JPS5931975B2 - 反転マスクの製造方法 - Google Patents
反転マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS5931975B2 JPS5931975B2 JP52128280A JP12828077A JPS5931975B2 JP S5931975 B2 JPS5931975 B2 JP S5931975B2 JP 52128280 A JP52128280 A JP 52128280A JP 12828077 A JP12828077 A JP 12828077A JP S5931975 B2 JPS5931975 B2 JP S5931975B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- chromium
- oxide film
- film
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置などの製造工程において用いら
れる反転マスクの製造方法に関するものである。
れる反転マスクの製造方法に関するものである。
半導体装置、特に微細なパターンを有する半導体装置な
どの製造に際し、写真製版工程において使用されるマス
クは、一般にガラス等の透明基板上にクロムを被着した
もの、またはこのクロム膜上にさらに酸化クロム膜を形
成したものである。
どの製造に際し、写真製版工程において使用されるマス
クは、一般にガラス等の透明基板上にクロムを被着した
もの、またはこのクロム膜上にさらに酸化クロム膜を形
成したものである。
第１図は従来のマスクの一例を示す断面図であり、図中
１はガラスなどの透明基板、２は透明基板１上に第１層
として形成されたクロム膜、３はこのクロム膜２上に第
２層として形成された酸化クロム膜である。ところで、
このマスクにパターンを形成するためのクロム膜２及び
酸化クロム膜３のエッチングには、硝酸第２セリウムア
ンモニウム〔Ｃｅ（ＮＨ４）３（ＮＯ３）６〕と過塩素
酸〔ＨＣＩ０４〕 との混合溶液などの薬品によるウニ
ツトケミカルエツチングが適要されている。ところが、
このウェットケミカルエッチングによりパターン形成を
行つた場合、エッチングされたパターンの画質が非常に
悪く、しかも微細なパターンの形成が困難であるため、
最近ではこれらの欠点を除去したガスプラズマまたは反
応性スパッタを利用したドライエッチング法が開発され
実用化されている。しカルて、これらのドライエッチン
グ法は、主に塩素などのハロゲン元素と酸素または空気
とを含んだ混合ガスをグロー放電させることにより、Ｃ
ｒ＋２０＋２ＣＩ→ｃｒｏ２ｃＩ２と考えられる反応に
よつてクロムをエッチング除去するものである。
１はガラスなどの透明基板、２は透明基板１上に第１層
として形成されたクロム膜、３はこのクロム膜２上に第
２層として形成された酸化クロム膜である。ところで、
このマスクにパターンを形成するためのクロム膜２及び
酸化クロム膜３のエッチングには、硝酸第２セリウムア
ンモニウム〔Ｃｅ（ＮＨ４）３（ＮＯ３）６〕と過塩素
酸〔ＨＣＩ０４〕 との混合溶液などの薬品によるウニ
ツトケミカルエツチングが適要されている。ところが、
このウェットケミカルエッチングによりパターン形成を
行つた場合、エッチングされたパターンの画質が非常に
悪く、しかも微細なパターンの形成が困難であるため、
最近ではこれらの欠点を除去したガスプラズマまたは反
応性スパッタを利用したドライエッチング法が開発され
実用化されている。しカルて、これらのドライエッチン
グ法は、主に塩素などのハロゲン元素と酸素または空気
とを含んだ混合ガスをグロー放電させることにより、Ｃ
ｒ＋２０＋２ＣＩ→ｃｒｏ２ｃＩ２と考えられる反応に
よつてクロムをエッチング除去するものである。
この様にドライエッチング法によりマスクにパターンを
形成した状態を第２図番ど示す。
形成した状態を第２図番ど示す。
これは、先ず第１図に示した様な、透明基板１上にクロ
ム膜２及び酸化クロム膜３の二層を形成したマスクを用
意する。次に、このマスク上にフォトレジストを塗布し
、これに所望のパターンを設けクロム蝕刻用のマスク４
を形成する。その後、蝕刻用マスク４に覆われていない
部分のクロム膜２及び酸化クロム膜３をドライエツチン
グ法によりエツチング除去し、パターンが形成される。
ところが、従来のマスクではエツチングの段階において
、フオトマスクのパターンのネガとポジとを反転するこ
とはできなかつた。
ム膜２及び酸化クロム膜３の二層を形成したマスクを用
意する。次に、このマスク上にフォトレジストを塗布し
、これに所望のパターンを設けクロム蝕刻用のマスク４
を形成する。その後、蝕刻用マスク４に覆われていない
部分のクロム膜２及び酸化クロム膜３をドライエツチン
グ法によりエツチング除去し、パターンが形成される。
ところが、従来のマスクではエツチングの段階において
、フオトマスクのパターンのネガとポジとを反転するこ
とはできなかつた。
具体的には、このマスクではフオトレジストにより形成
された蝕刻用マスク４直下の部分のクロム膜２及び酸化
クロム膜３をエツチング除去し、蝕刻用マスク４直下以
外のクロム膜２及び酸化クロム膜３を残存させることは
できなかつた。
された蝕刻用マスク４直下の部分のクロム膜２及び酸化
クロム膜３をエツチング除去し、蝕刻用マスク４直下以
外のクロム膜２及び酸化クロム膜３を残存させることは
