JPS6410062B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6410062B2 JPS6410062B2 JP18790880A JP18790880A JPS6410062B2 JP S6410062 B2 JPS6410062 B2 JP S6410062B2 JP 18790880 A JP18790880 A JP 18790880A JP 18790880 A JP18790880 A JP 18790880A JP S6410062 B2 JPS6410062 B2 JP S6410062B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- mask
- resist
- indium oxide
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 15
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/40—Electrostatic discharge [ESD] related features, e.g. antistatic coatings or a conductive metal layer around the periphery of the mask substrate
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリソグラフイー法に使用するマスクパ
ターンの形成方法に関する。特に、微細パターン
が正確に形成されているマスクパターンの形成方
法に関する。詳しくは、レジストの露光には電子
ビーム露光法を使用し、クローム（Cr）等の不
透明なマスク材のエツチングにはドライエツチン
グ法を使用するマスクパターンの形成方法の改良
に関する。
ターンの形成方法に関する。特に、微細パターン
が正確に形成されているマスクパターンの形成方
法に関する。詳しくは、レジストの露光には電子
ビーム露光法を使用し、クローム（Cr）等の不
透明なマスク材のエツチングにはドライエツチン
グ法を使用するマスクパターンの形成方法の改良
に関する。
リソグラフイー法は、薄層の一部を選択的に除
去する目的をもつて半導体装置の製造方法におい
てしばしば使用される技術であるが、半導体装置
の高集積化の要請にもとづいてますます微細なパ
ターン形成が要望されており、リソグラフイー法
における解像力の向上がますます要望されてい
る。リソグラフイー法における解像力を決定する
要因の一つにマスクのパターン精度や微細化の限
度が数えられることは周知である。そして、その
マスクのパターン精度を向上するためには、マス
クの製造法に使用されるレジストの露光には可視
光線や紫外線より波長の短かい電子ビームを使用
することが有利であり、又、クローム（Cr）等
の不透明なマスク材のエツチングにはスパツタエ
ツチング法、プラズマエツチング法等のドライエ
ツチング法を使用することが有利なことも周知で
あり、現にこの二つの方法を組み合わせたマスク
の製造方法が実用されている。
去する目的をもつて半導体装置の製造方法におい
てしばしば使用される技術であるが、半導体装置
の高集積化の要請にもとづいてますます微細なパ
ターン形成が要望されており、リソグラフイー法
における解像力の向上がますます要望されてい
る。リソグラフイー法における解像力を決定する
要因の一つにマスクのパターン精度や微細化の限
度が数えられることは周知である。そして、その
マスクのパターン精度を向上するためには、マス
クの製造法に使用されるレジストの露光には可視
光線や紫外線より波長の短かい電子ビームを使用
することが有利であり、又、クローム（Cr）等
の不透明なマスク材のエツチングにはスパツタエ
ツチング法、プラズマエツチング法等のドライエ
ツチング法を使用することが有利なことも周知で
あり、現にこの二つの方法を組み合わせたマスク
の製造方法が実用されている。
しかし、電子ビーム露光法に適するレジストは
ドライエツチングに対する耐性が悪く、ドライエ
ツチング中にレジストが減耗してレジストよりな
るパターンが変形して正確なパターン形成を妨げ
る傾向がある。ドライエツチングに対する耐性の
良好な電子ビーム露光法用レジストもなくはない
が、露光感度が低く極めて長い露光時間を必要と
する傾向があるので、現実的に使用に耐えない。
ドライエツチングに対する耐性が悪く、ドライエ
ツチング中にレジストが減耗してレジストよりな
るパターンが変形して正確なパターン形成を妨げ
る傾向がある。ドライエツチングに対する耐性の
良好な電子ビーム露光法用レジストもなくはない
が、露光感度が低く極めて長い露光時間を必要と
する傾向があるので、現実的に使用に耐えない。
本発明の目的は、レジストの露光には電子ビー
ム露光法を使用しクローム（Cr）等の不透明な
マスク材料のエツチングにはドライエツチング法
を使用してなすマスクパターンの形成方法におい
て、上記の欠点を改良することにあり、微細なパ
ターンを正確に形成することが可能なマスクの製
造方法を提供することにあり、レジスト膜とクロ
ーム（Cr）等の不透明なマスク材よりなる薄膜
との間に、酸化インジユウム（In2O3）よりなる
薄膜を介在させることを要旨とする。酸化インジ
ユウム（In2O3）を選択した理由は、酸化インジ
ユウム（In2O3）のパターニングを目的としてな
すエツチングには電子露光用レジストが耐性を有
し、かつ、クローム（Cr）等の不透明なマスク
材のエツチングに対しては酸化インジユウム
（In2O3）が耐性を有することにある。
ム露光法を使用しクローム（Cr）等の不透明な
