JP3272774B2 - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、所定の光透過部を透過
する露光光間に位相差を生成することにより、転写パタ
ーンの解像度を向上させた位相シフトマスクの製造方法
にかかり、特に、露光光の位相を変化させるための位相
シフト膜を遮光膜の下に設けるような構造の、いわゆる
下置きタイプの位相シフトマスクに関する。
する露光光間に位相差を生成することにより、転写パタ
ーンの解像度を向上させた位相シフトマスクの製造方法
にかかり、特に、露光光の位相を変化させるための位相
シフト膜を遮光膜の下に設けるような構造の、いわゆる
下置きタイプの位相シフトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＬＳＩ製造の際等においては、微
細パターン転写のマスクたるフォトマスクの１つとして
位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマスク
は、パターンの微細化にともなって生ずる露光光の干渉
による露光限界を拡げて高解像度の転写を可能にしたも
のである。この位相シフトマスクの１つとして、透明基
板と遮光パターンとの間に露光光の位相を変化させるた
めの位相シフトパターンを形成させたいわゆる下置きタ
イプの位相シフトマスクが知られている（例えば、特開
平３−７８７４７号公報参照）。この下置きタイプの位
相シフトマスクは、比較的容易に膜厚の均一な位相シフ
ト膜が得られるとともに、位相シフト膜の成膜後で遮光
膜を形成する前の段階において位相シフト膜の欠陥検査
を行うことができるので歩留りの向上を図ることができ
る等の利点があり、近年比較的多く用いられるようにな
った。
細パターン転写のマスクたるフォトマスクの１つとして
位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマスク
は、パターンの微細化にともなって生ずる露光光の干渉
による露光限界を拡げて高解像度の転写を可能にしたも
のである。この位相シフトマスクの１つとして、透明基
板と遮光パターンとの間に露光光の位相を変化させるた
めの位相シフトパターンを形成させたいわゆる下置きタ
イプの位相シフトマスクが知られている（例えば、特開
平３−７８７４７号公報参照）。この下置きタイプの位
相シフトマスクは、比較的容易に膜厚の均一な位相シフ
ト膜が得られるとともに、位相シフト膜の成膜後で遮光
膜を形成する前の段階において位相シフト膜の欠陥検査
を行うことができるので歩留りの向上を図ることができ
る等の利点があり、近年比較的多く用いられるようにな
った。
【０００３】ところで、一般に、位相シフトマスクを製
造する場合、位相シフト膜にエッチング処理を施して位
相シフトパターンを形成する必要がある。このエッチン
グの方法として、ウエットエッチングに比較してアンダ
ーカットやサイドエッチング等が少なく、正確なパター
ンを形成できるドライエッチングを採用することが注目
されている。従来から、位相シフト膜として酸化シリコ
ンを用い、そのエッチングをドライエッチングで行う場
合、その反応（雰囲気）ガス（以下、エッチングガスと
いう）としてＣＦ4 ガスを用いる方法が提案されている
（例えば、特開平３−７１１３３号公報参照）。
造する場合、位相シフト膜にエッチング処理を施して位
相シフトパターンを形成する必要がある。このエッチン
グの方法として、ウエットエッチングに比較してアンダ
ーカットやサイドエッチング等が少なく、正確なパター
ンを形成できるドライエッチングを採用することが注目
されている。従来から、位相シフト膜として酸化シリコ
ンを用い、そのエッチングをドライエッチングで行う場
合、その反応（雰囲気）ガス（以下、エッチングガスと
いう）としてＣＦ4 ガスを用いる方法が提案されている
（例えば、特開平３−７１１３３号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の下置
きタイプの位相シフトマスクを製造する際に、上述のＣ