できなかつた。
すなわち、従来のマスクは、透明基板１上に第１層とし
てクロム膜２、第２層として酸化クロム膜３を形成した
ものであるため、このクロムプレート上にフオトレジス
ト、例えばＡＺｌ３５Ｏ（米国のシツプレ一社商品名）
により蝕刻用マスク４を形成し、これを高周波出力１６
０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）、ガス圧０．３Ｔ０ｒｒ（ガ
ス組成：ＣＣＩ４：空気＝１：９）の条件によりガスプ
ラズマエツチングした場合、第２図に示した如く、蝕刻
用マスク４に覆われていない部分のクロム膜２及び酸化
クロム膜３がエツチング除去されることになる。
てクロム膜２、第２層として酸化クロム膜３を形成した
ものであるため、このクロムプレート上にフオトレジス
ト、例えばＡＺｌ３５Ｏ（米国のシツプレ一社商品名）
により蝕刻用マスク４を形成し、これを高周波出力１６
０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）、ガス圧０．３Ｔ０ｒｒ（ガ
ス組成：ＣＣＩ４：空気＝１：９）の条件によりガスプ
ラズマエツチングした場合、第２図に示した如く、蝕刻
用マスク４に覆われていない部分のクロム膜２及び酸化
クロム膜３がエツチング除去されることになる。
この発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、ドラ
イエツチングを行なう段階においてフオトマスクのパタ
ーンのネガとポジとが反転された反転マスクの製造方法
を提供することを目的とする。
イエツチングを行なう段階においてフオトマスクのパタ
ーンのネガとポジとが反転された反転マスクの製造方法
を提供することを目的とする。
以下第３図から第４図に基づいてこの発明を詳述する。
図中、第１図と同一または相当部分には同一符号を付し
た。
た。
第３図において、１はガラスなどの透明基板、２は透明
基板１上に第１層として形成したクロム膜、５は高融点
金属、例えばタングステンを含む酸化クロム膜であり、
クロム膜２上に形成されている。
基板１上に第１層として形成したクロム膜、５は高融点
金属、例えばタングステンを含む酸化クロム膜であり、
クロム膜２上に形成されている。
この第３図に示した実施例のマスクは、タングステンを
含む酸化クロム膜５を有しているため、従来のマスクと
ほぼ同様に、フオトレジストにより蝕刻用マスク４を形
成し、これを高周波出力３００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）
、ガス圧０．３５Ｔ０ｒｒ（ガス組成：ＣＣＩ４：空気
＝１：９）の条件によりガスプラズマエツチングした場
合先ず第４図ａに示す様に、蝕刻用マスク４の輪郭がエ
ツチングされる中間段階を経て、最終的には第４図ｂに
示す様に、従来のマスクとは逆にネガとポジとが反転し
て、蝕刻用マスク４直下のクロム膜２及びタングステン
を含む酸化クロム膜５がエツチング除去され、蝕刻用マ
スク４に覆われていない表面の露出した部分のクロム膜
２及びタングステンを含む酸化クロム膜５が残存するこ
とになる。
含む酸化クロム膜５を有しているため、従来のマスクと
ほぼ同様に、フオトレジストにより蝕刻用マスク４を形
成し、これを高周波出力３００Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）
、ガス圧０．３５Ｔ０ｒｒ（ガス組成：ＣＣＩ４：空気
＝１：９）の条件によりガスプラズマエツチングした場
合先ず第４図ａに示す様に、蝕刻用マスク４の輪郭がエ
ツチングされる中間段階を経て、最終的には第４図ｂに
示す様に、従来のマスクとは逆にネガとポジとが反転し
て、蝕刻用マスク４直下のクロム膜２及びタングステン
を含む酸化クロム膜５がエツチング除去され、蝕刻用マ
スク４に覆われていない表面の露出した部分のクロム膜
２及びタングステンを含む酸化クロム膜５が残存するこ
とになる。
この理由としては、フオトレジストにより蝕刻用マスク
４が形成された部分では、ガスプラズマエツチングを行
なつた際には、フオトレジストが分解し、この分解生成
物中の還元性物質、例えば（Ｈ，ＣＯ）などが触媒作用
を示し、ＷＯＣＩ４のような揮発性物質（沸点２２８℃
）などを生成するため、酸化タロム膜５及びクロム膜２
のエツチングが進行するものと考えられる。
４が形成された部分では、ガスプラズマエツチングを行
なつた際には、フオトレジストが分解し、この分解生成
物中の還元性物質、例えば（Ｈ，ＣＯ）などが触媒作用
を示し、ＷＯＣＩ４のような揮発性物質（沸点２２８℃
）などを生成するため、酸化タロム膜５及びクロム膜２
のエツチングが進行するものと考えられる。
一方、蝕刻用マスク４に覆われていない部分では、タン
グステンを含んだ酸化クロム膜５において、のような反
応が起り、酸化クロム膜５の表面に不揮発性化合物が生
成されるため、この物質がガスプラズマエツチングを阻
害しているため、このような効果が得られる。
グステンを含んだ酸化クロム膜５において、のような反
応が起り、酸化クロム膜５の表面に不揮発性化合物が生
成されるため、この物質がガスプラズマエツチングを阻
害しているため、このような効果が得られる。
なお、この実施例では酸化クロム膜中にタングステンを
含んだものを示したが、この発明はこれに限られず、モ
リブデンなどの高融点金属を含んだ酸化クロム膜５を有
