JP3390516B2 - リソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスク - Google Patents
リソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスクInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リソグラフィー用マス
クブランク及びリソグラフィー用マスクに関する。
クブランク及びリソグラフィー用マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体素子の製造のためのリソグラフィー工程に用いられる
フォトマスクにおいては、電子線を用いた描画の際のチ
ャージアップを防止したり、静電気によってマスクに塵
が付着するのを防止するために、帯電防止膜を設ける場
合があり、この帯電防止膜として透明導電材料である酸
化錫（ＳｎＯ2 ）膜や、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｓｎ
Ｏ2 ）膜が用いられている。
体素子の製造のためのリソグラフィー工程に用いられる
フォトマスクにおいては、電子線を用いた描画の際のチ
ャージアップを防止したり、静電気によってマスクに塵
が付着するのを防止するために、帯電防止膜を設ける場
合があり、この帯電防止膜として透明導電材料である酸
化錫（ＳｎＯ2 ）膜や、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｓｎ
Ｏ2 ）膜が用いられている。
【０００３】ところで半導体素子の高集積化にともなっ
てリソグラフィー工程に用いられる投影露光技術には、
転写可能なパターンのより微細化、高解像度化が要求さ
れており、その方法として、露光波長の短波長化である
ＫｒＦエキシマレーザー露光法、露光光の位相変調を利
用した位相シフト法、およびこれらの方法の併用が提案
されている。
てリソグラフィー工程に用いられる投影露光技術には、
転写可能なパターンのより微細化、高解像度化が要求さ
れており、その方法として、露光波長の短波長化である
ＫｒＦエキシマレーザー露光法、露光光の位相変調を利
用した位相シフト法、およびこれらの方法の併用が提案
されている。
【０００４】この位相シフト法において、光の位相を反
転させる位相シフターの材料としては、例えば液相法や
気相法によって形成されるＳｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 類
似の材料からなる透明な薄膜や、ハーフトーンシフター
と称する透過率が１５％以下の薄膜が用いられており、
位相シフターの形成は、位相シフト層上に塗布した電子
線レジストを電子線描画してレジストパターンを形成し
た後、レジストパターンをマスクとして位相シフト層を
ドライエッチングすることにより行なわれている。しか
し、この位相シフターの形成において位相シフト層上に
塗布した電子線レジストへの電子線描画を行う際に、透
明基板上のいずれかの層が導電性を有していないとチャ
ージアップを起こしてしまい、描画パターンの変形が生
じてしまうという問題がある。
転させる位相シフターの材料としては、例えば液相法や
気相法によって形成されるＳｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 類
似の材料からなる透明な薄膜や、ハーフトーンシフター
と称する透過率が１５％以下の薄膜が用いられており、
位相シフターの形成は、位相シフト層上に塗布した電子
線レジストを電子線描画してレジストパターンを形成し
た後、レジストパターンをマスクとして位相シフト層を
ドライエッチングすることにより行なわれている。しか
し、この位相シフターの形成において位相シフト層上に
塗布した電子線レジストへの電子線描画を行う際に、透
明基板上のいずれかの層が導電性を有していないとチャ
ージアップを起こしてしまい、描画パターンの変形が生
じてしまうという問題がある。
【０００５】この問題を解決するために、導電性を有
し、帯電防止層としての作用を有する層を基板と位相シ
フト層の間に設けた位相シフトマスクブランクが提案さ
れている。この帯電防止層の存在により、電子線描画時
にチャージアップを起こすことなく、位相シフトマスク
を作製することができる。
し、帯電防止層としての作用を有する層を基板と位相シ
フト層の間に設けた位相シフトマスクブランクが提案さ
れている。この帯電防止層の存在により、電子線描画時
にチャージアップを起こすことなく、位相シフトマスク
を作製することができる。
【０００６】このような特性を有する位相シフトマスク
ブランクの帯電防止層としても、酸化錫（ＳｎＯ2 ）膜
や、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）膜が提案されてい
る。
ブランクの帯電防止層としても、酸化錫（ＳｎＯ2 ）膜
や、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）膜が提案されてい
る。
【０００７】しかしながら酸化錫やＩＴＯ膜ではＫｒＦ
エキシマレーザーの波長である２４８ｎｍの透過率が低
いため、エキシマレーザー露光用フォトマスクまたは位
相シフトマスクの材料としては不適当である。
エキシマレーザーの波長である２４８ｎｍの透過率が低
いため、エキシマレーザー露光用フォトマスクまたは位
相シフトマスクの材料としては不適当である。
【０００８】またＸ線マスクにおいては、露光時の位置
合わせ（アライメント）はＸ線マスクに光を透過させて
行われるが、Ｘ線透過膜の上に反射防止膜を設けること
によりアライメント光の透過率を高めることができる。
合わせ（アライメント）はＸ線マスクに光を透過させて
行われるが、Ｘ線透過膜の上に反射防止膜を設けること
によりアライメント光の透過率を高めることができる。
【０００９】ところで、Ｘ線マスクにおいて、Ｘ線吸収
膜の微細なパターンの検査は電子線を用いた手法により
行われるが、導電性を有するＸ線透過膜上にＡｌ2 Ｏ3
等の導電性を有しない物質を反射防止膜として設ける
と、電子線によるチャージアップが生じ検査精度が著し
く低下する。したがって、この際にも電子線によるチャ
ージアップが生じないように帯電防止層が必要となる。
膜の微細なパターンの検査は電子線を用いた手法により
行われるが、導電性を有するＸ線透過膜上にＡｌ2 Ｏ3
等の導電性を有しない物質を反射防止膜として設ける
と、電子線によるチャージアップが生じ検査精度が著し
く低下する。したがって、この際にも電子線によるチャ
ージアップが生じないように帯電防止層が必要となる。
【００１０】従って本発明は、電子線による描画や検査
の際のチャージアップを防止し得る帯電防止層を有する
リソグラフィー用マスクブランクおよびこのブランクを
素材としたリソグラフィー用マスクを提供することを目
的とする。
の際のチャージアップを防止し得る帯電防止層を有する
リソグラフィー用マスクブランクおよびこのブランクを
素材としたリソグラフィー用マスクを提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するものであり、（Ａ）亜鉛、ガリウムを含むスピネル
