JPS6350018A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
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- JPS6350018A JPS6350018A JP61194226A JP19422686A JPS6350018A JP S6350018 A JPS6350018 A JP S6350018A JP 61194226 A JP61194226 A JP 61194226A JP 19422686 A JP19422686 A JP 19422686A JP S6350018 A JPS6350018 A JP S6350018A
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Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造におけるＸ線露光技術に
用いるＸ線マスクの製造方法に係り、特にそのＸ線吸収
パターンの形成方法に関するものである。
用いるＸ線マスクの製造方法に係り、特にそのＸ線吸収
パターンの形成方法に関するものである。
第２図は従来のＸ線マスクのＸ線吸収パターンの形成方
法を示すプロセスの断面図である。第２図（ａ）におい
て、１はＸ線マスク基板であり、このＸ線マスク基板１
は支持リング上に形成されたＸ線を透過しやすい薄膜ニ
ジなジ、例えば、Ｘ線を透過しやすい薄膜としてはボロ
ンナイトライド（ＢＮ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、
ポリイミド膜あるいはこれらの複合膜から形成されてい
る。
法を示すプロセスの断面図である。第２図（ａ）におい
て、１はＸ線マスク基板であり、このＸ線マスク基板１
は支持リング上に形成されたＸ線を透過しやすい薄膜ニ
ジなジ、例えば、Ｘ線を透過しやすい薄膜としてはボロ
ンナイトライド（ＢＮ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、
ポリイミド膜あるいはこれらの複合膜から形成されてい
る。
次に同図６）に示すようにこれらのマスク基板上１にＸ
線吸収層となるＴａ膜２を約１．０μｍの厚さに成膜し
、さらに同図（Ｃ）に示すようにその上に酸化膜として
５ｉ０１膜３を形成する。次に同図（ｄ）に示すように
Ｓ ｉ ０２膜３上にレジストをスピンコードし、この
レジストをＥＢ露光処理およびそれに続く現像処理によ
って所望のパターンに加工し、レジストパターン４を形
成する。次に同図（ｅ）に示すようにレジストパターン
をマスクとするエツチング処理によってＳｉｎ、膜３を
所望のパターンに加工し、ついでレジストパターン４を
除去した後、同図（ｆ）に示すように５ｉＯ１膜３をマ
スクとしてＣＢｒＦ３ガスによる反応性スパッタエツチ
ング処理を行なつてＴａ膜２を加工し、Ｔａからなる所
望のパターンのＸ線吸収体層を形成する。
線吸収層となるＴａ膜２を約１．０μｍの厚さに成膜し
、さらに同図（Ｃ）に示すようにその上に酸化膜として
５ｉ０１膜３を形成する。次に同図（ｄ）に示すように
Ｓ ｉ ０２膜３上にレジストをスピンコードし、この
レジストをＥＢ露光処理およびそれに続く現像処理によ
って所望のパターンに加工し、レジストパターン４を形
成する。次に同図（ｅ）に示すようにレジストパターン
をマスクとするエツチング処理によってＳｉｎ、膜３を
所望のパターンに加工し、ついでレジストパターン４を
除去した後、同図（ｆ）に示すように５ｉＯ１膜３をマ
スクとしてＣＢｒＦ３ガスによる反応性スパッタエツチ
ング処理を行なつてＴａ膜２を加工し、Ｔａからなる所
望のパターンのＸ線吸収体層を形成する。
従来のＸ線マスクの製造方法では、レジストパターンと
して酸化膜をエツチングするので、ドライエツチング耐
性を有するＥＢレジストが必要である。ところが、ドエ
イエッチ性を有するレジストは、ＣＭＳなどのネガレジ
ストであり、特に抜きパターンの解像性が悪く、また解
像性に優れたボジレジス）ＰＭＭＡは、ドライエッチ耐
性が悪い。
して酸化膜をエツチングするので、ドライエツチング耐
