JPH03182752A - 露光用マスクの作成方法 - Google Patents
露光用マスクの作成方法Info
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
露光用マスクの作成方法に関し、更に詳しく言えば、遮
光膜としてのクロム膜や反射防止膜としての酸化クロム
膜をスパッタ法により形成する工程を含む露光用マスク
の作成方法に関し、マスク基板上のクロム膜や酸化クロ
ム膜にＳｔ粉粒子均一に混入してこれらのクロム膜や酸
化クロム膜の内部応力を一様に低減させ、マスクパター
ンの精度の向上を図ることができる露光用マスクの作成
方法を１！供することを目的とし、クロム又は酸化クロ
ムのターゲット表面にシリコンを含む材料片を置いて前
記クロム又は酸化クロムをスパッタする際、同時に前記
シリコンを含む材料片をもスパッタし、マスク基板上に
シリコン粒子を含有するクロム膜又は酸化クロム膜を形
成することを含み構成する。
光膜としてのクロム膜や反射防止膜としての酸化クロム
膜をスパッタ法により形成する工程を含む露光用マスク
の作成方法に関し、マスク基板上のクロム膜や酸化クロ
ム膜にＳｔ粉粒子均一に混入してこれらのクロム膜や酸
化クロム膜の内部応力を一様に低減させ、マスクパター
ンの精度の向上を図ることができる露光用マスクの作成
方法を１！供することを目的とし、クロム又は酸化クロ
ムのターゲット表面にシリコンを含む材料片を置いて前
記クロム又は酸化クロムをスパッタする際、同時に前記
シリコンを含む材料片をもスパッタし、マスク基板上に
シリコン粒子を含有するクロム膜又は酸化クロム膜を形
成することを含み構成する。
本発明は、露光用マスクの作成方法に関し、更に詳しく
言えば、遮光膜としてのクロム膜や反射防止膜としての
酸化クロム膜をスパッタ法により形成する工程を含む露
光用マスクの作成方法に間に関する。
言えば、遮光膜としてのクロム膜や反射防止膜としての
酸化クロム膜をスパッタ法により形成する工程を含む露
光用マスクの作成方法に間に関する。
従来、半導体装置のホト工程において用いられる露光用
マスクには、第２図に示すように、石英からなるマスク
基板ｌの上に遮光膜としてのクロムＭ３を反射防止膜と
しての酸化クロムｗＩ２． ４で挟んだ構造のものが用
いられ、これらをスパッタ法により形成している。
マスクには、第２図に示すように、石英からなるマスク
基板ｌの上に遮光膜としてのクロムＭ３を反射防止膜と
しての酸化クロムｗＩ２． ４で挟んだ構造のものが用
いられ、これらをスパッタ法により形成している。
しかし、クロムＷ１３や酸化クロムｖ２．４とマスク基
板上との間の歪み応力の違いによりクロム膜３や酸化ク
ロム膜２．４には歪みが生じるため、微細なパターンを
形成する場合、第３図に示すマスクパターン１３の寸法
誤差を生じ、問題があった。また、接触面積の縮小によ
りマスク基板とクロム１Ｆ２３や酸化クロム１ＰＪ２，
４との密着性にも問題がでてきた。
板上との間の歪み応力の違いによりクロム膜３や酸化ク
ロム膜２．４には歪みが生じるため、微細なパターンを
形成する場合、第３図に示すマスクパターン１３の寸法
誤差を生じ、問題があった。また、接触面積の縮小によ
りマスク基板とクロム１Ｆ２３や酸化クロム１ＰＪ２，
４との密着性にも問題がでてきた。
そこで、これらの問題を解決するため、第４図に示すよ
うに、クロム膜３や酸化クロムＭ！２． ４にイオン注
入法によりＳｉ粒子を微量に混入することによりクロム
結晶粒子間に働く力を変化させて歪み応力を調整すると
ともに密着性をも向上している。
うに、クロム膜３や酸化クロムＭ！２． ４にイオン注
入法によりＳｉ粒子を微量に混入することによりクロム
結晶粒子間に働く力を変化させて歪み応力を調整すると
ともに密着性をも向上している。
ところで、ウェハの大口径化に伴ってマスク基板Ｉの寸
法が大きくなってくると、クロム膜３や酸化クロムＨ２
，４にイオン注入法によりシリコン粒子を微量に混入さ
せる場合、周辺と中心とでのイオン電流の分布の偏りな
どによりクロムｗｉ３や酸化クロム１ＩＷ２．４面内の
シリコン注入量のばらつきが大きくなり、歪み応力を均
一に調整できなくなるという問題がある。
法が大きくなってくると、クロム膜３や酸化クロムＨ２
，４にイオン注入法によりシリコン粒子を微量に混入さ
せる場合、周辺と中心とでのイオン電流の分布の偏りな
