JPS61173249A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS61173249A JPS61173249A JP60013832A JP1383285A JPS61173249A JP S61173249 A JPS61173249 A JP S61173249A JP 60013832 A JP60013832 A JP 60013832A JP 1383285 A JP1383285 A JP 1383285A JP S61173249 A JPS61173249 A JP S61173249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- sapphire
- single crystal
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造に用いるフォトマスクに関し
、その材料の改良に関するものである。
、その材料の改良に関するものである。
従来、半導体装置の製造に用いるフォトマスクとして、
第２図及び第３図に示すものがあった。
第２図及び第３図に示すものがあった。
図において、■は石英等の透明ガラス基板である。
２はクロム（Ｃｒ）等の金属膜で、蒸着又はスパッタ法
により約１０００人程度形成されている。また第３図に
おいて、３は、低反射用マスクに用いられる約２００人
程度の酸化クロム層である。
により約１０００人程度形成されている。また第３図に
おいて、３は、低反射用マスクに用いられる約２００人
程度の酸化クロム層である。
上記に示した基板に、電子ビーム（ＥｌｅｃｔｒｏｎＢ
ｅａ→用又は光用レジストを塗布し、所望のパターンを
形成し、エツチングして半導体製造に用いられるフォト
マスクを製造する。
ｅａ→用又は光用レジストを塗布し、所望のパターンを
形成し、エツチングして半導体製造に用いられるフォト
マスクを製造する。
半導体装置の製造に用いられるかかるマスクとしては、
初期においてはガラス基板を用いた写真乳剤乾板を利用
していたが、高集積化、微細化が進むにつれて現在では
ガラス基板上にＣｒ等の金属薄膜によるハードマスクを
形成したものが広く使用されている。・二のようなＣｒ
等の金属膜としては、蒸着又はスパッタ法により形成し
た約６００〜８００人の厚さのものを用いている。半導
体装置用フォトマスクは、上記金属膜上にＥＢ用又は光
用レジストを塗布した基板上に、ＥＢ又は光によりパタ
ーンを描画した後、現像、エツチング等の工程を経てつ
くられる。エツチングは金属膜がＣｒの場合、ウェット
法では硝酸第２セリウムアンモンと過塩素酸で行ない、
ドライ法でば四塩化炭素（ＣＣ／！４）と酸素（ｏ２）
の混合ガスで行なう。半導体装置、特にＶＬＳ Ｔ等高
築積、微細パターンを有するデバイス用マスクの製造で
はドライエツチング法が有利である。Ｃｒの場合、その
エツチング速度は０．２Ｔｏｒｒ 、 ３００ Ｗの
ドライエツチング条件で、約１００人／分であり、８０
０人の膜厚のＣｒパターンを形成するのに８分要するこ
とになる。
初期においてはガラス基板を用いた写真乳剤乾板を利用
していたが、高集積化、微細化が進むにつれて現在では
ガラス基板上にＣｒ等の金属薄膜によるハードマスクを
形成したものが広く使用されている。・二のようなＣｒ
等の金属膜としては、蒸着又はスパッタ法により形成し
た約６００〜８００人の厚さのものを用いている。半導
体装置用フォトマスクは、上記金属膜上にＥＢ用又は光
用レジストを塗布した基板上に、ＥＢ又は光によりパタ
ーンを描画した後、現像、エツチング等の工程を経てつ
くられる。エツチングは金属膜がＣｒの場合、ウェット
法では硝酸第２セリウムアンモンと過塩素酸で行ない、
ドライ法でば四塩化炭素（ＣＣ／！４）と酸素（ｏ２）
の混合ガスで行なう。半導体装置、特にＶＬＳ Ｔ等高
築積、微細パターンを有するデバイス用マスクの製造で
はドライエツチング法が有利である。Ｃｒの場合、その
エツチング速度は０．２Ｔｏｒｒ 、 ３００ Ｗの
ドライエツチング条件で、約１００人／分であり、８０
０人の膜厚のＣｒパターンを形成するのに８分要するこ
とになる。
従来のハードマスク、例えばＣｒマスクでは微細化に伴
うドライエツチングに対して、エツチング速度が約１．
ＯＯ人／分程度であり、前記したように１枚のＣｒマ
スクに要する時間は、Ｃｒの膜厚が８００人では８分で
あり、量産に適していない。エツチング速度を上げるた
めにエツチングのパワーを上げても良いが、レジストと
の選択比の低下、基板石英ガラスへのダメージ等の問題
が発生するという欠点があった。
うドライエツチングに対して、エツチング速度が約１．
ＯＯ人／分程度であり、前記したように１枚のＣｒマ
スクに要する時間は、Ｃｒの膜厚が８００人では８分で
あり、量産に適していない。エツチング速度を上げるた
めにエツチングのパワーを上げても良いが、レジストと
の選択比の低下、基板石英ガラスへのダメージ等の問題
が発生するという欠点があった。
本発明は上記のような従来の欠点を除去するためになさ
れたもので、短時間でドライエツチングが可能で、かつ
基板へのダメージが少ない量産性に富んだフォトマスク
を提供することを目的としている。
れたもので、短時間でドライエツチングが可能で、かつ
基板へのダメージが少ない量産性に富んだフォトマスク
を提供することを目的としている。
この発明に係るフォトマスクは、単結晶透明基板５例え
ばサファイヤ基板上に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の金属をシリ
サイド化した金属シリサイド膜をスパッタ法で形成する
ようにしたものである。
