JP3093832B2 - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、投影露光装置で使用
するフォトマスクであって、特にパターンを通過する露
光光に位相差を与えて高解像度のパターン転写を可能と
する位相シフトマスク及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】位相シフトマスク及びその製造方法とし
ては、例えば、特開平2-78216 号公報に開示の例が知ら
れている。

【０００３】図１５は上記公報に開示された位相シフト
マスクの構成を示す図である。図１５に示されるよう
に、この位相シフトマスク１０１は、透明基板１０２の
上に形成された透明導電膜１０３と、この透明導電膜１
０３の上に形成されて透光部１０７と遮光部１０６とで
構成される遮光膜パターン１０８と、この遮光膜パター
ン１０８の透光部１０７に選択的に形成された位相シフ
ト層１０９とを有するものである。この構成により、位
相シフト層が形成されていない透光部１０７ａを通過す
る露光光Ｌ₁ と、上記透光部１０７ａに対して遮光膜１
０６を挾んで隣り合う透光部であって位相シフト層１０
９が形成された透光部１０７ｂを通過する露光光Ｌ₂ と
の位相を、例えば、λ／２（＝１８０°）だけシフトさ
せることにより、回折作用で遮光膜１０６の影の部分に
まで回り込んだ露光光を干渉させて相殺するようにした
ものである。なお、透明導電膜１０３は、電子線露光の
際等における電子線照射によるチャージアップを防止す
るものである。

【０００４】図１６ないし図１９は、上述の従来の位相
シフトマスクの製造方法の工程説明図であり、まず、ガ
ラス板等の透明基板１０２の上に酸化スズ等の透明導電
膜１０３を形成する（図１６）。次に、この透明導電膜
１０３の上にクロム等の遮光膜１０５ａを形する（図１
７）。次に、フォトリソグラフィー法等を用いて遮光膜
１０５ａの一部を所定の露光パターンに沿って除去し、
遮光部１０６と透光部１０７からなる遮光膜パターン１
０８を形成する（図１８）。次いで、位相シフト膜１０
９ａを上記遮光膜パターン１０８の全面に形成する（図
１９）。しかる後、フォトリソグラフィー法等を用いて
この位相シフト膜１０９ａの一部を選択的に除去し、位
相シフト層が形成されていない透光部１０７ａと、位相
シフト層１０９が形成された透光部１０７ｂとを有する
位相シフトマスク１０１を得る（図１５）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の従来
の位相シフトマスクは、遮光膜１０５ａの一部を除去し
て遮光膜パターン１０８を形成する際に、ウェットエッ
チングにより行うと、エッチングの際にアンダーカット
が生じてしまい、正確なパターンを形成することが困難
であるという問題点があった。

【０００６】本発明者の究明によれば、ウェットエッチ
ングの際におけるエッチング液と遮光膜１０５ａ等との
化学反応時において、遮光膜１０５ａと導電膜１０３と
の間で電荷が自由に移動できるようになっていることが
アンダーカットを生じさせる原因の１つではないかと推
量された。この推量のもとに、これらの間の電荷の移動
をある程度制限する透明高抵抗膜を設けたところ、この
アンダーカットが著しく軽減されることがわかった。こ
の発明の位相シフトマスクは、この解明事実に基づいて
なされたものであり、ウェットエッチング時におけるア
ンダーカットを効果的に防止して正確な遮光膜パターン
を容易に得ることができる位相シフトマスクを提供する
ことを目的したものである。