どによりクロムｗｉ３や酸化クロム１ＩＷ２．４面内の
シリコン注入量のばらつきが大きくなり、歪み応力を均
一に調整できなくなるという問題がある。
そこで本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであって、マスク基板上のクロム膜や酸化クロ
ム膜に８１粒子を均一に混入してこれらのクロム膜や酸
化クロム膜の内部応力を一様に低減させ、マスクパター
ンの精度の向上を図ることができる露光用マスクの作成
方法を提供することを目的とするものである。
れたものであって、マスク基板上のクロム膜や酸化クロ
ム膜に８１粒子を均一に混入してこれらのクロム膜や酸
化クロム膜の内部応力を一様に低減させ、マスクパター
ンの精度の向上を図ることができる露光用マスクの作成
方法を提供することを目的とするものである。
上記課題は、クロム又は酸化クロムのターゲット表面に
シリコンを含む材料片を置いて前記クロム又は酸化クロ
ムをスパッタする際、同時に前記シリコンを含む材料片
をもスパッタし、マスク基板上にシリコン粒子を含有す
るクロム膜又は酸化クロム膜を形成することを特徴とす
る露光用マスクの作成方法によって遠戚される。
シリコンを含む材料片を置いて前記クロム又は酸化クロ
ムをスパッタする際、同時に前記シリコンを含む材料片
をもスパッタし、マスク基板上にシリコン粒子を含有す
るクロム膜又は酸化クロム膜を形成することを特徴とす
る露光用マスクの作成方法によって遠戚される。
本発明の半導体装置の製造方法においては、マスク基板
上に遮光膜としてのクロム膜や反射防止膜としての酸化
クロム膜をスパッタ法により形成する際、シリコンを含
む材料片も同時にスパッタしてシリコン粒子をクロム膜
や酸化クロム膜に混入させているので、クロム膜や酸化
クロム膜中には比較的均一な濃度でシリコン粒子が混入
する。
上に遮光膜としてのクロム膜や反射防止膜としての酸化
クロム膜をスパッタ法により形成する際、シリコンを含
む材料片も同時にスパッタしてシリコン粒子をクロム膜
や酸化クロム膜に混入させているので、クロム膜や酸化
クロム膜中には比較的均一な濃度でシリコン粒子が混入
する。
その結果、作成されるクロム膜や酸化クロム膜の結晶粒
子の間に働く力をシリコン粒子を介在させることにより
一様に調整できるので、これらの膜の内部応力を一様に
調整することができる。従って、これらの膜とマスク基
板との間の歪み応力を一様に低減することができる。
子の間に働く力をシリコン粒子を介在させることにより
一様に調整できるので、これらの膜の内部応力を一様に
調整することができる。従って、これらの膜とマスク基
板との間の歪み応力を一様に低減することができる。
また、クロム膜や酸化クロム膜へのシリコン粒子の混入
量を調整するには単にシリコンを含む材料片の量を調整
するだけでよいので、クロム膜や酸化クロム膜の歪み応
力を容易に調整することができる。更に、従来のイオン
注入法による場合のような特別な装置やイオン注入工程
も必要ないので、低コストでマスクを作成できる。
量を調整するには単にシリコンを含む材料片の量を調整
するだけでよいので、クロム膜や酸化クロム膜の歪み応
力を容易に調整することができる。更に、従来のイオン
注入法による場合のような特別な装置やイオン注入工程
も必要ないので、低コストでマスクを作成できる。
以下、本発明の実施例について図を参照しながら具体的
に説明する。
に説明する。
第１図は、本発明の実施例の露光用マスクの作成方法に
ついて説明する断面図で、スパッタ装置の減圧処理室内
部でマスク９ａを作成している途中の状態を示している
。
ついて説明する断面図で、スパッタ装置の減圧処理室内
部でマスク９ａを作成している途中の状態を示している
。
同図において、５は石英ガラスからなるマスク基板、６
はマスク基板５上に既に作成されたＳｉ粒子が混入して
いる反射防止膜としての膜厚的３００人の酸化クロム膜
、７は酸化クロム１１Ａ６上に作成途中の遮光膜として
のクロム膜、１１はクロムのターゲット、１０はターゲ
ット１１上に置かれた石英ガラス板（ＳｔＯ，板）で、
ターゲット１１の全表面積に対して約１／７〜ｌ／６の
表面積を占めるように量が調整されている。また、１２
はターゲット１１を負の電位に固定するための電源であ
る。
はマスク基板５上に既に作成されたＳｉ粒子が混入して
いる反射防止膜としての膜厚的３００人の酸化クロム膜
