JPS6111749A - フオトマスクブランク - Google Patents
フオトマスクブランクInfo
- Publication number
- JPS6111749A JPS6111749A JP59132350A JP13235084A JPS6111749A JP S6111749 A JPS6111749 A JP S6111749A JP 59132350 A JP59132350 A JP 59132350A JP 13235084 A JP13235084 A JP 13235084A JP S6111749 A JPS6111749 A JP S6111749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metallic
- light
- amorphous silicon
- substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、遮光性金属膜の下に導電層を有するフォトマ
スクブランクに関する。
スクブランクに関する。
ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置の製造を始めとして、種々
の広範な用途に用いられているフォトマスクは、通常、
ガラス基板上にクロムや酸化クロム等からなる遮光性マ
スクパターンが形成されてなるものである。しがし、こ
のようなフォトマスクン用いてウェハーにパターンを密
着露光する場合、フォトマスクのガラス基板が電気絶縁
性のため、発生する静電気によってマスクパターンが破
壊されるという手放が起こっていた。これは、ウェハー
との密着の際に発生した静電荷が、基板か絶縁体である
ため逃けることができす、導電体であるマスクパターン
の放電し易い部分でスパーク放電するためと考えられる
。このことを防止するため、基板表面を導電性とするこ
とが考えられるが、そのために基板に被着する材料とし
て、透明で、導電性を有し、マスクパターン形成の際に
除去されないよう酸やアルカリに対する耐食性を有し、
かつマスクツ臂ターン！構成する材料との密右性の良好
な材料を見出すことは非常に困難であった。
の広範な用途に用いられているフォトマスクは、通常、
ガラス基板上にクロムや酸化クロム等からなる遮光性マ
スクパターンが形成されてなるものである。しがし、こ
のようなフォトマスクン用いてウェハーにパターンを密
着露光する場合、フォトマスクのガラス基板が電気絶縁
性のため、発生する静電気によってマスクパターンが破
壊されるという手放が起こっていた。これは、ウェハー
との密着の際に発生した静電荷が、基板か絶縁体である
ため逃けることができす、導電体であるマスクパターン
の放電し易い部分でスパーク放電するためと考えられる
。このことを防止するため、基板表面を導電性とするこ
とが考えられるが、そのために基板に被着する材料とし
て、透明で、導電性を有し、マスクパターン形成の際に
除去されないよう酸やアルカリに対する耐食性を有し、
かつマスクツ臂ターン！構成する材料との密右性の良好
な材料を見出すことは非常に困難であった。
本発明は、このような事情の下になされたものであって
、クエハーとの密着露光を行なう際にマスクパターンの
静竜破緘ヲ生ずることのないフォトマスクのためのフォ
トマスクプランクン提供することを目的とする。
、クエハーとの密着露光を行なう際にマスクパターンの
静竜破緘ヲ生ずることのないフォトマスクのためのフォ
トマスクプランクン提供することを目的とする。
即ち、本発明のフォトマスクブランクは、光透過性基板
と、この基板上に形成されたアモルファスシリコン族と
、このアモルファスシリコン膜上に形成された金属シリ
サイドからなる導電層と、この金属シリサイドｌ曽上に
形成された遮光性金属膜とからなることを特徴とする。
と、この基板上に形成されたアモルファスシリコン族と
、このアモルファスシリコン膜上に形成された金属シリ
サイドからなる導電層と、この金属シリサイドｌ曽上に
形成された遮光性金属膜とからなることを特徴とする。
本発明のフォトマスクブランクにおける遮光性金属膜は
、Ｃｒ 、 Ｗ、 Ｉ’Ｌｉ又はＭｏからなるのが好ま
しく、金属シリサイド融はこれら金属のシリサイドから
なるのがよい。
、Ｃｒ 、 Ｗ、 Ｉ’Ｌｉ又はＭｏからなるのが好ま
しく、金属シリサイド融はこれら金属のシリサイドから
なるのがよい。
アモルファスシリコン膜および金属シリサイド膜の膜厚
はそれぞれ５０〜５００Ｘ、５０〜１５０Ｘが好ましい
。
はそれぞれ５０〜５００Ｘ、５０〜１５０Ｘが好ましい
。
次に、本発明のフォトマスクブランクの製造方法につい
て説明する。
て説明する。
ます、光透過性基板例えばガクス基板上にアモルファス
シリコンを被着する。被着方法とし′ては、スパッタ法
、ＣＶＤ法、真空蒸看等がある。
シリコンを被着する。被着方法とし′ては、スパッタ法
、ＣＶＤ法、真空蒸看等がある。
次に、アモルファスシリコン膜上に遮光性金属例えはＣ
ｒをスパッタ法等により形成する。このＣｒ膜の上に更
にＣｒＯ膜を形成することも一可能である。
ｒをスパッタ法等により形成する。このＣｒ膜の上に更
にＣｒＯ膜を形成することも一可能である。
その後、２００〜３’ ００ Ｃで３０分程度の熱処理
を施すと、アモルファスシリコン膜とクロム膜とが反応
して導電性を有するクロムシリサイドが形成され、遮光
性金属膜の下に導′屯性膜ビ有するフォトマスクブラン
クか得られる。
を施すと、アモルファスシリコン膜とクロム膜とが反応
