JPH0476101B2 - - Google Patents
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- JPH0476101B2 JPH0476101B2 JP21783884A JP21783884A JPH0476101B2 JP H0476101 B2 JPH0476101 B2 JP H0476101B2 JP 21783884 A JP21783884 A JP 21783884A JP 21783884 A JP21783884 A JP 21783884A JP H0476101 B2 JPH0476101 B2 JP H0476101B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/46—Antireflective coatings
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体装置の製造に使用するフオト
マスクブランクに関するものである。
マスクブランクに関するものである。
［従来の技術］
半導体装置の製造に使用するマスクは、初期に
おいてはガラス基板を用いた写真乳剤乾板を利用
していたが、高集積化、微細化が進むにつれて、
現在では透明ガラス基板上にクロム（Cr）など
の金属薄膜が形成されたハードマスクが広く使用
されている。
おいてはガラス基板を用いた写真乳剤乾板を利用
していたが、高集積化、微細化が進むにつれて、
現在では透明ガラス基板上にクロム（Cr）など
の金属薄膜が形成されたハードマスクが広く使用
されている。
第２図は、従来のフオトマスクブランクの断面
図である。図において、石英などの透明ガラス基
板１上にクロムなどの金属膜２が形成されてい
る。このようなCrなどの金属膜２は、透明ガラ
ス基板１上に蒸着またはスパツタ法により約600
〜800Åの膜厚で形成される。半導体用フオトマ
スクは、金属膜２上にフオトレジストまたは電子
ビーム（以下EBと記す）用レジストを塗布した
透明ガラス基板１上に、光またはEBによりパタ
ーンを描画した後、現像、エツチングなどの工程
を経て作られる。エツチングは金属膜がCrの場
合、ウエツト法では硝酸第二セリウムアンチモン
と過塩素酸で行ない、ドライ法では４塩化炭素
（CCl4）と酸素（O2）の混合ガスで行なう。半導
体装置、特にVLSIなど、高集積、微細パターン
を有するデバイス用マスクの製造では、サイドエ
ツチ効果が少ないドライエツチング法が有利であ
る。
図である。図において、石英などの透明ガラス基
板１上にクロムなどの金属膜２が形成されてい
る。このようなCrなどの金属膜２は、透明ガラ
ス基板１上に蒸着またはスパツタ法により約600
〜800Åの膜厚で形成される。半導体用フオトマ
スクは、金属膜２上にフオトレジストまたは電子
ビーム（以下EBと記す）用レジストを塗布した
透明ガラス基板１上に、光またはEBによりパタ
ーンを描画した後、現像、エツチングなどの工程
を経て作られる。エツチングは金属膜がCrの場
合、ウエツト法では硝酸第二セリウムアンチモン
と過塩素酸で行ない、ドライ法では４塩化炭素
（CCl4）と酸素（O2）の混合ガスで行なう。半導
体装置、特にVLSIなど、高集積、微細パターン
を有するデバイス用マスクの製造では、サイドエ
ツチ効果が少ないドライエツチング法が有利であ
る。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の半導体装置製造用マスクに使用される
Crマスクの製造にはウエツトエツチングが一般
的であるが、サイドエツチング効果などで高精度
マスクの製造が困難であり、またドライエツチン
グではCrのエツチング速度が約100Å／min以下
であり、レジストとの選択比も悪くフオトマスク
の量産に適していなかつた。また、Crの場合、
Crと基板石英との接着性が悪く、微細パターン
がマスク洗浄のときに剥がれるという問題点もあ
つた。
Crマスクの製造にはウエツトエツチングが一般
的であるが、サイドエツチング効果などで高精度
マスクの製造が困難であり、またドライエツチン
グではCrのエツチング速度が約100Å／min以下
であり、レジストとの選択比も悪くフオトマスク
の量産に適していなかつた。また、Crの場合、
Crと基板石英との接着性が悪く、微細パターン
がマスク洗浄のときに剥がれるという問題点もあ
つた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、ドライエツチング
が容易で、かつ透明基板との接着性が優れた信頼
性の高いフオトマスクブランクを得ることを目的
とする。
去するためになされたもので、ドライエツチング
が容易で、かつ透明基板との接着性が優れた信頼
性の高いフオトマスクブランクを得ることを目的
とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明にかかるフオトマスクブランクは、透
明基板と、上記透明基板上に直接形成されるシリ
サイド化した金属膜と、上記金属膜上に形成され
る低反射膜とで構成したものである。
明基板と、上記透明基板上に直接形成されるシリ
サイド化した金属膜と、上記金属膜上に形成され
る低反射膜とで構成したものである。
［作用］
この発明においては、シリサイド化した金属膜
および低反射膜は容易にドライエツチングがで
き、かつシリサイド化した金属膜は透明基板との
接着性が良いので、マスク洗浄のときに微細パタ
ーンが剥がれにくい。
および低反射膜は容易にドライエツチングがで
き、かつシリサイド化した金属膜は透明基板との
接着性が良いので、マスク洗浄のときに微細パタ
ーンが剥がれにくい。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図によつて説明す
る。第１図は、この発明の一実施例であるフオト
マスク材料の断面図である。図において、石英な
どの透明ガラス基板１上には、シリサイド化した
モリブデン（Mo）、タングステン（Ｗ）などの
遷移金属膜３がスパツタ法などで約1000Å程度の
膜厚で形成されている。さらに、遷移金属膜３上
には、酸化モリブデン（MoO2）、酸化タングス
テン（WO2）、酸化チタン（TiO2）の低反射膜４
が100〜200Åの膜厚で形成されている。
る。第１図は、この発明の一実施例であるフオト
マスク材料の断面図である。図において、石英な
どの透明ガラス基板１上には、シリサイド化した
モリブデン（Mo）、タングステン（Ｗ）などの
遷移金属膜３がスパツタ法などで約1000Å程度の
膜厚で形成されている。さらに、遷移金属膜３上
には、酸化モリブデン（MoO2）、酸化タングス