型結晶またはカドミウム、アンチモンを含む鉛アンチモ
ネート型結晶を含み、かつキャリアを有する導電性複合
酸化物からなる帯電防止層を有することを特徴とするリ
ソグラフィー用パターニングマスクブランクおよび
（Ｂ）亜鉛、ガリウムを含むスピネル型結晶またはカド
ミウム、アンチモンを含む鉛アンチモネート型結晶を含
み、かつキャリアを有する導電性複合酸化物からなる帯
電防止層を有することを特徴とするリソグラフィー用パ
ターニングマスクを要旨とする。
するものであり、（Ａ）亜鉛、ガリウムを含むスピネル
型結晶またはカドミウム、アンチモンを含む鉛アンチモ
ネート型結晶を含み、かつキャリアを有する導電性複合
酸化物からなる帯電防止層を有することを特徴とするリ
ソグラフィー用パターニングマスクブランクおよび
（Ｂ）亜鉛、ガリウムを含むスピネル型結晶またはカド
ミウム、アンチモンを含む鉛アンチモネート型結晶を含
み、かつキャリアを有する導電性複合酸化物からなる帯
電防止層を有することを特徴とするリソグラフィー用パ
ターニングマスクを要旨とする。
【００１２】上記のリソグラフィー用パターニングマス
クブランク（Ａ）およびリソグラフィー用パターニング
マスク（Ｂ）において、後述する理由により、スピネル
型結晶において、Ｚｎに対するＧａの元素比は１．６か
ら２．４であるのが好ましく、また鉛アンチモネート型
結晶において、Ｃｄに対するＳｂの元素比は１．６〜
２．４であるのが好ましい。
クブランク（Ａ）およびリソグラフィー用パターニング
マスク（Ｂ）において、後述する理由により、スピネル
型結晶において、Ｚｎに対するＧａの元素比は１．６か
ら２．４であるのが好ましく、また鉛アンチモネート型
結晶において、Ｃｄに対するＳｂの元素比は１．６〜
２．４であるのが好ましい。
【００１３】またリソグラフィー用マスクブランク
（Ａ）の好ましい態様は、これらに限定されるものでは
ないが、フォトマスクブランク（ａ１）、位相シフトマ
スクブランク（ａ２）、Ｘ線マスクブランク（ａ３）で
ある。
（Ａ）の好ましい態様は、これらに限定されるものでは
ないが、フォトマスクブランク（ａ１）、位相シフトマ
スクブランク（ａ２）、Ｘ線マスクブランク（ａ３）で
ある。
【００１４】ここにフォトマスクブランク（ａ１）と
は、透明基板上に遮光層と、亜鉛、ガリウムを含むスピ
ネル型結晶またはカドミウム、アンチモンを含む鉛アン
チモネート型結晶を含み、かつキャリアを有する導電性
複合酸化物（以下、ＺｎＧａ酸化物、ＣｄＳｂ酸化物と
いう）からなる帯電防止層とを少なくとも有するもので
ある。
は、透明基板上に遮光層と、亜鉛、ガリウムを含むスピ
ネル型結晶またはカドミウム、アンチモンを含む鉛アン
チモネート型結晶を含み、かつキャリアを有する導電性
複合酸化物（以下、ＺｎＧａ酸化物、ＣｄＳｂ酸化物と
いう）からなる帯電防止層とを少なくとも有するもので
ある。
【００１５】また位相シフトマスクブランク（ａ２）と
は、透明基板上に、位相シフト層と、ＺｎＧａ酸化物ま
たはＣｄＳｂ酸化物からなる帯電防止層とを少なくとも
有し、必要に応じて遮光層と、エッチング停止層とを有
するものである。
は、透明基板上に、位相シフト層と、ＺｎＧａ酸化物ま
たはＣｄＳｂ酸化物からなる帯電防止層とを少なくとも
有し、必要に応じて遮光層と、エッチング停止層とを有
するものである。
【００１６】さらにＸ線マスクブランク（ａ３）とは、
支持枠にその周囲が固着されて支持されたＸ線透過膜上
に、Ｘ線吸収層と、ＺｎＧａ酸化物またはＣｄＳｂ酸化
物からなる帯電防止層とを少なくとも有し、必要に応じ
て反射防止層を有するものである。
支持枠にその周囲が固着されて支持されたＸ線透過膜上
に、Ｘ線吸収層と、ＺｎＧａ酸化物またはＣｄＳｂ酸化
物からなる帯電防止層とを少なくとも有し、必要に応じ
て反射防止層を有するものである。
【００１７】またリソグラフィー用マスク（Ｂ）の好ま
しい態様は、これらに限定されるものではないが、フォ
トマスク（ｂ１）、位相シフトマスク（ｂ２）、Ｘ線マ
スク（ｂ３）である。
しい態様は、これらに限定されるものではないが、フォ
トマスク（ｂ１）、位相シフトマスク（ｂ２）、Ｘ線マ
スク（ｂ３）である。
【００１８】ここにフォトマスク（ｂ１）とは、透明基
板上に遮光層パターンと、ＺｎＧａ酸化物またはＣｄＳ
ｂ酸化物からなる帯電防止層とを少なくとも有するもの
である。
板上に遮光層パターンと、ＺｎＧａ酸化物またはＣｄＳ
ｂ酸化物からなる帯電防止層とを少なくとも有するもの
である。
【００１９】また位相シフトマスク（ｂ２）とは、透明
基板上に、位相シフト層パターンと、ＺｎＧａ酸化物ま
たはＣｄＳｂ酸化物からなる帯電防止層とを少なくとも
有し、必要に応じて遮光層パターンと、エッチング停止
層とを有するものである。
基板上に、位相シフト層パターンと、ＺｎＧａ酸化物ま
たはＣｄＳｂ酸化物からなる帯電防止層とを少なくとも
有し、必要に応じて遮光層パターンと、エッチング停止
層とを有するものである。
【００２０】さらにＸ線マスク（ｂ３）とは、支持枠に
その周囲が固着されて支持されたＸ線透過膜上に、Ｘ線
吸収層パターンと、ＺｎＧａ酸化物またはＣｄＳｂ酸化
物からなる帯電防止層とを少なくとも有し、必要に応じ
て反射防止層を有するものである。
その周囲が固着されて支持されたＸ線透過膜上に、Ｘ線
吸収層パターンと、ＺｎＧａ酸化物またはＣｄＳｂ酸化
物からなる帯電防止層とを少なくとも有し、必要に応じ
て反射防止層を有するものである。
【００２１】本発明のリソグラフィー用マスクブランク
およびリソグラフィー用マスクにおいて、帯電防止層を
構成するＺｎＧａ酸化物膜、ＣｄＳｂ酸化物膜が導電性
を有するためには、それぞれスピネル型の結晶構造、鉛
アンチモネート型結晶構造となっていることが必要であ
る。ＺｎＧａ酸化物膜、ＣｄＳｂ酸化物膜の結晶性を高
めるために成膜温度以上、１２００℃以下の温度でのア
ニールが効果的である。１２００℃以上では透明基板の
変形が生じマスクとしての精度が低下する。アニール時
の雰囲気としては大気中の他、酸素や不活性ガスが好ま
しい。但し、必要とする導電性との兼ね合いにより、成
膜後のアニール工程は省略することが可能である。
およびリソグラフィー用マスクにおいて、帯電防止層を
構成するＺｎＧａ酸化物膜、ＣｄＳｂ酸化物膜が導電性
を有するためには、それぞれスピネル型の結晶構造、鉛
アンチモネート型結晶構造となっていることが必要であ
る。ＺｎＧａ酸化物膜、ＣｄＳｂ酸化物膜の結晶性を高
めるために成膜温度以上、１２００℃以下の温度でのア
ニールが効果的である。１２００℃以上では透明基板の
変形が生じマスクとしての精度が低下する。アニール時
の雰囲気としては大気中の他、酸素や不活性ガスが好ま
しい。但し、必要とする導電性との兼ね合いにより、成
膜後のアニール工程は省略することが可能である。
【００２２】またＺｎＧａ酸化物膜、ＣｄＳｂ酸化物膜
が導電性を有するための他の条件として、キャリアを有
することが必要であるが、キャリアのドープは次の方法
により可能となる。第１の方法は酸素欠陥の導入であ
り、これはＺｎＧａ酸化物膜、ＣｄＳｂ酸化物膜の還元
熱処理等により行うことができる。他の方法としてはＺ
ｎ2+やＣｄ2+よりも価数の高いイオンを各イオンのサイ
トに置換することにより生じる電子を注入する方法があ