マスク材料のエツチングにはドライエツチング法
を使用してなすマスクパターンの形成方法におい
て、上記の欠点を改良することにあり、微細なパ
ターンを正確に形成することが可能なマスクの製
造方法を提供することにあり、レジスト膜とクロ
ーム（Cr）等の不透明なマスク材よりなる薄膜
との間に、酸化インジユウム（In2O3）よりなる
薄膜を介在させることを要旨とする。酸化インジ
ユウム（In2O3）を選択した理由は、酸化インジ
ユウム（In2O3）のパターニングを目的としてな
すエツチングには電子露光用レジストが耐性を有
し、かつ、クローム（Cr）等の不透明なマスク
材のエツチングに対しては酸化インジユウム
（In2O3）が耐性を有することにある。
以下、本発明に係る一実施例について、その各
工程を説明し、本発明の構成と特有の効果とを明
らかにする。
工程を説明し、本発明の構成と特有の効果とを明
らかにする。
第１の工程は、ガラス等の透明な耐熱性材料よ
りなる平板上に真空蒸着法又はスパツタリング法
を使用して、クローム（Cr）等の不透明なマス
ク材よりなる薄膜を形成し、更にそのクローム
（Cr）等の不透明なマスク材よりなる薄膜の上に
真空蒸着法を使用して酸化インジユウム（In2O3）
よりなる薄膜を形成する工程である。この工程に
使用される蒸着法やスパツタリング法自体は公知
の方法が使用可能である。又、クローム（Cr）
等の不透明なマスク材よりなる薄膜の厚さはマス
クの用途によつて決定されるが通常700Å程度で
十分である。そして、酸化インジユウム（In2O3）
の厚さはクローム（Cr）等の不透明なマスク材
のエツチングに際し消耗してしまわなければよい
のであるから、通常150〜200Åで十分である。
りなる平板上に真空蒸着法又はスパツタリング法
を使用して、クローム（Cr）等の不透明なマス
ク材よりなる薄膜を形成し、更にそのクローム
（Cr）等の不透明なマスク材よりなる薄膜の上に
真空蒸着法を使用して酸化インジユウム（In2O3）
よりなる薄膜を形成する工程である。この工程に
使用される蒸着法やスパツタリング法自体は公知
の方法が使用可能である。又、クローム（Cr）
等の不透明なマスク材よりなる薄膜の厚さはマス
クの用途によつて決定されるが通常700Å程度で
十分である。そして、酸化インジユウム（In2O3）
の厚さはクローム（Cr）等の不透明なマスク材
のエツチングに際し消耗してしまわなければよい
のであるから、通常150〜200Åで十分である。
第２の工程は、前工程において形成された酸化
インジユウム（In2O3）よりなる薄膜上に、レジ
ストを塗布する工程である。使用されるレジスト
が電子ビーム露光法に適するものであることは勿
論であるが、ドライエツチングに対し耐性を有す
るものである必要はない。ただ、電子露光に対す
る感度が良好なことが望ましい。塗布方法は通常
のスピンエツチング法が適当であり、塗布厚は
5000Å程度が適当である。
インジユウム（In2O3）よりなる薄膜上に、レジ
ストを塗布する工程である。使用されるレジスト
が電子ビーム露光法に適するものであることは勿
論であるが、ドライエツチングに対し耐性を有す
るものである必要はない。ただ、電子露光に対す
る感度が良好なことが望ましい。塗布方法は通常
のスピンエツチング法が適当であり、塗布厚は
5000Å程度が適当である。
第３の工程は、前工程において塗布されたレジ
スト膜に電子ビーム露光法を使用してその一部を
選択的に露光し、そのレジスト膜に所望のパター
ンを描画する工程である。レジストはその感度が
十分大きなものが使用されるから、この工程に使
用される電子ビーム露光装置は通常の装置が使用
しうる。
スト膜に電子ビーム露光法を使用してその一部を
選択的に露光し、そのレジスト膜に所望のパター
ンを描画する工程である。レジストはその感度が
十分大きなものが使用されるから、この工程に使
用される電子ビーム露光装置は通常の装置が使用
しうる。
第４の工程は、前工程において所望の領域が選
択的に露光され、その上に所望のパターンが描画
されたレジスト膜の露光済み領域を除去してエツ
チングをなす工程である。この工程は、選択され
たレジストによつて決定される方法によつてなさ
れることは云うまでもない。この工程終了後の状
態を示すマスク半製品の断面図を第１図示す。図
において、１はガラス等の透明な耐熱性材料より
なる平板であり、２はクローム（Cr）等の不透
明なマスク材よりなる薄膜であり、３は酸化イン
ジユウム（In2O3）よりなる薄層であり、４はレ
ジスト膜であり、５がこの工程でエツチングされ
て形成された開口である。
択的に露光され、その上に所望のパターンが描画
されたレジスト膜の露光済み領域を除去してエツ
チングをなす工程である。この工程は、選択され
たレジストによつて決定される方法によつてなさ
れることは云うまでもない。この工程終了後の状
態を示すマスク半製品の断面図を第１図示す。図
において、１はガラス等の透明な耐熱性材料より
なる平板であり、２はクローム（Cr）等の不透
明なマスク材よりなる薄膜であり、３は酸化イン
ジユウム（In2O3）よりなる薄層であり、４はレ
ジスト膜であり、５がこの工程でエツチングされ
て形成された開口である。
第５の工程は、開口５を有するレジスト膜４を
マスクとして酸化インジユウム（In2O3）よりな
る薄膜の一部を選択的に除去する工程である。こ
の工程は、アルコール系物質例えばメチルアルコ
ール（CH3OH）、エチルアルコール
（C2H5OH）、アセトン（（CH3）2CO）、キシレン、
イソプロピルアルコール（CH3−CH（OH）−
CH3）等と酸素（O2）と窒素（N2）との混合気
体を0.3Torr程度に減圧し、平行平板型プラズマ
