JP6506449B2 - マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
それに加えて本発明は、ドライエッチングによって遮光膜に形成される微細パターンのCD精度が高く、遮光膜パターンの倒れの発生も抑制されたマスクブランクを提供することを第二の目的としている。
本発明はさらに、その位相シフトマスクを用いる半導体デバイスの製造方法を提供することを目的としている。
透光性基板上に、位相シフト膜と遮光膜がこの順に積層した構造を備えるマスクブランクであって、
前記位相シフト膜と前記遮光膜の積層構造でのArFエキシマレーザーの露光光に対する光学濃度は3.5以上であり、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から下層および上層が積層した構造を備え、
前記下層は、クロムを含有し、クロム、酸素、窒素および炭素の合計含有量が90原子%以上である材料からなり、
前記上層は、金属およびケイ素を含有し、金属およびケイ素の合計含有量が80原子%以上である材料からなり、
前記上層の前記露光光に対する消衰係数kUは、前記下層の前記露光光に対する消衰係数kLよりも大きいことを特徴とするマスクブランク。
前記位相シフト膜は、前記露光光に対する透過率が1%以上であることを特徴とする構成1に記載のマスクブランク。
(構成3)
前記下層の消衰係数kLは2.0以下であり、前記上層の消衰係数kUは2.0よりも大きいことを特徴とする構成1または2に記載のマスクブランク。
前記上層の前記露光光に対する屈折率nUは、前記下層の前記露光光に対する屈折率nLよりも小さく、前記上層の前記露光光に対する屈折率nUを前記下層の前記露光光に対する屈折率nLで除した比率nU/nLが0.8以上であることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
(構成5)
前記下層の屈折率nLは2.0以下であり、前記上層の屈折率nUは2.0よりも小さいことを特徴とする構成4に記載のマスクブランク。
(構成6)
前記下層は、クロム、酸素および炭素の合計含有量が90原子%以上である材料からなることを特徴とする構成1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
前記上層は、タンタルおよびケイ素の合計含有量が80原子%以上である材料からなることを特徴とする構成1から6のいずれかに記載のマスクブランク。
(構成8)
前記位相シフト膜は、ケイ素を含有する材料からなることを特徴とする構成1から7のいずれかに記載のマスクブランク。
透光性基板上に、転写パターンを有する位相シフト膜と遮光帯パターンを有する遮光膜がこの順に積層した構造を備える位相シフトマスクであって、
前記位相シフト膜と前記遮光膜の積層構造でのArFエキシマレーザーの露光光に対する光学濃度は3.5以上であり、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から下層および上層が積層した構造を備え、
前記下層は、クロムを含有し、クロム、酸素、窒素および炭素の合計含有量が90原子%以上である材料からなり、
前記上層は、金属およびケイ素を含有し、金属およびケイ素の合計含有量が80原子%以上である材料からなり、
前記上層の前記露光光に対する消衰係数kUは、前記下層の前記露光光に対する消衰係数kLよりも大きいことを特徴とする位相シフトマスク。
前記位相シフト膜は、前記露光光に対する透過率が1%以上であることを特徴とする構成9に記載の位相シフトマスク。
(構成11)
前記下層の消衰係数kLは2.0以下であり、前記上層の消衰係数kUは2.0よりも大きいことを特徴とする構成9または10に記載の位相シフトマスク。
前記上層の前記露光光に対する屈折率nUは、前記下層の前記露光光に対する屈折率nLよりも小さく、前記上層の前記露光光に対する屈折率nUを前記下層の前記露光光に対する屈折率nLで除した比率nU/nLが0.8以上であることを特徴とする構成9から11のいずれかに記載の位相シフトマスク。
(構成13)
前記下層の屈折率nLは2.0以下であり、前記上層の屈折率nUは2.0よりも小さいことを特徴とする構成12に記載の位相シフトマスク。
(構成14)
前記下層は、クロム、酸素および炭素の合計含有量が90原子%以上である材料からなることを特徴とする構成9から13のいずれかに記載の位相シフトマスク。
前記上層は、タンタルおよびケイ素の合計含有量が80原子%以上である材料からなることを特徴とする構成9から14のいずれかに記載の位相シフトマスク。
(構成16)
前記位相シフト膜は、ケイ素を含有する材料からなることを特徴とする構成9から15のいずれかに記載の位相シフトマスク。
構成9から16のいずれかに記載の位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
また、本発明のマスクブランクは、遮光膜に対してドライエッチングで微細パターンを形成したとき、その形成された微細パターンのCD精度が高く、形成された遮光膜の微細パターンが洗浄等によって倒れることを十分に抑制することができる。
