JP5739375B2 - ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 Download PDFInfo
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Description
ハーフトーン位相シフトマスクが完成する(図2J)。
ドライエッチング特性を評価する実験例として、一辺が152mmで厚みが6mmの矩形の石英基板上に、クロムターゲットとスズターゲットを別個に設けたコ・スパッタリングによるDCスパッタ法にて、スズ濃度の異なる2種類のCrON膜を、厚み44nmで成膜した。
直流スパッタ装置を用い、石英基板の上にモリブデンとケイ素と酸素と窒素とからなるハーフトーン位相シフト膜(膜厚75nm)を形成した。
直流スパッタ装置を用い、石英基板の上にモリブデンとケイ素と酸素と窒素とからなるハーフトーン位相シフト膜(膜厚75nm)を形成した。
2 ハーフトーン位相シフト膜
3 遮光膜
4 レジスト膜
5 レジストパターン
6 ハードマスク膜
11 チャンバ
12 対向電極
13 ICP発生用高周波発信器
14 アンテナコイル
15 試料
16 平面電極
17 RIE用高周波発信器
18 排気口
19 ガス導入口
Claims (10)
- ハーフトーン位相シフト膜上に単層構造若しくは多層構造の遮光膜が設けられており、
前記遮光膜はクロム系材料からなる層を少なくとも1層備え、
前記クロム系材料からなる層のうち少なくとも1層はスズを含有するクロム系材料からなる、
ことを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランク。 - 前記スズを含有するクロム系材料は、スズの含有量がクロムの含有量に対し、原子比で0.01倍以上2倍以下である、
請求項1に記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。 - 前記遮光膜は全層がクロム系材料からなる、
請求項1又は2に記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。 - 前記クロム系材料は、クロム金属、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム酸化窒化物、クロム酸化炭化物、クロム窒化炭化物、クロム酸化窒化炭化物の何れかであり、
前記スズを含有するクロム系材料は、スズ−クロム金属、スズ−クロム酸化物、スズ−クロム窒化物、スズ−クロム炭化物、スズ−クロム酸化窒化物、スズ−クロム酸化炭化物、スズ−クロム窒化炭化物、スズ−クロム酸化窒化炭化物の何れかである、
請求項1乃至3の何れか1項に記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。 - 前記ハーフトーン位相シフト膜は、フッ素系ドライエッチングによりエッチング加工可能な材料からなる、
請求項1乃至4の何れか1項に記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。 - 前記フッ素系ドライエッチングによりエッチング加工可能な材料は、遷移金属を含有するケイ素系材料である、
請求項5に記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。 - 前記ケイ素系材料は、モリブデンとシリコンを含有し、更に、軽元素として窒素と酸素の少なくとも一方を含有する、
請求項6に記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。 - 前記遮光膜上にハードマスク膜を備え、
該ハードマスク膜は、酸素を含む塩素系ドライエッチングに対してエッチング耐性を有する、
請求項1乃至7の何れか1項に記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。 - 前記ハードマスク膜は、シリコンを含有し、更に、軽元素として窒素と酸素の少なくとも一方を含有する、
請求項8に記載のハーフトーン位相シフトマスクブランク。 - 請求項1乃至9の何れか1項に記載のブランクを用いたハーフトーン位相シフトマスクの製造方法であって、
前記スズを含有するクロム系材料からなる層を酸素を含む塩素系ドライエッチングでエッチング加工する工程と、
前記ハーフトーン位相シフト膜をフッ素系ドライエッチングでエッチング加工する工程を備えている、
ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
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