するマスクであれば同様の効果が得られる。
含んだものを示したが、この発明はこれに限られず、モ
リブデンなどの高融点金属を含んだ酸化クロム膜５を有
するマスクであれば同様の効果が得られる。
また、酸化クロム膜を有せず、クロム膜２のみによるマ
スクにおいても、このクロム膜２中に高融点金属を含有
させてあれば同様の効果がある。
スクにおいても、このクロム膜２中に高融点金属を含有
させてあれば同様の効果がある。
以上の様に、この発明によれば、マスクとして透明な基
板表面にタングステンなどの高融点金属を含んだクロム
膜または酸化クロム膜を被着形成したものを使用してい
るから、ドライエツチングを行なう段階においてフオト
マスクのパターンのネガとポジとを容易に、しかも確実
に反転できる効果がある。
板表面にタングステンなどの高融点金属を含んだクロム
膜または酸化クロム膜を被着形成したものを使用してい
るから、ドライエツチングを行なう段階においてフオト
マスクのパターンのネガとポジとを容易に、しかも確実
に反転できる効果がある。
第１図は従来例において使用されるマスクの一例を示す
断面図、第２図はそのマスクをプラズマエツチングし、
パターンを形成した状態を示す断面図、第３図はこの発
明において使用されるマスク一例を示す断面図、第４図
Ａ，ｂはそのマスクをプラズマエツチングし、パターン
を形成する工程を説明するための断面図を示す。 なお、図中同一符号は同一部分または相当部分を示す。
１・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・クロム膜、
３・・・・・・酸化クロム膜、４・・・・・・フオトレ
ジスト、５・・・・・・高融点金属を含む酸化クロム膜
。
断面図、第２図はそのマスクをプラズマエツチングし、
パターンを形成した状態を示す断面図、第３図はこの発
明において使用されるマスク一例を示す断面図、第４図
Ａ，ｂはそのマスクをプラズマエツチングし、パターン
を形成する工程を説明するための断面図を示す。 なお、図中同一符号は同一部分または相当部分を示す。
１・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・クロム膜、
３・・・・・・酸化クロム膜、４・・・・・・フオトレ
ジスト、５・・・・・・高融点金属を含む酸化クロム膜
。
Claims (1)
- １ タングステンまたはモリブデンを含有させたクロム
膜又は酸化クロム膜を透明基板上に成形した後、フォト
レジストを選択的に塗布し、ガスプラズマあるいは反応
性スパッタによりフォトレジストでおおわれたクロム膜
又は酸化クロム膜をドライエッチングすることを特徴と
する反転マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52128280A JPS5931975B2 (ja) | 1977-10-25 | 1977-10-25 | 反転マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52128280A JPS5931975B2 (ja) | 1977-10-25 | 1977-10-25 | 反転マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5461478A JPS5461478A (en) | 1979-05-17 |
| JPS5931975B2 true JPS5931975B2 (ja) | 1984-08-06 |
Family
ID=14980911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52128280A Expired JPS5931975B2 (ja) | 1977-10-25 | 1977-10-25 | 反転マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931975B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186337A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for fine pattern |
| JPS5950528A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細パタ−ン形成法 |
| JPS5999738A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59141227A (ja) * | 1983-02-01 | 1984-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPH0695502B2 (ja) * | 1984-05-10 | 1994-11-24 | 三菱電機株式会社 | ドライエッチングによるパターンの形成方法 |
-
1977
- 1977-10-25 JP JP52128280A patent/JPS5931975B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5461478A (en) | 1979-05-17 |
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