Ｆ4 ガスを用いたドライエッチングによって位相シフト
膜のエッチングを行うと、遮光パターンのエッジ部が削
れてパターン欠陥が生ずるという問題のあることが判明
した。
きタイプの位相シフトマスクを製造する際に、上述のＣ
Ｆ4 ガスを用いたドライエッチングによって位相シフト
膜のエッチングを行うと、遮光パターンのエッジ部が削
れてパターン欠陥が生ずるという問題のあることが判明
した。
【０００５】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、良好な遮光パターンを有する下置きタイプの
位相シフトマスクを得ることができる位相シフトマスク
の製造方法を提供することを目的としたものである。
のであり、良好な遮光パターンを有する下置きタイプの
位相シフトマスクを得ることができる位相シフトマスク
の製造方法を提供することを目的としたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めの手段として、第１の手段は、透明基板上に、遮光パ
ターンを有し、この遮光パターンによって形成された光
透過部を透過する露光光間に位相差を生成させる位相シ
フトパターンを有する位相シフトマスクの製造方法であ
って、前記位相シフトパターンを形成する位相シフトパ
ターン形成工程において形成される位相シフトパターン
形成用レジストパターンは、前記遮光パターンの上に形
成されたレジスト膜が除去されないようにして形成され
たパターンであり、 前記位相シフトパターンを形成する
位相シフトパターン形成工程は、前記位相シフトパター
ン形成用レジストパターンをマスクにして、ＣＨＦ 3 ガ
ス、Ｃ 2 Ｆ 6 ガス、ＣＦ 4 とＣＨＦ 3 との混合ガス、又
は、ＣＦ 4 とＣ 2 Ｆ 6 との混合ガス、のうちのいずれか
１又は２以上にＯ 2 ガスを添加したエッチングガスを用
いたドライエッチングにより行うことを特徴とする位相
シフトマスクの製造方法である。
めの手段として、第１の手段は、透明基板上に、遮光パ
ターンを有し、この遮光パターンによって形成された光
透過部を透過する露光光間に位相差を生成させる位相シ
フトパターンを有する位相シフトマスクの製造方法であ
って、前記位相シフトパターンを形成する位相シフトパ
ターン形成工程において形成される位相シフトパターン
形成用レジストパターンは、前記遮光パターンの上に形
成されたレジスト膜が除去されないようにして形成され
たパターンであり、 前記位相シフトパターンを形成する
位相シフトパターン形成工程は、前記位相シフトパター
ン形成用レジストパターンをマスクにして、ＣＨＦ 3 ガ
ス、Ｃ 2 Ｆ 6 ガス、ＣＦ 4 とＣＨＦ 3 との混合ガス、又
は、ＣＦ 4 とＣ 2 Ｆ 6 との混合ガス、のうちのいずれか
１又は２以上にＯ 2 ガスを添加したエッチングガスを用
いたドライエッチングにより行うことを特徴とする位相
シフトマスクの製造方法である。
【０００７】
【０００８】
【作用】 第１の手段によれば、位相シフトパターン形
成工程における位相シフト膜のエッチングを、ＣＨＦ 3
ガス、Ｃ 2 Ｆ 6 ガス、ＣＦ 4 とＣＨＦ 3 との混合ガス、
又は、ＣＦ 4 とＣ 2 Ｆ 6 との混合ガス、のうちのいずれ
か１又は２以上にＯ 2 ガスを添加したエッチンクガスを
用いたドライエッチングにより行うようにしたことによ
り、このドライエッチングによって遮光パターンのエッ
ジ部が削れてパターン欠陥を生ずるようなことがほぼな
くなることが確認された。
成工程における位相シフト膜のエッチングを、ＣＨＦ 3
ガス、Ｃ 2 Ｆ 6 ガス、ＣＦ 4 とＣＨＦ 3 との混合ガス、
又は、ＣＦ 4 とＣ 2 Ｆ 6 との混合ガス、のうちのいずれ
か１又は２以上にＯ 2 ガスを添加したエッチンクガスを
用いたドライエッチングにより行うようにしたことによ
り、このドライエッチングによって遮光パターンのエッ
ジ部が削れてパターン欠陥を生ずるようなことがほぼな
くなることが確認された。
【０００９】
【００１０】
（実施例１）図１ないし図５は本発明の実施例１にかか