、７は酸化クロム１１Ａ６上に作成途中の遮光膜として
のクロム膜、１１はクロムのターゲット、１０はターゲ
ット１１上に置かれた石英ガラス板（ＳｔＯ，板）で、
ターゲット１１の全表面積に対して約１／７〜ｌ／６の
表面積を占めるように量が調整されている。また、１２
はターゲット１１を負の電位に固定するための電源であ
る。
次に、酸化クロム膜６上にＳｉ粒子を混入したクロム膜
６を作成する場合について説明する。
６を作成する場合について説明する。
まず、クロムのターゲットＩＩ上に適当な量の石英ガラ
スＦｉ１０を置き、このターゲットｌｌにマスク基板５
上に作成された酸化クロム膜６を対向させてマスク基板
５を置く。
スＦｉ１０を置き、このターゲットｌｌにマスク基板５
上に作成された酸化クロム膜６を対向させてマスク基板
５を置く。
次いで、アルゴン（Ａｒ）ガスを減圧処理室内に流量６
０ ｃｃ／＋ｌｉｎの条件で導入し、室内の圧力を５
ｍＴｏｒｒになるように調整する。続いて、ターゲラ）
１１に電源１２から一４５０ｖの電圧を印加してＡｒガ
スをイオン化し、マスク基板５に接続された不図示の電
極とターゲット１１との間に４．５アンペアの電流を流
す。
０ ｃｃ／＋ｌｉｎの条件で導入し、室内の圧力を５
ｍＴｏｒｒになるように調整する。続いて、ターゲラ）
１１に電源１２から一４５０ｖの電圧を印加してＡｒガ
スをイオン化し、マスク基板５に接続された不図示の電
極とターゲット１１との間に４．５アンペアの電流を流
す。
すると、ターゲット１１と石英ガラス片１０とがＡｒイ
オンの衝突によりスパッタされ、クロム粒子とＳｉ粒子
とがマスク基板５上の酸化クロム膜６の方に飛来して、
適当な割合でＳｉ粒子が混入したクロム膜７が酸化クロ
ム膜７上に堆積していく。
オンの衝突によりスパッタされ、クロム粒子とＳｉ粒子
とがマスク基板５上の酸化クロム膜６の方に飛来して、
適当な割合でＳｉ粒子が混入したクロム膜７が酸化クロ
ム膜７上に堆積していく。
このとき、クロム膜７の堆積と同時にＳｉ粒子がクロム
ＩＩ！７に混入されていくので、比較的均一な濃度のＳ
ｉ粒子を含んだクロム膜７が形成される。
ＩＩ！７に混入されていくので、比較的均一な濃度のＳ
ｉ粒子を含んだクロム膜７が形成される。
このようにして膜厚的６００〜７００Åのクロム膜７が
堆積が終了した後、更に、クロムのターゲットを酸化ク
ロムのターゲットに替える。そして、クロムＦＩ７を形
成した場合と同じようにして不図示の酸化クロム膜をク
ロム膜７上に堆積することにより、第２図に示すように
、マスク基板５上に必要な多層膜６．７．８の堆積が完
了する。
堆積が終了した後、更に、クロムのターゲットを酸化ク
ロムのターゲットに替える。そして、クロムＦＩ７を形
成した場合と同じようにして不図示の酸化クロム膜をク
ロム膜７上に堆積することにより、第２図に示すように
、マスク基板５上に必要な多層膜６．７．８の堆積が完
了する。
その後、第３図に示すように、これらの１１９６゜７．
８をパターニングして露光用マスクの作成が完了する。
８をパターニングして露光用マスクの作成が完了する。
次に、上記に説明した方法と同し方法でガラス基板上に
直接作成されたＳｉを含むクロム膜と、ガラス基板上に
直接作成されたＳｉを含まないクロム膜のそれぞれの内
部応力を比較すると、後者が１ＸＩＯ” Ｎ／ｍ’に対
して前者はＩ ＸＩＯ” Ｎ／ｍ”と−桁小さくなる。
直接作成されたＳｉを含むクロム膜と、ガラス基板上に
直接作成されたＳｉを含まないクロム膜のそれぞれの内
部応力を比較すると、後者が１ＸＩＯ” Ｎ／ｍ’に対
して前者はＩ ＸＩＯ” Ｎ／ｍ”と−桁小さくなる。
この応力の低減はマスクパターンの位置ずれにして約５
μｍ程度の精度向上になり、Ｓｉ粒子混入によるマスク
精度の改善効果は大きい。なお、内部応力は光天秤法に
よる膜の反り量を測定し、更に計算により求めた。
μｍ程度の精度向上になり、Ｓｉ粒子混入によるマスク
精度の改善効果は大きい。なお、内部応力は光天秤法に
よる膜の反り量を測定し、更に計算により求めた。
また、従来例のイオン注入法と本発明の実施例の方法と
により作成されたＳｉを含むクロム膜を内部応力の面内
分布に関して比較するとそのばらつきは本発明の実施例
の方がかなり小さくなり、マスクの精度が大幅に改善さ
れることが確認された。
により作成されたＳｉを含むクロム膜を内部応力の面内
分布に関して比較するとそのばらつきは本発明の実施例