また、本発明の位相シフトマスクは、本発明のマスクブランクを用いて位相シフトマスクを製造するため、位相シフト膜に精度よく微細なパターンを形成することができる。
さらに、本発明の位相シフトマスクを用いた半導体デバイスの製造方法は、半導体ウェハ上のレジスト膜に良好なCD精度で微細パターンを転写することが可能になる。
本発明では、金属シリサイド系材料の上層に対し、酸素および窒素の含有量を従来よりも少なくし、クロム系材料の下層との間での塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスによるドライエッチングに対するエッチング選択性を検証した。その結果、酸素および窒素を実質的に含有しない金属シリサイド系材料の上層(ただし、大気中に接する表層は酸化が進んでいる。)であっても、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスによるドライエッチングでクロム系材料の下層をパターニングするときに上層がハードマスクとして十分に機能することがわかった。上層を積層することによる遮光膜の全体膜厚の増加を抑制するには、上層の消衰係数kUを十分に高める必要がある。これらの研究から、遮光膜の上層は、金属及びケイ素を含有し、金属及びケイ素の合計含有量が80原子%である材料で形成することにした。
図1は、マスクブランクの実施形態の概略構成を示す。図1に示すマスクブランク100は、透光性基板1における一方の主表面上に、位相シフト膜2、遮光膜3の下層31、及び遮光膜3の上層32がこの順に積層された構成である。マスクブランク100は、上層32上に、必要に応じてレジスト膜を積層させた構成であってもよい。また、上記の理由から、マスクブランク100は、位相シフト膜2と遮光膜3との積層構造でArF露光光に対する光学濃度が3.5以上であることが少なくとも求められる。マスクブランク100は、位相シフト膜2と遮光膜3との積層構造でArF露光光に対する光学濃度が3.8以上であるとより好ましく、4.0以上であるとさらに好ましい。以下、マスクブランク100の主要構成部の詳細を説明する。
透光性基板1は、リソグラフィーにおける露光工程で用いられる露光光に対して透過性が良好な材料からなる。このような材料としては、合成石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、低熱膨張ガラス(SiO2−TiO2ガラス等)、その他各種のガラス基板を用いることができる。特に、合成石英ガラスを用いた基板は、ArF露光光に対する透明性が高いので、マスクブランク100の透光性基板1として好適に用いることができる。
位相シフト膜2は、ArF露光光を実質的に露光に寄与しない強度で透過させるとともに、その透過したArF露光光に対し、空気中を位相シフト膜2の厚さと同じ距離で通過した露光光との間で所定の位相差を生じさせる機能を有する。具体的には、この位相シフト膜2をパターニングすることにより、位相シフト膜2が残る部分と残らない部分とを形成し、位相シフト膜2が無い部分を透過した露光光に対して、位相シフト膜2を透過した光(実質的に露光に寄与しない強度の光)の位相が実質的に反転した関係になるようにする。こうすることにより、回折現象によって互いに相手の領域に回り込んだ光が打ち消しあうようにし、位相シフト膜2のパターン境界部における光強度をほぼゼロとしパターン境界部のコントラスト即ち解像度を向上させる効果、いわゆる位相シフト効果が得られる。
遮光膜3は、位相シフト膜2側から下層31と上層32がこの順に積層された構成を備える。下層31は、クロムを含有し、クロム、酸素、窒素および炭素の合計含有量が90原子%以上である材料で形成される。下層31は、クロム、酸素、窒素および炭素の合計含有量が95原子%以上である材料で形成されることが好ましく、98原子%以上である材料で形成されることがより好ましい。これは、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングに対するエッチングレートを速くするには、上記以外の元素(特に、ケイ素)の含有量を少なくすることが好ましいためである。
マスクブランク100において、遮光膜3の上層32の表面に接して、有機系材料のレジスト膜が100nm以下の膜厚で形成されていることが好ましい。この場合、上層32の表面に対してHMDS処理を施してから、レジスト膜を塗布形成することが好ましい。上層32はフッ素ガスによるドライエッチングで微細パターンをパターニングすることが可能な材料で形成されている。その上層32は下層31に微細パターンをパターニングするときに行われる塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスによるドライエッチングのときにハードマスクとして機能するため、レジスト膜は100nm以下であっても遮光膜3に微細パターンを形成することが可能である。レジスト膜は、膜厚が80nm以下であることがより好ましい。レジスト膜は、電子線描画露光用のレジストであると好ましく、さらにそのレジストが化学増幅型であるとより好ましい。
