JPS63278333A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS63278333A JPS63278333A JP11418087A JP11418087A JPS63278333A JP S63278333 A JPS63278333 A JP S63278333A JP 11418087 A JP11418087 A JP 11418087A JP 11418087 A JP11418087 A JP 11418087A JP S63278333 A JPS63278333 A JP S63278333A
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子ビーム露光によるパターン形成方法、詳し
くは、そのマスク工程に関するものである。
くは、そのマスク工程に関するものである。
従来の技術
半導体素子の微細化にともない、電子ビーム露光による
パターン形成が行われている。電子ビーム露光において
、半絶縁性基板を用いる場合や、多層レジストの下層膜
厚が大きい場合には、入射電子の帯電によシ、電子ビー
ムが曲げられるという問題がある。この問題を解決する
ために、レジスト表面に金属薄膜を蒸着する方法や多層
レジストの中間層に金属蒸着膜を用いるという方法が行
われている。
パターン形成が行われている。電子ビーム露光において
、半絶縁性基板を用いる場合や、多層レジストの下層膜
厚が大きい場合には、入射電子の帯電によシ、電子ビー
ムが曲げられるという問題がある。この問題を解決する
ために、レジスト表面に金属薄膜を蒸着する方法や多層
レジストの中間層に金属蒸着膜を用いるという方法が行
われている。
発明が解決しようとする問題点
前述のように、電子ビーム露光においては、入射電子の
帯電によシミ子ビームが曲げられると。
帯電によシミ子ビームが曲げられると。
描画パターンの歪みが発生する。帯電防止のために金属
薄膜を蒸着するという方法は、製膜時の汚染やプロセス
の複雑化という問題点がある。
薄膜を蒸着するという方法は、製膜時の汚染やプロセス
の複雑化という問題点がある。
問題点を解決するための手段
本発明は、以上の問題点を解決するだめのものであり、
基板上に形成した多層レジスト中の少くとも一層に水素
プラズマ処理を施した塗布酸化膜を用いる工程をそなえ
たパターン形成方法である。
基板上に形成した多層レジスト中の少くとも一層に水素
プラズマ処理を施した塗布酸化膜を用いる工程をそなえ
たパターン形成方法である。
作 用
本発明によシミ子ビーム露光における電子の帯電を防止
することができ、パターンを高精度で形成することが可
能である。
することができ、パターンを高精度で形成することが可
能である。
実施例
以下に本発明を、第１図〜第６図の実施例工程により、
詳細に説明する。第１図のように、シリコン基板１上に
ノボラック系樹脂による有機薄膜２を、２μｍ厚に塗布
し、２７５℃、３０分間のベークを行う。次にシラノー
ル系塗布酸化膜３を０．２μｍ厚に塗布し２５０℃、３
０分間のベークを行った後、平行平板１ＲＩＥ装置によ
シ、水素プラズマ４による処理を行う。水素プラズマ処
理の条件は、水素流量２０５ｃａｎ 、圧力１００ｍＴ
ｏｒｒ。
詳細に説明する。第１図のように、シリコン基板１上に
ノボラック系樹脂による有機薄膜２を、２μｍ厚に塗布
し、２７５℃、３０分間のベークを行う。次にシラノー
ル系塗布酸化膜３を０．２μｍ厚に塗布し２５０℃、３
０分間のベークを行った後、平行平板１ＲＩＥ装置によ
シ、水素プラズマ４による処理を行う。水素プラズマ処
理の条件は、水素流量２０５ｃａｎ 、圧力１００ｍＴ
ｏｒｒ。
電力密度０ 、６ Ｗ／（ｙｌであり、プラズマ処理時
間は６分間であった。つづいて、第２図のように、電子
ビームレジスト５を、ポリメチルメタアクリレ−） （
ＰＭＭＡ ）により０．６μｍ厚に塗布し、１７０℃、
３０分間のベーク後に、電子ビーム６による露光（加速
電圧２５ＫＶ、露光量１００μＣ／ｃｒ／１）及び現像
（現像液：メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ））を行
い、第３図のレジストパターンを得る。次に、第４図の
ように、中間層の塗布酸化膜３をＣＨＦ３１０２混合ガ
スを用いるＲＩＥにより、エツチング（流量ＣＨＦ３４
５５ｃａｎ 、 Ｏ□５５ｃａｎ ；圧力１５０ｍＴｏ
ｒｒ ；電力密度ｏ 、ｓ Ｗ／ｃＩＩ）を行う。つづ
いて下層の有機薄膜２を、酸素を用いるＲＩＥ（流量１
０５ｃａｎ 、酸素圧力１５ｍＴｏｒ ｒ。
間は６分間であった。つづいて、第２図のように、電子
ビームレジスト５を、ポリメチルメタアクリレ−） （
ＰＭＭＡ ）により０．６μｍ厚に塗布し、１７０℃、
３０分間のベーク後に、電子ビーム６による露光（加速
電圧２５ＫＶ、露光量１００μＣ／ｃｒ／１）及び現像
（現像液：メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ））を行
い、第３図のレジストパターンを得る。次に、第４図の
