 참조하면, 감광막(27)을 마스크로 이용하여 노출된 부분의 위상반전층(23)을 RIE 등과 같은 이방성식각 방법으로 식각하여 투명기판(21)을 노출시킨다. 그리고, 감광막(27)을 제거한 후 상기 투명기판(21)과 위상반전층(23) 상에 질화실리콘(SixNy), 산화실리콘(SixOy) 또는 SOG(Spin On Glass) 같이 위상반전층(23)을 형성하는 물질과 식각선택비가 큰 물질을 CVD 방법으로 1000∼1500Å 정도의 두께로 증착하여 증착방지층(25)을 형성한다.
제4도(c)를 참조하면, 증착방지층(25) 상에 감광막(31)을 도포한다. 그리고, 상기 감광막(31)을 노광 및 현상하여 위상반전층(23)과 대응하는 소정 부분에만 남기고 증착방지층(25)을 노출시킨다. 그 다음, 감광막(31)을 마스크로 이용하여 증착방지층(25)의 노출된 부분을 RIE 등과 같은 이방성식각 방법으로 식각하여 위상반전층(23)을 노출시킨다. 이때, 위상반전층(23)은 증착방지층(25)과 식각선택비가 크므로 식각방지층으로 사용된다. 그리고 상기 증착방지층(25)의 노출되는 양측의 폭을 임의로 조절할 수 있으므로 마스크의 패턴의 폭과 패턴 사이의 간격이 일정하지 않게 형성할 수 있다. 또한, 상기에서 증착방지층(25)을 투명기판(21)이 노출되도록 제거하여 위상반전층(23)의 상부 표면 뿐만 아니라 측면도 노출시킬 수도 있다. 이때, 증착방지층(25)을 RIE 등과 같은 건식 식각 뿐만 아니라 인산 등의 식각용액을 이용한 습식식각으로 제거한다.
제4도(d)를 참조하면, 감광막(31)을 제거하고 위상반전층(23) 상의 소정 부분에 알루미늄을 1000∼1500Å 정도의 두께가 되도록 선택적으로 증착하여 차광층( )을 형성한다. 상기에서 100∼230℃ 정도의 낮은 온도와 500토르(Torr) 이하의 압력에서 투명기판(21), 위상반전층(23) 및 증착방지층(25) 상에 DMAH를 증착하면 표면과 내부에 다량의 수산(OH)기를 함유하는 위상반전층(23) 상에만 흡착되며, 이 흡착된 DMAH를 알루미늄이 남도록 기체를 증발시켜 차광층( )을 형성한다. 이때, 투명기판(21) 및 증착방지층(25)은 수산기를 함유하지 않으므로 DMAH가 흡착되지 않게 되어 차광층( )은 위상반전층(23) 상에만 형성된다. 또한, DMAH 증착시 투명기판(21)이 용융되어 증착되는 DMAH와 화학반응하는 것을 방지하기 위해 100∼230℃ 정도의 낮은 온도가 요구된다. 상기에서, 투명기판(21)상에 증착방지층(25)이 형성되어 있지 않으며 증착방지층(25)은 위상반전층(23)의 측면에도 형성된다.
제4도(e)를 참조하면, 투명기판(21)과 위상반전층(23) 상에 잔류하는 증착방지층(25)을 인산 등의 식각용액으로 식각하여 제거한다. 이때, 상기 위상반전층(23) 상의 증착방지층(25)이 제거되며 차광층(29)이 형성되지 않은 부분은 위상반전영역으로 한정되고 차광층(29)이 형성된 부분은 차광영역으로 한정된다. 또한, 투명기판(21) 상의 위상반전층(23)이 형성되지 않은 부분은 투광영역이 된다.
상술한 바와 같이 본 발명은 식각방지층이 위상반전층 상의 소정 부분에만 남도록 습식식각하고 DMAH를 증착하면 위상반전층에 함유된 수산기와 화학적으로 반응하여 위상반전층의 노출된 부분에만 선택적으로 증착되고 이 증착된 DMAH 내의 기체를 증발시켜 차광막을 형성한다.
따라서, 본 발명은 위상반전층 상에 차광층을 선택적으로 형성하므로 차광영역과 위상반전영역을 동시에 한정할 수 있어 제조가 용이하고 공정이 간단해지는 잇점이 있다.

