JP2009086094A - マスクブランク及び転写用マスク - Google Patents
マスクブランク及び転写用マスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009086094A JP2009086094A JP2007253250A JP2007253250A JP2009086094A JP 2009086094 A JP2009086094 A JP 2009086094A JP 2007253250 A JP2007253250 A JP 2007253250A JP 2007253250 A JP2007253250 A JP 2007253250A JP 2009086094 A JP2009086094 A JP 2009086094A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- transfer
- film
- haze
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【課題】ヘイズを低減し得る転写用マスク、特にガラス部（透過部）周辺のヘイズを十分に低減し得る転写用マスク及びその素材としてのマスクブランクを提供する。
【解決手段】２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクであって、
基板上に転写パターンを有する転写用マスクにおいて、基板１と転写パターン３ａとの間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層（ヘイズ低減層）２を有することを特徴とする転写用マスク。
【選択図】図２
【解決手段】２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクであって、
基板上に転写パターンを有する転写用マスクにおいて、基板１と転写パターン３ａとの間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層（ヘイズ低減層）２を有することを特徴とする転写用マスク。
【選択図】図２
Description
本発明は、半導体デバイスや表示デバイス（表示パネル）等の製造において使用されるマスクブランク及び転写用マスク等に関する。
現状ＡｒＦ（１９３ｎｍ）露光が主流となるなか、ヘイズが問題となっている。ヘイズはペリクルを貼り付けた転写用マスクに発生する。ヘイズか発生したマスクは転写欠陥を引き起こすため、完成マスクからペリクルを剥がし、マスクを洗浄し、マスクの再検査の後、マスクに再度ペリクルを貼り付けて使用する。再洗浄は非常に手間とコストがかかり、マスクの寿命は洗浄するたびに短くなる。
現在、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）露光を導入した半導体メーカー各社は、フォトマスク（レチクル）のヘイズを深刻な問題として捉え、解決策を模索している（非特許文献１）。ヘイズは、使用される全てのフォトマスク（レチクル）で発生するわけではなく、一部に発生する。ヘイズの問題はＫｒＦ（２４８ｎｍ）リソグラフィーにおいては発生割合が少なないため重要ではなかったが、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）リソグラフィーにおいては発生割合が大きく深刻な問題となった（非特許文献２）。短波長ではエネルギーが大きくなるため、ヘイズの発生割合が大きくなると考えられる。
現在、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）露光を導入した半導体メーカー各社は、フォトマスク（レチクル）のヘイズを深刻な問題として捉え、解決策を模索している（非特許文献１）。ヘイズは、使用される全てのフォトマスク（レチクル）で発生するわけではなく、一部に発生する。ヘイズの問題はＫｒＦ（２４８ｎｍ）リソグラフィーにおいては発生割合が少なないため重要ではなかったが、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）リソグラフィーにおいては発生割合が大きく深刻な問題となった（非特許文献２）。短波長ではエネルギーが大きくなるため、ヘイズの発生割合が大きくなると考えられる。
このような状況下、ペリクル付きマスクの保管、搬送、使用（マスクを介しての露光・転写）の一連の工程を、超高清浄かつ水分の少ない環境下で行う技術が開示されている（非特許文献１）。しかしながら、ペリクル付きマスクの保管、搬送、使用の一連の工程を、超高清浄かつ水分の少ない環境下で行うための、大掛かりで高価な専用の装置を導入する必要があり、ランニングコストも相当に必要となる。
また、硫酸を使用しない洗浄（硫酸フリーの洗浄）が検討され、マスクによる転写回数の延長（レチクル寿命の延命など）に一定の効果はあるものの、ヘイズの発生を根絶できていない。
また、硫酸を使用しない洗浄（硫酸フリーの洗浄）が検討され、マスクによる転写回数の延長（レチクル寿命の延命など）に一定の効果はあるものの、ヘイズの発生を根絶できていない。
本発明者らは、硫酸フリーの洗浄を適用してもヘイズの発生を根絶できない理由を以下のように考えた。
ヘイズ発生の最大の要因はマスク洗浄によるマスク基板上への硫酸イオンの残留である。残留した硫酸イオンはアンモニアなどと結合し、ＡｒＦの照射エネルギーにより硫化アンモニウムなどの結晶となると考えられる。硫酸フリーの洗浄を適用するとマスク基板上への硫酸イオンの残留は基本的になくなると考えられる。従って、硫酸フリーの洗浄を適用した場合のヘイズ発生の要因は、基本的に「マスク基板上への硫酸イオンの残留」以外の要因によるものと考えられる。
そこで、本発明者らは、硫酸フリーの洗浄を適用してもヘイズの発生を根絶できない理由は、レチクルケース、ペリクルなどの材料から発生する硫酸イオンや、その他空気中のＳＯＸなどの硫化物イオンが原因であり、硫化物イオンの生成を低減又は阻止できれば、ヘイズの発生防止に効果的ではないかと考えた。そして、硫化物イオンの生成を低減又は阻止する手段として、光触媒の利用を考えた。その際、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）以降の短波長では、多くの膜材料で透過性が低下することなどの理由から、マスクのタイプ（バイナリー、位相シフト等）によらず、ガラス部（透過部）上に、光触媒膜を設けることは考えにくい。そこで、透過率等のマスク特性の低下を招くおそれの少ない遮光膜等の上に光触媒膜を設けることを考えた。尚、本願発明とは、目的を異にするが、Ｃｒ等の遮光膜パターン上にＴｉＯ２などの光触媒膜を設ける技術（特許文献１）は、公知である。
本願発明者らは、Ｃｒ等の遮光膜パターン上にＴｉＯ２などの光触媒膜を設けたマスクを作製し、このマスクにペリクルを貼り付け、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）リソグラフィーに適用することを試みた。しかしながら、ガラス部（透過部）上のヘイズを十分に除去できない場合があり、ヘイズ対策として不十分であることがわかった。
そこで、ガラス部（透過部）上に光触媒膜を設けたマスクを作製し、このマスクにペリクルを貼り付け、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）リソグラフィーに適用することを試みた。その結果、ヘイズ対策として効果的であることを見い出した。詳しくは、ガラス部（透過部）上に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を設けたマスク等は、ヘイズ対策として効果的であることを見い出した。
Electronic Journal 2007年5月号「最前線 レチクルのヘイズ対策」 Yield Management 2007年4月号「ヘイズ欠陥がマスク寿命を制限する」 特開２００６−４７５３９号公報
ヘイズ発生の最大の要因はマスク洗浄によるマスク基板上への硫酸イオンの残留である。残留した硫酸イオンはアンモニアなどと結合し、ＡｒＦの照射エネルギーにより硫化アンモニウムなどの結晶となると考えられる。硫酸フリーの洗浄を適用するとマスク基板上への硫酸イオンの残留は基本的になくなると考えられる。従って、硫酸フリーの洗浄を適用した場合のヘイズ発生の要因は、基本的に「マスク基板上への硫酸イオンの残留」以外の要因によるものと考えられる。
