JPS63140530A - Ｘ線マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造において使用するのに適する
Ｘ線マスクに関する。

〔従来の技術〕

Ｘ線マスクは、リングで周辺を支持されたＸ線透過性メ
ンブレンに、Ｘ線吸収体パターンを設けて形成する。従
来は、第２図に示すように、Ｘ線透過性メンブレンの片
側の面にのみＸ線吸収体パターンを設けていた。このメ
ンブレンは厚み約４μｍの窒化けい素、水素化：窒化は
う素または水素化：窒化炭化はう素の薄膜であり、この
上にＸ線吸収体として高さ約１μｍ、幅約０．５μｍの
金、またはタンタル、もしくはタングステンのパターン
を形成する。Ｘ線透過性メンブレンは薄いので、Ｘ線吸
収体の内部応力によって、第２図に示すように、高さの
方向（ｈ）および幅の方向（Ｗ）に変形し、これによっ
てパターンに歪みを生ずる欠点があった。

〔発明の解決しようとする問題点〕

吸収体の内部応力によるＸ線透過性メンブレンの変形を
なくして、パターンの歪みを軽減することが問題である
。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、Ｘ線透過性メンブレンの両側の面に同一
パターンのＸ線吸収体を設けたことを特徴とするＸ線マ
スクによって達成することができる。

〔実施例〕

叉応■土 （イ）シリコン基板１の１つの面の周辺部にアルミナリ
ング２を接着した後に、基板１の反対側の面に、水素化
：窒化炭化はう素をプラズマ化学気相成長（ＰＣＶＤ）
させて、厚み４μｍのＸ線透過性メンブレン３を成膜し
た。リング２の下の部分を除くシリコンを、ぶつ酸、硝
酸、酢酸の混酸によってエツチングし、リング２によっ
て囲まれた領域のメンブレン３を露出させた。

上にレジスト５を成膜して多層レジストとした（第１図
ａ）。

（ハ）電子線露光によって、レジスト５をパターニング
して、めっきステンシル５′を形成した（第１図ｂ）。

（ニ）めっきステンシル５′をマスクとして、めっきベ
ース４の上に金をめっきして、第１のＸ線吸収体６のパ
ターンを形成したく第１図Ｃ）。

（ホ）酸素プラズマエツチングによってめっきステンシ
ル５′を除去し、さらにアルゴンイオンミリングによっ
て、めっきベース４も除去して第１のＸ線吸収体６を残
して、第２のＸ線吸収体形成のためのＸ線マスクとした
。

（へ）次にリング２を有する側のメンブレン３の面に、
さきの工程（ロ）と同様にして、めっきベース７および
ネガ型レジスト８を成膜した（第１図ｅ）。

（ト）工程（ホ）で形成した第１のＸ線吸収体をマスク
として、リング２を有しない側からＸ線を照射して、メ
ンブレン３を透して、ネガ型レジスト８をパターニング
し、これをめっきステンシル８′とした（第１図ｆ）。

（チ）このめっきステンシル８′をマスクとして、金を
めっきし、第２の金めつき吸収体９を形成した（第１図
ｇ）。

（ワ）めっきステンシル８′は酸素プラズマエツチング
して除去し、めっきベース７をアルゴンイオンミリング
して、第２のＸ線吸収体９を残した。

このパターンはメンブレン３の反対側にある第１のＸ線
吸収体６と同一のパターンを有する（第１図ｈ）。

この実施例では金めつきによって吸収体パターンを形成
したが、タンタルまたはタングステンをスパッタリング
して吸収体パターンを形成する場合は、さきに形成した
第１の吸収体とは反対側のメンブレン面にポジ型レジス
トを塗布して、第１の吸収体の側からＸ線を照射して、
ホトレジストをパターニングし、反応性イオンエツチン
グによって、タンタルまたはタングステンを選択除去し
て吸収体パターンを形成することができる。

〔発明の効果〕

本発明のＸ線マスクは、吸収体の内部応力によるＸ線透
過性メンブレンの歪みが少なく、がっ、マスクのコント
ラストを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＸ線マスクを製造する１つの方法の工
程図であり、 第２図は従来技術のＸ線マスクの歪みを示す断面である
。 ３・・・メンブレン、　　　　４，７・・・めっきベー
ス、５’、８’・・・めっきステンシル、 ６．９・・・めっきしたＸ線吸収体。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、Ｘ線透過性メンブレンの両側の面に同一パターンの
   Ｘ線吸収体を設けたことを特徴とするＸ線マスク。