JPH10312066A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JPH10312066A JPH10312066A JP12425997A JP12425997A JPH10312066A JP H10312066 A JPH10312066 A JP H10312066A JP 12425997 A JP12425997 A JP 12425997A JP 12425997 A JP12425997 A JP 12425997A JP H10312066 A JPH10312066 A JP H10312066A
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- resist film
- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】欠陥の少ない薄膜化レジストパターンを形成す
る。 【解決手段】石英ガラス基板１０上にＣｒ膜１１が形成
されている基体上にポジレジスト１２を膜厚約５００ｎ
ｍになるよう塗布する。（図１（ａ））。次いで、レジ
スト１２に対してパターンの露光を行う。（図１
（ｂ））。次いで、レジスト厚膜１２の全面に対してエ
ッチング（ＣＤＥ）を行い、レジスト膜厚を２８０ｎｍ
まで減少させる（図１（ｃ））次いで、通常の現像と同
様に、０．２１Ｎ（ＴＭＡＨ）を用いてレジスト１２の
現像を行った（図１（ｄ））。次いで、レジスト１２を
マスクとしてクロム膜１１に対してドライエッチングを
行った後（図１（ｅ））、レジスト１２を剥離する（図
１（ｆ））。
る。 【解決手段】石英ガラス基板１０上にＣｒ膜１１が形成
されている基体上にポジレジスト１２を膜厚約５００ｎ
ｍになるよう塗布する。（図１（ａ））。次いで、レジ
スト１２に対してパターンの露光を行う。（図１
（ｂ））。次いで、レジスト厚膜１２の全面に対してエ
ッチング（ＣＤＥ）を行い、レジスト膜厚を２８０ｎｍ
まで減少させる（図１（ｃ））次いで、通常の現像と同
様に、０．２１Ｎ（ＴＭＡＨ）を用いてレジスト１２の
現像を行った（図１（ｄ））。次いで、レジスト１２を
マスクとしてクロム膜１１に対してドライエッチングを
行った後（図１（ｅ））、レジスト１２を剥離する（図
１（ｆ））。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄い膜厚のレジス
トパターンを形成するためのレジストパターン形成方法
に関する。
トパターンを形成するためのレジストパターン形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体産業や液晶産業におけるパ
ターンの微細化の進展は著しく、パターン微細化に向け
て描画装置の高精度化，高分解能化、または現像，エッ
チングといったプロセスの改良、そして高感度，高解像
性レジストの開発等が積極的に行われている。
ターンの微細化の進展は著しく、パターン微細化に向け
て描画装置の高精度化，高分解能化、または現像，エッ
チングといったプロセスの改良、そして高感度，高解像
性レジストの開発等が積極的に行われている。
【０００３】しかし、レジストパターン微細化に伴い、
高アスペクト比によるパターン倒れやマイクロローディ
ング効果が新たな問題として浮上している。そこで近年
は、レジストパターンのアスペクト比を低くするため
に、平坦化技術の適用やエッチング条件の改善等によ
り、レジストの薄膜化を指向する動きが活発である。
高アスペクト比によるパターン倒れやマイクロローディ
ング効果が新たな問題として浮上している。そこで近年
は、レジストパターンのアスペクト比を低くするため
に、平坦化技術の適用やエッチング条件の改善等によ
り、レジストの薄膜化を指向する動きが活発である。
【０００４】しかし、レジストの薄膜化は実用的な観点
からいえば欠陥の増大という重大な問題を内包してい
る。レジスト中のダストやゲル成分、或いは回転塗布時
に巻き込む気泡などが原因と考えられるピンホール発生
が、薄膜化により顕著になるという問題がある。実際、
レジスト膜厚が薄くなるに従って、指数関数的にピンホ
ール数が増大する。
からいえば欠陥の増大という重大な問題を内包してい
る。レジスト中のダストやゲル成分、或いは回転塗布時
に巻き込む気泡などが原因と考えられるピンホール発生
が、薄膜化により顕著になるという問題がある。実際、
レジスト膜厚が薄くなるに従って、指数関数的にピンホ
ール数が増大する。
【０００５】また、レジストの塗布には、主に回転塗布
方法が用いられている。しかし、回転塗布方法で薄いレ
ジスト膜を形成する場合、膜厚分布を均一に保つのが非
常に難しいという問題がある。レジストの膜厚ばらつき
