TWI684059B - 半色調相位移光罩基板及半色調相位移光罩 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種半色調相位移光罩基板(HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK)，其係具有於透明基板上含有作為必須成分之矽及氮，可含有作為任意成分之氧，且矽、氮及氧之合計之含有率為90原子%以上、矽之含有率為30~70原子%、氮及氧之合計之含有率為30~60原子%、氧之含有率為30原子%以下，過渡金屬之含有率為1原子%以下的矽系材料所構成，膜厚為70nm以下的半色調相位移膜。
本發明可提供一種色調相位移光罩基板，其係具備光罩圖型之加工時有利之更薄的半色調相位移膜，且對於波長200nm以下之光之照射，圖型尺寸變動劣化小的半色調相位移膜，確保作為相位移膜必要之相位差及作為半色調膜必要的透過率的半色調相位移膜。

Description

半色調相位移光罩基板及半色調相位移光罩
本發明係有關在半導體積體電路等之製造等所使用的半色調相位移光罩基板及半色調相位移光罩。
在半導體技術之領域中，正研究開發圖型之更加微細化。特別是近年，隨著大規模積體電路之高積體化，而進行電路圖型之微細化或配線圖型之細線化、構成單元(cell)之層間配線用之接觸孔圖型之微細化等，對於微細加工技術之要求變得越來越高。伴隨此要求，在微細加工時之光微影步驟所使用之光罩之製造技術的領域，亦變得要求開發一種形成更微細，且正確的電路圖型(遮罩圖型)的技術。
一般而言，藉由光微影技術，於半導體基板上形成圖型時，進行縮小投影。因此，形成於光罩之圖型之尺寸(size)，通常為形成於半導體基板上之圖型之尺寸的4倍左右。在今日之光微影技術技術領域，描繪之電路圖型之尺寸為遠低於曝光所使用之光的波長者。因此， 將電路圖型之尺寸單純地設為4倍，以形成光罩圖型的情形，因曝光時所產生之光之干涉等的影響，而造成原本之形狀未被轉印至半導體基板上之阻劑膜的結果。
因此，藉由將形成光罩的圖型，設為較實際之電路圖型更複雜的形狀，有時也可減輕上述之光之干涉等之影響的情形。這種圖型形狀，例如有對於實際之電路圖型施加光學鄰近修正(OPC：Optical Proximity Correction)的形狀。另外，為了因應圖型之微細化及高精度化，亦應用了變形照明、液浸技術、解析度提升之技術(RET：Resolution Enhancement Technology)、雙重曝光(雙重圖型化微影：Double Patterning Lithography)等之技術。
解析度提升技術之一，可使用相位移法。相位移法係於光罩上形成大約使相位反轉180°之膜的圖型，利用光之干涉以提高對比的方法。應用此法的光罩之一，有半色調相位移光罩。半色調相位移光罩係在對於石英等之曝光光線為透明的基板上，形成使相位大約反轉180°，具有未影響圖型形成之程度之透過率的半色調相位移膜之光罩圖型者。作為半色調相位移光罩，有提案具有由鉬矽氧化物(MoSiO)、鉬矽氧氮化物(MoSiON)所構成之半色調相位移膜者等(日本特開平7-140635號公報(專利文獻1))。
另外，為了藉由光微影技術，得到更微細的影像時，對於曝光光源，而使用更短波長者，現在最尖端 之實用加工步驟中，曝光光源為由KrF準分子雷射光(248nm)轉移至ArF準分子雷射光(193nm)。然而，得知因使用更高能量之ArF準分子雷射光，會產生在KrF準分子雷射光所無法看到的遮罩損傷。其一係若連續使用光罩時，於光罩上會產生異物狀之成長缺陷的問題。此成長缺陷被稱為霧度缺陷，其原因在當初被認為是在遮罩圖型表面之硫酸銨結晶之成長，但在現在則是被認為與有機物有關。
解決霧度問題之對策，例如，日本特開2008-276002號公報(專利文獻2)中開示對於光罩長時間照射ArF準分子雷射光時所產生之成長缺陷，藉由在特定階段洗淨光罩，可繼續使用光罩。
又，有報告指出隨著圖型轉印中之ArF準分子雷射光之曝光照射量之增加，在光罩上產生與霧度不同之損傷，因應累積之照射能量，遮罩之圖型尺寸產生變化(Thomas Faure et al.,“Characterization of binary mask and attenuated phase shift mask blanks for 32nm mask fabrication”,Proc.Of SPIE,vol.7122,pp712209-1~712209-12(非專利文獻1))。此乃是長時間照射ArF準分子雷射光時，累積照射能量變大，被認為圖型材質之氧化物之物質所成的層，在膜圖型之外側成長，使圖型寬度產生變化的問題。又，顯示受到此損傷的遮罩，藉由除去前述霧度用之氨水/過氧化氫水之洗淨或藉由硫酸/過氧化氫水之洗淨，無法恢復，而認為完全是另外的原因。
此外，依據上述Thomas Faure等人的報告(非專利文獻1)時，電路之圖型曝光中，延伸焦點深度可用的遮罩技術的半色調相位移光罩，被指出特別是因上述ArF準分子雷射光之照射，導致隨著MoSi系材料膜等之過渡金屬矽系材料膜之變質，因圖型尺寸變動造成的劣化(以下稱為圖型尺寸變動劣化)大。因此，長時間使用高價的光罩時，必須考慮解決因ArF準分子雷射光之照射導致圖型尺寸變動劣化。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平7-140635號公報
[專利文獻2]日本特開2008-276002號公報
[專利文獻3]日本特開2004-133029號公報
[專利文獻4]日本特開2007-33469號公報
[專利文獻5]日本特開2007-233179號公報
[專利文獻6]日本特開2007-241065號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]Thomas Faure et al., “Characterization of binary mask and attenuated phase shift mask blanks for 32nm mask fabrication”, Proc. Of SPIE, vol. 7122, pp712209-1~712209-12
相位移膜為較薄者，不僅對於圖型形成有利，且可減低三次元效果，故有利。因此，光微影中，為了形成更微細的圖型時，要求更薄的膜。
因ArF準分子雷射光等之短波長光之照射造成圖型尺寸變動劣化，在上述Thomas Faure等人的報告(非專利文獻1)中已清楚，在乾空氣(dry air)環境下照射光的情形，不易產生，為了防止圖型尺寸變動劣化之新的對策為考慮在乾空氣中進行曝光的方法。但是藉由乾空氣環境之控制，除了需要附加裝置外，另外需要靜電對策等，故造成成本增加。因此，在未完全除去濕度之常用的環境(例如濕度45%左右)中，需要可長時間曝光。
又，使用於以ArF準分子雷射光作為光源之微影的光罩，對於半色調相位移膜，以往使用過渡金屬矽系材料，通常使用含有鉬的矽系材料。此過渡金屬矽系材料之主要的構成元素為過渡金屬與矽，此外有含有作為輕元素(light element)之氮及/或氧者(例如日本特開平7-140635號公報(專利文獻1))。過渡金屬係使用鉬、鋯、鉭、鎢、鈦等，特別是一般使用鉬(例如日本特開平7-140635號公報(專利文獻1))，此外，也有添加第2過渡金屬的情形(日本特開2004-133029號公報(專利文獻3))。又，遮光膜也使用過渡金屬矽系材料，通常使用含有鉬的矽系材料。但是對於使用這種過渡金屬矽系材 料的光罩大量照射高能量光的情形，因高能量光之照射導致圖型尺寸變動劣化大，且光罩之使用壽命比所要求之使用壽命更短。
因ArF準分子雷射光等之短波長光被照射於半色調相位移光罩之光罩圖型，使曝光用之光罩圖型之線寬產生變化之圖型尺寸變動劣化為重大的問題。圖型寬之容許限度係因光罩圖型之種類、特別是使用之圖型規格而異。又，也有少許之變動時，修正曝光條件，可再設定曝光裝置之照射條件來使用的情形，但是例如22nm之圖型規格之半導體電路形成用之曝光，其光罩圖型線寬之變動必須大概在±5nm以下。但是圖型寬之變化量較大時，其變化量在光罩之面內，有具有分布之可能性。又，因更微細化，在遮罩上也形成100nm以下之極微細的補助圖型。因此，因此等遮罩上之圖型微細化及遮罩圖型之複雜化導致遮罩加工成本增加，因而需要圖型尺寸變動劣化極小，可重複曝光之半色調相位移光罩膜。