る位相シフトマスクの製造方法の工程図説明図である。
る位相シフトマスクの製造方法の工程図説明図である。
【００１１】以下、これらの図面を参照にしながら実施
例１を説明する。
例１を説明する。
【００１２】まず、主表面を鏡面研磨した石英ガラスか
らなる透明基板１上に、酸化スズ−アンチモン（Ｓｎx
Ｓｂy Ｏ2 ）をスパッタリング法により膜厚１５０オン
グストロームに成膜した。次いで、この成膜した膜を所
定温度で所定時間ベークして透明導電膜２を形成した。
らなる透明基板１上に、酸化スズ−アンチモン（Ｓｎx
Ｓｂy Ｏ2 ）をスパッタリング法により膜厚１５０オン
グストロームに成膜した。次いで、この成膜した膜を所
定温度で所定時間ベークして透明導電膜２を形成した。
【００１３】次に、この透明導電膜２が形成された透明
基板１上に、ＳｉＯ2 系被覆形成用塗布液をスピンコー
ト法により塗布し、２５０℃で３０分間ベークし、膜厚
が４０７０オングストロームの位相シフト膜３を形成し
た。この位相シフト膜３の膜厚は、位相シフト膜によっ
てλ／２（＝１８０°）の位相ずれを生じさせるために
必要な厚さであり、次の（１）式によって求めたもので
ある。
基板１上に、ＳｉＯ2 系被覆形成用塗布液をスピンコー
ト法により塗布し、２５０℃で３０分間ベークし、膜厚
が４０７０オングストロームの位相シフト膜３を形成し
た。この位相シフト膜３の膜厚は、位相シフト膜によっ
てλ／２（＝１８０°）の位相ずれを生じさせるために
必要な厚さであり、次の（１）式によって求めたもので
ある。
【００１４】ｄ＝λ／｛１（ｎ−１）｝…（１） ただし、（１）において、ｄは位相シフト膜の厚さ、ｎ
は位相シフト膜の屈折率、λは露光光の波長である。
は位相シフト膜の屈折率、λは露光光の波長である。
【００１５】次に、位相シフト膜３上にスパッタリング
により膜厚１０００オングストロームのクロム膜を成膜
し、遮光膜４を形成した。
により膜厚１０００オングストロームのクロム膜を成膜
し、遮光膜４を形成した。
【００１６】次に、ポジ型電子線レジスト（チッソ社
製：ＰＢＳ）をスピンコート法により、膜厚４０００オ
ングストロームになるように塗布し、乾燥させて遮光パ
ターン形成用レジスト膜５を形成した（以上、図１参
照）。
製：ＰＢＳ）をスピンコート法により、膜厚４０００オ
ングストロームになるように塗布し、乾燥させて遮光パ
ターン形成用レジスト膜５を形成した（以上、図１参
照）。
【００１７】次に、上記遮光パターン形成用レジスト膜
５に選択的に電子線照射（電子線露光）を行い、現像し
て、レジスト膜残存部５ａ1 ，５ａ2 ，５ａ3 とレジス
ト膜除去部５ｂ1 ，５ｂ2 とからなる遮光パターン形成
用レジストパターン５０を形成した（図２参照）。
５に選択的に電子線照射（電子線露光）を行い、現像し
て、レジスト膜残存部５ａ1 ，５ａ2 ，５ａ3 とレジス
ト膜除去部５ｂ1 ，５ｂ2 とからなる遮光パターン形成
用レジストパターン５０を形成した（図２参照）。
【００１８】次に、遮光パターン形成用レジストパター
ン５０のレジスト膜残存部５ａ1 ，５ａ2 ，５ａ3 をマ
スクとして遮光膜４を、硝酸第２セリウムアンモニウム
１６５ｇ過塩素酸（７０％）４２ｍｌに純水を加えて１
０００ｍｌにしたエッチング液を用いてエッチングを行
い、遮光膜膜残存部４ａ1 ，４ａ2 ，４ａ3 と遮光膜膜
除去部４ｂ1 ，４ｂ2 とからなる遮光パターン４０を形
成した。その後、残存レジストは熱濃硫酸により剥離
し、洗浄を施した（図３参照）。
ン５０のレジスト膜残存部５ａ1 ，５ａ2 ，５ａ3 をマ
スクとして遮光膜４を、硝酸第２セリウムアンモニウム
１６５ｇ過塩素酸（７０％）４２ｍｌに純水を加えて１
０００ｍｌにしたエッチング液を用いてエッチングを行
い、遮光膜膜残存部４ａ1 ，４ａ2 ，４ａ3 と遮光膜膜
除去部４ｂ1 ，４ｂ2 とからなる遮光パターン４０を形
成した。その後、残存レジストは熱濃硫酸により剥離
し、洗浄を施した（図３参照）。
【００１９】次に、遮光パターン４０の上にポジ型電子
線レジスト（日本ゼオン社製：ＺＥＰ５２０）をスピン