エツチング装置を使用し、これに13.56MHzの高
周波電圧を印加することにより実施可能である。
この方法により酸化インジユウム（In2O3）はエ
ツチされるがレジストの減耗は軽微である。この
工程完了後の状態を示すマスク半製品の断面図を
第２図に示す。開口５が酸化インジユウム
（In2O3）膜３まで及んでいる状態が示されてい
る。
マスクとして酸化インジユウム（In2O3）よりな
る薄膜の一部を選択的に除去する工程である。こ
の工程は、アルコール系物質例えばメチルアルコ
ール（CH3OH）、エチルアルコール
（C2H5OH）、アセトン（（CH3）2CO）、キシレン、
イソプロピルアルコール（CH3−CH（OH）−
CH3）等と酸素（O2）と窒素（N2）との混合気
体を0.3Torr程度に減圧し、平行平板型プラズマ
エツチング装置を使用し、これに13.56MHzの高
周波電圧を印加することにより実施可能である。
この方法により酸化インジユウム（In2O3）はエ
ツチされるがレジストの減耗は軽微である。この
工程完了後の状態を示すマスク半製品の断面図を
第２図に示す。開口５が酸化インジユウム
（In2O3）膜３まで及んでいる状態が示されてい
る。
第６の工程は、開口５を有する酸化インジユウ
ム（In2O3）よりなる薄膜３をマスクとしてクロ
ーム（Cr）等の不透明なマスク材よりなる薄膜
の一部を選択的に除去する工程である。この工程
は、塩素系ガス例えば四塩化炭素（CCl4）と空
気の混合ガスを使用してなすプラズマエツチング
法により実施可能である。この工程においては、
レジスト膜４は減耗するが、酸化インジユウム
（In2O3）膜３は侵されずマスクとしての機能は完
全に果すので、クローム（Cr）等の不透明なマ
スク材よりなる薄膜２には所望のパターンが正確
に形成される。この工程完了後の状態を示すマス
ク半製品の断面図を第３図に示す。
ム（In2O3）よりなる薄膜３をマスクとしてクロ
ーム（Cr）等の不透明なマスク材よりなる薄膜
の一部を選択的に除去する工程である。この工程
は、塩素系ガス例えば四塩化炭素（CCl4）と空
気の混合ガスを使用してなすプラズマエツチング
法により実施可能である。この工程においては、
レジスト膜４は減耗するが、酸化インジユウム
（In2O3）膜３は侵されずマスクとしての機能は完
全に果すので、クローム（Cr）等の不透明なマ
スク材よりなる薄膜２には所望のパターンが正確
に形成される。この工程完了後の状態を示すマス
ク半製品の断面図を第３図に示す。
第７の工程は、未露光のレジスト膜４を除去し
て、マスクを完成させる工程である。この工程
は、選択されたレジストによつて決定される方法
によつてなされる。この工程完了後の、すなわ
ち、完成したマスクの断面図を第４図に示す。
て、マスクを完成させる工程である。この工程
は、選択されたレジストによつて決定される方法
によつてなされる。この工程完了後の、すなわ
ち、完成したマスクの断面図を第４図に示す。
以上説明せるとおり、本発明によれば、レジス
ト膜とクローム（Cr）等の不透明なマスク材と
の間に、クローム（Cr）等の不透明なマスク材
のエツチングに対しては耐性を有する物質であつ
て、その物質のエツチングによつては電子露光用
レジストが耐性を有する物質である酸化インジユ
ウム（In2O3）よりなる薄膜が介在されているの
で、電子ビーム露光法の長所とドライエツチング
法の長所とが双方とも発揮され、しかもその欠点
が補われて、微細なパターンを正確にマスク上に
表現することが可能となり、正確な微細パターン
を有するマスクの製造方法を提供することができ
る。
ト膜とクローム（Cr）等の不透明なマスク材と
の間に、クローム（Cr）等の不透明なマスク材
のエツチングに対しては耐性を有する物質であつ
て、その物質のエツチングによつては電子露光用
レジストが耐性を有する物質である酸化インジユ
ウム（In2O3）よりなる薄膜が介在されているの
で、電子ビーム露光法の長所とドライエツチング
法の長所とが双方とも発揮され、しかもその欠点
が補われて、微細なパターンを正確にマスク上に
表現することが可能となり、正確な微細パターン
を有するマスクの製造方法を提供することができ
る。
尚、レジスト膜とクローム（Cr）等の不透明
なマスク材よりなる薄膜に介在させる薄膜の材料
は酸化インジユウム（In2O3）に限定する必要は
なく、クローム（Cr）等の不透明なマスク材の
エツチングに対しては耐性を有する物質であつ
て、その物質のエツチングによつては電子露光用
レジストが耐性を有する物質であれば、本発明の
技術的思想から逸脱するものではない。
なマスク材よりなる薄膜に介在させる薄膜の材料
は酸化インジユウム（In2O3）に限定する必要は
なく、クローム（Cr）等の不透明なマスク材の
エツチングに対しては耐性を有する物質であつ
て、その物質のエツチングによつては電子露光用
レジストが耐性を有する物質であれば、本発明の
技術的思想から逸脱するものではない。
第１，２，３図は、夫々、本発明に係る一実施
例の第４の工程、第５の工程、第６の工程完了後
の状態を示すマスク半製品の断面図であり、第４
図はその完成した状態を示すマスクの断面図であ
る。
例の第４の工程、第５の工程、第６の工程完了後
の状態を示すマスク半製品の断面図であり、第４
図はその完成した状態を示すマスクの断面図であ
る。
Claims (1)
- １ (イ)透明な平板上にクロームよりなる第１の薄
膜を形成し、更に、該第１の薄膜上に酸化インジ
ユウムよりなる第２の薄膜を形成する工程と、(ロ)
該第２の薄膜上にレジスト膜を塗布する工程と、
(ハ)該レジスト膜に電子ビーム露光法を施こして該
レジスト膜をパターニングする工程と、(ニ)該パタ