本發明係為了解決上述課題而完成者，本發明之目的係提供具有半色調相位移膜的半色調相位移光罩基板及半色調相位移光罩，前述半色調相位移膜為可對應圖型之微細化的半色調相位移膜，確保必要之相位差及透過率，且在圖型形成或三次元效果之低減等有利之膜厚為薄的半色調相位移膜，且使用ArF準分子雷射等之波長200nm以下之高能量之短波長光進行圖型曝光時，即使累積照射能量多的情形，也可抑制伴隨照射光所致之光罩之 膜質變化的圖型尺寸變動劣化之半色調相位移膜。
本發明人等欲開發一種對確保作為半色調相位移膜之必要的相位差及透過率，且膜厚薄，對於ArF準分子雷射光照射，圖型尺寸變動劣化小之半色調相位移膜，首先檢討作為半色調相位移膜常用之含有鉬等之過渡金屬的半色調相位移膜。但是半色調相位移膜中，添加過渡金屬或氧時，因應添加量，在特定之透過率下之膜的折射率會下降，為了確保作為相位移膜必要的相位差時，必須增加膜厚，另外，已知因ArF準分子雷射光之照射所致之圖型尺寸變動劣化變大。
因此，本發明人等為了解決上述課題，針對極力壓低過渡金屬之含量的半色調相位移膜精心檢討的結果，發現藉由使半色調相位移膜以含有作為必須成分之矽及氮，也可含有作為任意成分之氧，且矽、氮及氧之合計的含有率為90原子%以上、矽之含有率為30~70原子%、氮及氧之合計的含有率為30~60原子%、氧之含有率為30原子%以下，且過渡金屬之含有率為1原子%以下的矽系材料所構成，可形成膜厚為70nm以下，對於波長200nm以下之光，相位差為150~200°、透過率為3%以上30%以下的半色調相位移膜。
而且，這種半色調相位移膜對於ArF準分子雷射光等之波長200nm以下之短波長光之照射，圖型尺 寸變動劣化小，且在ArF準分子雷射光等之波長200nm以下之短波長光之累積照射所致之膜質變化的耐性優異，另外，發現藉由將半色調相位移膜設為如此構成，使用具有半色調相位移膜之圖型的半色調相位移光罩，可得到在矽晶圓等之被加工基板上，以波長200nm以下之曝光光，形成半間距50nm以下之被轉印圖型用之光微影所必要之具有寬為100~200nm左右的主光罩圖型，提供使用了半色調相位移光罩之曝光中之圖型尺寸變動劣化不易產生之半色調相位移光罩的半色調相位移光罩基板，遂完成本發明。
因此，本發明提供以下的半色調相位移光罩基板及半色調相位移光罩。
申請專利範圍第1項：
一種半色調相位移光罩基板，其係具有於透明基板上由單層或複數層所構成，在波長200nm以下之光下，相位移量為150~200°，且透過率為3%以上30%以下之半色調相位移膜的半色調相位移光罩基板，構成上述半色調相位移膜之上述單層或上述複數層之各層含有作為必須成分之矽及氮，可含有作為任意成分之氧，且上述半色調相位移膜以單層構成的情形為此單層全體，而以複數層構成的情形為其膜厚之60%以上為矽、氮及氧之合計之含有率為90原子%以上、矽之含有率為30~70原子%、氮及氧之合計之含有率為30~60原子%、氧之含有率為30原子%以下，且過渡金屬之含有率為1 原子%以下的矽系材料所構成，上述半色調相位移膜之膜厚為70nm以下。
申請專利範圍第2項：
如申請專利範圍第1項之半色調相位移光罩基板，其中上述半色調相位移膜之透過率為20%以上30%以下，上述矽系材料為含有氧，且矽、氮及氧之合計之含有率為95原子%以上的矽系材料所構成。
申請專利範圍第3項：
如申請專利範圍第1項之半色調相位移光罩基板，其中上述半色調相位移膜之透過率為3%以上未達20%，上述矽系材料不含有氧，矽及氮之合計之含有率為95原子%以上的矽系材料所構成。
申請專利範圍第4項：
如申請專利範圍第1至3項中任一項之半色調相位移光罩基板，其中進一步在上述半色調相位移膜上，具有由以含有鉻之材料所構成之單層或複數層所成之第2層。
申請專利範圍第5項：
如申請專利範圍第4項之半色調相位移光罩基板，其中上述第2層在遮光膜、遮光膜與抗反射膜之組合、或上述半色調相位移膜之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能的加工補助膜。
申請專利範圍第6項：
如申請專利範圍第4項之半色調相位移光罩基板，其中進一步在上述第2層之上，具有由以含有矽之材料所構 成之單層或複數層所成之第3層。
申請專利範圍第7項：
如申請專利範圍第6項之半色調相位移光罩基板，其中上述第2層在遮光膜、或遮光膜與抗反射膜之組合，上述第3層在上述第2層之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能的加工補助膜。
申請專利範圍第8項：
如申請專利範圍第6項之半色調相位移光罩基板，其中上述第2層在上述半色調相位移膜之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能，且在上述第3層之圖型形成中，作為蝕刻阻擋產生機能的加工補助膜，上述第3層為遮光膜、或遮光膜與抗反射膜之組合。
申請專利範圍第9項：
如申請專利範圍第6項之半色調相位移光罩基板，其中進一步在上述第3層之上，具有由以含有鉻之材料所構成之單層或複數層所成之第4層。
申請專利範圍第10項：
如申請專利範圍第9項之半色調相位移光罩基板，其中上述第2層在上述半色調相位移膜之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能，且在上述第3層之圖型形成中，作為蝕刻阻擋產生機能之加工補助膜，上述第3層為遮光膜、或遮光膜與抗反射膜之組合，上述第4層在上述第3層之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能之加工補助膜。
申請專利範圍第11項：
一種半色調相位移光罩，其係使用如申請專利範圍第1~10項中任一項之半色調相位移光罩基板所形成。
依據本發明時，可提供具備在光罩圖型之加工有利之更薄的半色調相位移膜，且對於波長200nm以下之光之照射，圖型尺寸變動劣化小的半色調相位移膜，確保作為相位移膜所必要之相位差、作為半色調膜所必要之透過率之半色調相位移膜的半色調相位移光罩基板及半色調相位移光罩。本發明之半色調相位移光罩適合於光微影中之進一步之圖型之微細化與高精度化之要求，對於累積曝光量，圖型尺寸變動劣化小之長壽命的半色調相位移光罩。
1‧‧‧半色調相位移膜
2‧‧‧第2層
3‧‧‧第3層
4‧‧‧第4層
10‧‧‧透明基板
11‧‧‧半色調相位移膜圖型
100‧‧‧半色調相位移光罩基板
101‧‧‧半色調相位移光罩
[圖1]表示本發明之半色調相位移光罩基板及半色調相位移光罩之一例的剖面圖。
[圖2]表示本發明之半色調相位移光罩基板之其他例的剖面圖。
[實施發明之形態]
以下，更詳細地說明本發明。
本發明之半色調相位移光罩基板(半色調相位移光罩基板)係具有由形成於石英基板等之透明基板上之單層或複數層(亦即，2層以上)所構成的半色調相位移膜。在本發明，透明基板係例如在SEMI規格所規定之6吋四方、厚度25milli-inch之被稱為6025基板的透明基板較適合，使用SI單位系的情況，通常以152mm四方、厚度6.35mm的透明基板表示。又，本發明之半色調相位移光罩(半色調相位移型光罩)具有半色調相位移膜的遮罩圖型(光罩圖型)。
圖1(A)係表示本發明之半色調相位移光罩基板之一例的剖面圖，此半色調相位移光罩基板100具備透明基板10、及形成於透明基板10上的半色調相位移膜1。又，圖1(B)係表示本發明之半色調相位移光罩之一例的剖面圖，此半色調相位移光罩101具備透明基板10、及形成於透明基板10上的半色調相位移膜圖型11。
半色調相位移膜為了滿足作為半色調相位移膜所必要之相位差及透過率，可以單層構成，但例如為了滿足特定之表面反射率，而包含具有抗反射機能性的層，全體為了滿足作為半色調相位移膜所必要之相位差及透過率，也可以複數層所構成為佳。
在單層及複數任一之情況，各自的層也可以其組成在厚度方向連續地變化來形成。另外，以複數層構成半色調相位移膜的情況，亦可選自構成元素相異的層及構成元素相同，組成比不同的層之2層以上的組合，複數 層以3層以上構成的情況，如不設為相鄰的層時，亦可組合相同的層。
本發明之半色調相位移膜係在特定之膜厚中，相對於波長200nm以下之光，特別是使用半色調相位移光罩之光微影中所使用的ArF準分子雷射光(波長193nm)之曝光光線，提供特定之相位移量(相位差)及特定之透過率的膜。