は、そのままパターン寸法のばらつきに反映されて寸法
均一性の悪化を招く。
方法が用いられている。しかし、回転塗布方法で薄いレ
ジスト膜を形成する場合、膜厚分布を均一に保つのが非
常に難しいという問題がある。レジストの膜厚ばらつき
は、そのままパターン寸法のばらつきに反映されて寸法
均一性の悪化を招く。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、レジ
ストの薄膜化に伴い、ピンホール数が増大するという問
題がある。また、膜厚分布が均一な薄膜化レジストを形
成することが困難であるという問題があった。本発明の
目的は、薄膜化レジストパターンの形成における欠陥の
低減及び膜厚の均一化を図り得るレジストパターン形成
方法を提供することにある。
ストの薄膜化に伴い、ピンホール数が増大するという問
題がある。また、膜厚分布が均一な薄膜化レジストを形
成することが困難であるという問題があった。本発明の
目的は、薄膜化レジストパターンの形成における欠陥の
低減及び膜厚の均一化を図り得るレジストパターン形成
方法を提供することにある。
【０００７】
［構成］本発明は、上記目的を達成するために以下のよ
うに構成されている。 （１） 本発明（請求項１）のレジストパターン形成方
法は、基体上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジ
スト膜の所定領域を露光する工程と、前記レジスト膜の
表面層を均一な厚さで除去し、レジスト膜の膜厚を薄く
する工程と、薄くされた前記レジスト膜を現像する工程
とを含むことを特徴とする。 （２） 本発明（請求項２）のレジストパターン形成方
法は、基体上にレジスト膜を塗布する工程と、レジスト
膜の所定領域を露光する工程と、ケミカル・ドライ・エ
ッチング（Chemical Ion Etching；ＣＤＥ）によって前
記レジスト膜の表面層を均一な厚さで除去しレジストの
膜厚を薄くする工程と、薄くされた前記レジスト膜を現
像する工程とを含むことを特徴とする （３） 本発明（請求項３）のレジストパターン形成方
法は、基体上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジ
スト膜の所望領域を露光する工程と、反応性イオン・エ
ッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）によって前
記レジスト膜の表面層を均一な厚さで除去しレジスト膜
の膜厚を薄くする工程と、前記レジスト膜を現像する工
程とを含むことを特徴とする。 （４） 本発明（請求項４）のレジストパターン形成方
法は、基体上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジ
スト膜の所望領域を露光する第１の露光工程と、前記レ
ジスト膜の全面を露光して該レジスト膜の表面層を感光
する第２の露光工程と、前記レジスト膜の感光された表
面層を除去して薄くする第１の現像工程と、前記第１の
露光工程で定まる所望のパターンで表面層の除去された
前記レジスト膜を残す第２の現像工程とを含むことを特
徴とする （５） 本発明（請求項５）のレジストパターン形成方
法は、基体上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジ
スト膜の全面を露光して該レジストの表面層を感光する
第１の露光工程と、前記レジスト膜の所望領域を露光す
る第２の露光工程と、前記レジスト膜の感光された表面
層を除去し薄くする第１の現像工程と、第２の露光工程
で定まる所望のパターンで表面層の除去された前記レジ
スト膜を残す第２の現像工程とを含むことを特徴とす
る。 （６）基体上にレジストを塗布するに際し、前記レジス
ト膜の膜厚変位，ピンホールが少ない条件でレジストを
塗布することを特徴とする。
うに構成されている。 （１） 本発明（請求項１）のレジストパターン形成方
法は、基体上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジ
スト膜の所定領域を露光する工程と、前記レジスト膜の
表面層を均一な厚さで除去し、レジスト膜の膜厚を薄く
する工程と、薄くされた前記レジスト膜を現像する工程
とを含むことを特徴とする。 （２） 本発明（請求項２）のレジストパターン形成方
法は、基体上にレジスト膜を塗布する工程と、レジスト
膜の所定領域を露光する工程と、ケミカル・ドライ・エ
ッチング（Chemical Ion Etching；ＣＤＥ）によって前
記レジスト膜の表面層を均一な厚さで除去しレジストの
膜厚を薄くする工程と、薄くされた前記レジスト膜を現
像する工程とを含むことを特徴とする （３） 本発明（請求項３）のレジストパターン形成方