ーニングされた該レジスト膜をマスクとして前記
酸化インジユウムよりなる第２の薄膜の一部をド
ライエツチング法により選択的に除去して該第２
の薄膜に所望のパターンを形成する工程と、(ホ)該
第２の薄膜をマスクとして前記クロームよりなる
第１の薄膜の一部を選択的に除去して該第１の薄
膜に所望のパターンをドライエツチング法により
形成する工程とを有してなることを特徴とするパ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18790880A JPS57112025A (en) | 1980-12-29 | 1980-12-29 | Formation of pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18790880A JPS57112025A (en) | 1980-12-29 | 1980-12-29 | Formation of pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57112025A JPS57112025A (en) | 1982-07-12 |
| JPS6410062B2 true JPS6410062B2 (ja) | 1989-02-21 |
Family
ID=16214303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18790880A Granted JPS57112025A (en) | 1980-12-29 | 1980-12-29 | Formation of pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57112025A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2189903A (en) * | 1986-04-01 | 1987-11-04 | Plessey Co Plc | An etch technique for metal mask definition |
| JPS63166231A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Hoya Corp | フオトマスクの製造方法 |
-
1980
- 1980-12-29 JP JP18790880A patent/JPS57112025A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57112025A (en) | 1982-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001305713A (ja) | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク | |
| JPH0476101B2 (ja) | ||
| JPS61173251A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS6252551A (ja) | フオトマスク材料 | |
| JPH11125896A (ja) | フォトマスクブランクス及びフォトマスク | |
| JPS61273546A (ja) | 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 | |
| JPS6410062B2 (ja) | ||
| JPS649617B2 (ja) | ||
| JPH0463349A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JPS623257A (ja) | マスクパタ−ンの形成方法およびこれに使用するマスク基板 | |
| JP3194410B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2909317B2 (ja) | フォトマスク | |
| JP2500526B2 (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JPH07281414A (ja) | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクとその製造方法 | |
| JPS6339893B2 (ja) | ||
| JPH0366656B2 (ja) | ||
| JPS59128540A (ja) | フオトマスク | |
| JPH04371955A (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスク | |
| JPH05113656A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法並びにそれに用いる位相シフトマスク用ブランク | |
| JPH05281702A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH06282065A (ja) | エッジ強調型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH061366B2 (ja) | フオトマスク材料 | |
| JPH0677204A (ja) | フォトマスク | |
| JPS63166231A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS6140099B2 (ja) |