して導電性を有するクロムシリサイドが形成され、遮光
性金属膜の下に導′屯性膜ビ有するフォトマスクブラン
クか得られる。
以上説明した本発明のフォトマスクブランクにおいては
、 遮光性金属膜の下地として金属シリサイド層がを有し、
かつＨＦ水溶液以外の殆んどの酸やアルカリに鵜食され
ないという優れた耐食性を有している。従って、本発明
のフォトマスクブランクから得たフォトマスクによると
、クエハーとの密着露光の隙発圧した静電気が導電性の
金輪シリサイド膜を通って逃けるため、マスクパターン
の静電破壊か生ずることかない。また、マスクパターン
形成のためのエツチングの除にも、下地の金属シリサイ
ド膜かエツチング液に侵されることもない。
、 遮光性金属膜の下地として金属シリサイド層がを有し、
かつＨＦ水溶液以外の殆んどの酸やアルカリに鵜食され
ないという優れた耐食性を有している。従って、本発明
のフォトマスクブランクから得たフォトマスクによると
、クエハーとの密着露光の隙発圧した静電気が導電性の
金輪シリサイド膜を通って逃けるため、マスクパターン
の静電破壊か生ずることかない。また、マスクパターン
形成のためのエツチングの除にも、下地の金属シリサイ
ド膜かエツチング液に侵されることもない。
以下に、本発明のフォトマスクブランクの製造に係る実
施例を示す。
施例を示す。
実施例
フォトマスク用ソーダライムガラスからなる基板１（第
１図）を通常のクロム混ＭＹ用いた洗浄工程で洗浄し、
次いでクリーンオーブン中で１００Ｃで３０分間乾燥し
た。この基板をＲＦマグネトロンスパッタ装置にセット
して、以下の条件で基板上にアモルファスシリコン２を
２００１の岸さにスパッタした（第２図）。
１図）を通常のクロム混ＭＹ用いた洗浄工程で洗浄し、
次いでクリーンオーブン中で１００Ｃで３０分間乾燥し
た。この基板をＲＦマグネトロンスパッタ装置にセット
して、以下の条件で基板上にアモルファスシリコン２を
２００１の岸さにスパッタした（第２図）。
残貿ガス圧力 ＜４Ｘ１０ Ｔｏｒｒ基板温度
２００Ｃ ガス圧力 ］ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒガス
アルゴン（純反５Ｎ）放電電力密度
Ｉ Ｗ ／ ｃｍ ２ターｒツト シリコン（金
属グレード）次に、第３図に示すように、形成されたア
モルファスシリコン膜２上にＣｒ３およびＣｒＯ４を順
次スパッタした。膜厚はそれぞれ１００ＯＸ１００Ｘで
ある。このようにアモルファスシリコン膜２、Ｃｒ膜３
およびＣｒＯ膜４がそれぞれ被肴された基板１を、Ｎ２
を流しつつクリーンオープン中で２００Ｃで３０分間、
熱処理を行なった。その結果、アモルファスシリコン膜
２とＣｒ膜Ｓとの界面において両省が反応し、第４図に
示すように、（約１００ ））、の厚さのクロムシリサ
イド層５が形成された。
２００Ｃ ガス圧力 ］ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒガス
アルゴン（純反５Ｎ）放電電力密度
Ｉ Ｗ ／ ｃｍ ２ターｒツト シリコン（金
属グレード）次に、第３図に示すように、形成されたア
モルファスシリコン膜２上にＣｒ３およびＣｒＯ４を順
次スパッタした。膜厚はそれぞれ１００ＯＸ１００Ｘで
ある。このようにアモルファスシリコン膜２、Ｃｒ膜３
およびＣｒＯ膜４がそれぞれ被肴された基板１を、Ｎ２
を流しつつクリーンオープン中で２００Ｃで３０分間、
熱処理を行なった。その結果、アモルファスシリコン膜
２とＣｒ膜Ｓとの界面において両省が反応し、第４図に
示すように、（約１００ ））、の厚さのクロムシリサ
イド層５が形成された。
以上のようにして作製したフォトマスクブランクについ
て、通常のフォトエッチングエ捏によりＣｒ層３および
Ｃｒ０層４Ｚパターニングしてフォトマスクを作製した
ところ、アモルファスシリコン膜２およびフロムシリサ
イド層５が存在しない通常のフォトマスクブランクと作
製上の差異は認められなかった。また、アモルフアスシ
リコン膜２およびクロムシリサイド層５ば殆んど透明で
あり、フォトマスクとしての使用は十分可能であった。
て、通常のフォトエッチングエ捏によりＣｒ層３および
Ｃｒ０層４Ｚパターニングしてフォトマスクを作製した
ところ、アモルファスシリコン膜２およびフロムシリサ
イド層５が存在しない通常のフォトマスクブランクと作
製上の差異は認められなかった。また、アモルフアスシ
リコン膜２およびクロムシリサイド層５ば殆んど透明で
あり、フォトマスクとしての使用は十分可能であった。
更に、クロムシリサイドＩｆｌ ５の表面のシート抵抗
は約１０４０’ ／ ｃｍ”であり、密看露先の際のマ
ヌクノぐターンの静電破壊は生じなかった。
は約１０４０’ ／ ｃｍ”であり、密看露先の際のマ
ヌクノぐターンの静電破壊は生じなかった。
第１図〜第４図は、本発明のフォトマスクブランクの製
造工程ン示す断面囚である。
造工程ン示す断面囚である。
Claims (2)
- （１）光透過性基板と、この基板上に形成されたアモル
ファスシリコン膜と、このアモルファスシリコン膜上に
形成された金属シリサイドからなる導電層と、この金属
シリサイド層上に形成された遮光性金属膜とからなるフ
ォトマスクブランク。 - （２）前記遮光性金属膜はＣｒ、Ｗ、ＮｉおよびＭｏか
らなる群から選択された金属からなり、前記導電層は、
Ｃｒ、Ｗ、ＮｉおよびＭｏからなる群から選択された金
属のシリサイドからなる特許請求の範囲第１項記載のフ
