JPH03141632A - パターン形成法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
パターン形成法及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH03141632A JPH03141632A JP27859689A JP27859689A JPH03141632A JP H03141632 A JPH03141632 A JP H03141632A JP 27859689 A JP27859689 A JP 27859689A JP 27859689 A JP27859689 A JP 27859689A JP H03141632 A JPH03141632 A JP H03141632A
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野】
本発明はＵＬＳ ＩＩＪａ造等におけるリソグラフィ技
術に用いるパターン形成法及びこのようなパターン形成
法を応用した半導体装置の製造方法に関する。 ［従来の技術Ｉ ＵＬＳＩの高集積、高密度化は３年に４倍の勢いで進め
られており、既に４メガビットｄＲＡＭの量産化及び１
６メガビツトｄＲＡＭの試作が為されている。これに伴
って微細加工に要求される寸法は０．８μｍから０．５
μｍ、さらに０．５μ■以下へと益々微細化している。 一方こうした微細化を牽引する有力な手段として電子線
リソグラフィが注目されている。電子線リングラフィは
、微小なビーム状に絞り込んだ電子線を計算機制御によ
り高精度に走査してパターンを描画する。このために０
．１μ慢以下の超微細なパターンや１ギガビット級ｄＲ
ＡＭの実現も期待されている。 しかしながら電子線リングラフィは、本質的に描画処理
時間が長い。これは図形１つ１つを描いていく描画方式
が有する問題である。この処理速度を高速化すれば、単
に描画処理の高速化・生産性向上に寄与するだけでなく
、電子線照射に伴うデバイスの放射線損傷を低減という
点においても効果がある。 最近、ジャーナル オブ バキューム サイエンス ア
ンド チクノロシイ、Ｂ６（１）巻、第３１９頁〜第３
２２頁及び第３７９頁〜第３８３頁１９８８ 、 （
Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、 Ｂ６（
１）。 Ｊａｎ／Ｆｅｂ ’８８ ｐｐ３１９−３２２，３７９
−３．８３ ）にも述べられているように、化学増幅反
応すなわち触媒作用を利用した新たな高感度電子線レジ
スト材料が注目を浴びている。これは、化学増幅系レジ
ストと呼ばれ、ポリマーと、放射線照射により触媒とな
る酸を発生する化合物と、酸により上記ポリマーと架橋
反応する化合物（架橋剤）よりなる放射線感応性組成物
である。この組成物は、数μＣ／Ｃ１１２という従来に
比べて約−桁高い感度で描画を達成する。
術に用いるパターン形成法及びこのようなパターン形成
法を応用した半導体装置の製造方法に関する。 ［従来の技術Ｉ ＵＬＳＩの高集積、高密度化は３年に４倍の勢いで進め
られており、既に４メガビットｄＲＡＭの量産化及び１
６メガビツトｄＲＡＭの試作が為されている。これに伴
って微細加工に要求される寸法は０．８μｍから０．５
μｍ、さらに０．５μ■以下へと益々微細化している。 一方こうした微細化を牽引する有力な手段として電子線
リソグラフィが注目されている。電子線リングラフィは
、微小なビーム状に絞り込んだ電子線を計算機制御によ
り高精度に走査してパターンを描画する。このために０
．１μ慢以下の超微細なパターンや１ギガビット級ｄＲ
ＡＭの実現も期待されている。 しかしながら電子線リングラフィは、本質的に描画処理
時間が長い。これは図形１つ１つを描いていく描画方式
が有する問題である。この処理速度を高速化すれば、単
に描画処理の高速化・生産性向上に寄与するだけでなく
、電子線照射に伴うデバイスの放射線損傷を低減という
点においても効果がある。 最近、ジャーナル オブ バキューム サイエンス ア
ンド チクノロシイ、Ｂ６（１）巻、第３１９頁〜第３
２２頁及び第３７９頁〜第３８３頁１９８８ 、 （
Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、 Ｂ６（
１）。 Ｊａｎ／Ｆｅｂ ’８８ ｐｐ３１９−３２２，３７９
−３．８３ ）にも述べられているように、化学増幅反
応すなわち触媒作用を利用した新たな高感度電子線レジ
スト材料が注目を浴びている。これは、化学増幅系レジ
ストと呼ばれ、ポリマーと、放射線照射により触媒とな
る酸を発生する化合物と、酸により上記ポリマーと架橋
反応する化合物（架橋剤）よりなる放射線感応性組成物
である。この組成物は、数μＣ／Ｃ１１２という従来に
比べて約−桁高い感度で描画を達成する。
【発明が解決しようとする課題１
ところが上記化学増幅系レジスト材料をある種の下地材
料の塗膜上に適用すると、レジストパターン断面に異常
な食い込みが入る現象が見出された。第２図はこの現象
を示すＳＥＭ写真である。 食い込みは主にパターンと下地材料との界面付近で生じ
ており、特に微細な寸法領域においてはレジストパター
ンの倒れや剥がれを誘起してパターンの形成が困難にな
る。このため化学増幅系レジストの適用対象となり得る
下地材料の種類は著しく狭められることになり、ＵＬＳ
Ｉ製造等の様に多種類の下地材料加工を必要とする分野
には使えないという問題が生じた。 本発明の目的は、上記のようなパターン断面の異常食い
込み現象を解消したパターン形成法及びこのようなパタ
ーン形成法を応用した半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。 【課題を解決するための手段］ 上記目的は、（１）基板上に下地基板材料よりなる第１
の塗膜を形成する工程、該第１の塗膜をプラズマに晒す
工程、該プラズマに晒された第１の塗膜上に化学増幅系
レジスト材料よりなる第２の塗膜を形成する工程、該第
２の塗膜に所望のパターンの選択的なエネルギ線を照射
する工程及び現像により該第２の塗膜のパターンを形成
する工程を有することを特徴とするパターン形成法、（
２）上記エネルギ線を照射する工程の後に上記第２の塗
膜を加熱する工程を有することを特徴とする請求項１記
載のパターン形成法、（３）上記プラズマとして酸素プ
ラズマを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載
のパターン形成法、（４）上記下地基板材料はシリコン
酸化膜である請求項１．２又は３に記載のパターン形成
法、（５）基板上に下地基板材料よりなる第１の塗膜を
形成する工程、該第１の塗膜をプラズマに晒す工程、該
プラズマに晒された第１の塗膜上に化学増幅系レジスト
材料よりなる第２の塗膜を形成する工程、該第２の塗膜
に所望のパターンの選択的なエネルギ線を照射する工程
及び現像により該第２の塗膜のパターンを形成する工程
を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法、（６）上記エネルギ線を照射する工程の後に上記第
２の塗膜を加熱する工程を有することを特徴とする請求
項５記載の半導体装置の製造方法、（７）上記プラズマ
として酸素プラズマを用いることを特徴とする請求項５
又は６に記載の半導体装置の製造方法、（８）上記下地
基板材料はシリコン酸化膜である請求項５．６又は７に
記載の半導体装置の製造方法により達成される。 化学増幅系レジストとしては、前記したポリマーと、放
射線照射により触媒となる酸を発生する化合物と、酸に
より上記ポリマーと架橋反応する化合物（架橋剤）より
なる放射線感応性組成物の他、放射線照射により触媒と
なる酸を発生する化合物と、酸により架橋反応する置換
基を有するポリマーとよりなる放射線感応性組成物も用
いられる。つまり放射線照射により触媒となる酸を発生
する化合物を含むレジストはすべて本発明に用いること
ができる。 この化学増幅系レジストは、その塗膜に放射線を照射後
、７０〜１３０℃、１〜２０分間ベークすることが好ま
しい。一般にはホットプレートによるときは１〜１０分
間、オープンベーグによるときは３〜２０分間行なう。 【作用ｌ 化学増幅（触媒）反応利用のレジストのパターンを塗布
型Ｓｉ酸化膜（Ｓ ＯＧ ； ５ｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａ
ｓｓ）上に形成し、その断面形状をＩｌ！察したところ
、前記食い込みが生じていることが明らかになった。 この現象は下地の塗膜付近のレジスト材料内に生成され
た触媒となる酸がレジスト内を移動し、下地の塗膜側へ
移動することにより、レジスト膜厚方向の触媒物質の不
均一分布に起因していると考えられ、化学増幅系レジス
ト特有の現象であるものと解釈できる。 下地の塗膜の少なくとも表面を高密度化すれば。 下地の塗膜内に触媒が移動することを阻止又は減少させ
ることができる。プラズマ処理は塗膜表面を改質し、表
面を高密度化することができる。下地の塗膜表面が高密
度化していることは、つぎのデータから理解できる。Ｓ
ｉ酸化膜のＨＦ／Ｈ２Ｏによるウェットエツチングのエ
ツチング速度を酸素プラズマ処理前後で比較した結果を
第３図に示す０図に示すようにエツチング速度は、処理
前に比べて約４〜８倍低下しており、膜質の高密度化が
図られていることが確かめられた。 【実施例】 以下１本発明を実施例を用いて詳細に説明する。 実施例１ 第１図を用いて本実施例を説明する。４インチＳｉ基板
１上に膜厚０．１μｍの塗布型Ｓｉ酸化膜２を塗布形成
した（第１図（ａ））、この後試料を酸素プラズマ３に
よる反応性イオンエツチングで３０分間処理した。この
時塗布型Ｓｉ酸化膜は約３０％の膜減りを生じた（第１
図（ｂ））。次に塗布型Ｓｉ酸化膜表面を疎水化表面処
理した後。 ノボラック樹脂、放射線照射により酸を発生する化合物
、酸により架橋反応する化合物よりなる化学増幅系レジ
スト（ＳＡＬ６０１−ＥＲ７；シップレイ・マイクロエ
！・クトロニク入社）４を０．５μ菖膜厚で塗膜形成し
、加速電圧３０ｋＶの可変成形型電子線描画装置を用い
、電子線５でパターンを描画した（第１図（Ｃ））。さ
らに１０５℃で７分間ベークし、現像液Ｍ Ｆ ３１２
（シップレイ・マイクロエレクトロニクス社）で現像す
ることによりパターンを形成した（第１図（ｄ））、レ
ジストパターン断面を走査型電子顕微鏡により観察した
ところ、パターン断面には何ら異常なく、良好な矩形状
の断面が認められた。ＨＦ／Ｈ２Ｏからなるウェットエ
ツチングを行なったところ、エツチング速度は酸素プラ
ズマ処理後で約８倍低下しており、膜質の高密度化が図
られていることが確かめられた。 実施例２ 半導体装置を作成した例を示す、半導体装置は０．５μ
ｍ設計ルールのダイナミックメモリであり１本発明をア
ルミ配線層形成工程に適用した例を示す、以下、第４図
を用いてこれを説明する。 第４図（ａ）は配線を形成すべきアルミニウム層６を示
す、アルミニウム層６はスパッタリングにより、膜厚１
．０μｍに堆積させた。つぎに第４図（ｂ）に示すよう
に、アルミニウム層６の上にフォトレジスト（ＯＦＰＲ
８００；東京応化層）７を膜厚１．５μｍに回転塗布し
、２００℃３０分間のハードベーク処理をした。その後
膜厚０．１μｍの塗布型Ｓｉ酸化物（ＳＯＧ；東京応化
層）２の塗膜を形成し、２００℃３０分間のべ一り処理
を行なった。さらに上記試料を酸素プラズマ３による反
応性イオンエツチングで３０分間処理した後、塗布型Ｓ
ｉ酸化物２表面をヘキサメチルジシラザンのガス雰囲気
にて疎水化処理した。 ついで第４図（ｃ）に示すように化学増幅系ネガ型レジ
スト（ＳＡＬ６０１−ＥＲ７ニジツブレイ・マイクロエ
レクトロニクス社）４を０．５μ璽膜厚の塗膜に形成し
、加速電圧３０ｋＶの可変成形型電子線描画装置で０．
５μｍ設計ルールによる配線パターンを描画した。さら
に１０５℃で７分間ベークし、現像液Ｍ Ｆ ３１２（
シソプレイ・マイクロエレクトロニクス社）にて現像す
ることにより配線のレジストパターンを形成した。 この後第４図（ｄ）に示すように、レジストパターンを
マスクとしてフッソ系ガスによるドライエツチング加工
で上記レジストパターンを下地塗布型Ｓｉ酸化物２に転
写し、さらにこの塗布型Ｓｉ酸化物パターンをマスクに
して酸素ガスによるドライエツチング加工で塗布型Ｓｉ
酸化物パターンを下地フォトレジスト層７に転写した。 最後に第４図（ｅ）に示すように、上記塗布型Ｓｉ酸化
物パターンをＨＦ水溶液で溶解除去した後、フォトレジ