り、スパッタ成膜時のターゲット内へのドープや、形成
した膜へのイオン注入等が可能である。
が導電性を有するための他の条件として、キャリアを有
することが必要であるが、キャリアのドープは次の方法
により可能となる。第１の方法は酸素欠陥の導入であ
り、これはＺｎＧａ酸化物膜、ＣｄＳｂ酸化物膜の還元
熱処理等により行うことができる。他の方法としてはＺ
ｎ2+やＣｄ2+よりも価数の高いイオンを各イオンのサイ
トに置換することにより生じる電子を注入する方法があ
り、スパッタ成膜時のターゲット内へのドープや、形成
した膜へのイオン注入等が可能である。
【００２３】前記の還元熱処理を行う条件としては、水
素を含むガスや一酸化炭素、炭素を含む雰囲気等各種の
還元雰囲気を用いることが可能であり、前述のアニール
と同様に成膜温度以上、１２００℃以下の温度が好まし
い。
素を含むガスや一酸化炭素、炭素を含む雰囲気等各種の
還元雰囲気を用いることが可能であり、前述のアニール
と同様に成膜温度以上、１２００℃以下の温度が好まし
い。
【００２４】本発明において帯電防止層を構成するＺｎ
Ｇａ酸化物膜は、スピネル型結晶からなり、エネルギー
バンドギャップが例えば約５．２ｅＶ（ＺｎＧａ
2 Ｏ4 ）であるため波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザー光の透過率が高く、波長３００ｎｍから可視域の
範囲ではほとんど吸収がなく透明であり、エキシマレー
ザー露光が可能である。また帯電防止層を構成するＣｄ
Ｓｂ酸化物膜は、鉛アンチモネート型結晶からなり、紫
外域から可視域での透明性が良好であり、エキシマレー
ザー露光が可能である。
Ｇａ酸化物膜は、スピネル型結晶からなり、エネルギー
バンドギャップが例えば約５．２ｅＶ（ＺｎＧａ
2 Ｏ4 ）であるため波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレ
ーザー光の透過率が高く、波長３００ｎｍから可視域の
範囲ではほとんど吸収がなく透明であり、エキシマレー
ザー露光が可能である。また帯電防止層を構成するＣｄ
Ｓｂ酸化物膜は、鉛アンチモネート型結晶からなり、紫
外域から可視域での透明性が良好であり、エキシマレー
ザー露光が可能である。
【００２５】このことは、従来の帯電防止層材料の酸化
錫やＩＴＯではＫｒＦエキシマレーザーの波長での透過
率が低くエキシマレーザー露光用マスク材料として不適
当であることと対比すると、本発明における帯電防止膜
（ＺｎＧａ酸化物膜およびＣｄＳｂ酸化物膜）の顕著な
効果である。
錫やＩＴＯではＫｒＦエキシマレーザーの波長での透過
率が低くエキシマレーザー露光用マスク材料として不適
当であることと対比すると、本発明における帯電防止膜
（ＺｎＧａ酸化物膜およびＣｄＳｂ酸化物膜）の顕著な
効果である。
【００２６】本発明において帯電防止層を構成する前記
スピネル型結晶において、Ｚｎに対するＧａの元素比は
１．６から２．４であるのが好ましい。すなわちＺｎに
対するＧａの元素比は必ずしも２（ＺｎＧａ2 Ｏ4 ）で
なくても良く、２を中心にして±０．４すなわち１．６
〜２．４としても所望の導電性が得られる。特に好まし
い元素比は１．７〜２．３である。
スピネル型結晶において、Ｚｎに対するＧａの元素比は
１．６から２．４であるのが好ましい。すなわちＺｎに
対するＧａの元素比は必ずしも２（ＺｎＧａ2 Ｏ4 ）で
なくても良く、２を中心にして±０．４すなわち１．６
〜２．４としても所望の導電性が得られる。特に好まし
い元素比は１．７〜２．３である。
【００２７】なお前記スピネル結晶は、その主たる構成
金属元素としてＺｎとＧａとを含むものであるが、それ
らの一部をＺｎ代替金属、Ｇａ代替金属に置き換えても
よい。Ｚｎ代替金属としては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｃｄなど
が、Ｇａ代替金属としては、Ｉｎなどが挙げられる。
金属元素としてＺｎとＧａとを含むものであるが、それ
らの一部をＺｎ代替金属、Ｇａ代替金属に置き換えても
よい。Ｚｎ代替金属としては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｃｄなど
が、Ｇａ代替金属としては、Ｉｎなどが挙げられる。
【００２８】また帯電防止層を構成する鉛アンチモネー
ト型結晶において、Ｃｄに対するＳｂの元素比は１．６
から２．４であるのが好ましい。
ト型結晶において、Ｃｄに対するＳｂの元素比は１．６
から２．４であるのが好ましい。
【００２９】すなわち、Ｃｄに対するＳｂの元素比は必
ずしも２（ＣｄＳｂ2 Ｏ6 ）でなくても良く、２を中心
にして±０．４すなわち１．６〜２．４としても所望の
導電性が得られる。特に好ましい元素比は１．７〜２．
３である。
ずしも２（ＣｄＳｂ2 Ｏ6 ）でなくても良く、２を中心
にして±０．４すなわち１．６〜２．４としても所望の
導電性が得られる。特に好ましい元素比は１．７〜２．
３である。
【００３０】なお前記鉛アンチモネート型結晶は、その
主たる構成元素としてＣｄとＳｂとを含むものである
が、それらの一部をＣｄ代替金属、Ｓｂ代替金属に置き
換えてもよい。Ｃｄ代替金属としては、Ｙ、Ｚｎ，Ｃａ
などが、Ｓｂ代替金属としては、Ｎａ，Ｔａ，Ｂｉなど
が挙げられる。
主たる構成元素としてＣｄとＳｂとを含むものである
が、それらの一部をＣｄ代替金属、Ｓｂ代替金属に置き
換えてもよい。Ｃｄ代替金属としては、Ｙ、Ｚｎ，Ｃａ
などが、Ｓｂ代替金属としては、Ｎａ，Ｔａ，Ｂｉなど
が挙げられる。
【００３１】ＺｎＧａ酸化物膜、ＣｄＳｂ酸化物膜の膜
厚は、必要とする透過率及び膜の抵抗値によって決定さ
れ、波長２４８ｎｍでの透過率が７５％以上、膜の抵抗
値が１０ＭΩ／□以下であればよい。
厚は、必要とする透過率及び膜の抵抗値によって決定さ
れ、波長２４８ｎｍでの透過率が７５％以上、膜の抵抗
値が１０ＭΩ／□以下であればよい。
【００３２】ＺｎＧａ酸化物膜、ＣｄＳｂ酸化物膜の作
製方法としては、スパッター法、真空蒸着法、アブレー
ジョン法やゾル−ゲル法等が利用可能である。
製方法としては、スパッター法、真空蒸着法、アブレー
ジョン法やゾル−ゲル法等が利用可能である。
【００３３】本発明のリソグラフィー用マスクブランク
およびリソグラフィー用マスクにおいて用いられる透明
基板は露光光に対して透明なものであればよく、石英ガ
ラス、アルミノボロシリケートガラス等が挙げられる。
およびリソグラフィー用マスクにおいて用いられる透明
基板は露光光に対して透明なものであればよく、石英ガ
ラス、アルミノボロシリケートガラス等が挙げられる。
【００３４】またフォトマスクブランク（ａ１）および
位相シフトマスクブランク（ａ２）における遮光層の材
料としては、マスクを通して被転写体上に必要とされる
コントラストを有するパターンを転写できる物質であれ
ば良く、クロムや酸化クロム等が用いられる。また、転
写時の解像度以下の線幅で形成した位相シフター群によ
って遮光部を形成することができる（シフター遮光
型）。
位相シフトマスクブランク（ａ２）における遮光層の材
料としては、マスクを通して被転写体上に必要とされる
コントラストを有するパターンを転写できる物質であれ
ば良く、クロムや酸化クロム等が用いられる。また、転