コート法により膜厚６０００オングストロームになるよ
うに塗布し、乾燥させて位相シフトパターン形成用レジ
スト膜を形成し、これに選択的に電子線照射を行い、現
像して、レジスト膜残存部６ａ1 ，６ａ2 と、レジスト
膜除去部６ｂとからなる位相シフトパターン形成用レジ
ストパターン６０を形成した（図４参照）。
線レジスト（日本ゼオン社製：ＺＥＰ５２０）をスピン
コート法により膜厚６０００オングストロームになるよ
うに塗布し、乾燥させて位相シフトパターン形成用レジ
スト膜を形成し、これに選択的に電子線照射を行い、現
像して、レジスト膜残存部６ａ1 ，６ａ2 と、レジスト
膜除去部６ｂとからなる位相シフトパターン形成用レジ
ストパターン６０を形成した（図４参照）。
【００２０】ここで、この実施例では、位相シフトパタ
ーン形成用レジストパターン６０のレジスト膜残存部６
ａ1 ，６ａ2 を、実線で示したように、位相シフトパタ
ーン形成用レジスト膜のうち、位相シフト膜をエッチン
グにより除去する領域６ｂのみが除去され、遮光膜残存
部４ａ1 ，４ａ2 ，４ａ3 の上に位置する領域を含む他
の領域が除去されないようにした。
ーン形成用レジストパターン６０のレジスト膜残存部６
ａ1 ，６ａ2 を、実線で示したように、位相シフトパタ
ーン形成用レジスト膜のうち、位相シフト膜をエッチン
グにより除去する領域６ｂのみが除去され、遮光膜残存
部４ａ1 ，４ａ2 ，４ａ3 の上に位置する領域を含む他
の領域が除去されないようにした。
【００２１】これに対して、従来は、位相シフトパター
ン形成用レジスト膜として、露光した部分が現像により
除去される性質を有するポジ型電子線レジストを用いた
場合には、通常、図４の点線６１と該点線６１の図中右
方側にある実線とで囲まれる部分並びに点線６２と該点
線６２の図中左方側にある実線とで囲まれる部分がレジ
スト残存部とされた。また、位相シフトパターン形成用
レジスト膜として、露光した部分が現像により残存する
性質を有するネガ型電子線レジストを用いた場合には、
通常、図４の点線６１と該点線６１の図中右方側にある
実線とで囲まれる部分並びに点線６２及び６３とこれら
点線の間にある実線とで囲まれる部分がレジスト残存部
とされた。これは、特に電子線による露光を行う場合、
露光する領域をできるだけ小さくする必要があること、
遮光膜自体が位相シフトパターンを形成するエッチング
の際にマスクとして機能させることができる等の理由に
よる。このように、いずれの場合にも、遮光膜残存部４
ａ1 ，４ａ2 ，４ａ3 の縁部（ポジ型レジストの場合）
もしくは多くの部分（ネガ型レジストの場合）が露出さ
れ、これらの部分が位相シフトパターンを形成するエッ
チングガスにさらされる。遮光膜はこのエッチングガス
に対して耐性を有することから、従来は問題視されず、
むしろ、遮光膜の一部を積極的にマスクとして利用して
いた。しかしながら、本発明者の知見によれば、遮光膜
がエッチングガスにされた場合には、遮光膜が僅かにエ
ッチングされ、それにより、遮光膜の成分あるいはその
成分とエッチングガスとの反応生成物等からなる粉塵が
生じ、その粉塵がエッチング中の位相シフト膜の表面に
付着してランダムなマスクとしての作用等をなすことに
よって（推定）エッチング後の表面に凹凸等の表面荒れ
を生ずるという問題があることがわかった。この実施例
では、遮光膜をレジスト膜で覆うことにより、エッチン
グガスにさらされないようにした。これにより、エッチ
ングにより位相シフトマスクが除去されて露出された部
分の表面の荒れを極めて小さく抑えることが可能になっ
た。
ン形成用レジスト膜として、露光した部分が現像により
除去される性質を有するポジ型電子線レジストを用いた
場合には、通常、図４の点線６１と該点線６１の図中右
方側にある実線とで囲まれる部分並びに点線６２と該点
線６２の図中左方側にある実線とで囲まれる部分がレジ
スト残存部とされた。また、位相シフトパターン形成用
レジスト膜として、露光した部分が現像により残存する
性質を有するネガ型電子線レジストを用いた場合には、