性を有するＥＢレジストが必要である。ところが、ドエ
イエッチ性を有するレジストは、ＣＭＳなどのネガレジ
ストであり、特に抜きパターンの解像性が悪く、また解
像性に優れたボジレジス）ＰＭＭＡは、ドライエッチ耐
性が悪い。
よってコンタクトホール工程に必要なサブミクロンの抜
きパターンを有するＸ線マスクの作成が困難であった。
きパターンを有するＸ線マスクの作成が困難であった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、約０．５μｍ以下の抜きパターンを容易に
形成できるＸ線マスクの製造方法を提供することを目的
とする。
れたもので、約０．５μｍ以下の抜きパターンを容易に
形成できるＸ線マスクの製造方法を提供することを目的
とする。
この発明に係るＸ線マスク形成方法は、Ｘｉ吸収層上に
メッキベースを形成し、その上にＥＢレジストヲスピン
コートし、電子線全照射し、現像処理によってレジスト
パターンを形成し、このレジストパターンをステンシル
にメッキ全行い、その後レジストとメッキベースを順次
に除去し、さらにＸ線吸収層をドライエツチング加工し
て最初のレジストパターンとは反転したＸ線吸収層のパ
ターンニングを行なってＸ線マスク全作成するものであ
る。
メッキベースを形成し、その上にＥＢレジストヲスピン
コートし、電子線全照射し、現像処理によってレジスト
パターンを形成し、このレジストパターンをステンシル
にメッキ全行い、その後レジストとメッキベースを順次
に除去し、さらにＸ線吸収層をドライエツチング加工し
て最初のレジストパターンとは反転したＸ線吸収層のパ
ターンニングを行なってＸ線マスク全作成するものであ
る。
この発明においては、メッキベース上にレジストパター
ンを形成した後、レジストパターン全ステンシルにして
メッキを行い、レジストパターンとそのレジストパター
ンの下のメッキベース全除去することによってパターン
の反転を行うようにする。
ンを形成した後、レジストパターン全ステンシルにして
メッキを行い、レジストパターンとそのレジストパター
ンの下のメッキベース全除去することによってパターン
の反転を行うようにする。
以下、この発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（ｈ）はこの発明によるＸ線マスクの製
造方法の一実施例を説明するためのプロセスの断面図で
あり、第２図と同一または相当する部分には同一符号を
付しである。まず同図Ｇ１）に示すＸ線透過性を有する
膜厚約１．０μｍのシリコン窒化膜からなるマスク基板
１上にＴａｉａ着法ま几はスパッタリング法等により、
約５ｏｏｏＸの厚さに被着してＸ線吸収層となるＴａ膜
２を形成する（第１図（ｂ））。
造方法の一実施例を説明するためのプロセスの断面図で
あり、第２図と同一または相当する部分には同一符号を
付しである。まず同図Ｇ１）に示すＸ線透過性を有する
膜厚約１．０μｍのシリコン窒化膜からなるマスク基板
１上にＴａｉａ着法ま几はスパッタリング法等により、
約５ｏｏｏＸの厚さに被着してＸ線吸収層となるＴａ膜
２を形成する（第１図（ｂ））。
次にこのＴａ膜膜上上Ａｕｉ蒸着法により約２００Ｘ厚
さに被着しメッキベース層５を形成する（第１図（Ｃ）
）。さらにこのメッキベース層５上にＣＭＳ−Ｍ２Ｓ（
東洋ソーダ製）を約５０００Ｘの膜厚にスピンコードし
、ＥＢ露光後、現像処理によってレジストパターン４を
得る（第１図（ｄ） ）。このレジストパターン４をス
テンシルにしてイオンブレーティング法によって厚さ約
２００ＯＡのＡｕ膜６を形成する（第１図（ｅ））。次
に０□プラズマでレジストパターン４を除去しく第１図
げ））、その下のメッキベース層５をアルゴンガスを用
いたスパッタエッチで除去する（第１図（ロ）））。最
後にＡｕ膜６をマスクとしてＣＦ、のりアクチイブエッ
チングに工ってＴａ膜２をエツチング加工してＴａから
なるＸ線吸収層全形成する（第１図（ｈ））。このよう
な方法に工り作成しｘｘｉマスクを用いてＳｉＫ線を用
いて露光を行なつｔ結果、良好なレジストパターンを得
ることができた。
さに被着しメッキベース層５を形成する（第１図（Ｃ）
）。さらにこのメッキベース層５上にＣＭＳ−Ｍ２Ｓ（