ストパターンをマスクとして下地アルミニウム層６を塩
素系ガスによるドライエツチング加工で上記フォトレジ
ストパターンを下地アルミニウム層６に転写し、上記フ
ォトレジストパターンを灰化、除去した。 この一連の処理により０．５μｍ設計ルールのダイナミ
ックメモリ配線層を化学増幅系ネガ型レジストを用いて
形成することができた。 以上の実施例においては、電子線リソグラフィについて
述べたが、本発明は化学増幅系レジスト材料の下地材料
に対する特異現象に対するものであることから、単に電
子線リソグラフィにおいてのみその効果を有するもので
なく、フォトリソグラフィやイオンビームリソグラフィ
、Ｘ線リングラフィ等リソグラフィ全般にわたってその
効果を有することは言うまでもない。 また、酸素プラズマによるプラズマ処理について述べた
が他のプラズマによる処理も同様とみなされる。 【発明の効果） 本発明によれば、化学増幅系電子線レジスト材料を用い
たパターン形成方法及び半導体装置の製造方法において
、形成されたパターンの断面異常を回避することができ
た。このため今後益々高集積化するＵＬＳ Ｉ等の半導
体素子や超微細デバイスの製造に当たり、リソグラフィ
技術の実用化を強力に推進することができる。
料の塗膜上に適用すると、レジストパターン断面に異常
な食い込みが入る現象が見出された。第２図はこの現象
を示すＳＥＭ写真である。 食い込みは主にパターンと下地材料との界面付近で生じ
ており、特に微細な寸法領域においてはレジストパター
ンの倒れや剥がれを誘起してパターンの形成が困難にな
る。このため化学増幅系レジストの適用対象となり得る
下地材料の種類は著しく狭められることになり、ＵＬＳ
Ｉ製造等の様に多種類の下地材料加工を必要とする分野
には使えないという問題が生じた。 本発明の目的は、上記のようなパターン断面の異常食い
込み現象を解消したパターン形成法及びこのようなパタ
ーン形成法を応用した半導体装置の製造方法を提供する
ことにある。 【課題を解決するための手段］ 上記目的は、（１）基板上に下地基板材料よりなる第１
の塗膜を形成する工程、該第１の塗膜をプラズマに晒す
工程、該プラズマに晒された第１の塗膜上に化学増幅系
レジスト材料よりなる第２の塗膜を形成する工程、該第
２の塗膜に所望のパターンの選択的なエネルギ線を照射
する工程及び現像により該第２の塗膜のパターンを形成
する工程を有することを特徴とするパターン形成法、（
２）上記エネルギ線を照射する工程の後に上記第２の塗
膜を加熱する工程を有することを特徴とする請求項１記
載のパターン形成法、（３）上記プラズマとして酸素プ
ラズマを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載
のパターン形成法、（４）上記下地基板材料はシリコン
酸化膜である請求項１．２又は３に記載のパターン形成
法、（５）基板上に下地基板材料よりなる第１の塗膜を
形成する工程、該第１の塗膜をプラズマに晒す工程、該
プラズマに晒された第１の塗膜上に化学増幅系レジスト
材料よりなる第２の塗膜を形成する工程、該第２の塗膜
に所望のパターンの選択的なエネルギ線を照射する工程
及び現像により該第２の塗膜のパターンを形成する工程
を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法、（６）上記エネルギ線を照射する工程の後に上記第
２の塗膜を加熱する工程を有することを特徴とする請求
項５記載の半導体装置の製造方法、（７）上記プラズマ
として酸素プラズマを用いることを特徴とする請求項５
又は６に記載の半導体装置の製造方法、（８）上記下地
基板材料はシリコン酸化膜である請求項５．６又は７に
記載の半導体装置の製造方法により達成される。 化学増幅系レジストとしては、前記したポリマーと、放
射線照射により触媒となる酸を発生する化合物と、酸に
より上記ポリマーと架橋反応する化合物（架橋剤）より
なる放射線感応性組成物の他、放射線照射により触媒と
なる酸を発生する化合物と、酸により架橋反応する置換
基を有するポリマーとよりなる放射線感応性組成物も用
いられる。つまり放射線照射により触媒となる酸を発生
する化合物を含むレジストはすべて本発明に用いること
ができる。 この化学増幅系レジストは、その塗膜に放射線を照射後
、７０〜１３０℃、１〜２０分間ベークすることが好ま
しい。一般にはホットプレートによるときは１〜１０分
間、オープンベーグによるときは３〜２０分間行なう。 【作用ｌ 化学増幅（触媒）反応利用のレジストのパターンを塗布
型Ｓｉ酸化膜（Ｓ ＯＧ ； ５ｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａ
ｓｓ）上に形成し、その断面形状をＩｌ！察したところ
、前記食い込みが生じていることが明らかになった。 この現象は下地の塗膜付近のレジスト材料内に生成され
た触媒となる酸がレジスト内を移動し、下地の塗膜側へ
移動することにより、レジスト膜厚方向の触媒物質の不
均一分布に起因していると考えられ、化学増幅系レジス
ト特有の現象であるものと解釈できる。 下地の塗膜の少なくとも表面を高密度化すれば。 下地の塗膜内に触媒が移動することを阻止又は減少させ
ることができる。プラズマ処理は塗膜表面を改質し、表
面を高密度化することができる。下地の塗膜表面が高密
度化していることは、つぎのデータから理解できる。Ｓ
ｉ酸化膜のＨＦ／Ｈ２Ｏによるウェットエツチングのエ
ツチング速度を酸素プラズマ処理前後で比較した結果を
第３図に示す０図に示すようにエツチング速度は、処理
前に比べて約４〜８倍低下しており、膜質の高密度化が
図られていることが確かめられた。 【実施例】 以下１本発明を実施例を用いて詳細に説明する。 実施例１ 第１図を用いて本実施例を説明する。４インチＳｉ基板
１上に膜厚０．１μｍの塗布型Ｓｉ酸化膜２を塗布形成
した（第１図（ａ））、この後試料を酸素プラズマ３に
よる反応性イオンエツチングで３０分間処理した。この
時塗布型Ｓｉ酸化膜は約３０％の膜減りを生じた（第１
図（ｂ））。次に塗布型Ｓｉ酸化膜表面を疎水化表面処
理した後。 ノボラック樹脂、放射線照射により酸を発生する化合物
、酸により架橋反応する化合物よりなる化学増幅系レジ
スト（ＳＡＬ６０１−ＥＲ７；シップレイ・マイクロエ
！・クトロニク入社）４を０．５μ菖膜厚で塗膜形成し
、加速電圧３０ｋＶの可変成形型電子線描画装置を用い
、電子線５でパターンを描画した（第１図（Ｃ））。さ
らに１０５℃で７分間ベークし、現像液Ｍ Ｆ ３１２
（シップレイ・マイクロエレクトロニクス社）で現像す
ることによりパターンを形成した（第１図（ｄ））、レ
ジストパターン断面を走査型電子顕微鏡により観察した
ところ、パターン断面には何ら異常なく、良好な矩形状
の断面が認められた。ＨＦ／Ｈ２Ｏからなるウェットエ
ツチングを行なったところ、エツチング速度は酸素プラ
ズマ処理後で約８倍低下しており、膜質の高密度化が図
られていることが確かめられた。 実施例２ 半導体装置を作成した例を示す、半導体装置は０．５μ
ｍ設計ルールのダイナミックメモリであり１本発明をア
ルミ配線層形成工程に適用した例を示す、以下、第４図
を用いてこれを説明する。 第４図（ａ）は配線を形成すべきアルミニウム層６を示
す、アルミニウム層６はスパッタリングにより、膜厚１
．０μｍに堆積させた。つぎに第４図（ｂ）に示すよう
に、アルミニウム層６の上にフォトレジスト（ＯＦＰＲ
８００；東京応化層）７を膜厚１．５μｍに回転塗布し
、２００℃３０分間のハードベーク処理をした。その後
膜厚０．１μｍの塗布型Ｓｉ酸化物（ＳＯＧ；東京応化
層）２の塗膜を形成し、２００℃３０分間のべ一り処理
を行なった。さらに上記試料を酸素プラズマ３による反
応性イオンエツチングで３０分間処理した後、塗布型Ｓ
ｉ酸化物２表面をヘキサメチルジシラザンのガス雰囲気
にて疎水化処理した。 ついで第４図（ｃ）に示すように化学増幅系ネガ型レジ
スト（ＳＡＬ６０１−ＥＲ７ニジツブレイ・マイクロエ
レクトロニクス社）４を０．５μ璽膜厚の塗膜に形成し
、加速電圧３０ｋＶの可変成形型電子線描画装置で０．
５μｍ設計ルールによる配線パターンを描画した。さら
に１０５℃で７分間ベークし、現像液Ｍ Ｆ ３１２（
シソプレイ・マイクロエレクトロニクス社）にて現像す
ることにより配線のレジストパターンを形成した。 この後第４図（ｄ）に示すように、レジストパターンを