法は、基体上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジ
スト膜の所望領域を露光する工程と、反応性イオン・エ
ッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）によって前
記レジスト膜の表面層を均一な厚さで除去しレジスト膜
の膜厚を薄くする工程と、前記レジスト膜を現像する工
程とを含むことを特徴とする。 （４） 本発明（請求項４）のレジストパターン形成方
法は、基体上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジ
スト膜の所望領域を露光する第１の露光工程と、前記レ
ジスト膜の全面を露光して該レジスト膜の表面層を感光
する第２の露光工程と、前記レジスト膜の感光された表
面層を除去して薄くする第１の現像工程と、前記第１の
露光工程で定まる所望のパターンで表面層の除去された
前記レジスト膜を残す第２の現像工程とを含むことを特
徴とする （５） 本発明（請求項５）のレジストパターン形成方
法は、基体上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジ
スト膜の全面を露光して該レジストの表面層を感光する
第１の露光工程と、前記レジスト膜の所望領域を露光す
る第２の露光工程と、前記レジスト膜の感光された表面
層を除去し薄くする第１の現像工程と、第２の露光工程
で定まる所望のパターンで表面層の除去された前記レジ
スト膜を残す第２の現像工程とを含むことを特徴とす
る。 （６）基体上にレジストを塗布するに際し、前記レジス
ト膜の膜厚変位，ピンホールが少ない条件でレジストを
塗布することを特徴とする。
【０００８】本実施形態のレジストパターン形成方法
は、これらに限定されるものではない。例えば、Ｃｒマ
スクブランクス，ウェハプロセス，位相シフトマスク制
作プロセス，或いは液晶製作工程などに適用可能であ
る。
は、これらに限定されるものではない。例えば、Ｃｒマ
スクブランクス，ウェハプロセス，位相シフトマスク制
作プロセス，或いは液晶製作工程などに適用可能であ
る。
【０００９】［作用］本発明は、上記構成によって以下
の作用・効果を有する。先ず、本発明の概略を説明す
る。ピンホール等の欠陥及び膜厚分布が少ない既知の条
件を用いて所望の膜厚より厚く、レジストを塗布する。
そして、所望パターンを露光した後に、レジスト表面層
を所望の膜厚になるまで除去して、薄膜化レジストを得
る。
の作用・効果を有する。先ず、本発明の概略を説明す
る。ピンホール等の欠陥及び膜厚分布が少ない既知の条
件を用いて所望の膜厚より厚く、レジストを塗布する。
そして、所望パターンを露光した後に、レジスト表面層
を所望の膜厚になるまで除去して、薄膜化レジストを得
る。
【００１０】つまり、厚膜でレジスト塗布を行うことに
より、ピンホール欠陥を抑えることができ、レジスト膜
厚の面内均一性についても面内のばらつきの小さい優れ
たレジスト膜を作成することができる。そして、欠陥等
の少ない膜をエッチングの面内均一性が一般によい条件
でＣＤＥ，又はＲＩＥといったエッチングを行うことに
よって、レジストの薄膜化を図る。また、かかる工程に
よって新たにピンホールが生じることもない。
より、ピンホール欠陥を抑えることができ、レジスト膜
厚の面内均一性についても面内のばらつきの小さい優れ
たレジスト膜を作成することができる。そして、欠陥等
の少ない膜をエッチングの面内均一性が一般によい条件
でＣＤＥ，又はＲＩＥといったエッチングを行うことに
よって、レジストの薄膜化を図る。また、かかる工程に
よって新たにピンホールが生じることもない。
【００１１】本発明のレジストパターン形成方法では、
レジストのエッチングレートの再現性が非常に高いこと
を利用する。エッチング時間やガス種，圧力，パワー，
流量比等のエッチング条件を制御することにより、所望
の膜厚のレジスト膜を塗布時の膜厚ばらつきいないで再
現性良く短時間で得ることが可能である。ばらつきの少
ない厚さのレジスト膜を得たい場合には、エッチングに
おいて使用されるＣＦ4 やＯ2 ガスの流量、圧力を減ら
してエッチングレートを遅くし、エッチング時間を長く
する。かかる方法により、より正確な膜厚コントロール
を行うことが可能となる。
レジストのエッチングレートの再現性が非常に高いこと
を利用する。エッチング時間やガス種，圧力，パワー，
流量比等のエッチング条件を制御することにより、所望
の膜厚のレジスト膜を塗布時の膜厚ばらつきいないで再
現性良く短時間で得ることが可能である。ばらつきの少
ない厚さのレジスト膜を得たい場合には、エッチングに
おいて使用されるＣＦ4 やＯ2 ガスの流量、圧力を減ら
してエッチングレートを遅くし、エッチング時間を長く