【０００７】ここで、この発明の位相シフトマスクは、
上述の従来の製造方法の考え方をそのまま延長した方法
では製造することができない。すなわち、図２０に示さ
れるように、従来の考え方では、透明基板１０２の上
に、透明導電膜１０３、透明高抵抗膜１０４を順次形成
し、その上に遮光膜パターン１０８を形成した後、この
遮光膜パターン１０８の全面に位相シフト膜１０９ａを
形成し、しかる後、この位相シフト膜１０９ａの一部を
選択的に除去することになる。ところが、位相シフト膜
１０８の一部を除去する工程は通常プラズマエッチング
等で行われるため、図２１に示されるように、位相シフ
ト膜１０８の一部を除去する際に同時に透光部にある透
明高抵抗膜１０４も除去されてしまう。このため、位相
シフト層が形成されていない透光部１０７ａには透明高
抵抗膜１０４が介在されないのに対して、位相シフト層
１０９が形成された透光部１０７ｂには透明高抵抗膜１
０４が介在されることになる。それゆえ、透光部１０７
ａを通過する露光光Ｌ₁ と、透光部１０７ｂを通過する
露光光Ｌ₂ との位相シフト量が、位相シフト層１０９に
よる位相シフト量と、透明高抵抗膜１０４による位相シ
フト量とを加えた値となる。その結果、位相シフト層１
０９による位相シフト量がちょうどλ／２になるように
その厚さを設定した場合、透明高抵抗膜１０４の厚さの
分だけ誤差が生ずることになる。例えば、透明高抵抗膜
１０４として厚さ５０オングストロームの酸化タンタル
を採用した場合には、その誤差は略＋６．２５°程度に
なり、無視できないものとなる。

【０００８】この発明の位相シフトマスクの製造方法
は、この発明の位相シフトマスクの製造を可能にした位
相シフトマスクの製造方法を提供することを目的とした
ものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明は、（１） 透明基板と、この透明基板の上
に形成された透明導電膜と、この透明導電膜の上に形成
されて透光部と遮光部とで構成される遮光膜パターン
と、前記遮光膜パターンの透光部に選択的に形成された
位相シフト層とを有する位相シフトマスクにおいて、前
記遮光膜パターンの遮光部が、遮光膜の下に透明高抵抗
膜を備えたものであり、一方、透光部は前記遮光膜及び
透明高抵抗膜がともに除去されているものであることを
特徴とした特徴とする構成とし、また、構成１の位相シ
フトマスクを製造する位相シフトマスクの製造方法とし
て、（２） 構成１の位相シフトマスクを製造する位相
シフトマスクの製造方法であって、透明基板の上に、透
明導電膜、透明高抵抗膜、及び遮光膜を順次形成する工
程と、前記遮光膜の一部を所定のパターン形状に沿って
除去する工程と、前記工程で除去されずに残存する遮光
膜をマスクにして前記透明高抵抗膜における前記マスク
で覆われていない部分を除去することにより、遮光膜の
下に透明高抵抗膜が形成された遮光部と、前記遮光膜及
び透明高抵抗膜がともに除去された透光部とからなる遮
光膜パターンを得る工程と、前記遮光膜パターンの透光
部に選択的に位相シフト層を形成する工程とを有する構
成としたものである。

【００１０】

【作用】上述の構成１の発明では、遮光部を構成する遮
光膜の一部を所定のパターンに沿ってウェットエッチン
グにより除去する際に、アンダーカットが生じないか
ら、正確なパターンエッチングが可能となり、したがっ
て、正確な遮光膜パターンを有する位相シフトマスクを
得ることができる。

【００１１】また、構成２によれば、上記構成１の位相
シフトマスクを製造することが可能となる。

【００１２】

【実施例】

（一実施例の位相シフトマスク）図１はこの発明の一実
施例にかかる位相シフトマスクの断面図である。以下、
図１を参照にしながら一実施例の位相シフトマスクを詳
細に説明する。

【００１３】図１に示されるように、この位相シフトマ
スク１は、透明基板２の上に透明導電膜３が全面にわた
って形成され、また、この透明導電膜３の上に透光部７
と遮光部６とで構成される遮光膜パターン８が形成さ
れ、さらに、遮光部６の両側に形成された透光部７のう
ち、一方の側の透光部７ａは空隙部とされ、他方の側の
透光部７ｂには位相シフト層９が形成されたものであ
る。また、遮光膜パターン８の遮光部６は、遮光膜５の
下に透明高抵抗膜４を備えたものである。

【００１４】この構成により、位相シフト層が形成され
ていない透光部７ａを通過する露光光Ｌ₁ と、位相シフ
ト層９が形成された透光部７ｂを通過する露光光Ｌ₂ と
の位相を、例えば、λ／２（＝１８０°）だけシフトさ
せることにより、回折作用で遮光膜１０６の影の部分に
まで回り込んだ露光光を干渉させて相殺するようにした
ものである。この場合、位相シフト層９によって、λ／
２の位相ずれを生じさせるために必要な厚さは次の(1)
式によって求めることができる。