以上の構成のマスクブランク100は、次のような手順で製造する。先ず、透光性基板1を用意する。この透光性基板1は、端面及び主表面が所定の表面粗さ(例えば、一辺が1μmの四角形の内側領域内において自乗平均平方根粗さRqが0.2nm以下)に研磨され、その後、所定の洗浄処理及び乾燥処理を施されたものである。
次に、図1に示す構成のマスクブランク100を用いたハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を、図2の位相シフトマスクの製造工程を示す断面概略図を参照しながら説明する。
次に、上述の位相シフトマスク200を用いる半導体デバイスの製造方法について説明する。半導体デバイスの製造方法は、上述の位相シフトマスク200を用いて、半導体基板上のレジスト膜に対して位相シフトマスク200の転写パターン(位相シフトパターン2a)を露光転写することを特徴としている。このような半導体デバイスの製造方法は、次のように行う。
[マスクブランクの製造]
図1を参照し、主表面の寸法が約152mm×約152mmで、厚さが約6.35mmの合成石英ガラスからなる透光性基板1を準備した。この透光性基板1は、端面及び主表面が所定の表面粗さ(Rqで0.2nm以下)に研磨され、その後、所定の洗浄処理及び乾燥処理が施されている。
次に、この実施例1のマスクブランク100を用い、以下の手順で実施例1のハーフトーン型の位相シフトマスク200を製造した。最初に、遮光膜3の上層32の表面にHMDS処理を施した。続いて、スピン塗布法によって、上層32の表面に接して、電子線描画用化学増幅型レジストからなるレジスト膜を膜厚100nmで形成した。次に、このレジスト膜に対して、位相シフト膜2に形成すべき位相シフトパターンである第1のパターンを電子線描画し、所定の現像処理および洗浄処理を行い、第1のパターンを有するレジストパターン4aを形成した(図2(a)参照)。この露光描画された第1のパターンは、SMOを適用して最適化されたパターンであった。また、第1のパターンは、図3のp1a〜p1dに示すように、遮光帯の近傍に微細パターンを有している。
SMOによって最適化した照明系でArF露光光を位相シフトマスク200に対して照射することが可能な露光装置のマスクステージに、この実施例1の位相シフトマスク200をセットし、半導体基板上のレジスト膜に対して、図3に示すような配置での繰り返し露光転写を行った。露光転写後の半導体基板上のレジスト膜に対し、現像処理等を行い、レジストパターンを形成した。そのレジストパターンをSEMで観察したところ、高いCD精度でレジストパターンが形成されていることが確認できた。CD精度の低下が懸念されていた、図3に示す遮光帯が4回露光転写された領域の像S1234の近傍の微細パターンp1d、p2c、p3b、p4aについても高いCD精度で形成されていることが確認できた。この結果から、このレジストパターンをマスクとしたドライエッチングで回路パターンを高精度に形成できるといえる。
[マスクブランクの製造]
実施例2のマスクブランク100は、遮光膜3の下層31の厚さを18nmで形成し、上層32の厚さを24nmで形成したこと以外については、実施例1と同様の手順で製造した。この実施例2のマスクブランク100に対し、分光光度計(アジレントテクノロジー社製 Cary4000)を用い、位相シフト膜2と遮光膜3の積層構造のArFエキシマレーザーの光の波長(約193nm)における光学濃度を測定したところ、4.12であった。また、遮光膜3の位相シフト膜2とは反対側の表面反射率を測定したところ、55%であった。
次に、この実施例2のマスクブランク100を用い、実施例1と同様の手順で、実施例2の位相シフトマスク200を製造した。実施例1の場合と同様に、この実施例2の位相シフトマスク200に対し、マスク検査装置(KLA―Tencor社製 Teron600Series)でマスク検査を行ったところ、位相シフトパターン2aに欠陥は発見されなかった。このことから、実施例1と同様のことが確認できた。
実施例1の場合と同様に、SMOによって最適化した照明系でArF露光光を位相シフトマスク200に対して照射することが可能な露光装置のマスクステージに、この実施例2の位相シフトマスク200をセットし、半導体基板上のレジスト膜に対して、図3に示すような配置での繰り返し露光転写を行った。露光転写後の半導体基板上のレジスト膜に対し、現像処理等を行い、レジストパターンを形成した。そのレジストパターンをSEMで観察したところ、高いCD精度でレジストパターンが形成されていることが確認できた。CD精度の低下が懸念されていた、図3に示す遮光帯が4回露光転写された領域の像S1234の近傍の微細パターンp1d、p2c、p3b、p4aについても高いCD精度で形成されていることが確認できた。この結果から、このレジストパターンをマスクとしたドライエッチングで回路パターンを高精度に形成できるといえる。
[マスクブランクの製造]