そこで、本発明者らは、硫酸フリーの洗浄を適用してもヘイズの発生を根絶できない理由は、レチクルケース、ペリクルなどの材料から発生する硫酸イオンや、その他空気中のＳＯＸなどの硫化物イオンが原因であり、硫化物イオンの生成を低減又は阻止できれば、ヘイズの発生防止に効果的ではないかと考えた。そして、硫化物イオンの生成を低減又は阻止する手段として、光触媒の利用を考えた。その際、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）以降の短波長では、多くの膜材料で透過性が低下することなどの理由から、マスクのタイプ（バイナリー、位相シフト等）によらず、ガラス部（透過部）上に、光触媒膜を設けることは考えにくい。そこで、透過率等のマスク特性の低下を招くおそれの少ない遮光膜等の上に光触媒膜を設けることを考えた。尚、本願発明とは、目的を異にするが、Ｃｒ等の遮光膜パターン上にＴｉＯ２などの光触媒膜を設ける技術（特許文献１）は、公知である。
本願発明者らは、Ｃｒ等の遮光膜パターン上にＴｉＯ２などの光触媒膜を設けたマスクを作製し、このマスクにペリクルを貼り付け、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）リソグラフィーに適用することを試みた。しかしながら、ガラス部（透過部）上のヘイズを十分に除去できない場合があり、ヘイズ対策として不十分であることがわかった。
そこで、ガラス部（透過部）上に光触媒膜を設けたマスクを作製し、このマスクにペリクルを貼り付け、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）リソグラフィーに適用することを試みた。その結果、ヘイズ対策として効果的であることを見い出した。詳しくは、ガラス部（透過部）上に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を設けたマスク等は、ヘイズ対策として効果的であることを見い出した。
Electronic Journal 2007年5月号「最前線 レチクルのヘイズ対策」 Yield Management 2007年4月号「ヘイズ欠陥がマスク寿命を制限する」
本発明は、硫酸フリーの洗浄を適用してもヘイズの発生を根絶できない問題に対処し得る転写用マスク及びその素材としてのマスクブランクの提供を目的とする。
また、本発明は、ヘイズを低減し得る転写用マスク、特にガラス部（透過部）周辺のヘイズを十分に低減し得る転写用マスク及びその素材としてのマスクブランクの提供を他の目的とする。
また、本発明は、ヘイズを低減し得る転写用マスク、特にガラス部（透過部）周辺のヘイズを十分に低減し得る転写用マスク及びその素材としてのマスクブランクの提供を他の目的とする。
本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクの素材となるマスクブランクであり、透明基板の上にマスクパターンを形成するための薄膜を備えるマスクブランクであって、
前記透明基板と前記薄膜との間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を備えることを特徴とするマスクブランク。
（構成２）前記材料からなる層の透過率が５０％以上であることを特徴とする構成１記載のマスクブランク。
（構成３）前記材料からなる層の膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とする構成１又は２記載のマスクブランク。
（構成４）前記材料からなる層が、光触媒層であることを特徴とする構成１〜３のいずれか一に記載のマスクブランク。
（構成５）２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクの素材となるマスクブランクであり、透明基板の上にマスクパターンを形成するための薄膜を備えるマスクブランクであって、
前記透明基板と前記薄膜との間に、酸化チタン層を備えることを特徴とするマスクブランク。
（構成６）２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクであって、
基板上に転写パターンを有する転写用マスクにおいて、基板と転写パターンとの間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を有することを特徴とする転写用マスク。
（構成７）２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクであって、
基板上に転写パターンを有する転写用マスクについて、転写パターンが形成された面に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を表面コートした構造を有することを特徴とする転写用マスク。
（構成１）２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクの素材となるマスクブランクであり、透明基板の上にマスクパターンを形成するための薄膜を備えるマスクブランクであって、
前記透明基板と前記薄膜との間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を備えることを特徴とするマスクブランク。
（構成２）前記材料からなる層の透過率が５０％以上であることを特徴とする構成１記載のマスクブランク。
（構成３）前記材料からなる層の膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とする構成１又は２記載のマスクブランク。
（構成４）前記材料からなる層が、光触媒層であることを特徴とする構成１〜３のいずれか一に記載のマスクブランク。
（構成５）２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクの素材となるマスクブランクであり、透明基板の上にマスクパターンを形成するための薄膜を備えるマスクブランクであって、
前記透明基板と前記薄膜との間に、酸化チタン層を備えることを特徴とするマスクブランク。
（構成６）２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクであって、
基板上に転写パターンを有する転写用マスクにおいて、基板と転写パターンとの間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を有することを特徴とする転写用マスク。
（構成７）２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクであって、
基板上に転写パターンを有する転写用マスクについて、転写パターンが形成された面に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を表面コートした構造を有することを特徴とする転写用マスク。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のマスクブランクは、２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクの素材となるマスクブランクであり、透明基板の上にマスクパターンを形成するための薄膜を備えるマスクブランクであって、
前記透明基板と前記薄膜との間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を備えることを特徴とする（構成１）。
また、本発明の転写用マスクは、２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクであって、
基板上に転写パターンを有する転写用マスクにおいて、基板と転写パターンとの間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を有することを特徴とする（構成６）。
構成１、３に係る発明では、ヘイズを低減し得る転写用マスク、特にガラス部（透過部）上のヘイズを十分に低減し得る転写用マスク（構成６）及びその素材としてのマスクブランク（構成１）を提供できる。
本発明のマスクブランクは、２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクの素材となるマスクブランクであり、透明基板の上にマスクパターンを形成するための薄膜を備えるマスクブランクであって、