Claims (28)

  1. (정정) 투명기판과, 상기 투명기판 상에 중앙부와 패터닝된 측면을 포함하는 주변부를 갖고 직접 접촉되게 형성되며 입사광을 위상반전시키는 위상반전층과, 상기 위상반전층의 상기 중앙부를 제외한 상기 주변부 상에 선택적으로 DMAH(Dimethylaluminumhydride)에 의해 증착된 알루미늄 박막으로 형성되며 상기 위상반전층의 상기 주변부로 광이 통과되는 것을 방지하는 차광층을 포함하는 위상 반전마크스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 위상반전층이 TiO2, ZrO2, CrO2또는 ZnO2의 금속산화막으로 형성된 위상반전마스크.
  3. (삭제)
  4. (삭제)
  5. (삭제)
  6. (삭제)
  7. (삭제)
  8. (삭제)
  9. (정정) 제1항에 있어서, 상기 차광막이 상기 위상반전층의 상부 표면에만 형성된 위상반전마스크.
  10. 제1항에 있어서, 상기 차광막이 상기 위상반전층의 상부 표면과 측면에 형성된 위상반전마스크.
  11. (삭제)
  12. 투명기판 상에 위상반전층 및 증착방지층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 증착방지층 및 위상반전층을 소정 패턴으로 형성하는 공정과, 상기 증착방지층을 상기 위상반전층 상의 소정 부분에 잔류하도록 습식식각하는 공정과, 상기 위상반전층의 노출된 부분에 선택적으로 차광층을 형성하는 공정과, 상기 잔류하는 증착방지층을 제거하는 공정을 구비하는 위상반전마스크의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 위상반전층을 TiO2, ZrO2, CrO2또는 ZnO2의 금속산화막으로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
  14. (삭제)
  15. 제13항에 있어서, 상기 위상반전층을 알콜레이트-알콜 용액을 사용한 졸-겔 방법으로 도포하여 형성하는 위상반전마크스의 제조방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 위상반전층을 플라즈마 화학기상증착 방법으로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
  17. (삭제)
  18. (삭제)
  19. 제13항에 있어서, 상기 증착방지층을 질화실리콘(SixNy), 산화실리콘(SixOy) 또는 SOG(Spin On Glass)로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
  20. (삭제)
  21. 제13항에 있어서, 상기 차광층을 형성하는 공정은 상기 투명기판, 위상반전층 및 증착방지층 상에 DMAH(Dimethylaluminumhydride)을 증착하여 상기 위상반전층에 함유된 수산(OH)기와 화학적으로 반응시켜 알루미늄 박막을 상기 위상반전층의 노출된 부분에만 선택적으로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 DMAH(Dimethylaluminumhydride)를 100∼230℃의 온도와 500토르(Torr) 이하의 압력에서 증착하는 위상반전마스크의 제조방법.
  23. (삭제)
  24. 투명기판 상에 소정 패턴의 위상반전층을 형성하는 공정과, 상기 투명기판과 상기 위상반전층 상에 증착방지층을 형성하고 상기 위상반전층을 소정 부분 제외하고 노출되게 상기 증착방지층을 식각하는 공정과, 상기 위상반전층 상의 노출된 부분에 선택적으로 차광층을 형성하는 공정과, 상기 잔류하는 증착방지층을 제거하는 공정을 구비하는 위상반전마스크의 제조방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 증착방지층을 질화실리콘(SixNy), 산화실리콘(SixOy) 또는 SOG(Spin On Glass)로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 증착방지층을 4500∼5000Å의 두께로 형성하는 위상반전마스크의 제조방법.
  27. 제25항에 있어서, 상기 위상반전층의 소정 부분을 제외하고 노출할 때 상기 증착방지층을 건식식각하는 위상반전마스크의 제조방법.
  28. 제25항에 있어서, 상기 위상반전층을 소정 부분 제외하고 노출되게 상기 증착방지층을 습식식각하여 상기 투명기판을 노출시키는 위상반전마스크의 제조방법.
KR1019960029145A 1996-07-19 1996-07-19 위상반전마스크 및 그의 제조방법 KR100189741B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960029145A KR100189741B1 (ko) 1996-07-19 1996-07-19 위상반전마스크 및 그의 제조방법
DE19704709A DE19704709C2 (de) 1996-07-19 1997-02-07 Phasenverschiebungsmaske und Verfahren zum Herstellen derselben
JP8978897A JP2923262B2 (ja) 1996-07-19 1997-04-08 位相反転マスク及びその製造方法
US08/861,938 US5871869A (en) 1996-07-19 1997-05-22 Phase shifting mask and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960029145A KR100189741B1 (ko) 1996-07-19 1996-07-19 위상반전마스크 및 그의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100189741B1 true KR100189741B1 (ko) 1999-06-01