本發明之半色調相位移膜之全體的厚度，越薄越容易形成微細的圖型，故設為70nm以下較佳，62nm以下更佳。另外，半色調相位移膜之膜厚的下限係相對於曝光波長的波長200nm以下的光，在可得必要之光學特性的範圍內設定，無特別限定，一般為40nm以上。
本發明之半色調相位移膜對於曝光光線的相位差，只要是在半色調相位移膜存在的部分(半色調相位移部)與半色調相位移膜不存在之部分的交界部中，藉由通過各自部分的曝光光線之相位差，而曝光光線進行干涉，可使對比增大的相位差即可，相位差係150~200°即可。在一般的半色調相位移膜係將相位差設定為略180°，但由上述的對比增大的觀點，相位差係不限定於略180°，相位差可設為小於或大於180°。例如，將相位差設為小於180°時，可有效地薄膜化。又，由可得更高對比的觀點，當然相位差接近180°者較有效，可為160~190°、特別是175~185°、尤其是約180°較佳。
本發明之半色調相位移膜對於曝光光線的透 過率為3%以上，特別是5%以上為佳，另外，30%以下為佳。
本發明之半色調相位移膜係在滿足上述特定之相位差、特定之透過率、及特定之膜厚的範圍內，對於曝光光線之折射率n為2.4以上、特別是2.5以上、尤其是2.6以上為佳。藉由降低半色調相位移膜之氧的含有率、較佳為不含氧、或藉由降低過渡金屬之含有率，較佳為不含過渡金屬，可提高膜之折射率n，又，可確保作為相位移膜所必要之相位差，且可使膜之厚度更薄，此外，可抑制對於波長200nm以下之光之照射的圖型尺寸變動劣化。氧之含有率越低時，折射率n變得越高，折射率n越高時，越薄的膜，且可得到必要的相位差，故以單層構成半色調相位移膜的情形，此單層之折射率n設為2.4以上、特別是2.5以上、尤其是2.6以上為佳。此外，以複數層構成半色調相位移膜的情形，全體的膜厚之60%以上、較佳為70%以上、更佳為80%以上、又更佳為90%以上、特佳為100%，折射率n為2.4以上、特別是2.5以上、尤其是2.6以上為佳。
本發明之半色調相位移膜係在滿足上述特定之相位差、特定之透過率、及特定之膜厚的範圍內，對於曝光光線之消光係數(extinction coefficient)k為0.4以上、特別是0.6以上，0.7以下、特別是0.65以下為佳。以單層構成半色調相位移膜的情形，此單層之消光係數k設為0.4以上、特別是0.6以上、0.7以下、特別是0.65 以下為佳。此外，以複數層構成半色調相位移膜的情形，全體之膜厚之60%以上、較佳為70%以上、更佳為80%以上、又更佳為90%以上、特佳為100%，消光係數k為0.1以上、特別是0.2以上，0.7以下、特別是0.65以下為佳。
本發明之半色調相位移膜係構成半色調相位移膜之單層或複數層之各自的層以矽系材料所構成。矽系材料含有作為必須成分之矽及氮，也可含有作為任意成分之氧。此等以外之元素的含有量只要是雜質量時，可被容許，但是特別是過渡金屬(例如鉬、鋯、鎢、鈦、鉿、鉻、鉭等)之含有率為1原子%以下為佳，更佳為不含過渡金屬。
本發明之半色調相位移膜以單層構成的情形為在此單層全體中，而以複數層構成的情形係設置後述之表面氧化層的情形為去除此表面氧化層後，膜厚之60%以上、較佳為70%以上、更佳為80%以上、又更佳為90%以上、特佳為100%(亦即全體)中，矽系材料所含有之矽、氮及氧之合計的含有率(不含氧的情形，矽及氧之含有率)為90原子%以上、特別是95原子%以上為佳。
本發明之半色調相位移膜以單層構成的情形為在此單層全體中，而以複數層構成的情形係設置後述之表面氧化層的情形為去除此表面氧化層後，膜厚之60%以上、較佳為70%以上、更佳為80%以上、又更佳為90%以上、特佳為100%(亦即，全體)中，矽系材料所含有之 矽之含有率為30原子%以上、特別是40原子%以上，且70原子%以下、特別是55原子%以下、尤其是50原子%以下為佳。特別是半色調相位移膜為低透過率(例如3%以上未達20%，特別是3%以上12%以下、尤其是3%以上未達10%)的情形，矽系材料所含有之矽之含有率為40原子%以上、特別是44原子%以上，70原子%以下、特別是55原子%以下、尤其是50原子%以下為佳，又，半色調相位移膜為高透過率(例如20%以上30%以下)的情形，矽系材料所含有之矽之含有率為30原子%以上、特別是40原子%以上，且55原子%以下、特別是45原子%以下為佳。
本發明之半色調相位移膜以單層構成的情形為在此單層全體中，而以複數層構成的情形係設置後述之表面氧化層的情形為去除此表面氧化層後，膜厚之60%以上、較佳為70%以上、更佳為80%以上、又更佳為90%以上、特佳為100%(亦即全體)中，矽系材料所含有之氮及氧之合計之含有率為30原子%以上、特別是45原子%以上、尤其是50原子%以上，且60原子%以下、特別是55原子%以下為佳。
本發明之半色調相位移膜以單層構成的情形為在此單層全體中，而以複數層構成的情形係設置後述之表面氧化層的情形為去除此表面氧化層後，膜厚之60%以上、較佳為70%以上、更佳為80%以上、又更佳為90%以上、特佳為100%(亦即，全體)中，矽系材料所含有之 氮之含有率為10原子%以上、特別是40原子%以上，且60原子%以下、特別是55原子%以下為佳。特別是半色調相位移膜為低透過率(例如3%以上未達20%，特別是3%以上12%以下、尤其是3%以上未達10%)的情形，矽系材料所含有之氮之含有率為40原子%以上、特別是44原子%以上，尤其是50原子%以上、60原子%以下、特別是56原子%以下為佳，又，半色調相位移膜為高透過率(例如20%以上30%以下)的情形，矽系材料所含有之矽之含有率為10原子%以上、特別是40原子%以上，且60原子%以下、特別是55原子%以下為佳。
本發明之半色調相位移膜以單層構成的情形為在此單層全體中，而以複數層構成的情形係設置後述之表面氧化層的情形為去除此表面氧化層後，膜厚之60%以上、較佳為70%以上、更佳為80%以上、又更佳為90%以上、特佳為100%(亦即，全體)中，矽系材料所含有之氧之含有率為30原子%以上、特別是6原子%以下為佳。特別是半色調相位移膜為高透過率(例如20%以上30%以下)的情形，較佳為30原子%以下、更佳為25原子%以下，半色調相位移膜為低透過率(例如3%以上未達20%、特別是3%以上12%以下、尤其是3%以上未達10%)的情形，較佳為6原子%以下、更佳為3.5原子%以下、又更佳為1原子%以下。
本發明之半色調相位移膜以單層構成的情形為在此單層全體中，而以複數層構成的情形係設置後述之 表面氧化層的情形為去除此表面氧化層後，膜厚之60%以上、較佳為70%以上、更佳為80%以上、又更佳為90%以上、特佳為100%(亦即，全體)中，矽系材料所含有之過渡金屬(例如鉬、鋯、鎢、鈦、鉿、鉻、鉭等)之含有率為1原子%以下為佳。矽系材料可不含有過渡金屬，但是為了改善膜之電阻，過渡金屬可含有0.01原子%以上。
矽系材料，具體而言可列舉僅由矽及氮所成之矽系材料(亦即，矽氮化物(SiN))或僅由矽、氮及氧所成之矽系材料(亦即，矽氧化氮化物(SiON))等。
以含有矽、氮及氧，矽、氮及氧之合計之含有率為95原子%以上的矽系材料、特別是僅由矽、氮及氧所成之矽系材料構成本發明之半色調相位移膜之矽系材料時，在半色調相位移膜之透過率為20%以上30%以下之範圍內，可得到上述特定之相位差及特定之膜厚之半色調相位移膜，故較佳。
此外，為了半色調相位移膜之薄膜化，氧之含有率低者為佳，更佳為不含有氧。由此觀點，半色調相位移膜為不含氧的矽系材料為佳。因此，藉由將本發明之半色調相位移膜之矽系材料設為含有矽及氮，不含有氧，且矽及氮之合計之含有率為95原子%以上的矽系材料、特別是僅由矽及氮所成之矽系材料，在半色調相位移膜之透過率為3%以上未達20%的範圍，可得到上述特定之相位差及特定之膜厚之半色調相位移膜，故較佳。
本發明之半色調相位移膜可使用公知的成膜手法成膜，但是藉由容易得到均質性優異之膜的濺鍍法進行成膜為佳，也可使用DC濺鍍、RF濺鍍之任一的方法。靶與濺鍍氣體係因應層構成或組成適宜選擇。靶使用矽靶、氮化矽靶、含有矽與氮化矽雙方的靶等即可。氮與氧之含量係濺鍍氣體中，作為反應性氣體使用含有氮的氣體、含有氧的氣體、含有氮及氧的氣體、必要時含有碳的氣體等，可藉由適宜調整導入量，進行反應性濺鍍來調整。反應性氣體具體而言，可使用氮氣(N2氣體)、氧氣體(O2氣體)、氮氧化物氣體(N2O氣體、NO氣體、NO2氣體)等。此外，濺鍍氣體也可使用作為稀有氣體之氦氣體、氖氣體、氬氣體等。