前記透明基板と前記薄膜との間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を備えることを特徴とする（構成１）。
また、本発明の転写用マスクは、２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクであって、
基板上に転写パターンを有する転写用マスクにおいて、基板と転写パターンとの間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を有することを特徴とする（構成６）。
構成１、３に係る発明では、ヘイズを低減し得る転写用マスク、特にガラス部（透過部）上のヘイズを十分に低減し得る転写用マスク（構成６）及びその素材としてのマスクブランク（構成１）を提供できる。
構成１に係るマスクブランクは、図１に示すように、基板１とマスクパターンを形成するための薄膜３との間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層（以下、所定の材料からなる層という）２を備える。この「所定の材料からなる層」は、ヘイズを低減するためのヘイズ低減層としての優れた機能を有する。
構成６に係る転写用マスクおいては、図２（１）に示すように、基板１と転写パターン３ａとの間にパターニングされていない（即ちいわゆるべたの）「所定の材料からなる層２」を有する態様、即ち、基板１上にパターニングされていない（即ちいわゆるべたの）「所定の材料からなる層２」を有し、その上に転写パターン３ａを有する態様、であることが好ましい。ガラス部（透過部）上に、ヘイズが発生及び成長することを効果的に妨げ阻止するためである。
構成６のマスクは、構成１に記載のマスクブランクを用いて、マスクパターンを形成するための薄膜をパターニングして作製できる。
構成６に係る転写用マスクおいては、図２（１）に示すように、基板１と転写パターン３ａとの間にパターニングされていない（即ちいわゆるべたの）「所定の材料からなる層２」を有する態様、即ち、基板１上にパターニングされていない（即ちいわゆるべたの）「所定の材料からなる層２」を有し、その上に転写パターン３ａを有する態様、であることが好ましい。ガラス部（透過部）上に、ヘイズが発生及び成長することを効果的に妨げ阻止するためである。
構成６のマスクは、構成１に記載のマスクブランクを用いて、マスクパターンを形成するための薄膜をパターニングして作製できる。
構成６に係る転写用マスクの他の態様としては、基板と転写パターンとの間にパターニングされた「所定の材料からなる層」を有する態様、例えば、図２（２）に示すように、通常は、転写パターン３ａと同じパターニングが施され、転写パターン３ａの下部にのみ「所定の材料からなる層２ａ」を有する態様、とすることも可能である。ガラス部（透過部）上に「所定の材料からなる層」がある場合に比べヘイズ低減効果は減少するが、ガラス部（透過部）上に、ヘイズが発生及び成長することを妨げる作用があるからである。また、遮光膜上に「所定の材料からなる層」がある場合に比べヘイズ対策効果が大きいためである。
構成６に係る転写用マスクは、構成１に記載のマスクブランクを用いて、マスクパターンを形成するための薄膜及びヘイズ低減層をパターニングして作製できる。
構成６に係る転写用マスクは、構成１に記載のマスクブランクを用いて、マスクパターンを形成するための薄膜及びヘイズ低減層をパターニングして作製できる。
本発明のマスクブランクは、２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクの素材となるマスクブランクであり、透明基板の上にマスクパターンを形成するための薄膜を備えるマスクブランクであって、
前記透明基板と前記薄膜との間に、酸化チタン層を備えることを特徴とする（構成５）。
構成５に係る発明では、ヘイズを低減し得る転写用マスク、特にガラス部（透過部）上のヘイズを十分に低減し得る転写用マスク（構成６）及びその素材としてのマスクブランク（構成５）を提供できる。
前記透明基板と前記薄膜との間に、酸化チタン層を備えることを特徴とする（構成５）。
構成５に係る発明では、ヘイズを低減し得る転写用マスク、特にガラス部（透過部）上のヘイズを十分に低減し得る転写用マスク（構成６）及びその素材としてのマスクブランク（構成５）を提供できる。
本発明において、酸化チタン層は、酸素とチタンを含む層であり、例えばＴｉＯ２などが例示される。
尚、化学量論的なＴｉＯ２（Ｔｉ：Ｏ＝１：２（２原子％比））は、絶縁体であり、酸素欠損ができると半導体となる。酸素欠損があった方が光触媒機能が大きい。ただし、酸素欠損あると透過率下がる方向（傾向）がある。そのため、ＴｉＯ２の酸化度上げて透過率を上げることが好ましい。
ＴｉＯ２の結晶状態としては、例えばルチル型などが好ましい。
本発明において、酸化チタン層は透過率が５０％以上であることが好ましい。
本発明において、酸化チタン層の膜厚は、透過率等の観点からは、１０ｎｍ以下（好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍ）であることが好ましい。
以上の酸化チタン層に関する事項は、構成５以外の他の発明においても同様である。
尚、化学量論的なＴｉＯ２（Ｔｉ：Ｏ＝１：２（２原子％比））は、絶縁体であり、酸素欠損ができると半導体となる。酸素欠損があった方が光触媒機能が大きい。ただし、酸素欠損あると透過率下がる方向（傾向）がある。そのため、ＴｉＯ２の酸化度上げて透過率を上げることが好ましい。
ＴｉＯ２の結晶状態としては、例えばルチル型などが好ましい。
本発明において、酸化チタン層は透過率が５０％以上であることが好ましい。
本発明において、酸化チタン層の膜厚は、透過率等の観点からは、１０ｎｍ以下（好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍ）であることが好ましい。
以上の酸化チタン層に関する事項は、構成５以外の他の発明においても同様である。
本発明の転写用マスクは、２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクであって、
基板上に転写パターンを有する転写用マスクについて、転写パターンが形成された面に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層（「所定の材料からなる層」）を表面コートした構造を有することを特徴とする（構成７）。
構成７に係る転写用マスクでは、ヘイズを低減し得る転写用マスク、特にガラス部（透過部）周辺のヘイズを十分に低減し得る転写用マスクを提供できる。勿論、遮光部や光半透過部の周辺のヘイズも低減できる。構成７に係る転写用マスクでは、表面コート（オーバーコート）層上に、ヘイズが発生及び成長することを効果的に妨げ阻止することが可能である。
構成７に係る転写用マスクは、基板上に転写パターンを有する転写用マスクを作製後、転写パターンが形成された面に「所定の材料からなる層」の表面コート（オーバーコート）して作製できる。
基板上に転写パターンを有する転写用マスクについて、転写パターンが形成された面に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層（「所定の材料からなる層」）を表面コートした構造を有することを特徴とする（構成７）。
構成７に係る転写用マスクでは、ヘイズを低減し得る転写用マスク、特にガラス部（透過部）周辺のヘイズを十分に低減し得る転写用マスクを提供できる。勿論、遮光部や光半透過部の周辺のヘイズも低減できる。構成７に係る転写用マスクでは、表面コート（オーバーコート）層上に、ヘイズが発生及び成長することを効果的に妨げ阻止することが可能である。
構成７に係る転写用マスクは、基板上に転写パターンを有する転写用マスクを作製後、転写パターンが形成された面に「所定の材料からなる層」の表面コート（オーバーコート）して作製できる。
構成７に係る転写用マスクの一態様としては、図３（１）に示すように、基板１上に転写パターン３ａを有する転写用マスクを作製後、転写パターン３ａが形成された面に「所定の材料からなる層」４の表面コート（オーバーコート）した態様が挙げられる。
構成７に係る転写用マスクの他の態様としては、図３（２）に示すように、基板１上に転写パターン３ａを有する転写用マスクを作製後、転写パターン３ａが形成された面に均一の高さの「所定の材料からなる層」４を形成した態様が挙げられる。
構成７に係る転写用マスクの更に他の態様としては、図３（３）に示すように、基板１上に転写パターン３ａを有する転写用マスクを作製後、転写パターン３ａが形成された面に転写パターン３ａと同じ高さで且つ均一の高さの「所定の材料からなる層」４を形成した態様が挙げられる。