Family

ID=19466748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960029145A KR100189741B1 (ko) 1996-07-19 1996-07-19 위상반전마스크 및 그의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5871869A (ko)
JP (1) JP2923262B2 (ko)
KR (1) KR100189741B1 (ko)
DE (1) DE19704709C2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100749077B1 (ko) * 2000-04-25 2007-08-13 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 전자장치의 제조방법, 패턴형성방법 및 이들을 이용한포토마스크

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3760086B2 (ja) * 2000-07-07 2006-03-29 株式会社ルネサステクノロジ フォトマスクの製造方法
AU2003290531A1 (en) * 2002-10-21 2004-05-13 Nanoink, Inc. Nanometer-scale engineered structures, methods and apparatus for fabrication thereof, and applications to mask repair, enhancement, and fabrication
US20050112476A1 (en) * 2003-11-24 2005-05-26 Bellman Robert A. Phase-shift mask and fabrication thereof
KR102349244B1 (ko) * 2014-12-10 2022-01-10 삼성디스플레이 주식회사 위상 반전 마스크, 이의 제조 방법 및 미세 패턴 형성 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0653679B1 (en) * 1989-04-28 2002-08-21 Fujitsu Limited Mask, mask producing method and pattern forming method using mask
US5362591A (en) * 1989-10-09 1994-11-08 Hitachi Ltd. Et Al. Mask having a phase shifter and method of manufacturing same
JP3272774B2 (ja) * 1992-07-14 2002-04-08 ホーヤ株式会社 位相シフトマスクの製造方法
US5556724A (en) * 1992-11-10 1996-09-17 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Phase shift photomask and method of producing same
JP2864915B2 (ja) * 1992-12-07 1999-03-08 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPH0764273A (ja) * 1993-08-27 1995-03-10 Sony Corp 位相シフトマスク

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100749077B1 (ko) * 2000-04-25 2007-08-13 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 전자장치의 제조방법, 패턴형성방법 및 이들을 이용한포토마스크

Also Published As

Publication number Publication date
US5871869A (en) 1999-02-16
DE19704709C2 (de) 2003-01-09
DE19704709A1 (de) 1998-01-22
JPH1069057A (ja) 1998-03-10
JP2923262B2 (ja) 1999-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100322537B1 (ko) 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법
US5750290A (en) Photo mask and fabrication process therefor
US5536606A (en) Method for making self-aligned rim phase shifting masks for sub-micron lithography
KR100189741B1 (ko) 위상반전마스크 및 그의 제조방법
KR100195333B1 (ko) 위상반전마스크 및 그 제조방법
JP2715285B2 (ja) 位相シフトマスクの製造方法
JPH1020471A (ja) 露光マスクの製造方法
JPH04344645A (ja) リソグラフィー方法および位相シフトマスクの作製方法
JPH08123008A (ja) 位相シフトマスクおよびその製造方法
KR0167249B1 (ko) 위상반전마스크 제조방법
US5824438A (en) Structure of phase shifting mask and method of manufacturing the same comprising an adhesive layer between a phase shift layer and a light blocking layer
JP3093832B2 (ja) 位相シフトマスク及びその製造方法
KR19990050484A (ko) 하프-톤 위상 반전 마스크의 제조 방법
KR0143339B1 (ko) 위상반전 마스크 제조방법
JPH09211837A (ja) 位相シフトマスク及びその製造方法
KR19990055400A (ko) 하프-톤 위상 반전 마스크
JPH04284618A (ja) 光学マスクの製造方法
KR940000918B1 (ko) 위상반전 포토마스크 형성방법
KR19990046951A (ko) 위상반전마스크의 제조 방법
KR100190088B1 (ko) 위상반전 마스크의 제조방법
JP3099316B2 (ja) フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法
KR19980030509A (ko) 위상반전 마스크의 제조방법
JP3420294B2 (ja) ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JP2882215B2 (ja) 位相シフトレチクルの製造方法
JPH10104817A (ja) 位相シフトマスク及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061211

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee