JPS58100428A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS58100428A JPS58100428A JP19932681A JP19932681A JPS58100428A JP S58100428 A JPS58100428 A JP S58100428A JP 19932681 A JP19932681 A JP 19932681A JP 19932681 A JP19932681 A JP 19932681A JP S58100428 A JPS58100428 A JP S58100428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- resist
- exposure
- substrate
- resin thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、所定基板上に樹脂薄膜とネガ型レジストを用
いて所定のパターンを形成する方法に関するものである
。
いて所定のパターンを形成する方法に関するものである
。
半導体装置の集積化が進むにつれて微細なパターンを形
成する必要性が高まつ、ている。しかし、従来、ネガ型
レジストを用いる場合は微細なパターンを形成すること
が困難であった。その理由は。
成する必要性が高まつ、ている。しかし、従来、ネガ型
レジストを用いる場合は微細なパターンを形成すること
が困難であった。その理由は。
第１図に示すように所定基板１上に形成したレジストパ
ターン２の断面形状がひげ状部分３を有する形状となる
からである。このひげ状部分３は、光露光においても電
子ビーム露光においても発生する。光露光の場合は、ネ
ガレジストのコントラストの悪名、膨潤、光のもれなど
がひげ状部分３を発生させる原因になる。また電子ビー
ム露光の場合は、基板１から後方散乱されて再びレジス
ト状部分を発生させる原因となる。ネガ型レジストの場
合、光露光においても電子ビーム露光においてもこのひ
げ状部分３の発生が解像度を制限して微細化を妨げてお
り、その解決が強く望まれていた。
ターン２の断面形状がひげ状部分３を有する形状となる
からである。このひげ状部分３は、光露光においても電
子ビーム露光においても発生する。光露光の場合は、ネ
ガレジストのコントラストの悪名、膨潤、光のもれなど
がひげ状部分３を発生させる原因になる。また電子ビー
ム露光の場合は、基板１から後方散乱されて再びレジス
ト状部分を発生させる原因となる。ネガ型レジストの場
合、光露光においても電子ビーム露光においてもこのひ
げ状部分３の発生が解像度を制限して微細化を妨げてお
り、その解決が強く望まれていた。
本発明は、所定基板上に一層以上の樹脂薄膜を塗布後、
ネガ型レジストを塗布し、ネガ型レジストに所定図形を
露光、現像した後、プラズマエッチ−ングを用いて樹脂
薄膜を除去することを特徴とするパターン形成法であっ
て、本発明によれば上述の問題点を解決してネガ型レジ
ストを用いて微細なパターンを形成することができる。
ネガ型レジストを塗布し、ネガ型レジストに所定図形を
露光、現像した後、プラズマエッチ−ングを用いて樹脂
薄膜を除去することを特徴とするパターン形成法であっ
て、本発明によれば上述の問題点を解決してネガ型レジ
ストを用いて微細なパターンを形成することができる。
以下に本発明の詳細な説明する。
第２図（ａ）に示すように所定基板１上に樹脂薄膜４を
塗布し、ブリペー−り後ネガレジスト５を塗布し再度プ
リベークを行う。ここで、樹脂薄膜４はレジストであっ
てもよいし、非感光性樹脂であってもよい。
塗布し、ブリペー−り後ネガレジスト５を塗布し再度プ
リベークを行う。ここで、樹脂薄膜４はレジストであっ
てもよいし、非感光性樹脂であってもよい。
次に、所定図形を露光、現像して、（ｂ）に示すように
ネガ型レジスト図形６を形成する。この現像液に対して
不溶性の樹脂薄膜４を用いることにより、樹脂薄膜４は
そのまま残存する。ここで露光は、光露光、電子ビーム
露光が主として考えられるが、Ｘ線露光、イオンビーム
露光を用いることもできる。
ネガ型レジスト図形６を形成する。この現像液に対して
不溶性の樹脂薄膜４を用いることにより、樹脂薄膜４は
そのまま残存する。ここで露光は、光露光、電子ビーム
露光が主として考えられるが、Ｘ線露光、イオンビーム
露光を用いることもできる。
最後に、（Ｃ）に示すように、プラズマエツチングによ
り樹脂薄膜４の所定部分を除去することにより、所定基
板１上にひげのない微細なパターンを形成することがで
きる。
り樹脂薄膜４の所定部分を除去することにより、所定基
板１上にひげのない微細なパターンを形成することがで
きる。
次に、第２図に基いて実施例について詳述する。
基板１としてシリコン（Ｓｉ）基板を用い、樹脂薄膜４
としてポジ型電子ビームレジストとして知られるＰＢＳ
（ポリブテンスルフォン）を用い、レジスト５としてネ
ガ型電子ピームレジス）ＳＩＣＬ−Ｎ（ム）（ポリメタ
クリル酸エステル）を用いる。
としてポジ型電子ビームレジストとして知られるＰＢＳ
（ポリブテンスルフォン）を用い、レジスト５としてネ
ガ型電子ピームレジス）ＳＩＣＬ−Ｎ（ム）（ポリメタ
クリル酸エステル）を用いる。
Ｓｉ基板上に０．４μｍの厚さのＰＢＳを塗布後、１６
０’Ｃ，，１０分間プリベークを行う。こののち５ＥＬ
−Ｎ（ム）を０．７μｍの厚さに塗布して８０℃３０分
、再度プリベークする。次いで加速電圧２０Ｋｅｙ、露
光量１．６ μＣ／ ｃｔ４で電子ビーム露光を行い、
さらに、エチルアルコールで１分間現像することによｒ
）ＳΣＬ−Ｎ（ム）のレジストパターンを形成する。最
後に、対向電極型プラズマエツチング装置を用いて、Ｒ
Ｆ出力２００Ｗ。
０’Ｃ，，１０分間プリベークを行う。こののち５ＥＬ
−Ｎ（ム）を０．７μｍの厚さに塗布して８０℃３０分
、再度プリベークする。次いで加速電圧２０Ｋｅｙ、露
光量１．６ μＣ／ ｃｔ４で電子ビーム露光を行い、
さらに、エチルアルコールで１分間現像することによｒ
）ＳΣＬ−Ｎ（ム）のレジストパターンを形成する。最
後に、対向電極型プラズマエツチング装置を用いて、Ｒ
Ｆ出力２００Ｗ。
圧力０，３ Ｔｏｒｒ、エツチングガス０２の条件で３
０秒エツチング処理を施した。５ＥＬ−Ｎ（ム）の膜ベ
クは、１ｏｏＯ人で、ＰＢＳは完全に除去された。
０秒エツチング処理を施した。５ＥＬ−Ｎ（ム）の膜ベ
クは、１ｏｏＯ人で、ＰＢＳは完全に除去された。
以上の処理工程を経て最小パターンとして０．５４ｍの
ラインアンドスペースを形成することができ、ひげ状部
分のない、切れのよいレジストパターンを形成すること
ができた。
ラインアンドスペースを形成することができ、ひげ状部
分のない、切れのよいレジストパターンを形成すること
ができた。
第２の実施例として二層の樹脂薄膜を形成する場合につ
いて以下に述べる。
いて以下に述べる。
第１の樹脂薄膜としてＰＢＳｆ：、第２の樹脂薄膜とし
て、ホトレジスト五Ｚ２４００を用い、ネガ型レジスト
としてＰＧＭＡ（ポリメタクリル酸グリシジル）を用い
る。ＰＢＳを０．４μＩＩ、ＡＺ２４ｏｏを０．１．ｃ
ｚｍ、ＰＧＭＡを０．５ ｐ ｍ （７）厚さに塗布す
る。加速電圧２０ ＫｅＶ 、 １．２ ｐ ＣｌＯ２
テ電子ビーム露光を行い、メチルエテルケトン７：エチ
ルアルコール１の現像液で３分間現像を行い、ＰＧＭＡ
にパターンを形成する。ムｚ２４ｏｏは上記現像液に不
溶であるからそのまま残る。その後、対向電極型プラズ
マエツチング装置を用いて、ム２２４００．！：ＰＢＳ
を除去することにょクレジストパターンが形成される。
て、ホトレジスト五Ｚ２４００を用い、ネガ型レジスト
としてＰＧＭＡ（ポリメタクリル酸グリシジル）を用い
る。ＰＢＳを０．４μＩＩ、ＡＺ２４ｏｏを０．１．ｃ
ｚｍ、ＰＧＭＡを０．５ ｐ ｍ （７）厚さに塗布す
る。加速電圧２０ ＫｅＶ 、 １．２ ｐ ＣｌＯ２
テ電子ビーム露光を行い、メチルエテルケトン７：エチ
ルアルコール１の現像液で３分間現像を行い、ＰＧＭＡ
にパターンを形成する。ムｚ２４ｏｏは上記現像液に不
溶であるからそのまま残る。その後、対向電極型プラズ
マエツチング装置を用いて、ム２２４００．！：ＰＢＳ
を除去することにょクレジストパターンが形成される。
この場合も最小。、６μｍのラインアンドスペースを形
成することができた。
成することができた。
以上詳述したように、本発明の方法では、基板とネガ型
レジストとの間に樹脂薄膜が存在しているため、ネガ型
レジストに特有のひげ状部分が発生することがない。さ
らに、基板に凹凸が存在する場合であっても樹脂薄膜を
塗布することにより凸凹を緩和して樹脂薄膜面を平らに
できるので、ネガ型レジ７、トの塗布厚を薄くすること
もできる。
レジストとの間に樹脂薄膜が存在しているため、ネガ型
レジストに特有のひげ状部分が発生することがない。さ
らに、基板に凹凸が存在する場合であっても樹脂薄膜を
塗布することにより凸凹を緩和して樹脂薄膜面を平らに
できるので、ネガ型レジ７、トの塗布厚を薄くすること
もできる。
また、最終的に、プラズマエツチングによりレジストを
除去するので、レジストの残さもない。よって、本発明
によればネガ型レジストを用いて微細なパターンを形成
することが可能であり、高密度な半導体装置の製造等に
大きく寄与するものである。
除去するので、レジストの残さもない。よって、本発明
によればネガ型レジストを用いて微細なパターンを形成
することが可能であり、高密度な半導体装置の製造等に
大きく寄与するものである。
第１図は従来のネガ型レジストの露光、現像後の断面形
状の断面図、第２図（ａｌ〜（Ｃ１は本発明の一実施例
の方法を説明するだめのパターン形成工程図である。 １・・・・・・基板、５・・・・・・ネガ型レジスト層
、４・・・・・・樹Ｂｉ薄膜、６・・・・・・所定形状
とされたネガ型しジス＼ドパターン、７・・・・・・所
定形状とされた樹脂薄膜バターン。
状の断面図、第２図（ａｌ〜（Ｃ１は本発明の一実施例
の方法を説明するだめのパターン形成工程図である。 １・・・・・・基板、５・・・・・・ネガ型レジスト層
、４・・・・・・樹Ｂｉ薄膜、６・・・・・・所定形状
とされたネガ型しジス＼ドパターン、７・・・・・・所
定形状とされた樹脂薄膜バターン。
Claims (1)
- 所定基板上に樹脂薄膜を塗布し、さらに同樹脂薄膜上に
ネガ型レジストを塗布したのち前記ネガ型レジストに所
定図形を露光、現像し、次いで所定図形形状で残存する
前記ネガ型レジストに覆われることなく露呈する樹脂薄
膜をプラズマエツチングで除去することを特徴とするパ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19932681A JPS58100428A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19932681A JPS58100428A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100428A true JPS58100428A (ja) | 1983-06-15 |
Family
ID=16405932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19932681A Pending JPS58100428A (ja) | 1981-12-10 | 1981-12-10 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100428A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50113171A (ja) * | 1974-02-13 | 1975-09-05 | ||
| JPS54146966A (en) * | 1978-05-10 | 1979-11-16 | Nec Corp | Pattern forming method |
| JPS564236A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Nec Corp | Manufacture of photoresist film pattern |
| JPS5649525A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-06 | Fujitsu Ltd | Formation of thin film pattern |
-
1981
- 1981-12-10 JP JP19932681A patent/JPS58100428A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50113171A (ja) * | 1974-02-13 | 1975-09-05 | ||
| JPS54146966A (en) * | 1978-05-10 | 1979-11-16 | Nec Corp | Pattern forming method |
| JPS564236A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Nec Corp | Manufacture of photoresist film pattern |
| JPS5649525A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-06 | Fujitsu Ltd | Formation of thin film pattern |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6323657B2 (ja) | ||
| JPH02222951A (ja) | 耐酸素プラズマ性フオトレジスト | |
| JPS58100428A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0458167B2 (ja) | ||
| JPS63204724A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH0795509B2 (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH01220829A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6360893B2 (ja) | ||
| JP2604573B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP2583986B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6354726A (ja) | レジスト膜のエツチング方法 | |
| JPS63278333A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0313949A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0147009B2 (ja) | ||
| JPS5892224A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0685070B2 (ja) | レジストパターンの現像方法 | |
| JPS5912437A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS60120526A (ja) | 微細パタン形成法 | |
| JPS5934632A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JP2585320B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS61294821A (ja) | 微細パタン形成法 | |
| JPS60207339A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH03269533A (ja) | フォトマスクの製造方法およびそれに使用する基板 | |
| JPS62272528A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS63296342A (ja) | パタ−ン形成方法 |