テン（WO2）、酸化チタン（TiO2）の低反射膜４
が100〜200Åの膜厚で形成されている。
金属シリサイドをマスク材料として用いると、
ドライエツチング性の容易さ、基板石英（SiO2，
Al2O3など）との接着性が増すことで高品質のフ
オトマスクを提供することができる。つまり、低
反射膜４上にフオトレジストまたはEBレジスト
を4000〜6000Åの膜厚で塗布した後、光または
EBで透明ガラス基板１上にパターンを描画する。
このとき、EB描画の場合もシリサイド化した金
属膜は導電性であるためチヤージアツプの問題は
ない。また、シリサイド化した金属膜のエツチン
グはドライエツチング法で容易に行なうことがで
きる。たとえば、Moシリサイドの場合、CF4＋
O2（２％）の混合ガスを使用し、O.2Torrの真空
度、300Wの条件で約1000Å／minのエツチング
スピードでエツチングが終了する。さらに、酸化
モリブデンなどの低反射膜は若干エツチングスピ
ードは低下するが、これらは100〜200Åの薄い膜
であり容易にエツチングができる。このエツチン
グスピードは、従来のCrのドライエツチングス
ピードに比べ約10倍になりフオトマスクの量産に
適していることがわかる。また、シリサイド化し
た金属膜は基板石英との接着性が良く、フオトマ
スクとしての寿命が長くなる（マスク洗浄による
微細パターンの剥がれがなくなる）という利点が
ある。
ドライエツチング性の容易さ、基板石英（SiO2，
Al2O3など）との接着性が増すことで高品質のフ
オトマスクを提供することができる。つまり、低
反射膜４上にフオトレジストまたはEBレジスト
を4000〜6000Åの膜厚で塗布した後、光または
EBで透明ガラス基板１上にパターンを描画する。
このとき、EB描画の場合もシリサイド化した金
属膜は導電性であるためチヤージアツプの問題は
ない。また、シリサイド化した金属膜のエツチン
グはドライエツチング法で容易に行なうことがで
きる。たとえば、Moシリサイドの場合、CF4＋
O2（２％）の混合ガスを使用し、O.2Torrの真空
度、300Wの条件で約1000Å／minのエツチング
スピードでエツチングが終了する。さらに、酸化
モリブデンなどの低反射膜は若干エツチングスピ
ードは低下するが、これらは100〜200Åの薄い膜
であり容易にエツチングができる。このエツチン
グスピードは、従来のCrのドライエツチングス
ピードに比べ約10倍になりフオトマスクの量産に
適していることがわかる。また、シリサイド化し
た金属膜は基板石英との接着性が良く、フオトマ
スクとしての寿命が長くなる（マスク洗浄による
微細パターンの剥がれがなくなる）という利点が
ある。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、透明基板上
に直接シリサイド化した金属膜を形成し、さらに
上記金属膜上に低反射膜を形成したので、ドライ
エツチングが容易でエツチングスピードが上が
り、かつ信頼性の高いフオトマスクブランクを得
ることができる。
に直接シリサイド化した金属膜を形成し、さらに
上記金属膜上に低反射膜を形成したので、ドライ
エツチングが容易でエツチングスピードが上が
り、かつ信頼性の高いフオトマスクブランクを得
ることができる。
第１図は、この発明の一実施例であるフオトマ
スクブランクの断面図である。第２図は、従来の
ブランクマスク材料の断面図である。 図において、１は石英などの透明ガラス基板、
２はCrなどの金属膜、３はシリサイド化した遷
移金属膜、４は金属酸化膜などの低反射膜であ
る。なお、各図中同一符号は同一または担当部分
を示す。
スクブランクの断面図である。第２図は、従来の
ブランクマスク材料の断面図である。 図において、１は石英などの透明ガラス基板、
２はCrなどの金属膜、３はシリサイド化した遷
移金属膜、４は金属酸化膜などの低反射膜であ
る。なお、各図中同一符号は同一または担当部分
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体装置の製造に使用するフオトマスクブ
ランクであつて、 石英ガラスよりなる透明基板と、 前記透明基板上に直接形成される遮光膜として
のシリサイド化した金属膜と、 前記金属膜上に形成される低反射膜とを備えた
ことを特徴とするフオトマスクブランク。 ２ 前記シリサイド化した金属膜は遷移金属膜で
ある特許請求の範囲１項記載のフオトマスクブラ
ンク。 ３ 前記低反射膜は金属酸化膜である特許請求の
範囲第１項記載のフオトマスクブランク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217838A JPS6195356A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | フオトマスクブランク |
| US07/229,769 US4873163A (en) | 1984-10-16 | 1988-08-08 | Photomask material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217838A JPS6195356A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | フオトマスクブランク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6195356A JPS6195356A (ja) | 1986-05-14 |
| JPH0476101B2 true JPH0476101B2 (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=16710544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59217838A Granted JPS6195356A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | フオトマスクブランク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4873163A (ja) |
| JP (1) | JPS6195356A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH0650388B2 (ja) * | 1986-04-04 | 1994-06-29 | アルバツク成膜株式会社 | フオトマスクおよびその製造方法 |
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