ように、中間層の塗布酸化膜３をＣＨＦ３１０２混合ガ
スを用いるＲＩＥにより、エツチング（流量ＣＨＦ３４
５５ｃａｎ 、 Ｏ□５５ｃａｎ ；圧力１５０ｍＴｏ
ｒｒ ；電力密度ｏ 、ｓ Ｗ／ｃＩＩ）を行う。つづ
いて下層の有機薄膜２を、酸素を用いるＲＩＥ（流量１
０５ｃａｎ 、酸素圧力１５ｍＴｏｒ ｒ。
電力密度０．２Ｗ ／ｃＩ／！、 ３０分間）により、
エツチングすることにより第６図のように、レジストパ
ターンを形成する。
エツチングすることにより第６図のように、レジストパ
ターンを形成する。
形成されたパターンについては、チャージアップによる
パターンのずれは見られなかった。因に、塗布酸化膜の
水素プラズマ処理を行わない従来の３層レジストでは、
露光フィールドの周辺部でのパターンの位置ずれは、０
．３μｍであった。塗布酸化膜の水素プラズマ処理によ
る、チャージアップ防止法は、金属薄膜蒸着と比較して
、成膜時のダストの発生が無く、プロセスも比較的容易
である。さらにこの方法では従来の３層レジスト法と、
層構成が同じであるため従来の３層レジスト工程がその
まま適用できるという利点がある。
パターンのずれは見られなかった。因に、塗布酸化膜の
水素プラズマ処理を行わない従来の３層レジストでは、
露光フィールドの周辺部でのパターンの位置ずれは、０
．３μｍであった。塗布酸化膜の水素プラズマ処理によ
る、チャージアップ防止法は、金属薄膜蒸着と比較して
、成膜時のダストの発生が無く、プロセスも比較的容易
である。さらにこの方法では従来の３層レジスト法と、
層構成が同じであるため従来の３層レジスト工程がその
まま適用できるという利点がある。
発明の効果
本発明を用いることにより、従来の３層レジスト法に塗
布酸化膜の水素プラズマ処理という工程を加えることで
電子ビームの帯電を防止し、高精度な電子ビームによる
パターン形成が可能となる。
布酸化膜の水素プラズマ処理という工程を加えることで
電子ビームの帯電を防止し、高精度な電子ビームによる
パターン形成が可能となる。
第１図〜第６図は本発明の詳細な説明する工程順断面図
である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・有機薄膜、３・・
・・・・塗布酸化膜、４・・・・・・水素プラズマ、５
・・・・・・電子ビームレジスト、６・・・・・・電子
ビーム露光、７・・・・・・ＲＩＥ（ＣＨＦ３１０２）
、 ａ・・・−・−ＲＩ Ｅ （０２）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｔ−
１ｓ級
である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・有機薄膜、３・・
・・・・塗布酸化膜、４・・・・・・水素プラズマ、５
・・・・・・電子ビームレジスト、６・・・・・・電子
ビーム露光、７・・・・・・ＲＩＥ（ＣＨＦ３１０２）
、 ａ・・・−・−ＲＩ Ｅ （０２）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｔ−
１ｓ級
Claims (1)
- 基板上に形成した多層レジスト中の少くとも一層に、水
素プラズマ処理を施した、塗布酸化膜を用いる工程をそ
なえたパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11418087A JPH0748468B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11418087A JPH0748468B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63278333A true JPS63278333A (ja) | 1988-11-16 |
| JPH0748468B2 JPH0748468B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=14631193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11418087A Expired - Lifetime JPH0748468B2 (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0748468B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335450A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP11418087A patent/JPH0748468B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335450A (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748468B2 (ja) | 1995-05-24 |
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