する。かかる方法により、より正確な膜厚コントロール
を行うことが可能となる。
【００１２】上記方法により例えば、通常のスピンコー
ト法では得ることが不可能な１００ｎｍ以下の膜厚のレ
ジスト膜、また例えば面内均一性の良い５０ｎｍの厚さ
のレジスト膜を容易に得ることが可能となる。
ト法では得ることが不可能な１００ｎｍ以下の膜厚のレ
ジスト膜、また例えば面内均一性の良い５０ｎｍの厚さ
のレジスト膜を容易に得ることが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。 ［第１実施形態］図１は本発明の第１実施形態に係わる
レジストパターンの形成を示す工程断面図である。
を参照して説明する。 ［第１実施形態］図１は本発明の第１実施形態に係わる
レジストパターンの形成を示す工程断面図である。
【００１４】先ず、６インチ石英ガラス基板１０上に形
成されているＣｒ膜１１上に、レジストコーターを使用
して、電子線用化学増幅ポジレジスト１２を膜厚約５０
０ｎｍになるよう回転塗布する（図１（ａ））。なお、
レジスト１２の塗布は、ピンホール等の欠陥及び面内膜
厚分布が少ない既知の条件を用いて行う。その後、必要
に応じて、ベーキング、クーリングを行いレジスト１２
中の溶剤を除去する。
成されているＣｒ膜１１上に、レジストコーターを使用
して、電子線用化学増幅ポジレジスト１２を膜厚約５０
０ｎｍになるよう回転塗布する（図１（ａ））。なお、
レジスト１２の塗布は、ピンホール等の欠陥及び面内膜
厚分布が少ない既知の条件を用いて行う。その後、必要
に応じて、ベーキング、クーリングを行いレジスト１２
中の溶剤を除去する。
【００１５】次いで、電子線描画装置を用いてレジスト
１２に対してパターンの描画（露光）（５０ｋｅＶ，８
μＣ／ｃｍ2 ）を行う（図１（ｂ））。その後、溶解防
止基の分解反応を促進するため、ベーキング，クーリン
グを行う。
１２に対してパターンの描画（露光）（５０ｋｅＶ，８
μＣ／ｃｍ2 ）を行う（図１（ｂ））。その後、溶解防
止基の分解反応を促進するため、ベーキング，クーリン
グを行う。
【００１６】次いで、ＣＦ4 ガスとＯ2 ガスとを約１：
１の割合で混合したガスに対してマイクロ波放電させて
プラズマを生成し、このプラズマを用いてレジスト１２
の全面に対してエッチング（ＣＤＥ）を行い、レジスト
膜厚を２８０ｎｍまで減少させる（図１（ｃ））。
１の割合で混合したガスに対してマイクロ波放電させて
プラズマを生成し、このプラズマを用いてレジスト１２
の全面に対してエッチング（ＣＤＥ）を行い、レジスト
膜厚を２８０ｎｍまで減少させる（図１（ｃ））。
【００１７】エッチング条件を、放電パワー３００Ｗ，
全圧力２０Ｐａ，ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝２００／２００ｓｃｃ
ｍとすると、レジストのエッチングレートは１６ｎｍ／
ｍｉｎとなった。初期のレジスト膜厚は、５００ｎｍで
あったので、例えば２８０ｎｍのレジスト膜厚を得るの
に約１５分エッチングを行った。
全圧力２０Ｐａ，ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝２００／２００ｓｃｃ
ｍとすると、レジストのエッチングレートは１６ｎｍ／
ｍｉｎとなった。初期のレジスト膜厚は、５００ｎｍで
あったので、例えば２８０ｎｍのレジスト膜厚を得るの
に約１５分エッチングを行った。
【００１８】次いで、通常の現像と同様に、アルカリ現
像液、例えば０．２１Ｎ ＴＭＡＨ（TetraMethylAmmon
iumHydrooxide ）を用いてレジスト１２の現像を行った
（図１（ｄ））。次いで、レジスト１２をマスクとし
て、クロム膜１１に対してドライエッチングを行った後
（図１（ｅ））、レジスト１２を剥離した（図１
（ｆ））。
像液、例えば０．２１Ｎ ＴＭＡＨ（TetraMethylAmmon
iumHydrooxide ）を用いてレジスト１２の現像を行った
（図１（ｄ））。次いで、レジスト１２をマスクとし
て、クロム膜１１に対してドライエッチングを行った後
（図１（ｅ））、レジスト１２を剥離した（図１
（ｆ））。
【００１９】薄膜化レジストと通常の厚膜レジストを用
いて形成されたＬ／Ｓ系パターンにおけるＣｒ膜のパタ
ーン幅の確認を行った。パターン描画後膜厚を薄くせず
に作成したサンプルは、０．１５μｍまでしか解像して
いなかった。それに対し、描画後レジストの薄膜化を図
ったサンプルは０．１３μｍまで解像しており、解像性
が向上していることが確認できた。
いて形成されたＬ／Ｓ系パターンにおけるＣｒ膜のパタ
ーン幅の確認を行った。パターン描画後膜厚を薄くせず
に作成したサンプルは、０．１５μｍまでしか解像して