図３（２）又は（３）に示す態様のマスクは、例えば、図３（１）に示すように、転写パターン３ａが形成された面に「所定の材料からなる層」４の表面コート（オーバーコート）した後、例えば化学機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing）などの研磨手段を適用して得ることができる。
構成７に係る転写用マスクの他の態様としては、図３（２）に示すように、基板１上に転写パターン３ａを有する転写用マスクを作製後、転写パターン３ａが形成された面に均一の高さの「所定の材料からなる層」４を形成した態様が挙げられる。
構成７に係る転写用マスクの更に他の態様としては、図３（３）に示すように、基板１上に転写パターン３ａを有する転写用マスクを作製後、転写パターン３ａが形成された面に転写パターン３ａと同じ高さで且つ均一の高さの「所定の材料からなる層」４を形成した態様が挙げられる。
図３（２）又は（３）に示す態様のマスクは、例えば、図３（１）に示すように、転写パターン３ａが形成された面に「所定の材料からなる層」４の表面コート（オーバーコート）した後、例えば化学機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing）などの研磨手段を適用して得ることができる。
本発明において、ヘイズ低減層は、ヘイズ対策を目的として導入される層であり、ヘイズの低減を目的として導入される層である。
ヘイズ低減層は、ヘイズの発生及び成長を妨げる機能を有し、更には、ヘイズの発生及び成長を阻止する機能即ちヘイズの発生を防止する機能を有することが好ましい。事前にヘイズの発生及び成長を妨げ、阻止することが最も好ましいからである。
また、ヘイズ低減層は、発生したヘイズを分解する機能を有し、更には、発生したヘイズを分解し除去する（消滅させる）機能を有することが好ましい。事後的に対処可能とするためである。
ヘイズ低減層は、ヘイズの発生及び成長を妨げる機能を有し、更には、ヘイズの発生及び成長を阻止する機能即ちヘイズの発生を防止する機能を有することが好ましい。事前にヘイズの発生及び成長を妨げ、阻止することが最も好ましいからである。
また、ヘイズ低減層は、発生したヘイズを分解する機能を有し、更には、発生したヘイズを分解し除去する（消滅させる）機能を有することが好ましい。事後的に対処可能とするためである。
ヘイズ低減層としては、上記機能を実施的に発揮し得る物質を使用できる。
ヘイズ低減層としては、例えば上記「所定の材料からなる層」、例えば、２００ｎｍ以下の露光光波長（例えば露光波長ＡｒＦ（１９３ｎｍ）に対して、６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する半導体又は絶縁体の層などを使用することが好ましい。絶縁体は、例えば酸素欠損ができると半導体となる。
この理由は、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）の露光光は、太陽光（自然光）や蛍光灯などに含まれる紫外線に比べ、光の照射エネルギーが非常に高く、照射量も桁違いに多い。これにより、マスクを使用しパターン転写する際に、ＡｒＦの照射を受けた物質は、分解されると同時にガラス部に付着（核形成）するものも生じると考えられる。このガラス部に付着（核形成）するものが生じることを、高いバンドギャップを有するヘイズ低減層へ高エネルギーを照射することによって、妨げ、阻止する作用を強くできると考えられるからである。
このようなヘイズ低減層及び上記「所定の材料からなる層」としては、具体的には、ＴｉＯ２（バンドギャップは約３．２ｅＶ）が代表例として挙げられ、ＣｄＳｅ（カドミウム・セレン）、などが挙げられる。
ヘイズ低減層及び上記「所定の材料からなる層」としては、光触媒層を利用できる。光触媒は、光照射によって電子−正孔対が生じるものであることが好ましい。
光触媒としては、二酸化チタン（ＴｉＯ２ ）の他に、例えば、Ｆｅ２ Ｏ３ 、Ｃｕ２ Ｏ、Ｉｎ２ Ｏ３ 、ＷＯ３ 、Ｆｅ２ ＴｉＯ３ 、ＰｂＯ、Ｖ２ Ｏ５ 、ＦｅＴｉＯ２ 、Ｂｉ２ Ｏ２ 、Ｎｂ２ Ｏ２ 、ＳｒＴｉＯ２ 、ＺｎＯ、ＢａＴｉＯ２ 、ＣａＴｉＯ２ 、ＫＴｉＯ２ 、ＳｎＯ２ 、ＺｒＯ２等を適宜使用することができる。
本発明において、ヘイズ低減層及び上記「所定の材料からなる層」の形成方法としては、スパッタリング法の他に、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の真空成膜法や、光触媒を含むコーティング剤を塗布、乾燥して成膜する方法（例えば、ソル−ゲル法）や、成膜後に焼成する方法を採用することができる。
ヘイズ低減層としては、例えば上記「所定の材料からなる層」、例えば、２００ｎｍ以下の露光光波長（例えば露光波長ＡｒＦ（１９３ｎｍ）に対して、６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する半導体又は絶縁体の層などを使用することが好ましい。絶縁体は、例えば酸素欠損ができると半導体となる。
この理由は、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）の露光光は、太陽光（自然光）や蛍光灯などに含まれる紫外線に比べ、光の照射エネルギーが非常に高く、照射量も桁違いに多い。これにより、マスクを使用しパターン転写する際に、ＡｒＦの照射を受けた物質は、分解されると同時にガラス部に付着（核形成）するものも生じると考えられる。このガラス部に付着（核形成）するものが生じることを、高いバンドギャップを有するヘイズ低減層へ高エネルギーを照射することによって、妨げ、阻止する作用を強くできると考えられるからである。
このようなヘイズ低減層及び上記「所定の材料からなる層」としては、具体的には、ＴｉＯ２（バンドギャップは約３．２ｅＶ）が代表例として挙げられ、ＣｄＳｅ（カドミウム・セレン）、などが挙げられる。
ヘイズ低減層及び上記「所定の材料からなる層」としては、光触媒層を利用できる。光触媒は、光照射によって電子−正孔対が生じるものであることが好ましい。
光触媒としては、二酸化チタン（ＴｉＯ２ ）の他に、例えば、Ｆｅ２ Ｏ３ 、Ｃｕ２ Ｏ、Ｉｎ２ Ｏ３ 、ＷＯ３ 、Ｆｅ２ ＴｉＯ３ 、ＰｂＯ、Ｖ２ Ｏ５ 、ＦｅＴｉＯ２ 、Ｂｉ２ Ｏ２ 、Ｎｂ２ Ｏ２ 、ＳｒＴｉＯ２ 、ＺｎＯ、ＢａＴｉＯ２ 、ＣａＴｉＯ２ 、ＫＴｉＯ２ 、ＳｎＯ２ 、ＺｒＯ２等を適宜使用することができる。
本発明において、ヘイズ低減層及び上記「所定の材料からなる層」の形成方法としては、スパッタリング法の他に、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の真空成膜法や、光触媒を含むコーティング剤を塗布、乾燥して成膜する方法（例えば、ソル−ゲル法）や、成膜後に焼成する方法を採用することができる。
本発明においては、ペリクル内を適宜換気することが好ましい。特に、ＡｒＦ照射時にペリクル内を換気することが好ましい。ＡｒＦの照射を受けて分解された物質をペリクル外に排出するためである。
本発明においてペリクルを貼り付けたマスクは、紫外線照射下（波長、照射量（積算）、照射時間は適宜調整）で保管することが好ましい。例えば、保管時のヘイズの発生及び成長を妨げ、阻止することができるように、紫外線照射下（波長、照射量（積算）、照射時間は適宜調整）で保管することが好ましい。また、例えば、ヘイズが発生した時（好ましくはヘイズ発生の初期）に、発生したヘイズを分解し除去する（消滅させる）ことができるように、紫外線照射（波長、照射量（積算）、照射時間は適宜調整）することが好ましい。
本発明においてペリクルを貼り付けたマスクは、紫外線照射下（波長、照射量（積算）、照射時間は適宜調整）で保管することが好ましい。例えば、保管時のヘイズの発生及び成長を妨げ、阻止することができるように、紫外線照射下（波長、照射量（積算）、照射時間は適宜調整）で保管することが好ましい。また、例えば、ヘイズが発生した時（好ましくはヘイズ発生の初期）に、発生したヘイズを分解し除去する（消滅させる）ことができるように、紫外線照射（波長、照射量（積算）、照射時間は適宜調整）することが好ましい。