実施例3のマスクブランク100は、遮光膜3以外については、実施例1と同様の手順で製造した。この実施例3の遮光膜3は、下層32をCrOCN膜で形成し、上層31を実施例1と同じ組成で膜厚を変えている。具体的には、枚葉式DCスパッタ装置内に位相シフト膜2が形成された透光性基板1を設置し、クロム(Cr)ターゲットを用いて、アルゴン(Ar)、二酸化炭素(CO2)、窒素(N2)及びヘリウム(He)の混合ガス雰囲気での反応性スパッタリング(DCスパッタリング)を行なった。これにより、位相シフト膜2に接して、クロム、酸素、炭素及び窒素からなる遮光膜(CrOCN膜)3の下層31を43nmの膜厚で形成した。次に、枚葉式DCスパッタ装置内に、位相シフト膜2および遮光膜3の下層31が積層された透光性基板1を設置し、タンタルシリサイド(TaSi2)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)ガスをスパッタリングガスとし、DCスパッタリングにより遮光膜3の下層31の上に、タンタルおよびケイ素からなる遮光膜3の上層32を12nmの厚さで形成した。
次に、この実施例3のマスクブランク100を用い、実施例1と同様の手順で、実施例3の位相シフトマスク200を製造した。実施例1の場合と同様に、この実施例3の位相シフトマスク200に対し、マスク検査装置(KLA―Tencor社製 Teron600Series)でマスク検査を行ったところ、位相シフトパターン2aに欠陥は発見されなかった。このことから、実施例1と同様のことが確認できた。
実施例1の場合と同様に、SMOによって最適化した照明系でArF露光光を位相シフトマスク200に対して照射することが可能な露光装置のマスクステージに、この実施例3の位相シフトマスク200をセットし、半導体基板上のレジスト膜に対して、図3に示すような配置での繰り返し露光転写を行った。露光転写後の半導体基板上のレジスト膜に対し、現像処理等を行い、レジストパターンを形成した。そのレジストパターンをSEMで観察したところ、高いCD精度でレジストパターンが形成されていることが確認できた。CD精度の低下が懸念されていた、図3に示す遮光帯が4回露光転写された領域の像S1234の近傍の微細パターンp1d、p2c、p3b、p4aについても高いCD精度で形成されていることが確認できた。この結果から、このレジスト膜をマスクとしたドライエッチングで回路パターンを高精度に形成できるといえる。
[マスクブランクの製造]
比較例1のマスクブランクは、遮光膜3以外については、実施例1と同様の手順で製造した。この比較例1の遮光膜は、下層をCrOCN膜で形成し、上層をSiO2膜で形成している。具体的には、枚葉式DCスパッタ装置内に位相シフト膜が形成された透光性基板を設置し、クロム(Cr)ターゲットを用いて、アルゴン(Ar)、二酸化炭素(CO2)、窒素(N2)及びヘリウム(He)の混合ガス雰囲気での反応性スパッタリング(DCスパッタリング)を行なった。これにより、位相シフト膜に接して、クロム、酸素及び炭素からなる遮光膜(CrOCN膜)の下層を43nmの膜厚で形成した。次に、枚葉式RFスパッタ装置内に、位相シフト膜および遮光膜の下層が積層された透光性基板を設置し、二酸化ケイ素(SiO2)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)ガスをスパッタリングガスとし、RFスパッタリングにより遮光膜の下層の上に、ケイ素および酸素からなる遮光膜の上層を12nmの厚さで形成した。
次に、この比較例1のマスクブランクを用い、実施例1と同様の手順で、比較例1の位相シフトマスク200を製造した。実施例1の場合と同様に、この比較例1の位相シフトマスクに対し、マスク検査装置(KLA―Tencor社製 Teron600Series)でマスク検査を行ったところ、位相シフトパターン2aに欠陥は発見されなかった。このことから、従来と同等の遮光性能(厚さも従来と同等)の遮光膜3(組成により遮光性能を高めることをせず、かつ、厚さを厚くして光学濃度を確保することもしていない。)は、レジストパターン4aの微細パターンを位相シフト膜に形成するハードマスクとして十分に機能することが確認できた。
実施例1の場合と同様に、SMOによって最適化した照明系でArF露光光を位相シフトマスク200に対して照射することが可能な露光装置のマスクステージに、この比較例1の位相シフトマスクをセットし、半導体基板上のレジスト膜に対して、図3に示すような配置での繰り返し露光転写を行った。露光転写後の半導体基板上のレジスト膜に対し、現像処理等を行い、レジストパターンを形成した。そのレジストパターンをSEMで観察したところ、CD精度の低下が懸念されていた図3に示す遮光帯が4回露光転写された領域の像S1234の近傍の微細パターンp1d、p2c、p3b、p4aで特にCD精度が低いことが判明した。この結果から、このレジスト膜をマスクとしたドライエッチングで回路パターンを形成した場合、回路不良等が発生する恐れがあるといえる。
2 位相シフト膜
2a 位相シフトパターン
3 遮光膜
31 下層
32 上層
3b 遮光パターン