いなかった。それに対し、描画後レジストの薄膜化を図
ったサンプルは０．１３μｍまで解像しており、解像性
が向上していることが確認できた。
【００２０】また、レジストの全面検査を行った結果、
ピンホール数も０．３μｍレベルのものが３個存在する
程度であった。比較のため通常の方法で作成したレジス
トマスクにでは１個あったので、両者の間に有意な差は
ほとんど生じていない。また、比較のためレジストを最
初から２８０ｎｍの膜厚で塗布した場合のピンホール数
は、１６０個に増加するという結果が得られた。
ピンホール数も０．３μｍレベルのものが３個存在する
程度であった。比較のため通常の方法で作成したレジス
トマスクにでは１個あったので、両者の間に有意な差は
ほとんど生じていない。また、比較のためレジストを最
初から２８０ｎｍの膜厚で塗布した場合のピンホール数
は、１６０個に増加するという結果が得られた。
【００２１】以上述べたようにレジストを塗布した後、
必要に応じて、ベーキング，クーリングを行った後、パ
ターン描画を行い、レジストに対してＣＤＥを行いレジ
ストを薄膜化することによって、ピンホール数を増加さ
せずパターンの解像性も向上する結果を得られた。
必要に応じて、ベーキング，クーリングを行った後、パ
ターン描画を行い、レジストに対してＣＤＥを行いレジ
ストを薄膜化することによって、ピンホール数を増加さ
せずパターンの解像性も向上する結果を得られた。
【００２２】なお、エッチングガスは、レジストの組成
により適宜使い分ける。例えば、Ｏ2 ，ＮＯ，ＣＯ，Ｈ
2 Ｏ，ＮＯx ，Ｆ2 ，Ｈ2 ，Ｃｌ2 ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ
等のガスを用いることができる。また、これらのガスを
混合して使用することも可能である。ガスの種類によっ
てレジストの表面状態や特性が変化することもあり得る
ので、適宜選択して使用する。
により適宜使い分ける。例えば、Ｏ2 ，ＮＯ，ＣＯ，Ｈ
2 Ｏ，ＮＯx ，Ｆ2 ，Ｈ2 ，Ｃｌ2 ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ
等のガスを用いることができる。また、これらのガスを
混合して使用することも可能である。ガスの種類によっ
てレジストの表面状態や特性が変化することもあり得る
ので、適宜選択して使用する。
【００２３】また、本実施形態のレジスト膜エッチング
工程は、ＣＤＥに限定されるものではなく、ＲＩＥ等の
エッチング法を用いてもレジスト膜の薄膜化を図ること
は可能である。
工程は、ＣＤＥに限定されるものではなく、ＲＩＥ等の
エッチング法を用いてもレジスト膜の薄膜化を図ること
は可能である。
【００２４】［第２実施形態］本実施形態では、第１実
施形態と異なるレジスト薄膜を形成する方法について説
明する。図２は、本発明の第２実施形態に係わるレジス
トパターンの形成を示す工程断面図である。
施形態と異なるレジスト薄膜を形成する方法について説
明する。図２は、本発明の第２実施形態に係わるレジス
トパターンの形成を示す工程断面図である。
【００２５】先ず、６インチ石英ガラス基板１０上に形
成されているＣｒ膜１１上に、レジストコーターを使用
して、電子線用化学増幅ポジレジスト１２を膜厚約５０
０ｎｍになるよう回転塗布する（図２（ａ））。なお、
レジスト１２の塗布は、ピンホール等の欠陥及び膜厚分
布が少ない既知の条件を用いて行う。その後、必要に応
じてベーキング、クーリングを行い、レジスト１２中の
溶剤を除去する。
成されているＣｒ膜１１上に、レジストコーターを使用
して、電子線用化学増幅ポジレジスト１２を膜厚約５０
０ｎｍになるよう回転塗布する（図２（ａ））。なお、
レジスト１２の塗布は、ピンホール等の欠陥及び膜厚分
布が少ない既知の条件を用いて行う。その後、必要に応
じてベーキング、クーリングを行い、レジスト１２中の
溶剤を除去する。
【００２６】次いで、電子線描画装置を用いてレジスト
１２に対してパターンの描画（露光）（５０ｋｅＶ，８
μＣ／ｃｍ2 ）を行う（図２（ｂ））。その後、溶解防
止基の分解反応を促進するため、ベーキング，クーリン
グを行う。
１２に対してパターンの描画（露光）（５０ｋｅＶ，８
μＣ／ｃｍ2 ）を行う（図２（ｂ））。その後、溶解防
止基の分解反応を促進するため、ベーキング，クーリン
グを行う。
【００２７】次いで、電子線露光装置を用いて、５０ｋ
ｅＶ，２μＣ／ｃｍ2 の条件で、レジスト１２を全面露
光し、表面層のみを感光させる（図２（ｃ））。そし
て、アルカリ現像液を用いて露光されたレジスト１２表
面層を除去し、レジスト１２膜厚の薄膜化を図る。そし
て、アルカリ現像液でパターンの現像を行う（図２
（ｄ））。
ｅＶ，２μＣ／ｃｍ2 の条件で、レジスト１２を全面露