ばサファイヤ基板上に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の金属をシリ
サイド化した金属シリサイド膜をスパッタ法で形成する
ようにしたものである。
この発明においては、単結晶透明基板２例えばサファイ
ヤ基板上に、Ｔｉ ＋ Ｍ ｏ ＋ Ｗ等の金属をシリ
サイド化した金属シリサイド膜をスパッタ法で形成する
ようにしたから、短時間でドライエツチングが可能で、
かつ基板へのダメージが少ない量産性に富んだフォトマ
スクが得られる。
ヤ基板上に、Ｔｉ ＋ Ｍ ｏ ＋ Ｗ等の金属をシリ
サイド化した金属シリサイド膜をスパッタ法で形成する
ようにしたから、短時間でドライエツチングが可能で、
かつ基板へのダメージが少ない量産性に富んだフォトマ
スクが得られる。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、４はサファイヤ等の単結晶透明基板で
ある。５はスパッタ法等で約１０００人程度形成した、
チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）。
ある。５はスパッタ法等で約１０００人程度形成した、
チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）。
タングステン（Ｗ）等の金属をシリサイド化した金属シ
リサイド膜である。この金属シリサイド膜５を形成する
際のターゲットとしては、金属とシリコンのターゲット
を別々に用いる場合と、金属とシリコンの両成分を含む
ターゲットを用いる場合とがある。
リサイド膜である。この金属シリサイド膜５を形成する
際のターゲットとしては、金属とシリコンのターゲット
を別々に用いる場合と、金属とシリコンの両成分を含む
ターゲットを用いる場合とがある。
マスクの基板に用いる単結晶基板、例えばサファイヤは
、硬度（モース硬度）が９で石英の７に比べて大きく、
傷等によるマスクの不良率は小さい。また、融点は２０
５３℃と高く、ベーキングによる熱的破損はない。光の
透過率は波長２０００人の紫外線から長波長領域にかけ
て９０％以上有り、通常の紫外露光も遠紫外露光も可能
である。
、硬度（モース硬度）が９で石英の７に比べて大きく、
傷等によるマスクの不良率は小さい。また、融点は２０
５３℃と高く、ベーキングによる熱的破損はない。光の
透過率は波長２０００人の紫外線から長波長領域にかけ
て９０％以上有り、通常の紫外露光も遠紫外露光も可能
である。
上記基板上にＴｉ、Ｍｏ、Ｗ等をシリサイド化７ した
金属シリサイド膜５を約１０００人スパッタ法で形成し
た膜は、例えばＭｏシリサイドの場合、ＣＦ４＋０２（
２％）の混合ガスプラズマで、０．２Ｔｏｒｒ 、
３００Ｗの条件で、約５００〜１０００人／分のエツチ
ング速度が得られる。こればＣｒのドライエツチングの
エツチング速度の５倍以上であり、エツチングによるス
ループット時間は大きく改善されることになる。
金属シリサイド膜５を約１０００人スパッタ法で形成し
た膜は、例えばＭｏシリサイドの場合、ＣＦ４＋０２（
２％）の混合ガスプラズマで、０．２Ｔｏｒｒ 、
３００Ｗの条件で、約５００〜１０００人／分のエツチ
ング速度が得られる。こればＣｒのドライエツチングの
エツチング速度の５倍以上であり、エツチングによるス
ループット時間は大きく改善されることになる。
また、ドライエツチングの場合、サファイアは石英に比
べて、イオンあるいはプラズマによる基板へのダメージ
が少ないという利点もある。これはサファイアは単結晶
であるため原子間力が強く、エツチングによる反応速度
が小さいためである。
べて、イオンあるいはプラズマによる基板へのダメージ
が少ないという利点もある。これはサファイアは単結晶
であるため原子間力が強く、エツチングによる反応速度
が小さいためである。
以上のように、本発明によれば、サファイヤ等の単結晶
透明基板上に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の金属をシリサイド化
した金属シリサイド膜を形成してフォトマスクを得るよ
うにしたので、ドライエツチングが容易で、エツチング
速度が速くて量産性に富み、かつ基板へのダメージが少
ない、高信頼性のフォトマスクが得られる効果がある。
透明基板上に、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の金属をシリサイド化
した金属シリサイド膜を形成してフォトマスクを得るよ
うにしたので、ドライエツチングが容易で、エツチング
速度が速くて量産性に富み、かつ基板へのダメージが少
ない、高信頼性のフォトマスクが得られる効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるフォトマスクを示す断
面図、第２図及び第３図は従来のフォトマスクを示す断
面図である。 図中、１は石英基板、２はＣｒ等の金属膜、３は酸化Ｃ
ｒ等の低反射膜、４はサファイヤ等の単結晶基板、５は
Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の金属をシリサイド化した金属シリサ
イド膜である。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
面図、第２図及び第３図は従来のフォトマスクを示す断
面図である。 図中、１は石英基板、２はＣｒ等の金属膜、３は酸化Ｃ
ｒ等の低反射膜、４はサファイヤ等の単結晶基板、５は
Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の金属をシリサイド化した金属シリサ
イド膜である。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）結晶性透明基板上にチタン、モリブデン、タング