【００１５】ｄ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ …(1) ただし、(1) 式において、ｄは位相シフト層の厚さ、ｎ
は位相シフト層の屈折率、λは露光光の波長である。

【００１６】透明基板２は、表裏の面（主表面）を鏡面
研摩した石英ガラス板である。

【００１７】また、透明導電膜３は、酸化スズーアンチ
モン（Ｓｎ_x Ｓｂ_y Ｏ₂ ）からなり、その膜厚が１５０
オングストロームである。この透明導電膜３は、この位
相シフトマスク１の製造の際における電子線照射時、あ
るいは、電子線におる検査時等において基板２の表面に
電荷が蓄積されるのを防止する作用をなすとともに、製
造工程中において、エッチングにより位相シフト層９を
形成する際に、透明基板２の表面がエッチングにより侵
されることを防止する作用もなす。

【００１８】透明高抵抗膜４は、タンタル酸化物（Ｔａ
_x Ｏ_y ）からなる膜厚５０オングストロームの薄膜であ
る。この透明高抵抗膜４は、遮光膜５をウェットエッチ
ングする際に、遮光膜パターンがアンダーカットされる
ことを防止する作用をなす。なお、この透明高抵抗膜４
の作用についての理論的解明はなされていないが、上述
したように、エッチング液と遮光膜５等との化学反応時
において、遮光膜５と透明導電膜３との間で電荷が自由
に移動できるようになっていることがアンダーカットを
生じさせる原因の１つであるとすれば、この電荷の移動
を制限したことによって、反応が適度に制御されること
になったためであると推定されている。なお、この透明
高抵抗膜４の材料としては、比較的大量の電荷の移動を
防止できる高抵抗の電気抵抗体に用いられる素材、ある
いは絶縁体であってもよい。絶縁体であってもその膜厚
が十分に薄いので、電荷が大量に蓄積するおそれはな
い。ただし、なるべく化学的に安定なものが望ましい。

【００１９】遮光膜５は、膜厚１０００オングストロー
ムのクロム膜である。

【００２０】位相シフト層９は、ＳｉＯ₂ で構成され、
この厚さｄを４１００オングストロームに選定すること
により、波長３６５ｎｍのｉ線である露光光に対して１
８０°の位相差を生じさせるものである。

【００２１】以上の構成を有する位相シフトマスクを用
いてパターン転写を行ったところ、得られた転写パター
ンに線幅誤差がほとんど認められなかった。

【００２２】（一実施例の位相シフトマスクの製造方
法）次に、図２ないし図１０を参照にしながら、この発
明の一実施例の位相シフトマスクの製造方法の製造工程
を説明する。

【００２３】第１工程 図２に示されるように、透明基板２上に、酸化スズーア
ンチモン（Ｓｎ_x Ｓｂ_y Ｏ₂ ）をスパッタリング法によ
り膜厚１５０オングストロームに成膜する。次いで、こ
の成膜した膜を所定温度で所定時間ベークすることによ
り透明導電膜３を形成する。

【００２４】次に、酸化タンタル（Ｔａ_x Ｏ_y ）をスパ
タリングにより膜厚５０オングストロームに成膜して透
明高抵抗膜４ａを形成する。

【００２５】次に、この透明高抵抗膜４ａの上にＣｒを
スパッタリング法により膜厚１０００オングストローム
に成膜し、遮光膜５ａを形成する。

【００２６】次に、電子線レジスト（東レ株式会社製：
ＥＢＲー９ＨＳ３１）をスピンコート法により、膜厚５
０００オングストロームになるように塗布し、１８０°
Ｃで３０分間ベークしてレジスト膜１２ａを形成する。

【００２７】第２工程 次に、レジスト膜１２ａに選択的に電子線を照射して電
子線露光を行い、現像した後、１３０°Ｃで３０分間ベ
ークすることにより、パターン化されたレジスト膜１２
を形成する（図３参照）。

【００２８】第３工程 次に、硝酸第２セリウムアンモニウム１６５ｇ、過塩素
酸（７０％）４２ｍｌに純水を加えて１０００ｍｌにし
たエッチング液を用い、レジストパターン１２をマスク
として遮光膜５ａの露出した部分をエッチングすること
により、パターン化された遮光膜５を得る（図４参
照）。