写時の解像度以下の線幅で形成した位相シフター群によ
って遮光部を形成することができる（シフター遮光
型）。
【００３５】また位相シフトマスクブランク（ａ２）に
おける位相シフト層の材料としては、露光光に対して透
明な材料であれば良く、例えば液相法や気相法によって
形成されるＳｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 類似の材料からな
る透明な薄膜が用いられる。また、ハーフトーンシフタ
ーと称する透過率が１５％以下の薄膜も用いられる。
おける位相シフト層の材料としては、露光光に対して透
明な材料であれば良く、例えば液相法や気相法によって
形成されるＳｉＯ2 あるいはＳｉＯ2 類似の材料からな
る透明な薄膜が用いられる。また、ハーフトーンシフタ
ーと称する透過率が１５％以下の薄膜も用いられる。
【００３６】ところで位相シフトマスクの製造において
は、レジストパターンをマスクとして位相シフトマスク
ブランクの位相シフト層をドライエッチングすることに
より、位相シフター（位相シフト層パターン）を形成す
るが、位相シフト層と透明性基板とのエッチング速度の
差が小さいと、エッチング時間を長めにとった場合、基
板までエッチングされてしまい、目的とする位相差が得
られなくなってしまうという問題が生じる。そこで通常
はエッチング停止層を位相シフト層と基板との間に設け
ることが行なわれているが、本発明の位相シフトマスク
ブランクにおける帯電防止層は位相シフト層のエッチン
グ条件によっては十分なエッチング耐性を有し、エッチ
ング停止層を兼ねることもできる。しかしエッチング条
件によっては、帯電防止層が十分なエッチング耐性を有
しない場合もあり、このような場合には、エッチング耐
性を有するＡｌ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との混合
物、ＭｇＦ2 などの材料を用いて、エッチング停止層を
位相シフト層と帯電防止層との間に形成するのが好まし
い。
は、レジストパターンをマスクとして位相シフトマスク
ブランクの位相シフト層をドライエッチングすることに
より、位相シフター（位相シフト層パターン）を形成す
るが、位相シフト層と透明性基板とのエッチング速度の
差が小さいと、エッチング時間を長めにとった場合、基
板までエッチングされてしまい、目的とする位相差が得
られなくなってしまうという問題が生じる。そこで通常
はエッチング停止層を位相シフト層と基板との間に設け
ることが行なわれているが、本発明の位相シフトマスク
ブランクにおける帯電防止層は位相シフト層のエッチン
グ条件によっては十分なエッチング耐性を有し、エッチ
ング停止層を兼ねることもできる。しかしエッチング条
件によっては、帯電防止層が十分なエッチング耐性を有
しない場合もあり、このような場合には、エッチング耐
性を有するＡｌ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 との混合
物、ＭｇＦ2 などの材料を用いて、エッチング停止層を
位相シフト層と帯電防止層との間に形成するのが好まし
い。
【００３７】また既述のようにＸ線マスクにおいては、
露光時の位置合わせ（アライメント）はＸ線マスクに光
を透過させて行われ、Ｘ線透過膜の上に反射防止膜を設
けることによりアライメント光の透過率を高めることが
できるが、本発明のＸ線マスクブランクにおいて帯電防
止層は、アライメント光に対して高い透過率を有し、反
射防止膜を兼ねることもできる。
露光時の位置合わせ（アライメント）はＸ線マスクに光
を透過させて行われ、Ｘ線透過膜の上に反射防止膜を設
けることによりアライメント光の透過率を高めることが
できるが、本発明のＸ線マスクブランクにおいて帯電防
止層は、アライメント光に対して高い透過率を有し、反
射防止膜を兼ねることもできる。
【００３８】ＺｎＧａ酸化物膜、ＣｄＳｂ酸化物膜を反
射防止膜として用いる場合の膜厚（ｄ）は、膜の屈折率
をｎとすると膜の干渉条件から ｄ＝（２ｍ＋１）λ／４ｎ （但し、ｍは正の整数、λはアライメント光の波長）と
することにより反射率を最低限に抑えることができる。
射防止膜として用いる場合の膜厚（ｄ）は、膜の屈折率
をｎとすると膜の干渉条件から ｄ＝（２ｍ＋１）λ／４ｎ （但し、ｍは正の整数、λはアライメント光の波長）と
することにより反射率を最低限に抑えることができる。
【００３９】また本発明のＸ線マスクブランクにおい
て、帯電防止層とともに別途反射防止層を設けることが
できるのはもちろんである。
て、帯電防止層とともに別途反射防止層を設けることが
できるのはもちろんである。
【００４０】
【実施例】以下実施例により本発明を更に説明する。
【００４１】第１実施例（フォトマスクブランクおよび
フォトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度６５０℃でＣｄ0.95Ｙ0.05Ｓｂ2 Ｏ6 からな
る、厚さ１２０オングストロームの帯電防止層を形成し
た。次にこれを、大気中８００℃で５時間アニールし
た。得られた帯電防止層の透過率は波長２４８ｎｍにお
いて７６％と高い値が得られ、シート抵抗は５６０ｋΩ
／□であった。Ｘ線回折による分析の結果、鉛アンチモ
ネート型結晶が析出していることが確められた。
フォトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度６５０℃でＣｄ0.95Ｙ0.05Ｓｂ2 Ｏ6 からな
る、厚さ１２０オングストロームの帯電防止層を形成し
た。次にこれを、大気中８００℃で５時間アニールし
た。得られた帯電防止層の透過率は波長２４８ｎｍにお
いて７６％と高い値が得られ、シート抵抗は５６０ｋΩ
／□であった。Ｘ線回折による分析の結果、鉛アンチモ
ネート型結晶が析出していることが確められた。
【００４２】ついで、Ｃｄ0.95Ｙ0.05Ｓｂ2 Ｏ6 からな
る帯電防止層上にＤＣスパッタリングによりクロム遮光
層を形成してフォトマスクブランクを作製した。
る帯電防止層上にＤＣスパッタリングによりクロム遮光
層を形成してフォトマスクブランクを作製した。
【００４３】つぎに、上記フォトマスクブランクの遮光
層上に電子線レジストを塗布し乾燥後、電子線描画機を
用いてレジストへの電子線露光を行った。レジストの現
像後、クロム遮光層のエッチング加工を行い、さらに残
存するレジスト層を取り除くことにより、フォトマスク
を得た。
層上に電子線レジストを塗布し乾燥後、電子線描画機を
用いてレジストへの電子線露光を行った。レジストの現
像後、クロム遮光層のエッチング加工を行い、さらに残
存するレジスト層を取り除くことにより、フォトマスク
を得た。
【００４４】得られたフォトマスクの描画パターンに
は、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置ず
れはみられず、帯電防止効果により塵の付着も少なかっ
た。
は、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置ず
れはみられず、帯電防止効果により塵の付着も少なかっ
た。
【００４５】第２実施例（フォトマスクブランクおよび
フォトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度２５℃でＺｎＧａ2 Ｏ4 からなる、厚さ２００