半色調相位移膜為複數層的情形，為了抑制半色調相位移膜之膜質變化，可設置作為該表面側(與透明基板疏離之側)之最表面部之層的表面氧化層。此表面氧化層之氧含有率可為20原子%以上，更進一步亦可為50原子%以上。形成表面氧化層的方法，具體而言係除了大氣氧化(自然氧化)所致的氧化外，強制性氧化處理的方法，可列舉將矽系材料之膜藉由臭氧氣體或臭氧水處理的方法、或在氧氣體環境等之存在氧的環境中，藉由烘箱加熱、燈退火、雷射加熱等，加熱至300℃以上的方法等。此表面氧化層之厚度為10nm以下，特別是5nm以下，尤其是3nm以下為佳，通常以1nm以上可得到作為氧化層的效果。表面氧化層亦可以濺鍍步驟增加氧量而形 成，但成為缺陷更少的層時，藉由前述的大氣氧化、或氧化處理而形成為佳。
本發明之半色調相位移光罩基板之半色調相位移膜之上，可設置由單層或複數層所構成的第2層。第2層通常與半色調相位移膜相鄰接而設置。此第2層，具體而言可列舉遮光膜、遮光膜與抗反射膜之組合，在半色調相位移膜之圖型形成時作為硬遮罩機能的加工輔助膜等。又，設置後述的第3層的情形，亦可將此第2層，在第3層之圖型形成時作為蝕刻阻擋機能的加工輔助膜(蝕刻阻擋膜)來利用。第2層的材料為含有鉻的材料較合適。
這種半色調相位移光罩基板，具體而言可列舉圖2(A)所示者。圖2(A)係表示本發明之半色調相位移光罩基板之一例的剖面圖，此半色調相位移光罩基板100具備透明基板10、形成於透明基板10上的半色調相位移膜1及形成於半色調相位移膜1上的第2層2。
本發明之半色調相位移光罩基板係於半色調相位移膜之上，設置作為第2層的遮光膜。又，作為第2層亦可組合遮光膜與抗反射膜來設置。藉由設置含遮光膜的第2層，於半色調相位移光罩上，可設置將曝光光線完全遮光的區域。此遮光膜及抗反射膜亦可作為蝕刻中之加工輔助膜利用。關於遮光膜及抗反射膜之膜構成及材料有許多報告(例如日本特開2007-33469號公報(專利文獻4)、日本特開2007-233179號公報(專利文獻5)等)， 但較佳之遮光膜與抗反射膜之組合之膜構成，可列舉例如設置含鉻之材料的遮光膜，更進一步，設置含有使來自遮光膜之反射降低之鉻之材料的抗反射膜者等。遮光膜及抗反射膜之任一可以單層構成，或以複數層構成。遮光膜或抗反射膜之含鉻的材料，可列舉鉻單體、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)、鉻氧氮化物(CrON)、鉻氧化碳化物(CrOC)、鉻氮碳化物(CrNC)、鉻氧氮碳化物(CrONC)等之鉻化合物等。
第2層為遮光膜、或遮光膜與抗反射膜之組合的情況，遮光膜之鉻化合物中之鉻的含有率為40原子%以上，特別是60原子%以上，未達100原子%，特別是99原子%以下，尤其是90原子%以下為佳。氧的含有率為0原子%以上，60原子%以下，特別是40原子%以下為佳，有調整蝕刻速度之必要的情況，1原子%以上為佳。氮的含有率為0原子%以上，50原子%以下、特別是40原子%以下為佳，有調整蝕刻速度之必要的情形，1原子%以上為佳。碳的含有率為0原子%以上，20原子%以下、特別是10原子%以下為佳，有調整蝕刻速度之必要的情形，1原子%以上為佳。此時，鉻、氧、氮及碳之合計的含有率為95原子%以上、特別是99原子%以上、尤其是100原子%為佳。
另外，第2層為遮光膜與抗反射膜之組合的情況，抗反射膜較佳為鉻化合物，鉻化合物中之鉻的含有率為30原子%以上，特別是35原子%以上，70原子%以 下，特別是50原子%以下為佳。氧的含有率為60原子%以下為佳，1原子%以上，特別是20原子%以上更佳。氮的含有率為50原子%以下，特別是30原子%以下為佳，1原子%以上，特別是3原子%以上更佳。碳的含有率為0原子%以上，20原子%以下，特別是5原子%以下為佳，有調整蝕刻速度之必要的情況，1原子%以上為佳。在此情況，鉻、氧、氮及碳之合計的含有率為95原子%以上，特別是99原子%以上，尤其是100原子%為佳。
第2層為遮光膜，或遮光膜與抗反射膜之組合的情況，第2層之膜厚通常為20~100nm，較佳為40~70nm。又，對於波長200nm以下之曝光光線的半色調相位移膜與第2層之合計的光學濃度以成為2.0以上，特別是2.5以上，尤其是3.0以上為佳。
本發明之半色調相位移光罩基板之第2層之上，可設置由單層或複數層所構成的第3層。第3層通常鄰接於第2層而設置。作為此第3層，具體而言可列舉在第2層之圖型形成時作為硬遮罩機能的加工輔助膜、遮光膜、遮光膜與抗反射膜之組合等。作為第3層之材料以含有矽的材料為佳，特別是不含有鉻者為佳。
這種半色調相位移光罩基板，具體而言，可舉出圖2(B)所示者。圖2(B)表示本發明之半色調相位移光罩基板之一例的剖面圖，此半色調相位移光罩基板100係具備透明基板10、形成於透明基板10上之半色調相位移膜1、形成於半色調相位移膜1上的第2層2、及 形成於第2層2上的第3層3。
在第2層為遮光膜，或遮光膜與抗反射膜之組合的情況，作為第3層，可設置在第2層之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能之加工輔助膜(蝕刻遮罩膜)。又，在設置後述之第4層的情況，亦可將此第3層作為在第4層之圖型形成中，作為蝕刻阻擋產生機能的加工輔助膜(蝕刻阻擋膜)利用。此加工輔助膜係與第2層不同蝕刻特性的材料，例如對於適用於含鉻之材料之蝕刻的氯系乾蝕刻具有耐性的材料，具體而言，可以SF6或CF4等之氟系氣體蝕刻之含矽的材料為佳。含矽的材料，具體而言，可列舉矽單體、含有矽與氮及氧之一方或雙方的材料、含有矽與過渡金屬的材料、含有矽、與氮及氧之一方或雙方、及過渡金屬之材料等的矽化合物等，過渡金屬係可舉出鉬、鉭、鋯等。
第3層為加工輔助膜的情況，加工輔助膜係矽化合物為佳，矽化合物中之矽含有率係20原子%以上，特別是33原子%以上，95原子%以下，特別是80原子%以下為佳。氮之含有率係0原子%以上，50原子%以下，特別是30原子%以下為佳，有調整蝕刻速度之必要的情況係1原子%以上為佳。氧之含有率係0原子%以上，特別是20原子%以上，70原子%以下，特別是66原子%以下為佳，有調整蝕刻速度的必要的情況係1原子%以上為佳。過渡金屬之含有率係0原子%以上，35原子%以下，特別是20原子%以下為佳，含有過渡金屬的情況 係1原子%以上為佳。在此情況，矽、氧、氮及過渡金屬之合計的含有率係95原子%以上，特別是99原子%以上，尤其是100原子%為佳。
在第2層為遮光膜、或遮光膜與抗反射膜之組合，第3層為加工輔助膜的情況，第2層之膜厚通常為20~100nm，較佳為40~70nm，第3層之膜厚通常為1~30nm，較佳為2~15nm。另外，對於波長200nm以下之曝光光線的半色調相位移膜與第2層之合計之光學濃度係以成為2.0以上，特別是2.5以上，尤其是3.0以上為佳。
又，在第2層為加工輔助膜的情況，可設置作為第3層之遮光膜。另外，也可組合遮光膜與抗反射膜設置作為第3層。在此情況，第2層係在半色調相位移膜之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能的加工輔助膜(蝕刻遮罩膜)，亦可作為在第3層之圖型形成中，作為蝕刻阻擋產生機能的加工輔助膜(蝕刻阻止膜)來利用。作為加工輔助膜之例，可舉出如日本特開2007-241065號公報(專利文獻6)所示之以含有鉻的材料所構成的膜。加工輔助膜可以單層構成，亦可以複數層構成。作為加工輔助膜之含有鉻的材料，可列舉鉻單體、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)鉻氧氮化物(CrON)、鉻氧碳化物(CrOC)、鉻氮碳化物(CrNC)、鉻氧氮碳化物(CrONC)等之鉻化合物等。
第2層為加工輔助膜的情況，第2層中之鉻 的含有率係40原子%以上，特別是50原子%以上，100原子%以下，特別是99原子%以下，尤其是90原子%以下為佳。氧的含有率係0原子%以上，60原子%以下，特別是55原子%以下為佳，有調整蝕刻速度的必要的情況係1原子%以上為佳。氮的含有率係0原子%以上，50原子%以下，特別是40原子%以下為佳，有調整蝕刻速度的必要的情況係1原子%以上為佳。碳的含有率係0原子%以上，20原子%以下，特別是10原子%以下為佳，有調整蝕刻速度的必要的情況係1原子%以上為佳。在此情況，鉻、氧、氮及碳之合計的含有率係95原子%以上，特別是99原子%以上，尤其是100原子%為佳。