【００２９】第４工程 次に、第３工程のエッチングの際に使用した残存レジス
ト１２を所定の剥離液を用いて剥離し、洗浄する（図５
参照）。

【００３０】第５工程 次に、第３工程で形成した遮光膜５をマスクとして、透
明高抵抗膜４ａの露出部分をエッチングにより除去し
て、遮光膜５の下にのみ透明高抵抗膜４が存在するよう
にする（図６参照）。このエッチングは、下記の条件に
よりプラズマエッチング法によって行う。

【００３１】雰囲気ガス…ＣＦ₄ とＯ₂ との混合ガス
（０．３５Ｔｏｒｒ） 高周波出力…１００Ｗ エッチング時間…５分第６工程 次に、ＳｉＯ₂ 系被覆形成用塗布液をスピンコート法に
より塗布し、２５０°Ｃで３０分間ベークし、膜厚が４
１００オングストロームの位相シフト膜９ａを形成す
る。次いで、この位相シフト膜９ａ上に、電子線感光性
レジスト（日本ゼオン株式会社製：ＺＥＰー５２０）を
スピンコート法により膜厚が８０００オングストローム
になるように塗布し、１８０°Ｃで３０分間ベークする
ことにより、レジスト膜１３ａを形成する（図７参
照）。

【００３２】第７工程 次に、このレジスト膜１３ａに選択的に電子線を照射し
て電子線露光を行い、これを現像した後、１３０°Ｃで
３０分間ベークすることにより、パターン化されたレジ
スト１３を形成する（図８参照）。

【００３３】第８工程 次に、レジストパターン１３をマスクとして、位相シフ
ト膜９ａの露出部分をエッチングし、位相シフト層９を
形成する（図９参照）。このエッチングは下記の条件の
プラズマエッチングにより行う。

【００３４】雰囲気ガス…ＣＦ₄ とＯ₂ との混合ガス
（０．０７７Ｔｏｒｒ） 高周波出力…３００Ｗ エッチング時間…１０分第９工程 しかる後、第８工程における残存レジスト１３を所定の
剥離液で剥離し、洗浄して位相シフトマスク１を得る
（図１０参照）。

【００３５】以上詳述した一実施例の位相シフトマスク
の製造方法によれば、酸化スズーアンチモン（Ｓｎ_x Ｓ
ｂ_y Ｏ₂ ）からなる透明導電膜３を有しているため、レ
ジスト膜に電子線露光を施してもチャージアップされる
ことがないとともに、位相シフト膜９ａをエッチングす
る際に透明基板２がエッチングされて侵されることを防
止できる。また、遮光膜５ａをウェットエッチングする
際に、この遮光膜５ａの下にタンタル酸化物（Ｔａ_xＯ
_y ）からなる透明高抵抗膜４ａが形成されていることか
ら、アンダーカットが効果的に防止され、正確なエッチ
ングが可能となる。

【００３６】（一実施例の変形例の位相シフトマスク）
次に、上述の一実施例の位相シフトマスクの変形例を掲
げる。

【００３７】第１変形例 図１１はこの発明の一実施例にかかる位相シフトマスク
の第１変形例を示す断面図である。

【００３８】この変形例は、位相シフト層９を、遮光部
５全体を覆いかつその一部が遮光部６の両端から透光部
７にはみだすように形成したものである。換言すると、
透光部７の中央部７ｃを除く両側の領域７ｄ，７ｅに位
相シフト膜９が配置されるようにしたものである。これ
により、中央部７ｃを通過する露光光と、両側の領域７
ｄ，７ｅを通過する露光光とに位相差が生ずるように
し、中央部７ｃを通過する露光光の振幅分布の必要以上
の拡がりを防止して解像度の高いパターン転写を可能に
したものである。この変形例も上述の一実施例と同様の
利点を有する。また、上述の一実施例の方法によって製
造することができる。