本発明において、マスクブランクには、フォトマスクブランク、位相シフトマスクブランク、反射型マスクブランク、インプリント用転写プレート基板も含まれる。また、マスクブランクには、レジスト膜付きマスクブランク、レジスト膜形成前のマスクブランクが含まれる。位相シフトマスクブランクには、ハーフトーン膜上にクロム系材料等の遮光性膜が形成される場合を含む。尚、この場合、マスクパターンを形成するための薄膜は、ハーフトーン膜や遮光性膜を指す。また、反射型マスクブランクの場合は、多層反射膜上、又は多層反射膜上に設けられたバッファ層上に、転写パターンとなるタンタル系材料やクロム系材料の吸収体膜が形成される構成、インプリント用転写プレートの場合には、転写プレートとなる基材上にクロム系材料等の転写パターン形成用薄膜が形成される構成を含む。マスクには、フォトマスク、位相シフトマスク、反射型マスク、インプリント用転写プレートが含まれる。マスクにはレチクルが含まれる。位相シフトマスクには、位相シフタが基板の彫り込みによって形成される場合を含む。
本発明において、マスクパターンを形成するための薄膜としては、露光光等を遮断する遮光膜、露光光等の透過量を調整・制御する半透光性膜、露光光等の反射率を調整・制御する反射率制御膜（反射防止膜を含む）、露光光等に対する位相を変化させる位相シフト膜、遮光機能と位相シフト機能を有するハーフトーン膜等が含まれる。
本発明において、マスクパターンを形成するための薄膜としては、金属膜が挙げられる。金属膜としては、クロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンや、これらの元素を含む合金、又は上記元素や上記合金を含む材料からなる膜、例えば、上記元素や上記合金と、酸素、窒素、炭素の少なくとも一つと、を含む膜、が挙げられる。
本発明において、マスクパターンを形成するための薄膜としては、珪素を含む珪素含有膜が挙げられる。珪素含有膜としては、珪素膜や、珪素とクロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンの金属を含む金属シリサイド膜、さらに、珪素膜や金属シリサイド膜に、酸素、窒素、炭素の少なくとも一つを含む膜とすることができる。
本発明において、マスクパターンを形成するための薄膜としては、金属膜が挙げられる。金属膜としては、クロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンや、これらの元素を含む合金、又は上記元素や上記合金を含む材料からなる膜、例えば、上記元素や上記合金と、酸素、窒素、炭素の少なくとも一つと、を含む膜、が挙げられる。
本発明において、マスクパターンを形成するための薄膜としては、珪素を含む珪素含有膜が挙げられる。珪素含有膜としては、珪素膜や、珪素とクロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンの金属を含む金属シリサイド膜、さらに、珪素膜や金属シリサイド膜に、酸素、窒素、炭素の少なくとも一つを含む膜とすることができる。
本発明において、基板としては、合成石英基板、ソーダライムガラス基板、無アルカリガラス基板、低熱膨張ガラス基板などが挙げられる。
本発明によれば、硫酸フリーの洗浄を適用してもヘイズの発生を根絶できない問題に対処し得る転写用マスク及びその素材としてのマスクブランクを提供できる。
また、本発明によれば、ヘイズを低減し得る転写用マスク、特にガラス部（透過部）周辺のヘイズを十分に低減し得る転写用マスク及びその素材としてのマスクブランクを提供できる。
また、本発明によれば、ヘイズを低減し得る転写用マスク、特にガラス部（透過部）周辺のヘイズを十分に低減し得る転写用マスク及びその素材としてのマスクブランクを提供できる。
以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図４は、本発明の第１の実施形態に係るマスクブランク１０の一例を示す。本例において、マスクブランク１０は、位相シフトマスク用のマスクブランクであり、透明基板１、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層（「所定の材料からなる層」）２、マスクパターンを形成するための薄膜３を備える。
マスクパターンを形成するための薄膜３は、位相シフト膜３１、遮光性膜３２で構成される。
透明基板１は、例えば、合成石英基板等の材料からなる。
所定の材料からなる層２は、例えば、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２等の材料からなる。
位相シフト膜３１としては、例えば、クロム系（ＣｒＯ、ＣｒＦ等）、モリブデン系（ＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯ等）、タングステン系（ＷＳｉＯＮ、ＷＳｉＮ、ＷＳｉＯ等）、シリコン系（ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等）の各種公知のハーフトーン膜を用いることができる。
遮光性膜３２は、クロム単体や、クロムに酸素、窒素、炭素、水素からなる元素を少なくとも１種を含むもの（Ｃｒを含む材料）、などの材料からなる。遮光性膜１３の膜構造としては、上記膜材料からなる単層、複数層構造とすることができる。また、異なる組成においては、段階的に形成した複数層構造や、連続的に組成が変化した膜構造とすることができる。
具体的な遮光性膜３２は、窒化クロム膜（ＣｒＮ膜）３３及び炭化窒化クロム膜（ＣｒＣＮ膜）３４からなる遮光層と、クロムに酸素及び窒素が含有されている膜（ＣｒＯＮ膜）３５からなる反射防止層との積層膜である。窒化クロム膜３３は、窒化クロム（ＣｒＮ）を主成分とする層であり、例えば１０〜２０ｎｍの膜厚を有する。炭化窒化クロム膜３４は、炭化窒化クロム（ＣｒＣＮ）を主成分とする層であり、例えば２５〜６０ｎｍの膜厚を有する。クロムに酸素及び窒素が含有されている膜（ＣｒＯＮ膜）３５は、例えば１５〜３０ｎｍの膜厚を有する。
図４は、本発明の第１の実施形態に係るマスクブランク１０の一例を示す。本例において、マスクブランク１０は、位相シフトマスク用のマスクブランクであり、透明基板１、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層（「所定の材料からなる層」）２、マスクパターンを形成するための薄膜３を備える。
マスクパターンを形成するための薄膜３は、位相シフト膜３１、遮光性膜３２で構成される。
透明基板１は、例えば、合成石英基板等の材料からなる。
所定の材料からなる層２は、例えば、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２等の材料からなる。
位相シフト膜３１としては、例えば、クロム系（ＣｒＯ、ＣｒＦ等）、モリブデン系（ＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯ等）、タングステン系（ＷＳｉＯＮ、ＷＳｉＮ、ＷＳｉＯ等）、シリコン系（ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等）の各種公知のハーフトーン膜を用いることができる。
遮光性膜３２は、クロム単体や、クロムに酸素、窒素、炭素、水素からなる元素を少なくとも１種を含むもの（Ｃｒを含む材料）、などの材料からなる。遮光性膜１３の膜構造としては、上記膜材料からなる単層、複数層構造とすることができる。また、異なる組成においては、段階的に形成した複数層構造や、連続的に組成が変化した膜構造とすることができる。
具体的な遮光性膜３２は、窒化クロム膜（ＣｒＮ膜）３３及び炭化窒化クロム膜（ＣｒＣＮ膜）３４からなる遮光層と、クロムに酸素及び窒素が含有されている膜（ＣｒＯＮ膜）３５からなる反射防止層との積層膜である。窒化クロム膜３３は、窒化クロム（ＣｒＮ）を主成分とする層であり、例えば１０〜２０ｎｍの膜厚を有する。炭化窒化クロム膜３４は、炭化窒化クロム（ＣｒＣＮ）を主成分とする層であり、例えば２５〜６０ｎｍの膜厚を有する。クロムに酸素及び窒素が含有されている膜（ＣｒＯＮ膜）３５は、例えば１５〜３０ｎｍの膜厚を有する。
尚、本実施形態の変形例において、位相シフトマスク用のマスクブランク１０は、位相シフト膜３１を、遮光性膜３２上に備えても良い。
また、本実施形態の変形例において、マスクブランク１０は、バイナリ用のマスクブランクであっても良い。この場合、マスクブランク１０は、例えば、透明基板１、所定の材料からなる層２、遮光性膜３２をこの順で備える。
また、本実施形態の変形例において、マスクブランク１０は、バイナリ用のマスクブランクであっても良い。この場合、マスクブランク１０は、例えば、透明基板１、所定の材料からなる層２、遮光性膜３２をこの順で備える。