東洋ソーダ製）を約５０００Ｘの膜厚にスピンコードし
、ＥＢ露光後、現像処理によってレジストパターン４を
得る（第１図（ｄ） ）。このレジストパターン４をス
テンシルにしてイオンブレーティング法によって厚さ約
２００ＯＡのＡｕ膜６を形成する（第１図（ｅ））。次
に０□プラズマでレジストパターン４を除去しく第１図
げ））、その下のメッキベース層５をアルゴンガスを用
いたスパッタエッチで除去する（第１図（ロ）））。最
後にＡｕ膜６をマスクとしてＣＦ、のりアクチイブエッ
チングに工ってＴａ膜２をエツチング加工してＴａから
なるＸ線吸収層全形成する（第１図（ｈ））。このよう
な方法に工り作成しｘｘｉマスクを用いてＳｉＫ線を用
いて露光を行なつｔ結果、良好なレジストパターンを得
ることができた。
なお、上記実施例ではＸ線吸収層としてＴａ膜を用いた
場合全示し友が、Ｍｏ、Ｗなどの他の重金属音用いても
よい。また、レジストとしてネガ型しジストヲ用い几場
合を示したが、ポジ型しジストＲｇ−ｓｏｏＯＰＴｈ用
いても同様の結果が得られる。
場合全示し友が、Ｍｏ、Ｗなどの他の重金属音用いても
よい。また、レジストとしてネガ型しジストヲ用い几場
合を示したが、ポジ型しジストＲｇ−ｓｏｏＯＰＴｈ用
いても同様の結果が得られる。
〔発明の効果〕
以上の工うにこの発明によれば、レジストパターンとは
反転し′ｆｃＸ線マスク吸収層のパターンが得られるよ
うにしたので、本来抜きパターンが困難なＥＢレジスト
ヲ用いてサブミクロンのコンタクトホール形成用マスク
を容易に作成でき、また、低欠陥のマスクを作成できる
効果がある。
反転し′ｆｃＸ線マスク吸収層のパターンが得られるよ
うにしたので、本来抜きパターンが困難なＥＢレジスト
ヲ用いてサブミクロンのコンタクトホール形成用マスク
を容易に作成でき、また、低欠陥のマスクを作成できる
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるＸ線マスクの製造方
法全示すプロセス断面図、第２図は従来のＸ線マスクの
製造方法を示すプロセス断面図である。 １・・・・Ｘ線マスク基板、２・・・・Ｔａ膜、４φ・
・・レジストパターン、５・・・・Ａｕメッキベース層
、６・・・・Ａｕ膜。
法全示すプロセス断面図、第２図は従来のＸ線マスクの
製造方法を示すプロセス断面図である。 １・・・・Ｘ線マスク基板、２・・・・Ｔａ膜、４φ・
・・レジストパターン、５・・・・Ａｕメッキベース層
、６・・・・Ａｕ膜。
Claims (1)
- Ｘ線マスク基板上にＸ線吸収層、メッキベース層を形成
し、その上に所望のレジストパターンを転写し、前記レ
ジストパターンをステンシルとしてメッキによつて金属
層を形成した後、前記レジストパターンおよびその下の
メッキベース層を除去し、さらにＸ線吸収層をエッチン
グ加工して最初のレジストパターンとは反転したＸ線吸
収層を形成することを特徴としたＸ線マスクの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194226A JPS6350018A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194226A JPS6350018A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350018A true JPS6350018A (ja) | 1988-03-02 |
Family
ID=16321056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194226A Pending JPS6350018A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350018A (ja) |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61194226A patent/JPS6350018A/ja active Pending
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