ォトマスクブランク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132350A JPS6111749A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | フオトマスクブランク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59132350A JPS6111749A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | フオトマスクブランク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6111749A true JPS6111749A (ja) | 1986-01-20 |
Family
ID=15079298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59132350A Pending JPS6111749A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | フオトマスクブランク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6111749A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195356A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクブランク |
| JPS61173249A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク |
| JPH0418557A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-22 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにフォトマスクの製造方法 |
| CN1092842C (zh) * | 1996-01-09 | 2002-10-16 | 冲电气工业株式会社 | 制备有缺陷集成电路平面图样品和测量其中疵点的方法 |
| JP2009115957A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Hoya Corp | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| JP2010186159A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-08-26 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
| JP2020016845A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | アルバック成膜株式会社 | フォトマスクおよびその製造方法 |
-
1984
- 1984-06-27 JP JP59132350A patent/JPS6111749A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195356A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-14 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクブランク |
| JPH0476101B2 (ja) * | 1984-10-16 | 1992-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS61173249A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク |
| JPH0418557A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-22 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにフォトマスクの製造方法 |
| CN1092842C (zh) * | 1996-01-09 | 2002-10-16 | 冲电气工业株式会社 | 制备有缺陷集成电路平面图样品和测量其中疵点的方法 |
| JP2009115957A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Hoya Corp | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| JP2010186159A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-08-26 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
| JP2020016845A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | アルバック成膜株式会社 | フォトマスクおよびその製造方法 |
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