另一方面，第3層之遮光膜及抗反射膜係蝕刻特性與第2層不同的材料，例如對於適用於含鉻之材料之蝕刻的氯系乾蝕刻具有耐性的材料，具體而言，可以SF6或CF4等之氟系氣體蝕刻之含矽的材料為佳。作為含矽的材料，具體而言可舉出矽單體、含有矽與氮及氧之一方或雙方的材料、含有矽與過渡金屬的材料、含有矽、與氮及氧之一方或雙方、及過渡金屬的材料等之矽化合物等，作為過渡金屬可舉出鉬、鉭、鋯等。
第3層為遮光膜、或遮光膜與抗反射膜之組合的情況，遮光膜及抗反射膜係矽化合物為佳，矽化合物中之矽的含有率係10原子%以上，特別是30原子%以上，未達100原子%，特別是95原子%以下為佳。氮的含有率係0原子%以上，50原子%以下，特別是40原子%以 下，尤其是20原子%以下為佳，有調整蝕刻速度之必要的情況係1原子%以上為佳。氧的含有率係0原子%以上，60原子%以下，特別是30原子%以下為佳，有調整蝕刻速度之必要的情況係1原子%以上為佳。過渡金屬之含有率係0原子%以上，35原子%以下，特別是20原子%以下為佳，含有過渡金屬的情況係1原子%以上為佳。在此情況，矽、氧、氮及過渡金屬之合計的含有率係95原子%以上，特別是99原子%以上，尤其是100原子%為佳。
第2層為加工輔助膜，第3層為遮光膜、或遮光膜與抗反射膜之組合的情況，第2層之膜厚通常為1~20nm，較佳為2~10nm，第3層之膜厚通常為20~100nm，較佳為30~70nm。另外，對於波長200nm以下之曝光光線的半色調相位移膜與第2層與第3層之合計的光學濃度係以成為2.0以上，特別是2.5以上，尤其是3.0以上為佳。
本發明之半色調相位移光罩基板之第3層之上，可設置由單層或複數層所構成的第4層。第4層通常鄰接於第3層來設置。作為此第4層，具體而言，可舉出在第3層之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能的加工輔助膜等。作為第4層之材料係含有鉻的材料為佳。
這種半色調相位移光罩基板，具體而言，可舉出圖2(C)所示者。圖2(C)係表示本發明之半色調相位移光罩基板之一例的剖面圖，此半色調相位移光罩基 板100係具備透明基板10、形成於透明基板10上的半色調相位移膜1、形成於半色調相位移膜1上的第2層2、形成於第2層2上的第3層3、及形成於第3層3上的第4層4。
第3層為遮光膜，或遮光膜與抗反射膜之組合的情況，作為第4層，可設置在第3層之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能的加工輔助膜(蝕刻遮罩膜)。此加工輔助膜係蝕刻特性與第3層不同的材料，例如對於適用於含矽之材料之蝕刻的氟系乾蝕刻，具有耐性的材料，具體而言，可以含氧之氯系氣體蝕刻的含鉻材料為佳。作為含有鉻的材料，具體而言可舉出鉻單體、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)鉻氧氮化物(CrON)、鉻氧碳化物(CrOC)、鉻氮碳化物(CrNC)、鉻氧氮碳化物(CrONC)等之鉻化合物等。
第4層為加工輔助膜的情況，第4層中之鉻的含有率係40原子%以上，特別是50原子%以上，100原子%以下，特別是99原子%以下，尤其是90原子%以下為佳。氧的含有率係0原子%以上，60原子%以下，特別是40原子%以下為佳，有調整蝕刻速度的必要的情況係1原子%以上為佳。氮的含有率係0原子%以上，50原子%以下，特別是40原子%以下為佳，有調整蝕刻速度的必要的情況係1原子%以上為佳。碳的含有率係0原子%以上，20原子%以下，特別是10原子%以下為佳，有調整蝕刻速度的必要的情況係1原子%以上為佳。在此情 況，鉻、氧、氮及碳之合計的含有率係95原子%以上，特別是99原子%以上，尤其是100原子%為佳。
第2層為加工輔助膜，第3層為遮光膜、或遮光膜與抗反射膜之組合，第4層為加工輔助膜的情況，第2層之膜厚通常為1~20nm，較佳為2~10nm，第3層之膜厚通常為20~100nm，較佳為30~70nm，第4層之膜厚通常為1~30nm，較佳為2~20nm。另外，對於波長200nm以下之曝光光線的半色調相位移膜與第2層與第3層之合計的光學濃度係以成為2.0以上，特別是2.5以上，尤其是3.0以上為佳。
第2層及第4層之以含鉻的材料所構成的膜係使用鉻靶、於鉻中添加有選自氧、氮及碳之任1種或2種以上的靶等，於Ar、He、Ne等之稀有氣體中，因應成膜之膜的組成，可藉由使用適宜添加有選自含氧氣體、含氮氣體、含碳氣體等之反應性氣體的濺鍍氣體的反應性濺鍍而成膜。
另一方面，第3層之以含矽的材料所構成的膜係可使用矽靶、氮化矽靶、含有矽與氮化矽之雙方的靶、過渡金屬靶、矽與過渡金屬之複合靶等，於Ar、He、Ne等之稀有氣體中，因應成膜之膜的組成，可藉由使用適宜添加有選自含氧氣體、含氮氣體、含碳氣體等之反應性氣體之濺鍍氣體的反應性濺鍍而成膜。
本發明之半色調相位移光罩係可由半色調相位移光罩基板，依一般方法而製造。例如，於半色調相位 移膜上，形成作為第2層之含鉻之材料的膜的半色調相位移光罩基板，例如可以下述步驟製造半色調相位移光罩。
首先，於半色調相位移光罩基板之第2層上，形成電子射線阻劑膜，以電子射線進行圖型描繪後，藉由特定之顯影操作得到阻劑圖型。接著，將所得之阻劑圖型作為蝕刻遮罩，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，將阻劑圖型轉印於第2層，得到第2層的圖型。接著，將所得之第2層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將第2層之圖型轉印於半色調相位移膜，得到半色調相位移膜圖型。在此，有必要留下第2層之一部分的情況，將保護該部分的阻劑圖型，形成於第2層上之後，藉由含氧的氯系乾蝕刻，除去未以阻劑圖型保護之部分的第2層。然後，藉由一般方法除去阻劑圖型，可得到半色調相位移光罩。
另外，於半色調相位移膜上，形成作為第2層之含鉻之材料的遮光膜、或遮光膜與抗反射膜之組合，於第2層上，形成作為第3層之含矽之材料的加工輔助膜之半色調相位移光罩基板，例如可以下述步驟製造半色調相位移光罩。
首先，於半色調相位移光罩基板之第3層上，形成電子射線阻劑膜，以電子射線進行圖型描繪後，藉由特定之顯影操作得到阻劑圖型。接著，將所得之阻劑圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將阻劑圖型轉印於第3層，得到第3層的圖型。接著，將所得之第3層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，將第3層之 圖型轉印於第2層，得到第2層的圖型。其次，除去阻劑圖型後，將所得之第2層的圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將第2層之圖型轉印於半色調相位移膜，得到半色調相位移膜圖型，同時除去第3層之圖型。其次，將保護殘留第2層之部分的阻劑圖型形成於第2層上後，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，除去未被阻劑圖型保護之部分的第2層。然後，藉由一般方法除去阻劑圖型，可得到半色調相位移光罩。
另外，於半色調相位移膜上，形成作為第2層之含鉻之材料的加工補助膜，於第2層上，形成作為第3層之含矽之材料的遮光膜或遮光膜與抗反射膜之組合的半色調相位移光罩基板，例如可以下述步驟製造半色調相位移光罩。
首先，於半色調相位移光罩基板之第3層上，形成電子射線阻劑膜，以電子射線進行圖型描繪後，藉由特定之顯影操作得到阻劑圖型。接著，將所得之阻劑圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將阻劑圖型轉印於第3層，得到第3層的圖型。接著，將所得之第3層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，將第3層之圖型轉印於第2層，得到除去半色調相位移膜之部分之第2層被除去後之第2層的圖型。其次，除去阻劑圖型，將保護殘留第3層之部分的阻劑圖型形成於第3層上之後，將所得之第2層的圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻將第2層之圖型轉印於半色調相位移膜，得到半色調相位移 膜圖型，同時除去未被阻劑圖型保護之部分的第3層。然後，藉由一般方法除去阻劑圖型。然後，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，除去第3層已被除去之部分的第2層，可得到半色調相位移光罩。