光し、表面層のみを感光させる（図２（ｃ））。そし
て、アルカリ現像液を用いて露光されたレジスト１２表
面層を除去し、レジスト１２膜厚の薄膜化を図る。そし
て、アルカリ現像液でパターンの現像を行う（図２
（ｄ））。
【００２８】次いで、レジスト１２をマスクとして、ク
ロム膜１１に対してドライエッチングを行った後（図２
（ｅ））、レジストを剥離する（図２（ｆ））。現像
後、パターンの確認を行ったところ、Ｌ／Ｓ系，Ｈｏｌ
ｅ系共に良好な仕上がりを示し、解像性の向上を確認す
ることができた。
ロム膜１１に対してドライエッチングを行った後（図２
（ｅ））、レジストを剥離する（図２（ｆ））。現像
後、パターンの確認を行ったところ、Ｌ／Ｓ系，Ｈｏｌ
ｅ系共に良好な仕上がりを示し、解像性の向上を確認す
ることができた。
【００２９】また、ピンホール数についても、本実施形
態で得られた薄膜化レジスト膜ではピンホール数が平均
１個しか存在しなかった。本実施形態によれば、欠陥の
少ない条件で塗布されたレジストに対してパターンを描
画した後にレジスト表面層全面を露光して、現像するこ
とによってピンホール数が少なく、膜厚分布が均一な薄
膜化レジストを得ることができる。
態で得られた薄膜化レジスト膜ではピンホール数が平均
１個しか存在しなかった。本実施形態によれば、欠陥の
少ない条件で塗布されたレジストに対してパターンを描
画した後にレジスト表面層全面を露光して、現像するこ
とによってピンホール数が少なく、膜厚分布が均一な薄
膜化レジストを得ることができる。
【００３０】なお、パターンを露光する工程と、レジス
トの全面を露光する工程について、工程順序を逆に行っ
ても同様の効果が得られる。なお、表面層を感光させず
に現像を行った場合でも、レジストの膜厚を減少させる
ことができる。しかし、現象させるには長時間現像液に
浸さなければならず、パターン寸法等が設計寸法からず
れる等の好ましくない現象が生じる本発明は上記実施形
態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態で
は、Ｃｒマスクブランクスの形成について説明したが、
ウェハプロセスや位相シフトマスク制作プロセスなどに
適用しても良い。また更には、液晶製作工程においても
適用可能である。その他、本発明は、その要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
トの全面を露光する工程について、工程順序を逆に行っ
ても同様の効果が得られる。なお、表面層を感光させず
に現像を行った場合でも、レジストの膜厚を減少させる
ことができる。しかし、現象させるには長時間現像液に
浸さなければならず、パターン寸法等が設計寸法からず
れる等の好ましくない現象が生じる本発明は上記実施形
態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態で
は、Ｃｒマスクブランクスの形成について説明したが、
ウェハプロセスや位相シフトマスク制作プロセスなどに
適用しても良い。また更には、液晶製作工程においても
適用可能である。その他、本発明は、その要旨を逸脱し
ない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、欠
陥の少ない条件で基体上に塗布されたレジストに対して
パターンを描画した後，レジスト全面を均一にエッチン
グして薄膜化レジストを形成することによって、膜厚の
面内均一性が優れ、ピンホール数が少なく欠陥の少ない
薄膜化レジストパターンを形成することができる。
陥の少ない条件で基体上に塗布されたレジストに対して
パターンを描画した後，レジスト全面を均一にエッチン
グして薄膜化レジストを形成することによって、膜厚の
面内均一性が優れ、ピンホール数が少なく欠陥の少ない
薄膜化レジストパターンを形成することができる。
【図１】第１実施形態のレジストパターン形成方法を示
す工程断面図。
す工程断面図。
【図２】第２実施形態のレジストパターン形成方法を示
す工程断面図。
す工程断面図。
１０…石英ガラス基板 １１…Ｃｒ膜 １２…レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 正光 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 小林 嘉仁 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内 (72)発明者 東川 巌 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内
Claims (6)
- 【請求項１】基体上にレジスト膜を塗布する工程と、 前記レジスト膜の所定領域を露光する工程と、 前記レジスト膜の表面層を均一な厚さで除去し、レジス