以下、本発明の実施例及び比較例を示す。
（実施例１）
透明基板１としてサイズ６インチ角、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、透明基板１上に、「所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）２」、ハーフトーン位相シフト層３１、遮光性膜３２、を順次形成して、マスクブランク１０を作製した（図４）。
ここで、「所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）２」は、金属Ｔｉのターゲットを用い、ＡｒとＯ２をスパッタリングガスとして、チタン、酸素からなる膜（ＴｉＯ２）を３ｎｍの膜厚で形成した。このＴｉＯ２膜の透過率は６０％であった。
ハーフトーン位相シフト層３１は、Ｍｏ：Ｓｉ＝１０：９０（原子％比）のターゲットを用い、ＡｒとＮ２をスパッタリングガスとして、モリブデン、シリコン、窒素からなる膜（ＭｏＳｉＮ）を７ｎｍの膜厚で形成した。
遮光性膜３２は、遮光層として、窒化クロム膜３３及び炭化窒化クロム膜３４をそれぞれスパッタリング法で形成した。続いて、反射防止層として、酸化窒化クロム膜３５を形成した。遮光性膜３２は、膜厚方向の略全域に窒素を含むものであった。遮光性膜３２の膜厚は６８ｎｍとした。
次に、上記で作製したマスクブランク上に、化学増幅型レジスト膜として、電子線露光用化学増幅型ポジレジスト（ＦＥＰ１７１：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を回転塗布法で厚さ３００ｎｍ塗布し、その後、ホットプレートで１３０℃で１０分熱処理して、化学増幅型レジスト膜を乾燥させ、ＡｒＦエキシマレーザー露光用のレジスト膜付きフォトマスクブランクであるマスクブランクを得た。
（実施例１）
透明基板１としてサイズ６インチ角、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、透明基板１上に、「所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）２」、ハーフトーン位相シフト層３１、遮光性膜３２、を順次形成して、マスクブランク１０を作製した（図４）。
ここで、「所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）２」は、金属Ｔｉのターゲットを用い、ＡｒとＯ２をスパッタリングガスとして、チタン、酸素からなる膜（ＴｉＯ２）を３ｎｍの膜厚で形成した。このＴｉＯ２膜の透過率は６０％であった。
ハーフトーン位相シフト層３１は、Ｍｏ：Ｓｉ＝１０：９０（原子％比）のターゲットを用い、ＡｒとＮ２をスパッタリングガスとして、モリブデン、シリコン、窒素からなる膜（ＭｏＳｉＮ）を７ｎｍの膜厚で形成した。
遮光性膜３２は、遮光層として、窒化クロム膜３３及び炭化窒化クロム膜３４をそれぞれスパッタリング法で形成した。続いて、反射防止層として、酸化窒化クロム膜３５を形成した。遮光性膜３２は、膜厚方向の略全域に窒素を含むものであった。遮光性膜３２の膜厚は６８ｎｍとした。
次に、上記で作製したマスクブランク上に、化学増幅型レジスト膜として、電子線露光用化学増幅型ポジレジスト（ＦＥＰ１７１：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を回転塗布法で厚さ３００ｎｍ塗布し、その後、ホットプレートで１３０℃で１０分熱処理して、化学増幅型レジスト膜を乾燥させ、ＡｒＦエキシマレーザー露光用のレジスト膜付きフォトマスクブランクであるマスクブランクを得た。
（比較例１）
「所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）２」を形成しなかった以外は実施例１と同様にして、比較例１に係るマスクブランクを得た。
「所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）２」を形成しなかった以外は実施例１と同様にして、比較例１に係るマスクブランクを得た。
実施例１及び比較例１で作製したマスクブランクを用い、ハーフトーン位相シフト層３１、及び遮光性膜３２、をパターニングして、マスクを作製した。
上記で作製したマスクにペリクルを貼り付け、ＡｒＦエキシマレーザーによる露光を一定間隔で繰り返し実施した。
その結果、実施例１に係るマスク（図２（１）参照）を使用した場合、ヘイズ対策として効果的（ヘイズ発生はマスク１０枚中０枚）であることがわかった。比較例１に係るマスクを使用した場合、ヘイズ対策として不十分（ヘイズ発生はマスク１０枚中２枚）であった。
上記で作製したマスクにペリクルを貼り付け、ＡｒＦエキシマレーザーによる露光を一定間隔で繰り返し実施した。
その結果、実施例１に係るマスク（図２（１）参照）を使用した場合、ヘイズ対策として効果的（ヘイズ発生はマスク１０枚中０枚）であることがわかった。比較例１に係るマスクを使用した場合、ヘイズ対策として不十分（ヘイズ発生はマスク１０枚中２枚）であった。
（実施例２）
「所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）２」を形成せず、その代わりにマスク作成後「所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）４」をオーバーコートした以外は実施例１と同様にして、実施例２に係るマスクを得た（図３（２）参照）。
上記で作製したマスクにペリクルを貼り付け、ＡｒＦエキシマレーザーによる露光を一定間隔で繰り返し実施した。
その結果は、実施例１と同様であった。
「所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）２」を形成せず、その代わりにマスク作成後「所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）４」をオーバーコートした以外は実施例１と同様にして、実施例２に係るマスクを得た（図３（２）参照）。
上記で作製したマスクにペリクルを貼り付け、ＡｒＦエキシマレーザーによる露光を一定間隔で繰り返し実施した。
その結果は、実施例１と同様であった。
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は、上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることは、当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
１ 基板
２ 所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）
３ マスクパターンを形成するための薄膜
３ａ 転写パターン
４ 所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）
１０ マスクブランク
２ 所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）
３ マスクパターンを形成するための薄膜
３ａ 転写パターン
４ 所定の材料からなる層（ヘイズ低減層）
１０ マスクブランク
Claims (7)
- ２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクの素材となるマスクブランクであり、透明基板の上にマスクパターンを形成するための薄膜を備えるマスクブランクであって、
前記透明基板と前記薄膜との間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を備えることを特徴とするマスクブランク。 - 前記材料からなる層の透過率が５０％以上であることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク。
- 前記材料からなる層の膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のマスクブランク。
- 前記材料からなる層が、光触媒層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のマスクブランク。
- ２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクの素材となるマスクブランクであり、透明基板の上にマスクパターンを形成するための薄膜を備えるマスクブランクであって、