ステン等の金属をシリサイド化した金属シリサイド膜を
形成してなることを特徴とするフォトマスク。 - （２）上記結晶性透明基板は単結晶サファイヤであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォトマス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60013832A JPS61173249A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60013832A JPS61173249A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61173249A true JPS61173249A (ja) | 1986-08-04 |
Family
ID=11844241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60013832A Pending JPS61173249A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61173249A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157247A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-28 | Nec Corp | Optical exposure mask |
| JPS6111749A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Toppan Printing Co Ltd | フオトマスクブランク |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP60013832A patent/JPS61173249A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157247A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-28 | Nec Corp | Optical exposure mask |
| JPS6111749A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Toppan Printing Co Ltd | フオトマスクブランク |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4722878A (en) | Photomask material | |
| EP0020776B1 (en) | Method of forming patterns | |
| JP3286103B2 (ja) | 露光用マスクの製造方法及び製造装置 | |
| US4876164A (en) | Process for manufacturing a photomask | |
| JPH0476101B2 (ja) | ||
| SG194284A1 (en) | Photomask blank and manufacturing method thereof | |
| JPS5851412B2 (ja) | 半導体装置の微細加工方法 | |
| US4717625A (en) | Photomask material | |
| JPH0434144B2 (ja) | ||
| TWI828864B (zh) | 光罩基底、光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 | |
| JP2002072443A (ja) | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスクの製造方法 | |
| JPS6252550A (ja) | フオトマスク材料 | |
| JPS61273546A (ja) | 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 | |
| JPS63214755A (ja) | フオトマスク | |
| JPS61173249A (ja) | フオトマスク | |
| JP4641086B2 (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクとその製造方法 | |
| JPH0463349A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JPH0616170B2 (ja) | フオトマスクブランクとフオトマスク | |
| JPH04125643A (ja) | フォトマスクおよびフォトマスクブランク | |
| KR20070100572A (ko) | 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크와 하프톤형위상반전마스크 및 그의 제조방법 | |
| JPH0366656B2 (ja) | ||
| JPS6024933B2 (ja) | 電子線感応性無機レジスト | |
| JPS61198156A (ja) | 改良されたフオトマスクブランク | |
| US7014958B2 (en) | Method for dry etching photomask material | |
| JPS63202748A (ja) | フオトマスク材料 |