【００３９】第２変形例 図１２はこの発明の一実施例にかかる位相シフトマスク
の第２変形例を示す断面図である。

【００４０】この変形例は、位相シフト層９を、透光部
７の中央部７ｃに形成し、この部位を通過する露光光
と、この位相シフト層９が形成された両側の領域７ｄ，
７ｅを通過する露光光との間に位相差が生ずるようにし
たもので、位相差の関係がちょうど上述の第１変形例と
逆の関係になるようにして同様の作用を得るようにし、
同様に、中央部７ｃを通過する露光光の振幅分布の必要
以上の拡がりを防止して解像度の高いパターン転写を可
能にしたものである。この変形例も上述の一実施例と同
様の利点を有する。また、上述の一実施例の方法によっ
て製造することができる。

【００４１】第３変形例 図１３はこの発明の一実施例にかかる位相シフトマスク
の第３変形例を示す断面図である。

【００４２】この変形例は、実質的な透光部たる主透光
部７ｆのほかに、この主透光部７ｆの両側にそれぞれ幅
の狭い補助遮光部６ｂ，６ｃを介して形成された幅の狭
い補助透光部７ｇ，７ｈを設け、この補助透光部７ｇ，
７ｈに位相シフト膜９を形成するようにしたものであ
る。なお、補助透光部７ｇ，７ｈの幅は単独では縮小投
影露光装置によって解像しないような狭い幅である。こ
れにより、補助透光部７ｇ，７ｈを通過する露光光が、
主透光部７ｆを通過する露光光の振幅分布の必要以上の
拡がりを防止して解像度の高いパターン転写を可能にし
たものである。この変形例も上述の一実施例と同様の利
点を有する。また、上述の一実施例の方法によって製造
することができる。

【００４３】第４変形例 図１４はこの発明の一実施例にかかる位相シフトマスク
の第４変形例を示す断面図である。

【００４４】この変形例は、位相シフト層９の配置関係
を上述の第３変形例と逆にして位相差の関係がちょうど
第３変形例と逆の関係になるようにして同様の作用を得
るようにし、同様に、主透光部７ｆを通過する露光光の
振幅分布の必要以上の拡がりを防止して解像度の高いパ
ターン転写を可能にしたものである。この変形例も上述
の一実施例と同様の利点を有する。また、上述の一実施
例の方法によって製造することができる。

【００４５】なお、前記透明基板としては、石英ガラス
以外に、ソーダライムガラス、アルミノボロシリケート
ガラス、ボロシリケートガラス等のガラス、あるいは、
サファイア等を用いてもよい。

【００４６】また、透明導電膜としては、酸化スズーア
ンチモン以外に、ＳｎＯ₂ 、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、Ｉｎ_x Ｓｎ_y
Ｏ_z 、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ、Ｚｒ、
Ａｕ及びこれらを主成分とする材料からなってもよい
し、これらにホウ素等のドーパントを微量含有してもよ
い。また、透明導電膜は、酸化スズを含有した溶液を基
板上に塗布した後、加熱して形成されるものでもよい。

【００４７】透明高抵抗膜としては、タンタル酸化物の
ほかに、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ₂ 、ＣｅＯ₂ 、ＴｉＯ
₂ 等を用いることができる。また、その膜厚は、例え
ば、タンタル酸化物を用いた場合、２０〜３００オング
ストロームが好ましい。これより薄いと、膜を均一に成
膜することが困難になると共に、これより厚いと、表面
に帯電した電荷を透明導電膜に逃がすことが困難になる
からである。また、透明高抵抗膜のエッチングは、ＣＦ
₄ ＋Ｏ₂ 等のフッ素系ドライエチングのほかに、塩素系
ドライエッチングで行ってもよい。

【００４８】また、遮光膜としては、クロム以外に、例
えば、クロム酸化物、クロム炭化物、クロム窒化物、ク
ロム弗化物、あるいは、それらを混合してなるものであ
ってもよく、要は、クロムを主成分とするものであれば
よい。また、クロムを主成分とした薄膜を２以上の複数
積層してなるものでもよい。

【００４９】位相シフト層については、ＳｉＯ₂ の代わ
りにＳｉ_x Ｎ_y を用いてもよい。また、位相シフト層の
成膜は、ＳｉＯ₂ 系被覆形成用塗布液をスピンコート法
により塗布する例を掲げたが、これは、スパッタリング
法、蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜方法を用いてもよい。さ
らに、位相シフト層の形成工程で用いるレジストとして
は、ポジ型、又は、ネガ型フォトレジストのほかに、電
子線露光法を採用して、ポジ型、又は、ネガ型電子線レ
ジストを用いることもできる。