前記透明基板と前記薄膜との間に、酸化チタン層を備えることを特徴とするマスクブランク。 - ２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクであって、
基板上に転写パターンを有する転写用マスクにおいて、基板と転写パターンとの間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を有することを特徴とする転写用マスク。 - ２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクであって、
基板上に転写パターンを有する転写用マスクについて、転写パターンが形成された面に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層を表面コートした構造を有することを特徴とする転写用マスク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007253250A JP2009086094A (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | マスクブランク及び転写用マスク |
| PCT/JP2008/067098 WO2009041388A1 (ja) | 2007-09-28 | 2008-09-22 | マスクブランク及び転写用マスク |
| TW097137086A TW200921267A (en) | 2007-09-28 | 2008-09-26 | Mask blank and transfer mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007253250A JP2009086094A (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | マスクブランク及び転写用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009086094A true JP2009086094A (ja) | 2009-04-23 |
| JP2009086094A5 JP2009086094A5 (ja) | 2010-10-07 |
Family
ID=40511273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007253250A Pending JP2009086094A (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | マスクブランク及び転写用マスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009086094A (ja) |
| TW (1) | TW200921267A (ja) |
| WO (1) | WO2009041388A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008604A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Hoya Corp | マスクブランク及び転写用マスク |
| JP2011095347A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Hoya Corp | マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクセット |
| US8361679B2 (en) | 2009-10-09 | 2013-01-29 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Phase shift masks |
| US8968970B2 (en) | 2009-10-09 | 2015-03-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase shift masks and methods of forming phase shift masks |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0647953U (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-28 | 京セラ株式会社 | フォトマスク |
| JPH0784357A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光マスクおよび投影露光方法 |
| JPH10112429A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-04-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光露光システム |
| JPH10125583A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
| JP2000284468A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Canon Inc | マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光方法および露光装置、該マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス、ならびに半導体デバイス製造方法 |
| JP2003243292A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Nikon Corp | 反射マスク、露光装置及びその清掃方法 |
| JP2003295428A (ja) * | 2001-03-29 | 2003-10-15 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法およびそれに用いるフォトマスク |
| JP2005175324A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Nikon Corp | マスク汚染防止方法、マスク汚染防止装置及び露光装置 |
| JP2005186005A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 光触媒含有層基板およびパターン形成体の製造方法 |
| JP2006047539A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
| JP2006243162A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光用マスクおよびその製造方法 |
| JP2007184361A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Asahi Glass Co Ltd | 薄膜デバイス用ガラス基板およびその成膜方法 |
| JP2008197234A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Nsk Ltd | 近接露光用フォトマスク、露光方法及び露光装置 |
| JP2008286838A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Canon Inc | 露光用マスク、パターン形成装置及びパターン形成方法 |
-
2007
- 2007-09-28 JP JP2007253250A patent/JP2009086094A/ja active Pending
-
2008
- 2008-09-22 WO PCT/JP2008/067098 patent/WO2009041388A1/ja active Application Filing
- 2008-09-26 TW TW097137086A patent/TW200921267A/zh unknown