通常、図４の点線６１と該点線６１の図中右方側にある
実線とで囲まれる部分並びに点線６２及び６３とこれら
点線の間にある実線とで囲まれる部分がレジスト残存部
とされた。これは、特に電子線による露光を行う場合、
露光する領域をできるだけ小さくする必要があること、
遮光膜自体が位相シフトパターンを形成するエッチング
の際にマスクとして機能させることができる等の理由に
よる。このように、いずれの場合にも、遮光膜残存部４
ａ1 ，４ａ2 ，４ａ3 の縁部（ポジ型レジストの場合）
もしくは多くの部分（ネガ型レジストの場合）が露出さ
れ、これらの部分が位相シフトパターンを形成するエッ
チングガスにさらされる。遮光膜はこのエッチングガス
に対して耐性を有することから、従来は問題視されず、
むしろ、遮光膜の一部を積極的にマスクとして利用して
いた。しかしながら、本発明者の知見によれば、遮光膜
がエッチングガスにされた場合には、遮光膜が僅かにエ
ッチングされ、それにより、遮光膜の成分あるいはその
成分とエッチングガスとの反応生成物等からなる粉塵が
生じ、その粉塵がエッチング中の位相シフト膜の表面に
付着してランダムなマスクとしての作用等をなすことに
よって（推定）エッチング後の表面に凹凸等の表面荒れ
を生ずるという問題があることがわかった。この実施例
では、遮光膜をレジスト膜で覆うことにより、エッチン
グガスにさらされないようにした。これにより、エッチ
ングにより位相シフトマスクが除去されて露出された部
分の表面の荒れを極めて小さく抑えることが可能になっ
た。
【００２２】次に、上記位相シフトパターン形成用レジ
ストパターン６０のレジスト残存部６ａ1 ，６ａ2 をマ
スクとして位相シフト膜３を下記の条件によりドライエ
ッチングを行い、位相シフト膜残存部３ａ1 ，３ａ2 と
位相シフト膜除去部３ｂとからなる位相シフトパターン
３０を形成し、残存レジストは熱濃硫酸により剥離し、
洗浄を施して、下置きタイプの位相シフトマスクを得た
（図５参照）。
ストパターン６０のレジスト残存部６ａ1 ，６ａ2 をマ
スクとして位相シフト膜３を下記の条件によりドライエ
ッチングを行い、位相シフト膜残存部３ａ1 ，３ａ2 と
位相シフト膜除去部３ｂとからなる位相シフトパターン
３０を形成し、残存レジストは熱濃硫酸により剥離し、
洗浄を施して、下置きタイプの位相シフトマスクを得た
（図５参照）。
【００２３】雰囲気ガス…ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 の混
合ガス（ＣＦ4 ：ＣＨＦ3 ：Ｏ2 ＝３：６：１） ガス圧力…０．０６Ｔｏｒｒ 高周波出力…２５０Ｗ エッチング時間…１０分 このように製造した位相シフトマスクは、位相シフトパ
ターンの凸部３ａ1 ，３ａ2 を透過する波長３６５ｎｍ
のｉ線である露光光Ｌ1 と、位相シフトパターンの凹部
３ｂを透過する露光光Ｌ2 との間に１８０°の位相差を
得ることができた。また、このようにして製造した位相
シフトマスクは、位相シフト膜のドライエッチングを上
記のような条件で行った結果、遮光パターン４０のエッ
ジ部の削れ等がほとんどみられず、また、パターン欠陥
もほとんど生じないとともに、透明導電膜２の露出され
た部分の表面荒れも極めて少ない勝れたものであった。
合ガス（ＣＦ4 ：ＣＨＦ3 ：Ｏ2 ＝３：６：１） ガス圧力…０．０６Ｔｏｒｒ 高周波出力…２５０Ｗ エッチング時間…１０分 このように製造した位相シフトマスクは、位相シフトパ
ターンの凸部３ａ1 ，３ａ2 を透過する波長３６５ｎｍ
のｉ線である露光光Ｌ1 と、位相シフトパターンの凹部
３ｂを透過する露光光Ｌ2 との間に１８０°の位相差を
得ることができた。また、このようにして製造した位相
シフトマスクは、位相シフト膜のドライエッチングを上
記のような条件で行った結果、遮光パターン４０のエッ
ジ部の削れ等がほとんどみられず、また、パターン欠陥
もほとんど生じないとともに、透明導電膜２の露出され
た部分の表面荒れも極めて少ない勝れたものであった。
【００２４】以下、実施例２〜４を説明するが、以下に