ト膜の膜厚を薄くする工程と、 薄くされた前記レジスト膜を現像する工程とを含むこと
を特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】基体上にレジスト膜を塗布する工程と、 レジスト膜の所定領域を露光する工程と、 ケミカル・ドライ・エッチングによって前記レジスト膜
の表面層を均一な厚さで除去しレジストの膜厚を薄くす
る工程と、 薄くされた前記レジスト膜を現像する工程とを含むこと
を特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項３】基体上にレジスト膜を塗布する工程と、 前記レジスト膜の所望領域を露光する工程と、 反応性イオン・エッチングによって前記レジスト膜の表
面層を均一な厚さで除去しレジスト膜の膜厚を薄くする
工程と、 前記レジスト膜を現像する工程とを含むことを特徴とす
るレジストパターン形成方法。 - 【請求項４】基体上にレジスト膜を塗布する工程と、 前記レジスト膜の所望領域を露光する第１の露光工程
と、 前記レジスト膜の全面を露光して該レジスト膜の表面層
を感光する第２の露光工程と、 前記レジスト膜の感光された表面層を除去して薄くする
第１の現像工程と、 前記第１の露光工程で定まる所望のパターンで表面層の
除去された前記レジスト膜を残す第２の現像工程とを含
むことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項５】基体上にレジスト膜を塗布する工程と、 前記レジスト膜の全面を露光して該レジストの表面層を
感光する第１の露光工程と、 前記レジスト膜の所望領域を露光する第２の露光工程
と、 前記レジスト膜の感光された表面層を除去し薄くする第
１の現像工程と、 第２の露光工程で定まる所望のパターンで表面層の除去
された前記レジスト膜を残す第２の現像工程とを含むこ
とを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項６】基体上にレジスト膜を塗布するに際し、前
記レジストの膜厚の面内変化，ピンホールが少ない条件
でレジストを塗布することを特徴とする請求項１〜５の
何れかに記載のレジストパターン形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12425997A JPH10312066A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12425997A JPH10312066A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10312066A true JPH10312066A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14880913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12425997A Pending JPH10312066A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10312066A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008304689A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Toppan Printing Co Ltd | パターン形成方法、インプリントモールド、フォトマスク |
| CN111913359A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-11-10 | 苏州科韵激光科技有限公司 | 一种光刻修复方法及装置 |
-
1997
- 1997-05-14 JP JP12425997A patent/JPH10312066A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008304689A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Toppan Printing Co Ltd | パターン形成方法、インプリントモールド、フォトマスク |
| CN111913359A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-11-10 | 苏州科韵激光科技有限公司 | 一种光刻修复方法及装置 |
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