另外，於半色調相位移膜上，形成作為第2層之含鉻之材料的加工補助膜，於第2層上，形成作為第3層之含矽之材料的遮光膜或遮光膜與抗反射膜之組合，此外，第3層之上形成作為第4層之含鉻之材料的加工補助膜的半色調相位移光罩基板，例如可以下述步驟製造半色調相位移光罩。
首先，於半色調相位移光罩基板之第4層上，形成電子射線阻劑膜，以電子射線進行圖型描繪後，藉由特定之顯影操作得到阻劑圖型。接著，將所得之阻劑圖型作為蝕刻遮罩，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，將阻劑圖型轉印於第4層，得到第4層的圖型。接著，將所得之第4層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將第4層之圖型轉印於第3層，得到第3層的圖型。其次，除去阻劑圖型後，將保護殘留第3層之部分的阻劑圖型形成於第4層上後，將所得之第3層的圖型作為蝕刻遮罩，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，將第3層之圖型轉印於第2層，得到第2層之圖型，同時除去未被阻劑圖型保護之部分的第4層。接著，將第2層之圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，將第2層之圖型轉印於半色調相位移膜，得到半色調相位移膜圖型，同時除去未被阻劑圖型保護之部分的第3 層。接著，藉由一般方法除去阻劑圖型。然後，藉由含有氧的氯系乾蝕刻，除去第3層已被除去之部分的第2層及阻劑圖型已被除去之部分的第4層，可得到半色調相位移光罩。
本發明之半色調位相遮罩係在被加工基板上，形成半間距50nm以下、特別是30nm以下、尤其是20nm以下之圖型用的光微影中，對於形成於被加工基板上之光阻膜，以ArF準分子雷射光(波長193nm)、F2雷射光(波長157nm)等之波長200nm以下的曝光光線，轉印圖型之曝光時特別有效。
[實施例]
以下顯示實施例及比較例，具體說明本發明，但是本發明不限於下述實施例者。
[實施例1]
在152mm四方、厚度6.35mm之石英基板上，使用作為濺鍍靶之矽靶，使用作為濺鍍氣體之氮氣與氬氣體，形成SiN之半色調相位移膜。調節成膜時間，使此膜在波長193nm之光(ArF準分子雷射，以下相同)下的相位差成為178°進行成膜，結果在波長193nm之光下的透過率為6%、膜厚為61nm。又，以XPS(X射線光電子分光分析法，以下相同)測量此膜之組成，得到以原子比表示Si：N=48：52，過渡金屬為0.1原子%以下。
其次，在半色調相位移膜之上，使用作為濺鍍靶之鉻靶，使用作為濺鍍氣體之氮氣、氧氣體及氬氣體，形成膜厚45nm之CrON的遮光膜，得到半色調相位移光罩基板。其次，在遮光膜之上，藉由一般的方法形成電子射線阻劑膜，將阻劑膜圖型化，形成阻劑圖型。其次，以阻劑圖型作為蝕刻遮罩，藉由氯系乾蝕刻，使遮光膜圖型化，形成遮光膜圖型。其次，以遮光膜圖型作為蝕刻遮罩，藉由氟系乾蝕刻，蝕刻半色調相位移膜，形成線寬為200nm之半色調相位移膜圖型，除去阻劑膜圖型後得到半色調相位移光罩。
接著，對於所得之半色調相位移光罩，於溫度25℃、濕度45%之清淨空氣環境中，使用曝光裝置(ArFES-3500PM(Litho Tech Japan公司製))及ArF準分子雷射光源(IndyStar(COHERENT公司製))，在脈衝頻率1.6kHz、1脈衝之能量為2.5~4.0mJ/cm2之波長193nm的光成為累積40kJ/cm2為止進行脈衝照射(pulse irradiation)。以掃描型電子顯微鏡(LWM9045(Vistec公司製))觀察計測半色調相位移膜圖型在波長193nm之光之照射前後的線寬，得到波長193nm之光之照射前後的圖型尺寸變動為0.7nm，良好。
[實施例2]
在152mm四方、厚度6.35mm之石英基板上，使用作為濺鍍靶之矽靶，使用作為濺鍍氣體之氮氣與氬氣體，形 成SiN之半色調相位移膜。調節成膜時間，使此膜在波長193nm之光下的相位差成為180°進行成膜，結果在波長193nm之光下的透過率為12%、膜厚為60nm。又，以XPS測量此膜之組成，得到以原子比表示Si：N=47：53，過渡金屬為0.1原子%以下。
其次，使用與實施例1同樣的方法形成遮光膜，得到半色調相位移光罩基板，此外，形成電子射線阻劑膜，使用與實施例1同樣的方法，得到半色調相位移光罩。其次，對於所得之半色調相位移光罩，使用與實施例1同樣的方法，照射波長193nm之光，計測半色調相位移膜圖型在波長193nm之光之照射前後的線寬，得到波長193nm之光之照射前後的圖型尺寸變動為0.6nm，良好。
[實施例3]
在152mm四方、厚度6.35mm之石英基板上，使用作為濺鍍靶之矽靶，使用作為濺鍍氣體之氧氣體、氮氣及氬氣體，形成SiON之半色調相位移膜。調節成膜時間，使此膜在波長193nm之光下的相位差成為177°進行成膜，結果在波長193nm之光下的透過率為19%、膜厚為60nm。又，以XPS測量此膜之組成，得到以原子比表示Si：N：O=45：53：2，過渡金屬為0.1原子%以下。
其次，使用與實施例1同樣的方法形成遮光膜，得到半色調相位移光罩基板，此外，形成電子射線阻劑膜，使用與實施例1同樣的方法，得到半色調相位移光 罩。其次，對於所得之半色調相位移光罩，使用與實施例1同樣的方法，照射波長193nm之光，計測半色調相位移膜圖型在波長193nm之光之照射前後的線寬，得到波長193nm之光之照射前後的圖型尺寸變動為0.7nm，良好。
[實施例4]
在152mm四方、厚度6.35mm之石英基板上，使用作為濺鍍靶之矽靶與鉬矽靶，使用作為濺鍍氣體之氮氣及氬氣體，形成MoSiN之半色調相位移膜。調節成膜時間，使此膜在波長193nm之光下的相位差成為176°進行成膜，結果在波長193nm之光下的透過率為4%、膜厚為60nm。又，以XPS測量此膜之組成，得到以原子比表示Si：N=47：52，過渡金屬為0.9原子%以下。
其次，使用與實施例1同樣的方法形成遮光膜，得到半色調相位移光罩基板，此外，形成電子射線阻劑膜，使用與實施例1同樣的方法，得到半色調相位移光罩。其次，對於所得之半色調相位移光罩，使用與實施例1同樣的方法，照射波長193nm之光，計測半色調相位移膜圖型在波長193nm之光之照射前後的線寬，得到波長193nm之光之照射前後的圖型尺寸變動為0.5nm，良好。
[比較例1]
在152mm四方、厚度6.35mm之石英基板上，使用以莫耳比表示，鉬：矽=1：2之比率含有鉬與矽之靶及矽靶 作為濺鍍靶，使用氧氣體、氮氣及氬氣體作為濺鍍氣體，形成MoSiON之半色調相位移膜。調節成膜時間，使此膜在波長193nm之光下的相位差成為177°進行成膜，結果在波長193nm之光下的透過率為6%、膜厚為75nm。又，以XPS測量此膜之組成，得到以原子比表示Si：N：O=36：45：10，Mo為9原子%。
其次，使用與實施例1同樣的方法形成遮光膜，得到半色調相位移光罩基板，此外，形成電子射線阻劑膜，使用與實施例1同樣的方法，得到半色調相位移光罩。其次，對於所得之半色調相位移光罩，使用與實施例1同樣的方法，照射波長193nm之光，計測半色調相位移膜圖型在波長193nm之光之照射前後的線寬，得到波長193nm之光之照射前後的圖型尺寸變動為26.7nm，較大的變化量。
[比較例2]
在152mm四方、厚度6.35mm之石英基板上，使用以莫耳比表示，鉬：矽=1：2之比率含有鉬與矽之靶及矽靶作為濺鍍靶，使用氧氣體、氮氣及氬氣體作為濺鍍氣體，形成MoSiON之半色調相位移膜。調節成膜時間，使此膜在波長193nm之光下的相位差成為177°進行成膜，結果在波長193nm之光下的透過率為6%、膜厚為72nm。又，以XPS測量此膜之組成，得到以原子比表示Si：N：O=36：42：14，Mo為9原子%。