示す実施例２〜４は、位相シフト膜のドライエッチング
におけるエッチング条件が異なる以外は実施例１と同様
である。
示す実施例２〜４は、位相シフト膜のドライエッチング
におけるエッチング条件が異なる以外は実施例１と同様
である。
【００２５】（実施例２）本実施例では、位相シフト膜
のドライエッチングを下記の条件により行った。
のドライエッチングを下記の条件により行った。
【００２６】雰囲気ガス…ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 の混合ガス
（ＣＨＦ3 ：Ｏ2 ＝８：２） ガス圧力…０．０６Ｔｏｒｒ 高周波出力…２５０Ｗ エッチング時間…９分 本実施例も実施例１の場合と同様に、遮光パターンのエ
ッジ部の削れ、パターン欠陥等のほとんど生じないもの
であった。
（ＣＨＦ3 ：Ｏ2 ＝８：２） ガス圧力…０．０６Ｔｏｒｒ 高周波出力…２５０Ｗ エッチング時間…９分 本実施例も実施例１の場合と同様に、遮光パターンのエ
ッジ部の削れ、パターン欠陥等のほとんど生じないもの
であった。
【００２７】（実施例３）本実施例では、位相シフト膜
のドライエッチングを下記の条件により行った。
のドライエッチングを下記の条件により行った。
【００２８】雰囲気ガス…Ｃ2 Ｆ6 ＋Ｏ2 の混合ガス
（Ｃ2 Ｆ6 ：Ｏ2 ＝７：３） ガス圧力…０．０６Ｔｏｒｒ 高周波出力…２５０Ｗ エッチング時間…１０分 本実施例も実施例１の場合と同様に、遮光パターンのエ
ッジ部の削れ、パターン欠陥等のほとんど生じないもの
であった。
（Ｃ2 Ｆ6 ：Ｏ2 ＝７：３） ガス圧力…０．０６Ｔｏｒｒ 高周波出力…２５０Ｗ エッチング時間…１０分 本実施例も実施例１の場合と同様に、遮光パターンのエ
ッジ部の削れ、パターン欠陥等のほとんど生じないもの
であった。
【００２９】（実施例４）本実施例では、位相シフト膜
のドライエッチングを下記の条件により行った。
のドライエッチングを下記の条件により行った。
【００３０】雰囲気ガス…Ｃ2 Ｆ6 ＋ＣＦ4 ＋Ｏ2 の混
合ガス（Ｃ2 Ｆ6 ：ＣＦ4 ：Ｏ2 ＝６：３：１） ガス圧力…０．０６Ｔｏｒｒ 高周波出力…２５０Ｗ エッチング時間…１０分 本実施例も実施例１の場合と同様に、遮光パターンのエ
ッジ部の削れ、パターン欠陥等のほとんど生じないもの
であった。
合ガス（Ｃ2 Ｆ6 ：ＣＦ4 ：Ｏ2 ＝６：３：１） ガス圧力…０．０６Ｔｏｒｒ 高周波出力…２５０Ｗ エッチング時間…１０分 本実施例も実施例１の場合と同様に、遮光パターンのエ
ッジ部の削れ、パターン欠陥等のほとんど生じないもの
であった。
【００３１】（比較例）本比較例は、位相シフト膜のド
ライエッチングにおけるエッチング条件が異なる以外は
実施例１と同様である。すなわち、位相シフト膜のドラ
イエッチングを下記の条件により行った。
ライエッチングにおけるエッチング条件が異なる以外は
実施例１と同様である。すなわち、位相シフト膜のドラ
イエッチングを下記の条件により行った。
【００３２】雰囲気ガス…ＣＦ4 ＋Ｏ2 の混合ガス（Ｃ
Ｆ4 ：Ｏ2 ＝９：１） ガス圧力…０．０６Ｔｏｒｒ 高周波出力…２５０Ｗ エッチング時間…１０分 本比較例によれば、露出している遮光パターンの多くの
部分のエッジ部に削れによる欠陥が多くみられた。
Ｆ4 ：Ｏ2 ＝９：１） ガス圧力…０．０６Ｔｏｒｒ 高周波出力…２５０Ｗ エッチング時間…１０分 本比較例によれば、露出している遮光パターンの多くの
部分のエッジ部に削れによる欠陥が多くみられた。
【００３３】なお、本発明は上記実施例に限られるもの
ではない。
ではない。
【００３４】まず、位相シフト膜のドライエッチング条
件について、実施例１においては雰囲気ガスに用いたＣ
Ｆ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 の混合ガスの比率が３：６：１で
あったが、ＣＨＦ3 が２０〜７０％、Ｏ2 が５〜３０％
の比率であってもよい。また、実施例２においては雰囲
気ガスに用いたＣＨＦ3 ＋Ｏ2 の混合ガスの比率が８：
２であったが、これに限らず９：１〜６：４であっても