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0647953U (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-28 | 京セラ株式会社 | フォトマスク |
| JPH0784357A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 露光マスクおよび投影露光方法 |
| JPH10112429A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-04-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光露光システム |
| JPH10125583A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
| JP2000284468A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Canon Inc | マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光方法および露光装置、該マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス、ならびに半導体デバイス製造方法 |
| JP2003295428A (ja) * | 2001-03-29 | 2003-10-15 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法およびそれに用いるフォトマスク |
| JP2003243292A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Nikon Corp | 反射マスク、露光装置及びその清掃方法 |
| JP2005175324A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Nikon Corp | マスク汚染防止方法、マスク汚染防止装置及び露光装置 |
| JP2005186005A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 光触媒含有層基板およびパターン形成体の製造方法 |
| JP2006047539A (ja) * | 2004-08-03 | 2006-02-16 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
| JP2006243162A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光用マスクおよびその製造方法 |
| JP2007184361A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Asahi Glass Co Ltd | 薄膜デバイス用ガラス基板およびその成膜方法 |
| JP2008197234A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Nsk Ltd | 近接露光用フォトマスク、露光方法及び露光装置 |
| JP2008286838A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Canon Inc | 露光用マスク、パターン形成装置及びパターン形成方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008604A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Hoya Corp | マスクブランク及び転写用マスク |
| US8361679B2 (en) | 2009-10-09 | 2013-01-29 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Phase shift masks |
| US8968970B2 (en) | 2009-10-09 | 2015-03-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phase shift masks and methods of forming phase shift masks |
| JP2011095347A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Hoya Corp | マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクセット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009041388A1 (ja) | 2009-04-02 |
| TW200921267A (en) | 2009-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI684059B (zh) | 半色調相位移光罩基板及半色調相位移光罩 | |
| JP5554239B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 | |
| US9535320B2 (en) | Mask blank, method of manufacturing the same, transfer mask, and method of manufacturing the same | |
| JP6264238B2 (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法 | |
| CN106019808B (zh) | 相移掩模坯、相移掩模和坯制备方法 | |
| US9104112B2 (en) | Mask blank, method of manufacturing the same, and transfer mask | |
| US9436079B2 (en) | Phase shift mask blank, method of manufacturing the same, and phase shift mask | |
| TWI663467B (zh) | 半色調相位移空白光罩、半色調相位移光罩及圖型曝光方法 | |
| WO2010113474A1 (ja) | マスクブランクおよび転写用マスク | |
| TWI467316B (zh) | 光罩之製造方法 | |
| US10365556B2 (en) | Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
| CN103149791B (zh) | 光图案曝光方法 | |
| TWI742254B (zh) | 空白光罩 | |
| JP6506449B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 | |
| EP3629084B1 (en) | Phase shift-type photomask blank, method of preparing a photomask and phase shift-type photomask | |
| JP2009086094A (ja) | マスクブランク及び転写用マスク | |
| JP2018063441A (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法 | |
| JP6012984B2 (ja) | 転写用マスクの製造方法及びマスクブランクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100820 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100820 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111221 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120206 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121212 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130410 |