マスクとしてフッソ系ガスによるドライエツチング加工
で上記レジストパターンを下地塗布型Ｓｉ酸化物２に転
写し、さらにこの塗布型Ｓｉ酸化物パターンをマスクに
して酸素ガスによるドライエツチング加工で塗布型Ｓｉ
酸化物パターンを下地フォトレジスト層７に転写した。 最後に第４図（ｅ）に示すように、上記塗布型Ｓｉ酸化
物パターンをＨＦ水溶液で溶解除去した後、フォトレジ
ストパターンをマスクとして下地アルミニウム層６を塩
素系ガスによるドライエツチング加工で上記フォトレジ
ストパターンを下地アルミニウム層６に転写し、上記フ
ォトレジストパターンを灰化、除去した。 この一連の処理により０．５μｍ設計ルールのダイナミ
ックメモリ配線層を化学増幅系ネガ型レジストを用いて
形成することができた。 以上の実施例においては、電子線リソグラフィについて
述べたが、本発明は化学増幅系レジスト材料の下地材料
に対する特異現象に対するものであることから、単に電
子線リソグラフィにおいてのみその効果を有するもので
なく、フォトリソグラフィやイオンビームリソグラフィ
、Ｘ線リングラフィ等リソグラフィ全般にわたってその
効果を有することは言うまでもない。 また、酸素プラズマによるプラズマ処理について述べた
が他のプラズマによる処理も同様とみなされる。 【発明の効果） 本発明によれば、化学増幅系電子線レジスト材料を用い
たパターン形成方法及び半導体装置の製造方法において
、形成されたパターンの断面異常を回避することができ
た。このため今後益々高集積化するＵＬＳ Ｉ等の半導
体素子や超微細デバイスの製造に当たり、リソグラフィ
技術の実用化を強力に推進することができる。
第１図は下地の塗膜を酸素プラズマ処理し、該塗膜上に
パターンを形成する工程を説明する工程図、第２図は化
学増幅系レジストパターンの形成時の断面食い込み現象
を示す電子顕微鏡写真、第３図は下地塗膜の酸素プラズ
マ処理前後のウェットエツチング液によるエツチング速
度を示す図、第４図は本発明により半導体装置を製造す
る工程を説明するための工程図である。 １・・・Ｓｉ基板 ２・・・塗布型Ｓｉ酸化膜３・
・・酸素プラズマ ４・・・レジスト５・・・電子線
６・・・アルミニウム層７・・・フォトレジスト
パターンを形成する工程を説明する工程図、第２図は化
学増幅系レジストパターンの形成時の断面食い込み現象
を示す電子顕微鏡写真、第３図は下地塗膜の酸素プラズ
マ処理前後のウェットエツチング液によるエツチング速
度を示す図、第４図は本発明により半導体装置を製造す
る工程を説明するための工程図である。 １・・・Ｓｉ基板 ２・・・塗布型Ｓｉ酸化膜３・
・・酸素プラズマ ４・・・レジスト５・・・電子線
６・・・アルミニウム層７・・・フォトレジスト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に下地基板材料よりなる第１の塗膜を形成す
る工程、該第１の塗膜をプラズマに晒す工程、該プラズ
マに晒された第１の塗膜上に化学増幅系レジスト材料よ
りなる第２の塗膜を形成する工程、該第２の塗膜に所望
のパターンの選択的なエネルギ線を照射する工程及び現
像により該第２の塗膜のパターンを形成する工程を有す
ることを特徴とするパターン形成法。 ２、上記エネルギ線を照射する工程の後に上記第２の塗
膜を加熱する工程を有することを特徴とする請求項１記
載のパターン形成法。 ３、上記プラズマとして酸素プラズマを用いることを特
徴とする請求項１又は２に記載のパターン形成法。 ４、上記下地基板材料はシリコン酸化膜である請求項１
、２又は３に記載のパターン形成法。 ５、基板上に下地基板材料よりなる第１の塗膜を形成す
る工程、該第１の塗膜をプラズマに晒す工程、該プラズ
マに晒された第１の塗膜上に化学増帽系レジスト材料よ
りなる第２の塗膜を形成する工程、該第２の塗膜に所望
のパターンの選択的なエネルギ線を照射する工程及び現
像により該第２の塗膜のパターンを形成する工程を少な
くとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 ６、上記エネルギ線を照射する工程の後に上記第２の塗
膜を加熱する工程を有することを特徴とする請求項５記