よい。また実施例４においては雰囲気ガスに用いたＣ2
Ｆ6 ＋ＣＦ4 ＋Ｏ2 の混合ガスの比率が６：３：１であ
ったが、これに限らずＣ2 Ｆ6 が２０〜６０％Ｏ2 が５
〜３０％の比率であってもよい。
件について、実施例１においては雰囲気ガスに用いたＣ
Ｆ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｏ2 の混合ガスの比率が３：６：１で
あったが、ＣＨＦ3 が２０〜７０％、Ｏ2 が５〜３０％
の比率であってもよい。また、実施例２においては雰囲
気ガスに用いたＣＨＦ3 ＋Ｏ2 の混合ガスの比率が８：
２であったが、これに限らず９：１〜６：４であっても
よい。また実施例４においては雰囲気ガスに用いたＣ2
Ｆ6 ＋ＣＦ4 ＋Ｏ2 の混合ガスの比率が６：３：１であ
ったが、これに限らずＣ2 Ｆ6 が２０〜６０％Ｏ2 が５
〜３０％の比率であってもよい。
【００３５】また、透明基板としては、石英ガラス以外
に、ソーダライムガラス、アルミノボロシリケートガラ
ス、ボロシリケートガラス等の他のガラスを用いてもよ
い。
に、ソーダライムガラス、アルミノボロシリケートガラ
ス、ボロシリケートガラス等の他のガラスを用いてもよ
い。
【００３６】さらに、透明導電膜としては、酸化スズ−
アンチモン以外にＩｎx Ｓｎy Ｏ2等でもよい。
アンチモン以外にＩｎx Ｓｎy Ｏ2等でもよい。
【００３７】また、透明基板と位相シフト膜の間には透
明導電膜の代わりにエッチング停止膜としてＡｌ2 Ｏ3
にＳｎＯ2 をドープしたもの、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＭｇＯ等を形成してもよい。ただしその場合、
位相シフトパターン形成時の電子線描画において帯電を
防止するためにレジスト膜上に帯電防止剤を塗布するこ
とが好ましい。
明導電膜の代わりにエッチング停止膜としてＡｌ2 Ｏ3
にＳｎＯ2 をドープしたもの、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＭｇＯ等を形成してもよい。ただしその場合、
位相シフトパターン形成時の電子線描画において帯電を
防止するためにレジスト膜上に帯電防止剤を塗布するこ
とが好ましい。
【００３８】また、遮光膜としては、クロムの他にクロ
ム酸化物、クロム窒化物、あるいはそれらを混合したも
の、又はそれらを二層以上積層したものであってもよ
い。
ム酸化物、クロム窒化物、あるいはそれらを混合したも
の、又はそれらを二層以上積層したものであってもよ
い。
【００３９】さらに、上記実施例では位相シフトパター
ンを形成する際に、電子線露光による場合を例にかかげ
たが、これは他の露光方法であってもよい。その場合に
は、その露光方法に応じたレジストを用いることは勿論
である。
ンを形成する際に、電子線露光による場合を例にかかげ
たが、これは他の露光方法であってもよい。その場合に
は、その露光方法に応じたレジストを用いることは勿論
である。
【００４０】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明は、位相
シフトパターン形成工程における位相シフト膜のエッチ
ングを、ＣＨＦ3 ガス、Ｃ2 Ｆ6 ガス、ＣＦ4 とＣＨＦ
3 との混合ガス、又は、ＣＦ4 とＣ2 Ｆ6 との混合ガ
ス、のうちのいずれか１又は２以上にＯ2 ガスを添加し
たエッチングガスを用いたドライエッチングにより行う
ことにより、ドライエッチングによって遮光パターンの
エッジ部が削れてパターン欠陥を生ずるようなことがな
いようにしたものである。
シフトパターン形成工程における位相シフト膜のエッチ
ングを、ＣＨＦ3 ガス、Ｃ2 Ｆ6 ガス、ＣＦ4 とＣＨＦ
3 との混合ガス、又は、ＣＦ4 とＣ2 Ｆ6 との混合ガ
ス、のうちのいずれか１又は２以上にＯ2 ガスを添加し
たエッチングガスを用いたドライエッチングにより行う
ことにより、ドライエッチングによって遮光パターンの
エッジ部が削れてパターン欠陥を生ずるようなことがな
いようにしたものである。