オングストロームの帯電防止層を形成した。次にこれ
を、大気中８００℃で５時間アニールした後、水素を含
む７００℃の還元雰囲気中で５時間処理を行った。得ら
れた帯電防止層の透過率は波長２４８ｎｍにおいて７９
％と高い値が得られ、シート抵抗は３３０ｋΩ／□であ
った。Ｘ線回折による分析の結果、スピネル型結晶が析
出していることが確められた。
フォトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度２５℃でＺｎＧａ2 Ｏ4 からなる、厚さ２００
オングストロームの帯電防止層を形成した。次にこれ
を、大気中８００℃で５時間アニールした後、水素を含
む７００℃の還元雰囲気中で５時間処理を行った。得ら
れた帯電防止層の透過率は波長２４８ｎｍにおいて７９
％と高い値が得られ、シート抵抗は３３０ｋΩ／□であ
った。Ｘ線回折による分析の結果、スピネル型結晶が析
出していることが確められた。
【００４６】ついで、ＺｎＧａ2 Ｏ4 からなる帯電防止
層上にＤＣスパッタリングによりクロム遮光層を形成し
てフォトマスクブランクを作製した。
層上にＤＣスパッタリングによりクロム遮光層を形成し
てフォトマスクブランクを作製した。
【００４７】つぎに、上記フォトマスクブランクの遮光
層上に電子線レジストを塗布し乾燥後、電子線描画機を
用いてレジストへの電子線露光を行った。レジストの現
像後、クロム膜のエッチング加工を行い、さらに残りの
レジスト層を取り除くことにより、フォトマスクを得
た。
層上に電子線レジストを塗布し乾燥後、電子線描画機を
用いてレジストへの電子線露光を行った。レジストの現
像後、クロム膜のエッチング加工を行い、さらに残りの
レジスト層を取り除くことにより、フォトマスクを得
た。
【００４８】得られたフォトマスクの描画パターンに
は、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置ず
れはみられず、帯電防止効果により塵の付着も少なかっ
た。
は、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置ず
れはみられず、帯電防止効果により塵の付着も少なかっ
た。
【００４９】第３実施例（位相シフトマスクブランクお
よび位相シフトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度３００℃、Ａｒ／Ｏ2 ＝２０％の雰囲気で、焼
結体をターゲットとして、ＺｎＧａ2 Ｏ4 からなる、厚
さ１２０オングストロームの膜を形成した。この酸化物
膜付き石英基板を、大気中９００℃で５時間アニールし
た後、水素を含む７００℃の還元雰囲気中で５時間処理
を行った。得られた帯電防止層の透過率は波長２４８ｎ
ｍにおいて８１％と高い値が得られ、シート抵抗は５６
０ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折による分析の結
果、スピネル型結晶が析出していることが確められた。
よび位相シフトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度３００℃、Ａｒ／Ｏ2 ＝２０％の雰囲気で、焼
結体をターゲットとして、ＺｎＧａ2 Ｏ4 からなる、厚
さ１２０オングストロームの膜を形成した。この酸化物
膜付き石英基板を、大気中９００℃で５時間アニールし
た後、水素を含む７００℃の還元雰囲気中で５時間処理
を行った。得られた帯電防止層の透過率は波長２４８ｎ
ｍにおいて８１％と高い値が得られ、シート抵抗は５６
０ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折による分析の結
果、スピネル型結晶が析出していることが確められた。
【００５０】次に、この帯電防止層上にスピンオングラ
スをスピンコートし３００℃でベークすることにより膜
厚２５００オングストロームの位相シフト層を形成し
た。
スをスピンコートし３００℃でベークすることにより膜
厚２５００オングストロームの位相シフト層を形成し
た。
【００５１】ついで、位相シフト層上にＤＣスパッター
によりクロム遮光層を形成して、図１に示すように、透
明基板１上に帯電防止層２、位相シフト層３、遮光層４
を順次有する位相シフトマスクブランクを得た。
によりクロム遮光層を形成して、図１に示すように、透
明基板１上に帯電防止層２、位相シフト層３、遮光層４
を順次有する位相シフトマスクブランクを得た。
【００５２】つぎに、位相シフトマスクブランクのクロ
ム遮光層４上に電子線レジストを塗布し乾燥後、電子線
描画機を用いてレジストへの電子線露光を行い、レジス
トの現像後クロム遮光層４のエッチング加工を行った。
つぎに再度電子線レジストを塗布し、位相シフターパタ
ーンの電子線露光を行い、レジストの現像後、ドライエ
ッチングにより位相シフト層の加工を行い、さらに残存
するレジスト層を取り除くことにより、図２に示すよう
に石英基板１上に帯電防止層２、位相シフター（位相シ
フト層パターン）３ａ、遮光部（遮光層パターン）４ａ
を順次有する位相シフトマスクを得た。
ム遮光層４上に電子線レジストを塗布し乾燥後、電子線
描画機を用いてレジストへの電子線露光を行い、レジス
トの現像後クロム遮光層４のエッチング加工を行った。
つぎに再度電子線レジストを塗布し、位相シフターパタ
ーンの電子線露光を行い、レジストの現像後、ドライエ
ッチングにより位相シフト層の加工を行い、さらに残存
するレジスト層を取り除くことにより、図２に示すよう
に石英基板１上に帯電防止層２、位相シフター（位相シ
フト層パターン）３ａ、遮光部（遮光層パターン）４ａ
を順次有する位相シフトマスクを得た。
【００５３】上記ドライエッチングはＣＦ4 とＯ2 を用
いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で行ったが、位
相シフト層３と帯電防止層２のエッチング速度比（選択
比）として２１という値が得られ、このことから、帯電
防止層２のエッチング速度が位相シフト層３のエッチン
グ速度の１／２１と著しく小さく、帯電防止層２はエッ
チング停止層としての機能も有することが明らかとなっ
た。
いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で行ったが、位
相シフト層３と帯電防止層２のエッチング速度比（選択
比）として２１という値が得られ、このことから、帯電
防止層２のエッチング速度が位相シフト層３のエッチン
グ速度の１／２１と著しく小さく、帯電防止層２はエッ
チング停止層としての機能も有することが明らかとなっ
た。
【００５４】得られた位相シフトマスクの描画パターン
には、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置
ずれはみられなかった。
には、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置
ずれはみられなかった。
【００５５】第４実施例（位相シフトマスクブランクお
よび位相シフトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度１００℃で、ＺｎＧａ2 Ｏ4 からなる、厚さ３