31a,31b 下層パターン
32a,32b 上層パターン
4a,5b レジストパターン
100 マスクブランク
200 位相シフトマスク
Claims (17)
- 透光性基板上に、位相シフト膜と遮光膜がこの順に積層した構造を備えるマスクブランクであって、
前記位相シフト膜と前記遮光膜の積層構造でのArFエキシマレーザーの露光光に対する光学濃度は3.5以上であり、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から下層および上層が積層した構造を備え、
前記下層は、クロムを含有し、クロム、酸素、窒素および炭素の合計含有量が90原子%以上である材料からなり、
前記上層は、金属およびケイ素を含有し、金属およびケイ素の合計含有量が80原子%以上である材料からなり、
前記上層の前記露光光に対する消衰係数kUは、前記下層の前記露光光に対する消衰係数kLよりも大きいことを特徴とするマスクブランク。 - 前記位相シフト膜は、前記露光光に対する透過率が1%以上であることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク。
- 前記下層の消衰係数kLは2.0以下であり、前記上層の消衰係数kUは2.0よりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランク。
- 前記上層の前記露光光に対する屈折率nUは、前記下層の前記露光光に対する屈折率nLよりも小さく、前記上層の前記露光光に対する屈折率nUを前記下層の前記露光光に対する屈折率nLで除した比率nU/nLが0.8以上であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記下層の屈折率nLは2.0以下であり、前記上層の屈折率nUは2.0よりも小さいことを特徴とする請求項4に記載のマスクブランク。
- 前記下層は、クロム、酸素および炭素の合計含有量が90原子%以上である材料からなることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記上層は、タンタルおよびケイ素の合計含有量が80原子%以上である材料からなることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記位相シフト膜は、ケイ素を含有する材料からなることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のマスクブランク。
- 透光性基板上に、転写パターンを有する位相シフト膜と遮光帯パターンを有する遮光膜がこの順に積層した構造を備える位相シフトマスクであって、
前記位相シフト膜と前記遮光膜の積層構造でのArFエキシマレーザーの露光光に対する光学濃度は3.5以上であり、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から下層および上層が積層した構造を備え、
前記下層は、クロムを含有し、クロム、酸素、窒素および炭素の合計含有量が90原子%以上である材料からなり、
前記上層は、金属およびケイ素を含有し、金属およびケイ素の合計含有量が80原子%以上である材料からなり、
前記上層の前記露光光に対する消衰係数kUは、前記下層の前記露光光に対する消衰係数kLよりも大きいことを特徴とする位相シフトマスク。 - 前記位相シフト膜は、前記露光光に対する透過率が1%以上であることを特徴とする請求項9に記載の位相シフトマスク。
- 前記下層の消衰係数kLは2.0以下であり、前記上層の消衰係数kUは2.0よりも大きいことを特徴とする請求項9または10に記載の位相シフトマスク。
- 前記上層の前記露光光に対する屈折率nUは、前記下層の前記露光光に対する屈折率nLよりも小さく、前記上層の前記露光光に対する屈折率nUを前記下層の前記露光光に対する屈折率nLで除した比率nU/nLが0.8以上であることを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記下層の屈折率nLは2.0以下であり、前記上層の屈折率nUは2.0よりも小さいことを特徴とする請求項12に記載の位相シフトマスク。
- 前記下層は、クロム、酸素および炭素の合計含有量が90原子%以上である材料からなることを特徴とする請求項9から13のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記上層は、タンタルおよびケイ素の合計含有量が80原子%以上である材料からなることを特徴とする請求項9から14のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記位相シフト膜は、ケイ素を含有する材料からなることを特徴とする請求項9から15のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 請求項9から16のいずれかに記載の位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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TWI707195B (zh) * | 2020-02-14 | 2020-10-11 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 相位轉移光罩的製造方法 |