其次，使用與實施例1同樣的方法形成遮光膜，得到半色調相位移光罩基板，此外，形成電子射線阻劑膜，使用與實施例1同樣的方法，得到半色調相位移光罩。其次，對於所得之半色調相位移光罩，使用與實施例1同樣的方法，照射波長193nm之光，計測半色調相位移膜圖型在波長193nm之光之照射前後的線寬，得到波長193nm之光之照射前後的圖型尺寸變動為20.6nm，較大的變化量。
如此，得知過渡金屬之含有率設為1原子%以下的半色調相位移膜圖型係在波長193nm之光之累積40kJ/cm2照射前後的圖型尺寸變動劣化為1nm以下，極小，具有這種半色調相位移膜圖型的半色調相位移光罩為長壽命。如此得知，藉由本發明可提供可確保必要的相位差與透過率，且光罩圖型之加工中有利的膜厚為70nm以下的膜，對於波長193nm之光的照射，圖型尺寸變動劣化小的半色調相位移膜的半色調相位移光罩基板及半色調相位移光罩。
1‧‧‧半色調相位移膜
10‧‧‧透明基板
11‧‧‧半色調相位移膜圖型
100‧‧‧半色調相位移光罩基板
101‧‧‧半色調相位移光罩

Claims (10)

  1. 一種半色調相位移光罩基板，其係具有於透明基板上由單層或複數層所構成，在ArF準分子雷射光下，相位移量為150~200°，且透過率為3%以上30%以下之半色調相位移膜的半色調相位移光罩基板，構成上述半色調相位移膜之上述單層或上述複數層之各層含有作為必須成分之矽及氮，且可含有作為任意成分之氧，且上述半色調相位移膜若以單層構成的情形，此單層全體為矽系材料所構成，若以複數層構成的情形為膜厚之60%以上為矽、氮及氧之合計之含有率為90原子%以上、矽之含有率為30~70原子%、氮及氧之合計之含有率為30~60原子%、氧之含有率為30原子%以下，且過渡金屬之含有率為0.01原子%以上1原子%以下的矽系材料所構成，上述半色調相位移膜之膜厚為70nm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之半色調相位移光罩基板，其中上述半色調相位移膜之透過率為20%以上30%以下，上述矽系材料為含有氧，且矽、氮及氧之合計之含有率為95原子%以上的矽系材料所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項之半色調相位移光罩基板，其中進一步在上述半色調相位移膜上，具有由以含有鉻之材料所構成之單層或複數層所成的第2層。
  4. 如申請專利範圍第3項之半色調相位移光罩基板，其中上述第2層在遮光膜、遮光膜與抗反射膜之組 合、或上述半色調相位移膜之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能的加工補助膜。
  5. 如申請專利範圍第3項之半色調相位移光罩基板，其中進一步在上述第2層之上，具有由以含有矽之材料所構成之單層或複數層所成之第3層。
  6. 如申請專利範圍第5項之半色調相位移光罩基板，其中上述第2層在遮光膜、或遮光膜與抗反射膜之組合，上述第3層在上述第2層之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能的加工補助膜。
  7. 如申請專利範圍第5項之半色調相位移光罩基板，其中上述第2層在上述半色調相位移膜之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能，且在上述第3層之圖型形成中，作為蝕刻阻擋產生機能的加工補助膜，上述第3層為遮光膜、或遮光膜與抗反射膜之組合。
  8. 如申請專利範圍第5項之半色調相位移光罩基板，其中進一步在上述第3層之上，具有由以含有鉻之材料所構成之單層或複數層所成之第4層。
  9. 如申請專利範圍第8項之半色調相位移光罩基板，其中上述第2層在上述半色調相位移膜之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能，且在上述第3層之圖型形成中，作為蝕刻阻擋產生機能之加工補助膜，上述第3層為遮光膜、或遮光膜與抗反射膜之組合，上述第4層在上述第3層之圖型形成中，作為硬遮罩產生機能之加工補助膜。
  10. 一種半色調相位移光罩，其係使用如申請專利範圍第1項之半色調相位移光罩基板所形成。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102366782B1 (ko) * 2016-07-25 2022-02-23 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP6733464B2 (ja) * 2016-09-28 2020-07-29 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク
JP6740107B2 (ja) * 2016-11-30 2020-08-12 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法
JP6900873B2 (ja) * 2016-12-26 2021-07-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びその製造方法
JP6900872B2 (ja) * 2016-12-26 2021-07-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びその製造方法
JP6432636B2 (ja) * 2017-04-03 2018-12-05 凸版印刷株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
KR102427106B1 (ko) * 2017-11-24 2022-08-01 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
CN111512226B (zh) * 2017-12-26 2023-09-26 Hoya株式会社 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
KR20200133377A (ko) * 2018-03-26 2020-11-27 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP6927177B2 (ja) * 2018-09-26 2021-08-25 信越化学工業株式会社 位相シフト型フォトマスクブランク及び位相シフト型フォトマスク
JP7264083B2 (ja) * 2019-03-29 2023-04-25 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクス、その製造方法及び位相シフトマスク
JP7192731B2 (ja) 2019-09-27 2022-12-20 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、その製造方法、及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク
JP6987912B2 (ja) * 2020-03-16 2022-01-05 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス、位相シフトマスク、製造方法
JP7033638B2 (ja) * 2020-12-09 2022-03-10 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
KR102349368B1 (ko) * 2021-02-25 2022-01-07 에스케이씨솔믹스 주식회사 반도체 소자 제조 장치
KR102349367B1 (ko) * 2020-12-31 2022-01-07 에스케이씨솔믹스 주식회사 반도체 소자 제조 장치
KR102400199B1 (ko) * 2020-12-31 2022-05-18 에스케이씨솔믹스 주식회사 반도체 소자 제조 장치