の方がかなり小さくなり、マスクの精度が大幅に改善さ
れることが確認された。
以上のように、本発明の実施例によれば、第１図に示す
クロム膜７や酸化クロム膜６，８の堆積と同時にＳ１粒
子がクロム膜７に混入されていくので、マスクサイズが
大きくなった場合でも、第２図に示す比較的均一な濃度
のＳｉ粒子を含んだクロム膜７や酸化クロムｌｉ６，８
が形成される。その結果、作成されるクロム膜７や酸化
クロムＷＡ６゜８の結晶粒子の間に働く力をＳｉ粒子を
介在させることにより一様に調整できるので、これらの
膜６゜７．８の内部応力を一様に調整することができる
・従って、クロム膜７や酸化クロム膜６．８の内部応力
の面内分布が均一になり、マスク基板５との間の歪み応
力を一様に低減することができる。
クロム膜７や酸化クロム膜６，８の堆積と同時にＳ１粒
子がクロム膜７に混入されていくので、マスクサイズが
大きくなった場合でも、第２図に示す比較的均一な濃度
のＳｉ粒子を含んだクロム膜７や酸化クロムｌｉ６，８
が形成される。その結果、作成されるクロム膜７や酸化
クロムＷＡ６゜８の結晶粒子の間に働く力をＳｉ粒子を
介在させることにより一様に調整できるので、これらの
膜６゜７．８の内部応力を一様に調整することができる
・従って、クロム膜７や酸化クロム膜６．８の内部応力
の面内分布が均一になり、マスク基板５との間の歪み応
力を一様に低減することができる。
これにより、第３酢に示すマスクパターン１４の正規の
位置からの位置ずれを改善することができるので、精度
のよいマスクの作成が可能となる。
位置からの位置ずれを改善することができるので、精度
のよいマスクの作成が可能となる。
また、クロム１１１７や酸化クロムｌ！６．８へのＳｉ
粒子の混入量を調整するには単にＳｉを含む材料片の量
を調整するだけでよいので、クロム膜７や酸化クロム膜
６．８の歪み応力を容易に調整することができる。更に
、従来のイオン注入法による場合のような特別な装置や
イオン注入工程も必要ないので、低コストで露光用マス
ク９ａを作成できる。
粒子の混入量を調整するには単にＳｉを含む材料片の量
を調整するだけでよいので、クロム膜７や酸化クロム膜
６．８の歪み応力を容易に調整することができる。更に
、従来のイオン注入法による場合のような特別な装置や
イオン注入工程も必要ないので、低コストで露光用マス
ク９ａを作成できる。
なお、本発明の実施例では、Ｓｌを含む材料片として石
英ガラス板１０を用いたが、Ｓｉ、Ｎ、板、Ｓｉ板など
でもよい。
英ガラス板１０を用いたが、Ｓｉ、Ｎ、板、Ｓｉ板など
でもよい。
以上のように、本発明の半導体装置の製造方法によれば
、スパッタ法によりクロム膜や酸化クロム膜とシリコン
を含む材料片を同時にスパッタしているので、クロム膜
や酸化クロム膜の堆積と同時にシリコン粒子がクロム膜
や酸化クロム膜に混入されていく、従って、マスクサイ
ズが大きくなった場合でも、比較的均一な濃度のシリコ
ン粒子を含んだクロム膜が形成される。このため、クロ
ム膜や酸化クロム膜の内部応力の面内分布が均一になり
、マスク基板との間の歪み応力を一様に低減することが
できる。これにより、マスクパターンの正規の位置から
の位置ずれを改善することができるので、↑；１度のよ
いマスクの作成が可能となる。
、スパッタ法によりクロム膜や酸化クロム膜とシリコン
を含む材料片を同時にスパッタしているので、クロム膜
や酸化クロム膜の堆積と同時にシリコン粒子がクロム膜
や酸化クロム膜に混入されていく、従って、マスクサイ
ズが大きくなった場合でも、比較的均一な濃度のシリコ
ン粒子を含んだクロム膜が形成される。このため、クロ
ム膜や酸化クロム膜の内部応力の面内分布が均一になり
、マスク基板との間の歪み応力を一様に低減することが
できる。これにより、マスクパターンの正規の位置から
の位置ずれを改善することができるので、↑；１度のよ
いマスクの作成が可能となる。
また、クロム膜や酸化クロム膜へのシリコン粒子の混入
量を調整するには単にシリコンを含む材料片の量を調整
するだけでよいので、クロム膜や酸化クロム膜の歪み応
力を容易に調整することができる。更に、従来のイオン
注入法による場合のような特別な装置やイオン注入工程
も必要ないので、低コストで露光用マスクを作成できる
。
量を調整するには単にシリコンを含む材料片の量を調整
するだけでよいので、クロム膜や酸化クロム膜の歪み応