JP7354032B2 (ja) * | 2020-03-19 | 2023-10-02 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法 |
CN112666789B (zh) * | 2020-12-02 | 2024-05-24 | 湖南普照信息材料有限公司 | 一种衰减型高均匀的相移光掩膜坯料及其制备方法 |
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JP4764214B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2011-08-31 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
KR100972860B1 (ko) * | 2007-09-18 | 2010-07-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 제조 방법 |
JP2009265508A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Sharp Corp | フォトマスク、フォトマスクの修正方法、レジストパターン形状の修正方法、フォトマスクの製造方法及び露光転写方法 |
JP5702920B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2015-04-15 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
TWI476507B (zh) * | 2008-09-30 | 2015-03-11 | Hoya Corp | A mask substrate, a mask, a manufacturing method thereof, and a method of manufacturing the semiconductor element |
JP5653888B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2015-01-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
JP6058318B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2017-01-11 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
JP5690023B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2015-03-25 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP6324756B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2018-05-16 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
JP5686216B1 (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-18 | 大日本印刷株式会社 | マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法 |
KR101823276B1 (ko) | 2013-09-24 | 2018-01-29 | 호야 가부시키가이샤 | 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
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KR101504557B1 (ko) * | 2014-03-23 | 2015-03-20 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크 |
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US10146123B2 (en) * | 2014-12-26 | 2018-12-04 | Hoya Corporation | Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device |
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