載の半導体装置の製造方法。 ７、上記プラズマとして酸素プラズマを用いることを特
徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法
。 ８、上記下地基板材料はシリコン酸化膜である請求項５
、６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27859689A JPH03141632A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | パターン形成法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27859689A JPH03141632A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | パターン形成法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141632A true JPH03141632A (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=17599472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27859689A Pending JPH03141632A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | パターン形成法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03141632A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5342481A (en) * | 1991-02-15 | 1994-08-30 | Sony Corporation | Dry etching method |
| US5789141A (en) * | 1994-07-07 | 1998-08-04 | Fujitsu Limited | Photolithography of chemically amplified resist utilizing 200°C minimum heat treatment of uncoated substrate |
| JP2006287236A (ja) * | 2006-04-07 | 2006-10-19 | Hoya Corp | マスクブランク、及びマスク |
| JP2011090343A (ja) * | 2011-02-04 | 2011-05-06 | Hoya Corp | マスクブランク、及びマスク |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP27859689A patent/JPH03141632A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5342481A (en) * | 1991-02-15 | 1994-08-30 | Sony Corporation | Dry etching method |
| US5789141A (en) * | 1994-07-07 | 1998-08-04 | Fujitsu Limited | Photolithography of chemically amplified resist utilizing 200°C minimum heat treatment of uncoated substrate |
| JP2006287236A (ja) * | 2006-04-07 | 2006-10-19 | Hoya Corp | マスクブランク、及びマスク |
| JP2011090343A (ja) * | 2011-02-04 | 2011-05-06 | Hoya Corp | マスクブランク、及びマスク |
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