KR102368448B1 (ko) * 2021-02-10 2022-02-25 에스케이씨솔믹스 주식회사 반도체 소자 제조 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020122991A1 (en) * 2000-12-26 2002-09-05 Hoya Corporation Halftone phase shift mask and mask blank
US20040072016A1 (en) * 2002-10-08 2004-04-15 Satoshi Okazaki Halftone phase shift mask blank, and method of manufacture
US7767366B2 (en) * 2006-03-10 2010-08-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank and photomask
JP2012212180A (ja) * 2012-07-24 2012-11-01 Shin Etsu Chem Co Ltd 欠陥の低減方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3128148A1 (de) * 1981-07-16 1983-02-03 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen N-acylcyclopropylamine, verfahren zu ihrer herstellung und diese verbindungen enthaltende mittel zur regulierung des pflanzenwachstum
JP3247485B2 (ja) * 1992-07-08 2002-01-15 株式会社東芝 露光用マスク及びその製造方法
JP3064769B2 (ja) 1992-11-21 2000-07-12 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
US5823655A (en) * 1996-01-16 1998-10-20 Brooks; I. Morris Inconspicuous modular decorative lighting apparatus
US6045954A (en) * 1998-06-12 2000-04-04 Industrial Technology Research Institute Formation of silicon nitride film for a phase shift mask at 193 nm
JP4332697B2 (ja) * 2002-01-10 2009-09-16 信越化学工業株式会社 スパッタターゲット
JP4933753B2 (ja) 2005-07-21 2012-05-16 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法
DE602006021102D1 (de) 2005-07-21 2011-05-19 Shinetsu Chemical Co Photomaskenrohling, Photomaske und deren Herstellungsverfahren
JP4551344B2 (ja) 2006-03-02 2010-09-29 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスク
JP4764214B2 (ja) * 2006-03-10 2011-08-31 凸版印刷株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
US8048351B2 (en) * 2006-08-14 2011-11-01 Swagelok Company Bio-pharmaceutical hose
JP4714180B2 (ja) 2007-05-01 2011-06-29 株式会社東芝 フォトマスク管理方法、フォトマスク洗浄可能回数生成方法、及びフォトマスク管理システム
JP5644293B2 (ja) * 2010-09-10 2014-12-24 信越化学工業株式会社 遷移金属ケイ素系材料膜の設計方法
US20130030959A1 (en) * 2011-07-26 2013-01-31 Jason Gray Real Time Online Searching
JP5879951B2 (ja) * 2011-11-21 2016-03-08 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法、ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクブランク
JP5739375B2 (ja) * 2012-05-16 2015-06-24 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法
JP6005530B2 (ja) 2013-01-15 2016-10-12 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
KR102211544B1 (ko) 2013-01-15 2021-02-02 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP5686216B1 (ja) * 2013-08-20 2015-03-18 大日本印刷株式会社 マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法
DE112014003849T5 (de) * 2013-08-21 2016-05-12 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Maskenrohling, Maskenrohling mit negativem Resistfilm, Phasenverschiebungsmaske und Verfahren zur Herstellung eines durch ein Muster gebildeten Körpers unter Verwendung derselben
JP6264238B2 (ja) * 2013-11-06 2018-01-24 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法
TW201537281A (zh) * 2014-03-18 2015-10-01 Hoya Corp 光罩基底、相偏移光罩及半導體裝置之製造方法
JP6524614B2 (ja) * 2014-05-27 2019-06-05 大日本印刷株式会社 マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020122991A1 (en) * 2000-12-26 2002-09-05 Hoya Corporation Halftone phase shift mask and mask blank
US20040072016A1 (en) * 2002-10-08 2004-04-15 Satoshi Okazaki Halftone phase shift mask blank, and method of manufacture
US7767366B2 (en) * 2006-03-10 2010-08-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank and photomask
JP2012212180A (ja) * 2012-07-24 2012-11-01 Shin Etsu Chem Co Ltd 欠陥の低減方法

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