０００オングストロームの膜を形成した。この酸化物膜
付き石英基板を、大気中９００℃で５時間アニールした
後、水素を含む６００℃の還元雰囲気中で５時間処理を
行った。得られた帯電防止層の透過率は波長２４８ｎｍ
において８３％と高い値が得られ、シート抵抗は４２０
ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折による分析の結果、
スピネル型結晶が析出していることが確められた。
よび位相シフトマスク） 石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度１００℃で、ＺｎＧａ2 Ｏ4 からなる、厚さ３
０００オングストロームの膜を形成した。この酸化物膜
付き石英基板を、大気中９００℃で５時間アニールした
後、水素を含む６００℃の還元雰囲気中で５時間処理を
行った。得られた帯電防止層の透過率は波長２４８ｎｍ
において８３％と高い値が得られ、シート抵抗は４２０
ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折による分析の結果、
スピネル型結晶が析出していることが確められた。
【００５６】次に、このＺｎＧａ2 Ｏ4 からなる帯電防
止層上にエッチング停止層として厚さ１００オングスト
ロームのＡｌ2 Ｏ3 層を同じくＲＦマグネトロンスパッ
タリングにより形成した。
止層上にエッチング停止層として厚さ１００オングスト
ロームのＡｌ2 Ｏ3 層を同じくＲＦマグネトロンスパッ
タリングにより形成した。
【００５７】さらに、このエッチング停止層上にスピン
オングラスをスピンコートし３００℃でベークすること
により厚さ２５００オングストロームの位相シフト層を
形成した。
オングラスをスピンコートし３００℃でベークすること
により厚さ２５００オングストロームの位相シフト層を
形成した。
【００５８】ついで、この位相シフト層上にＤＣスパッ
ターによりクロム遮光層を形成して、図３に示すように
石英基板１上に帯電防止層２、エッチング停止層５、位
相シフト層３、クロム遮光層４を順次有する位相シフト
マスクブランクを作製した。
ターによりクロム遮光層を形成して、図３に示すように
石英基板１上に帯電防止層２、エッチング停止層５、位
相シフト層３、クロム遮光層４を順次有する位相シフト
マスクブランクを作製した。
【００５９】つぎに、クロム遮光層４上に電子線レジス
トを塗布し乾燥後、電子線描画機を用いてレジストへの
電子線露光を行い、レジストの現像後、クロム遮光層４
のエッチング加工を行った。つぎに再度電子線レジスト
を塗布し、位相シフターパターンの電子線露光を行い、
レジストの現像後、ドライエッチングにより位相シフト
層の加工を行った後、さらに残存するレジスト層を取り
除くことにより、図４に示すように石英基板１上に帯電
防止層２、エッチング停止層５、位相シフター（位相シ
フトパターン）３ａ、遮光部（遮光膜パターン）４ａを
順次有する位相シフトマスクを得た。
トを塗布し乾燥後、電子線描画機を用いてレジストへの
電子線露光を行い、レジストの現像後、クロム遮光層４
のエッチング加工を行った。つぎに再度電子線レジスト
を塗布し、位相シフターパターンの電子線露光を行い、
レジストの現像後、ドライエッチングにより位相シフト
層の加工を行った後、さらに残存するレジスト層を取り
除くことにより、図４に示すように石英基板１上に帯電
防止層２、エッチング停止層５、位相シフター（位相シ
フトパターン）３ａ、遮光部（遮光膜パターン）４ａを
順次有する位相シフトマスクを得た。
【００６０】得られた位相シフトマスクの描画パターン
には、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置
ずれはみられなかった。
には、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置
ずれはみられなかった。
【００６１】第５実施例（位相シフトマスク）
石英基板上にＲＦマグネトロンスパッタリングにより、
成膜温度１００℃でＺｎＯ0.93Ｇａ2.05Ｏ4 からなる厚
さ３００オングストロームの膜を形成した。この酸化物
膜付き石英基板を、大気中９００℃で５時間アニールし
た後、水素を含む６５０℃の還元雰囲気中で５時間処理
を行った。得られた帯電防止層の透過率は波長２４８ｎ
ｍにおいて８１％と高い値が得られ、シート抵抗は９０
０ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折による分析の結
果、スピネル型結晶が析出していることが確められた。
成膜温度１００℃でＺｎＯ0.93Ｇａ2.05Ｏ4 からなる厚
さ３００オングストロームの膜を形成した。この酸化物
膜付き石英基板を、大気中９００℃で５時間アニールし
た後、水素を含む６５０℃の還元雰囲気中で５時間処理
を行った。得られた帯電防止層の透過率は波長２４８ｎ
ｍにおいて８１％と高い値が得られ、シート抵抗は９０
０ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折による分析の結
果、スピネル型結晶が析出していることが確められた。
【００６２】ついで、ＤＣスパッターによりクロム遮光
層を形成し、つぎにクロム遮光層上に電子線レジストを
塗布し乾燥後、電子線描画機を用いてレジストへの電子
線露光を行った。そしてレジストの現像後クロム遮光層
のエッチング加工を行い、さらに残存するレジスト層を
取り除くことにより、クロム遮光層パターンを形成し
た。
層を形成し、つぎにクロム遮光層上に電子線レジストを
塗布し乾燥後、電子線描画機を用いてレジストへの電子
線露光を行った。そしてレジストの現像後クロム遮光層
のエッチング加工を行い、さらに残存するレジスト層を
取り除くことにより、クロム遮光層パターンを形成し
た。
【００６３】さらに、その上にスピンオングラスをスピ
ンコートし３００℃でベークすることにより膜厚２５０
０オングストロームの位相シフト層を形成した。
ンコートし３００℃でベークすることにより膜厚２５０
０オングストロームの位相シフト層を形成した。
【００６４】つぎに、位相シフト層上に電子線レジスト
を塗布し、位相シフターパターンの電子線露光を行っ
た。そしてレジストの現像後、ドライエッチングにより
位相シフト層の加工を行い、さらに残存するレジスト層
を取り除くことにより、図５に示すように石英基板１上
に帯電防止層２、遮光部（遮光層パターン）４ａ、位相
シフター（位相シフトパターン）３ａを順次有する位相
シフトマスクを得た。なお、帯電防止層２は、エッチン
グによる遮光層パターン４ａおよび位相シフトパターン
３ａの形成に際してエッチング停止層の機能を果した。
を塗布し、位相シフターパターンの電子線露光を行っ
た。そしてレジストの現像後、ドライエッチングにより
位相シフト層の加工を行い、さらに残存するレジスト層
を取り除くことにより、図５に示すように石英基板１上
に帯電防止層２、遮光部（遮光層パターン）４ａ、位相
シフター（位相シフトパターン）３ａを順次有する位相
シフトマスクを得た。なお、帯電防止層２は、エッチン
グによる遮光層パターン４ａおよび位相シフトパターン
３ａの形成に際してエッチング停止層の機能を果した。
【００６５】得られた位相シフトマスクの描画パターン