【図１】本発明の実施例１にかかる位相シフトマスクの
製造方法の工程説明図である。
製造方法の工程説明図である。
【図２】本発明の実施例１にかかる位相シフトマスクの
製造方法の工程説明図である。
製造方法の工程説明図である。
【図３】本発明の実施例１にかかる位相シフトマスクの
製造方法の工程説明図である。
製造方法の工程説明図である。
【図４】本発明の実施例１にかかる位相シフトマスクの
製造方法の工程説明図である。
製造方法の工程説明図である。
【図５】本発明の実施例１にかかる位相シフトマスクの
製造方法の工程説明図である。
製造方法の工程説明図である。
１…透明基板、２…透明導電膜、３…位相シフト膜、４
…遮光膜、５…遮光パターン形成用レジスト膜、３０…
位相シフトパターン、４０…遮光パターン、５０…遮光
パターン形成用レジストパターン。
…遮光膜、５…遮光パターン形成用レジスト膜、３０…
位相シフトパターン、４０…遮光パターン、５０…遮光
パターン形成用レジストパターン。
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板上に、遮光パターンを有し、こ
の遮光パターンによって形成された光透過部を透過する
露光光間に位相差を生成させる位相シフトパターンを有
する位相シフトマスクの製造方法であって、前記位相シフトパターンを形成する位相シフトパターン
形成工程において形成される位相シフトパターン形成用
レジストパターンは、前記遮光パターンの上に形成され
たレジスト膜が除去されないようにして形成されたパタ
ーンであり、 前記位相シフトパターンを形成する位相シフトパターン
形成工程は、前記位相シフトパターン形成用レジストパ
ターンをマスクにして、ＣＨＦ 3 ガス、Ｃ 2 Ｆ 6 ガス、
ＣＦ 4 とＣＨＦ 3 との混合ガス、又は、ＣＦ 4 とＣ 2 Ｆ 6
との混合ガス、のうちのいずれか１又は２以上にＯ 2
ガスを添加したエッチングガスを用いたドライエッチン
グにより行うことを特徴とする位相シフトマスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18659892A JP3272774B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18659892A JP3272774B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0635169A JPH0635169A (ja) | 1994-02-10 |
| JP3272774B2 true JP3272774B2 (ja) | 2002-04-08 |
Family
ID=16191364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18659892A Expired - Fee Related JP3272774B2 (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3272774B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19527626A1 (de) * | 1995-07-28 | 1997-01-30 | Bosch Gmbh Robert | Brennstoffeinspritzventil |
| KR100189741B1 (ko) * | 1996-07-19 | 1999-06-01 | 구본준 | 위상반전마스크 및 그의 제조방법 |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP18659892A patent/JP3272774B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0635169A (ja) | 1994-02-10 |
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