力を容易に調整することができる。更に、従来のイオン
注入法による場合のような特別な装置やイオン注入工程
も必要ないので、低コストで露光用マスクを作成できる
。
第１図は、本発明の実施例の露光用マスクの作成方法を
説明する断面図、 第２図は、パターン形成前の露光用マスクの断面図、 第３図は、露光用マスクの断面図、 第４図は、従来例の露光用マスクの作成方法を説明する
断面図である。 〔符号の説明〕 １．５・・・マスク基板、 ２．４，６．８・・・酸化クロム膜、 ３．７・・・クロム膜、 ９．９ａ・・・露光用マスク、 １０・・・石英ガラス板（ＳｉＯ□板）、１１・・・タ
ーゲット、 １２・・・電源、 １３．１４・・・マスクパターン。
説明する断面図、 第２図は、パターン形成前の露光用マスクの断面図、 第３図は、露光用マスクの断面図、 第４図は、従来例の露光用マスクの作成方法を説明する
断面図である。 〔符号の説明〕 １．５・・・マスク基板、 ２．４，６．８・・・酸化クロム膜、 ３．７・・・クロム膜、 ９．９ａ・・・露光用マスク、 １０・・・石英ガラス板（ＳｉＯ□板）、１１・・・タ
ーゲット、 １２・・・電源、 １３．１４・・・マスクパターン。
Claims (1)
- クロム又は酸化クロムのターゲット表面にシリコンを含
む材料片を置いて前記クロム又は酸化クロムをスパッタ
する際、同時に前記シリコンを含む材料片をもスパッタ
し、マスク基板上にシリコン粒子を含有するクロム膜又
は酸化クロム膜を形成することを特徴とする露光用マス
クの作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32355089A JP2526295B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 露光用マスクの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32355089A JP2526295B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 露光用マスクの作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03182752A true JPH03182752A (ja) | 1991-08-08 |
| JP2526295B2 JP2526295B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=18155953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32355089A Expired - Lifetime JP2526295B2 (ja) | 1989-12-13 | 1989-12-13 | 露光用マスクの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2526295B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002156743A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクス及びその製造方法 |
| US7453650B2 (en) | 2005-03-01 | 2008-11-18 | Olympus Imaging Corp. | Zoom optical system and electronic imaging apparatus having the same |
| WO2023042438A1 (ja) * | 2021-09-14 | 2023-03-23 | コニカミノルタ株式会社 | 遮光膜、多層反射防止膜、それらの製造方法及び光学部材 |
-
1989
- 1989-12-13 JP JP32355089A patent/JP2526295B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
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| Publication number | Publication date |
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