JPS6195356A - フオトマスクブランク - Google Patents

フオトマスクブランク

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JPS6195356A
JPS6195356A JP59217838A JP21783884A JPS6195356A JP S6195356 A JPS6195356 A JP S6195356A JP 59217838 A JP59217838 A JP 59217838A JP 21783884 A JP21783884 A JP 21783884A JP S6195356 A JPS6195356 A JP S6195356A
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JP
Japan
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film
substrate
transparent substrate
photomask material
etching
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JP59217838A
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Yaichiro Watakabe
渡壁　弥一郎
Hiroaki Morimoto
森本　博明
Tatsuro Okamoto
岡本　龍郎
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/46—Antireflective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体装置の製造に使用するフォトマスク材
料に関するもので°ある。
［従来の技術］ 半導体装置の製造に使用するマスクは、初期においては
ガラス基板を用いた写真乳剤乾板を利用していたが、高
集積化、微細化が進むにつれて、現在では透明ガラス基
板上にクロム（Ｃｒ　）などの金属薄膜が形成されたハ
ードマスクが広く使用されている。
第２図は、従来のフォトマスク材料の断面図である。図
において、石英などの透明ガラス基板１上にクロムなど
の金属膜２が形成されている。このようなＣＰなどの金
属１ＩＩ２は、透明ガラス基板１上に蒸着またはスパッ
タ法により約６００〜８００、Ａの膜厚で形成される。
半導体用フォトマスクは、金１１１ｊ１２上に７オトレ
ジストまたは電子ビーム（以下ＥＢと記す）用レジスト
を塗布した誘明ガラス基板１上に、光またはＥＢにより
パターンを描画した後、現像、エツチングなどの工程を
経て作られる。エツチングは金属膜がＣ「の場合、ウェ
ット法では硝酸第二セリウムアンチモンと過塩素酸で行
ない、ドライ法で・は４塩化炭素（ＣＣ見、）と酸素（
ｏ２）の混合ガスで行なう、半導体装置、特にＶＬＳＩ
など、高集積、微細パターンを有するデバイス用マスク
の製造では、サイドエッチ効果が少ないドライエツチン
グ法が有利である。
［発明が解決しようとする問題点］ 従来の半導体装型製造用マスクに使用されるＣｒマスク
の製造にはウェットエツチングが一般的であるが、サイ
ドエッチ効果などでｌＩ＃１．度マスクの製造が困難で
あり、またドライエツチングではＱ、ｒのエツチング速
度が約１００Ａ／１ｉｎＪＸ下であり、レジストとの選
択比も悪くフォトマスクの量産に適していなかった。ま
た、Ｃ「・の場合、Ｃｒと基板石英との接着性が悪く、
微細パターンがマスク洗浄のときに剥がれるという問題
点もあった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、ドライエツチングが容易で、かつ
透１ｍ！板との接着性が優れた信頼性の高いフォトマス
ク材料を得ることを目的とする。
■問題点を解決するための手段］ この発明にかかるフォトマスク材料は、透明基板と、上
記透明基板上に形成されるシリサイド化した金属量と、
上記金属膜上に形成される低反射膜とで構成したもので
ある。
［作用］ この発明＆−おいては、シリサイド化した金属膜および
低置ｗｓｎｔ容、Ｓ４＋ニドライエツチングができ、か
つシリサイド化した金属膜は透明基板との接着性が良い
ので、マスク洗浄のときに微細パターンが剥がれにくい
。
ｆ実施例］ 以下、この発明の一実施例を図によって説明する。第１
図は、この発゛明の一実施例であるフォトマスク材料の
断面図である６図において、石英な　　　　（゛どの透
明ガラス基板１上には、シリサイド化したモリブデン（
ＭＯ）　、タングステン（Ｗ＞などの遷移金属１１３が
ユバフタ法などで約１０００Ａ程度のｌｊ！厚で形成さ
れている。さら＆：、遭移金ａａ１３上には、酸化モリ
ブデンＣＭＯＯｚ）、ｉｌ化タングステン（ＷＯ＊）、
ａｌｌ化チタン（Ｔ１０□）の、低反射膜４が１．００
〜２０ＯＡの１１Ｊｌ［で形成されている。　　　　　
　　　。
金属シリサイドをマスク材料上して用いると、ドライエ
ツチング性の容Ｓさ１、基板石英（Ｓ＃Ｏ２，Ａｌ１ｚ
Ｏｓなど）との接着性が増すことで高品質のフォトマス
クを提供する。、ことができる。つまり−、低反射膜４
上にフォトレジストまたはＥＢレジストを４０００〜６
　＜）　、、０　、ＯＡのｍ厚で塗布した債、光または
ＥＢで透明ガラス基板１上にパターンをｉｔ、する。こ
のとき、ＥＢ描画の場合もシリサイド化した金ｊＩ設は
導電性であるためチャージアップの同順はない。また、
シリサイド化した金属膜のエツチングはドライエツチン
グ法で容易に行なうことができる。たとえば、Ｍ６シリ
サイドの場合、ＣＦ４＋Ｏ２（２％）の混合ガスを使用
し、０．２Ｔｏｒｒの真空度、３００Ｗ（７）条件で豹
１０００Ａ／Ｗｉｎ・のエツチングスピードでエツチン
グが終了する。さらに、酸化モリブデンなどの低置＠　
１ｌｉｔ若干エツチングスピードは低下するが、これら
は１００〜２００　Ａ、の薄い膜であり容易にエツチン
グができるっこ・の工・ツチングスピードは、従来、の
Ｃｒのドライエツチング性ピ・−ドに比べ約ｉｏｓにな
りフォトマスクの量産に適゛していることがわかる。ま
゛た″、シリサイニド”・化した金属膜は基板石英との
接着性が良く、フォトマスクと′　しての寿命が長ぐな
る（マスク洗浄による微細パターンの剥がれがなくなる
）という利点゛がある。
〔発明の効果］　　　　　　　。
以上のように、この発明によれば、透明基板上にシリサ
イド化した金ｇ＊を形成し、さらに上記金！１ＡＩＩ上
に低反射膜を形成したので、ドライエツチングが容易で
エツチングスピードが上がり、かつ信頼性の高いフォ・
トマスク材料を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の一実施例であるフォトマスフ材料
の断面図である。 第２図は、従来のフォトマスク材料の断面図である。 図において、１は石英などの透明ガラス基板、２はＯｒ
などの金属膜、３はシリサイド化した遷゛移金属躾、４
は金属酸化膜などの低反射膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体装置の製造に使用するフォトマスク材料で
    あって、 透明基板と、 前記透明基板上に形成されるシリサイド化した金属膜と
    、 前記金属膜上に形成される低反射膜とを備えたことを特
    徴とするフォトマスク材料。
  2. （２）前記透明基板は石英ガラス基板である特許請求の
    範囲第１項記載のフォトマスク材料。
  3. （３）前記シリサイド化した金属膜は遷移金属膜である
    特許請求の範囲第１項記載のフォトマスク材料。
  4. （４）前記低反射膜は金属酸化膜である特許請求の範囲
    第１項記載のフォトマスク材料。
JP59217838A 1984-10-16 1984-10-16 フオトマスクブランク Granted JPS6195356A (ja)

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