【００５０】また、遮光膜及び透明導電膜の膜厚は、そ
れぞれ適宜選定し得る。

【００５１】さらに、遮光膜又は遮光膜パターンと、透
明高抵抗膜との間にクロム酸化物からなる反射防止膜を
介在させてもよいし、遮光膜又は遮光膜パターン上に反
射防止膜を形成してもよい。

【００５２】さらに、透明導電膜、透明高抵抗膜、遮光
膜及びレジストの成膜方法については、スピンコート法
のほかに、蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜方法を用いてもよ
い。

【００５３】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明にかかる位
相シフトマスクは、透明基板と、この透明基板の上に形
成された透明導電膜と、この透明導電膜の上に形成され
て透光部と遮光部とで構成される遮光膜パターンと、前
記遮光膜パターンの透光部に選択的に形成された位相シ
フト層とを有する位相シフトマスクにおいて、前記遮光
膜パターンの遮光部が、遮光膜の下に透明高抵抗膜を備
えたものであり、一方、透光部は前記遮光膜及び透明高
抵抗膜がともに除去されているものであることを特徴と
したもので、これにより、遮光部を構成する遮光膜の一
部を所定のパターンに沿ってウェットエッチングにより
除去する際に、アンダーカットが生じないから、正確な
パターンエッチングが可能となり、したがって、正確な
遮光膜パターンを有する位相シフトマスクを得ることが
できる。また、この発明の製造方法によれば、この発明
の位相シフトマスクを製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例にかかる位相シフトマスク
なお断面図である。

【図２】各薄膜及びレジスト膜の形成工程の説明図であ
る。

【図３】レジストの露光・現像工程の説明図である。

【図４】遮光膜のエッチング工程説明図である。

【図５】レジスト除去工程の説明図である。

【図６】透明高抵抗膜のエッチング工程説明図である。

【図７】位相シフト層及びレジストの形成工程説明図で
ある。

【図８】レジストの露光・現像工程の説明図である。

【図９】位相シフト膜のエッチング工程説明図である。

【図１０】残存レジスト除去工程の説明図である。

【図１１】第１変形例を示す図である。

【図１２】第２変形例を示す図である。

【図１３】第３変形例を示す図である。

【図１４】第３変形例を示す図である。

【図１５】従来の位相シフトマスクの構成を示す図であ
る。

【図１６】透明導電膜の形成工程説明図である。

【図１７】遮光膜の形成工程の説明図である。

【図１８】遮光膜パターンの形成工程の説明図である。

【図１９】位相シフト膜の形成工程説明図である。

【図２０】位相シフト膜の形成工程の説明図である。

【図２１】位相シフト層の形成工程の説明図である。

【符号の説明】

１…位相シフトマスク、２…透明基板、３…透明導電
膜、４…透明高抵抗膜、５…遮光膜、６…遮光部、７…
透光部、８…遮光膜パターン、９…位相シフト層。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板と、この透明基板の上に形成さ
   れた透明導電膜と、この透明導電膜の上に形成されて透
   光部と遮光部とで構成される遮光膜パターンと、前記遮
   光膜パターンの透光部に選択的に形成された位相シフト
   層とを有する位相シフトマスクにおいて、 前記遮光膜パターンの遮光部が、遮光膜の下に透明高抵
   抗膜を備えたものであり、一方、透光部は前記遮光膜及
   び透明高抵抗膜がともに除去されているものであること
   を特徴とした位相シフトマスク。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の位相シフトマスクを製
   造する位相シフトマスクの製造方法であって、 透明基板の上に、透明導電膜、透明高抵抗膜、及び遮光
   膜を順次形成する工程と、 前記遮光膜の一部を所定のパターン形状に沿って除去す
   る工程と、 前記工程で除去されずに残存する遮光膜をマスクにして
   前記透明高抵抗膜における前記マスクで覆われていない
   部分を除去することにより、遮光膜の下に透明高抵抗膜
   が形成された遮光部と、前記遮光膜及び透明高抵抗膜が
   ともに除去された透光部とからなる遮光膜パターンを得
   る工程と、 前記遮光膜パターンの透光部に選択的に位相シフト層を
   形成する工程とを有する位相シフトマスクの製造方法。