には、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置
ずれはみられなかった。
には、電子線描画時のチャージアップによる変形や位置
ずれはみられなかった。
【００６６】第６実施例（Ｘ線マスクブランクおよびＸ
線マスク） 図６は本実施例のＸ線マスクブランクおよびＸ線マスク
の製造工程説明図である。以下、図６を参照にしながら
説明する。
線マスク） 図６は本実施例のＸ線マスクブランクおよびＸ線マスク
の製造工程説明図である。以下、図６を参照にしながら
説明する。
【００６７】まず、シリコン（Ｓｉ）基板６の両面にそ
れぞれ炭化珪素からなるＸ線透過膜７Ａ及び７Ｂを形成
した（図６（Ａ））。なお、シリコン基板６には、結晶
方位（１００）のシリコン基板を用いた。また、Ｘ線透
過膜７Ａ、７Ｂを構成する炭化珪素は、ジクロロシラン
とアセチレンを用いてＣＶＤ法により１μｍの厚みに堆
積させた。
れぞれ炭化珪素からなるＸ線透過膜７Ａ及び７Ｂを形成
した（図６（Ａ））。なお、シリコン基板６には、結晶
方位（１００）のシリコン基板を用いた。また、Ｘ線透
過膜７Ａ、７Ｂを構成する炭化珪素は、ジクロロシラン
とアセチレンを用いてＣＶＤ法により１μｍの厚みに堆
積させた。
【００６８】次に、上記Ｘ線透過膜７Ａ上に、ＲＦマグ
ネトロンスパッタリングにより、成膜温度１００℃でＺ
ｎ1.13Ｇａ1.91Ｏ4 からなる厚さ８６０オングストロー
ムの膜を形成したのち、水素を含む６５０℃の還元雰囲
気中で５時間処理を行って帯電防止層８を形成した（図
６（Ｂ））。得られた帯電防止層のシート抵抗は３１４
０ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折による分析の結
果、スピネル型結晶が析出していることが確められた。
ネトロンスパッタリングにより、成膜温度１００℃でＺ
ｎ1.13Ｇａ1.91Ｏ4 からなる厚さ８６０オングストロー
ムの膜を形成したのち、水素を含む６５０℃の還元雰囲
気中で５時間処理を行って帯電防止層８を形成した（図
６（Ｂ））。得られた帯電防止層のシート抵抗は３１４
０ｋΩ／□であった。また、Ｘ線回折による分析の結
果、スピネル型結晶が析出していることが確められた。
【００６９】次に、帯電防止層８の上にＸ線吸収膜９を
構成するＴａ膜をＲＦマグネトロンスパッタ法により
０．８μｍの厚さに形成してＸ線マスクブランクを得た
（図６（Ｃ））。
構成するＴａ膜をＲＦマグネトロンスパッタ法により
０．８μｍの厚さに形成してＸ線マスクブランクを得た
（図６（Ｃ））。
【００７０】次に、Ｘ線吸収膜９の上に電子線レジスト
を塗布して電子線によりレジストパターンを形成し、こ
のレジストパターンをマスクにして反応性イオンエッチ
ングを施し、Ｘ線吸収膜パターン９ａを形成した（図６
（Ｄ））。
を塗布して電子線によりレジストパターンを形成し、こ
のレジストパターンをマスクにして反応性イオンエッチ
ングを施し、Ｘ線吸収膜パターン９ａを形成した（図６
（Ｄ））。
【００７１】次に、基板６のもう一方の側（裏側）に形
成されているＸ線透過膜７Ｂを、ドライエッチングによ
りその中央部を除去し、さらに、裏面に残ったＸ線透過
膜７Ｂをマスクとして、ＮａＯＨ水溶液によりシリコン
基板６の中央部を除去し、支持枠６ａを得た（図６
（Ｅ））。
成されているＸ線透過膜７Ｂを、ドライエッチングによ
りその中央部を除去し、さらに、裏面に残ったＸ線透過
膜７Ｂをマスクとして、ＮａＯＨ水溶液によりシリコン
基板６の中央部を除去し、支持枠６ａを得た（図６
（Ｅ））。
【００７２】次に、支持枠６ａに自立されたＸ線透過膜
７Ａの図中下側の面（裏面）に反射防止層１０としてＡ
ｌ2 Ｏ3 膜をＲＦマグネトロンスパッタ法により０．０
９６μｍの厚さに形成してＸ線マスクを得た（図６
（Ｆ））。
７Ａの図中下側の面（裏面）に反射防止層１０としてＡ
ｌ2 Ｏ3 膜をＲＦマグネトロンスパッタ法により０．０
９６μｍの厚さに形成してＸ線マスクを得た（図６
（Ｆ））。
【００７３】得られたマスクは、Ｘ線吸収膜パターン９
ａを除く部分での波長６３３ｎｍでの透過率は８２％で
あり、アライメントを行ったところ、充分なアライメン
ト精度によりシリコンウエハ上に転写されたことが確認
された。また、電子線によるマスクの検査もチャージア
ップが全く生じず、高精度で敏速な検査が可能であっ
た。
ａを除く部分での波長６３３ｎｍでの透過率は８２％で
あり、アライメントを行ったところ、充分なアライメン
ト精度によりシリコンウエハ上に転写されたことが確認
された。また、電子線によるマスクの検査もチャージア
ップが全く生じず、高精度で敏速な検査が可能であっ
た。
【００７４】本実施例において、ＺｎＧａ酸化物からな
る帯電防止層は、表面側の反射防止膜としても機能する
ものであるが、表面側の反射防止膜をＡｌ2 Ｏ3 等の導
電性を有しない材料で形成し、その上にＺｎＧａ酸化物
からなる帯電防止層を設けることもできる。
る帯電防止層は、表面側の反射防止膜としても機能する
ものであるが、表面側の反射防止膜をＡｌ2 Ｏ3 等の導
電性を有しない材料で形成し、その上にＺｎＧａ酸化物
からなる帯電防止層を設けることもできる。
【００７５】
【発明の効果】以上述べたとおり、本発明によれば、電
子線による描画や検査の際のチャージアップを防止し得
る帯電防止層を有するリソグラフィー用マスクブランク
およびこのブランクを素材としたリソグラフィー用マス
クが提供された。
子線による描画や検査の際のチャージアップを防止し得
る帯電防止層を有するリソグラフィー用マスクブランク
およびこのブランクを素材としたリソグラフィー用マス
クが提供された。
【００７６】上記帯電防止層はエキシマレーザーに対す
る透明性を有し、この帯電防止層を設けたマスクブラン
クは、エキシマレーザー露光用フォトマスクブランクお
よび位相シフトマスクブランクとして好適である。
る透明性を有し、この帯電防止層を設けたマスクブラン
クは、エキシマレーザー露光用フォトマスクブランクお
よび位相シフトマスクブランクとして好適である。
【００７７】また上記帯電防止層は位相シフト層のドラ
イエッチング条件によってはエッチング耐性を有し、位
相シフトマスクブランクにおいて、エッチング停止層を
兼ねることもできる。
イエッチング条件によってはエッチング耐性を有し、位
相シフトマスクブランクにおいて、エッチング停止層を
兼ねることもできる。
【００７８】また上記帯電防止層は、Ｘ線マスクブラン
クおよびＸ線マスクにおける反射防止層を兼ねることも
できる。
クおよびＸ線マスクにおける反射防止層を兼ねることも
できる。
【図１】本発明の第３実施例の位相シフトマスクブラン
クの構成を示す断面図である。
クの構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第３実施例の位相シフトマスクの構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明の第４実施例の位相シフトマスクブラン
クの構成を示す断面図である。
クの構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第４実施例の位相シフトマスクの構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】本発明の第５実施例の位相シフトマスクの構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】本発明の第６実施例のＸ線マスクの製造工程説
明図である。
明図である。
【符号の説明】
１ 透明基板
２ 帯電防止層
３ 位相シフト層
３ａ 位相シフター（位相シフト層パターン）
４ 遮光層
４ａ 遮光部（遮光層パターン）
５ エッチング停止層
６ 基板
６ａ 支持枠
７Ａ，７Ｂ Ｘ線透過膜
８ 帯電防止膜
９ Ｘ線吸収膜
９ａ Ｘ線吸収膜パターン
１０ 反射防止膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７４
(72)発明者 川副 博司
愛知県岡崎市竜美南２丁目２番地１
(56)参考文献 特開 平５−61182（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−297568（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−107731（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−166938（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−2756（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/00 - 1/16
Claims (12)
- 【請求項１】 亜鉛、ガリウムを含むスピネル型結晶ま
たはカドミウム、アンチモンを含む鉛アンチモネート型
結晶を含み、かつキャリアを有する導電性複合酸化物か
らなる帯電防止層を有することを特徴とするリソグラフ
ィー用パターニングマスクブランク。 - 【請求項２】 スピネル型結晶におけるＺｎに対するＧ
ａの元素比が１．６から２．４である、請求項１に記載
のリソグラフィー用パターニングマスクブランク。 - 【請求項３】 鉛アンチモネート型結晶におけるＣｄに
対するＳｂの元素比が１．６〜２．４である、請求項１
に記載のリソグラフィー用パターニングマスクブラン
ク。 - 【請求項４】 フォトマスクブランク、位相シフトマス
クブランクまたはＸ線マスクブランクである、請求項１
〜３のいずれか一項に記載のリソグラフィー用パターニ
ングマスクブランク。 - 【請求項５】 リソグラフィー用パターニングマスクブ
ランクが位相シフトマスクブランクであり、その帯電防
止層がエッチング停止層でもある、請求項４に記載のリ
ソグラフィー用パターニングマスクブランク。 - 【請求項６】 リソグラフィー用パターニングマスクブ
ランクがＸ線マスクブランクであり、その帯電防止層が
反射防止層でもある、請求項４に記載のリソグラフィー
用パターニングマスクブランク。 - 【請求項７】 亜鉛、ガリウムを含むスピネル型結晶ま
たはカドミウム、アンチモンを含む鉛アンチモネート型
結晶を含み、かつキャリアを有する導電性複合酸化物か
らなる帯電防止層を有することを特徴とするリソグラフ
ィー用パターニングマスク。 - 【請求項８】 スピネル型結晶におけるＺｎに対するＧ
ａの元素比が１．６から２．４である、請求項７に記載
のリソグラフィー用パターニングマスク。 - 【請求項９】 鉛アンチモネート型結晶におけるＣｄに
対するＳｂの元素比が１．６〜２．４である、請求項７
に記載のリソグラフィー用パターニングマスク。 - 【請求項１０】フォトマスク、位相シフトマスクまたは
Ｘ線マスクである、請求項７〜９のいずれか一項に記載
のリソグラフィー用パターニングマスク。 - 【請求項１１】リソグラフィー用パターニングマスクが
位相シフトマスクであり、その帯電防止層がエッチング
停止層でもある、請求項１０に記載のリソグラフィー用
パターニングマスク。 - 【請求項１２】リソグラフィー用パターニングマスクが
Ｘ線マスクであり、その帯電防止層が反射防止膜でもあ
る、請求項１０に記載のリソグラフィー用パターニング
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04812394A JP3390516B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | リソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04812394A JP3390516B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | リソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07261375A JPH07261375A (ja) | 1995-10-13 |
| JP3390516B2 true JP3390516B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=12794560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04812394A Expired - Fee Related JP3390516B2 (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | リソグラフィー用マスクブランク及びリソグラフィー用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3390516B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6180291B1 (en) * | 1999-01-22 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Static resistant reticle |
| JP2001189265A (ja) | 2000-01-05 | 2001-07-10 | Advantest Corp | マスク、半導体素子製造方法、電子ビーム露光装置、荷電ビーム処理装置において用いられる部材 |
| JP2011108942A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Renesas Electronics Corp | 反射型露光用マスク、反射型露光用マスクの製造方法、および、半導体装置の製造方法 |
| JP5637485B2 (ja) * | 2012-10-15 | 2014-12-10 | クリーンサアフェイス技術株式会社 | マスクブランクス及びフォトマスク |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP04812394A patent/JP3390516B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07261375A (ja) | 1995-10-13 |
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