JPH0561185A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPH0561185A JPH0561185A JP21968291A JP21968291A JPH0561185A JP H0561185 A JPH0561185 A JP H0561185A JP 21968291 A JP21968291 A JP 21968291A JP 21968291 A JP21968291 A JP 21968291A JP H0561185 A JPH0561185 A JP H0561185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photomask
- resist
- etching
- light intensity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ガラス基板１上にＣｒ膜２及びレジスト３を
形成し、所望の形状にパターンニングする。次に、フッ
素系界面活性剤を含むエッチャントを用いたウェットエ
ッチング又はＣＣｌ4とＯ2との比が１対３となるエッチ
ングガスを用いたドライエッチングにより、等方性エッ
チングを行い，Ｃｒ膜２のパターンエッチング部をテー
パ状にする。 【効果】 光強度分布が矩形に近づき、従来のＣｒ膜パ
ターンを用いた場合より高コントラストが得られ、ＬＳ
Ｉの微細加工が精度よく行える。
形成し、所望の形状にパターンニングする。次に、フッ
素系界面活性剤を含むエッチャントを用いたウェットエ
ッチング又はＣＣｌ4とＯ2との比が１対３となるエッチ
ングガスを用いたドライエッチングにより、等方性エッ
チングを行い，Ｃｒ膜２のパターンエッチング部をテー
パ状にする。 【効果】 光強度分布が矩形に近づき、従来のＣｒ膜パ
ターンを用いた場合より高コントラストが得られ、ＬＳ
Ｉの微細加工が精度よく行える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ微細加工に用い
るフォトマスクに関するものである。
るフォトマスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のＣｒ膜パターンによるフ
ォトマスクの作成工程を示し、図７は図６（ｅ）の示す
マスクを用いた場合の基板上での光強度分布を示す。図
６において、１はガラス基板、２はＣｒ膜、３はレジス
トを示す。
ォトマスクの作成工程を示し、図７は図６（ｅ）の示す
マスクを用いた場合の基板上での光強度分布を示す。図
６において、１はガラス基板、２はＣｒ膜、３はレジス
トを示す。
【０００３】次に従来のＣｒ膜パターンを用いたフォト
マスクの作成工程を説明する。まず、ガラス基板１上に
Ｃｒ膜２を塗布し（図６（ａ）），該Ｃｒ膜２上にレジ
スト３を塗布する（図６（ｂ））。その後、レジスト３
を所望の形状にパターニングし（図６（ｃ）），ウェッ
トエッチングを行い（図６（ｄ）），レジスト３を除去
する（図６（ｅ））。
マスクの作成工程を説明する。まず、ガラス基板１上に
Ｃｒ膜２を塗布し（図６（ａ）），該Ｃｒ膜２上にレジ
スト３を塗布する（図６（ｂ））。その後、レジスト３
を所望の形状にパターニングし（図６（ｃ）），ウェッ
トエッチングを行い（図６（ｄ）），レジスト３を除去
する（図６（ｅ））。
【０００４】以上の工程により、作成された従来のフォ
トマスクを用いた場合、解像度を低下させる原因に光の
回折によるコントラストの減少がある。この様な回折光
の低減化を図るために、位相シフトマスク技術等が提案
されている。図５は位相シフトマスクの作成工程を示
す。１はガラス基板、２はＣｒ膜、３はＥＢレジスト、
４はＳＯＧを示す。次に、位相シフトマスクの作成工程
を説明する。まず、図５に示す工程により、ガラス基板
１上に所望の形状のＣｒ膜２のパターンを形成する（図
５（ａ））。その後、ＳＯＧ４及びＥＢレジスト３を塗
布し（図５（ｂ）），ＥＢ露光法により、ＥＢレジスト
３を所望の形状にパターニング及びアライメントを行う
（図５（ｃ））。次に現像を行い（図５（ｄ）），ドラ
イエッチングによりＳＯＧ４を所望の形状に加工した
後、ＥＢレジスト３を除去する。（図５（ｅ））。
トマスクを用いた場合、解像度を低下させる原因に光の
回折によるコントラストの減少がある。この様な回折光
の低減化を図るために、位相シフトマスク技術等が提案
されている。図５は位相シフトマスクの作成工程を示
す。１はガラス基板、２はＣｒ膜、３はＥＢレジスト、
４はＳＯＧを示す。次に、位相シフトマスクの作成工程
を説明する。まず、図５に示す工程により、ガラス基板
１上に所望の形状のＣｒ膜２のパターンを形成する（図
５（ａ））。その後、ＳＯＧ４及びＥＢレジスト３を塗
布し（図５（ｂ）），ＥＢ露光法により、ＥＢレジスト
３を所望の形状にパターニング及びアライメントを行う
（図５（ｃ））。次に現像を行い（図５（ｄ）），ドラ
イエッチングによりＳＯＧ４を所望の形状に加工した
後、ＥＢレジスト３を除去する。（図５（ｅ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記に示した様な位相
シフトマスクを作成する場合には、複雑なシミュレーシ
ョンを基にＳＯＧ等のシフター材料の形状やＣｒ膜パタ
ーンへの貼付箇所を決定する必要がある。また、Ｃｒ膜
パターンの段差が９００〜１８００Åと低く、シフター
材料を精度良くアライメントすることは困難である。
シフトマスクを作成する場合には、複雑なシミュレーシ
ョンを基にＳＯＧ等のシフター材料の形状やＣｒ膜パタ
ーンへの貼付箇所を決定する必要がある。また、Ｃｒ膜
パターンの段差が９００〜１８００Åと低く、シフター
材料を精度良くアライメントすることは困難である。
【０００６】本発明は、高コントラストが得られ、より
簡易に作成できるフォトマスクを提供することを目的と
する。
簡易に作成できるフォトマスクを提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスク
は、マスク基板上に設けられたＣｒ膜パターンによるフ
ォトマスクにおいて、該Ｃｒ膜パターンのエッジ部がテ
ーパ状になっていることを特徴とする。
は、マスク基板上に設けられたＣｒ膜パターンによるフ
ォトマスクにおいて、該Ｃｒ膜パターンのエッジ部がテ
ーパ状になっていることを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記本発明を用いることにより、図３に実線で
示す光強度分布を得ることができる。該光強度Ａは、開
口部での光強度Ｂ及びオフセット部での光強度Ｃを合成
したものであり、従来のＣｒ膜パターンによるフォトマ
スクより矩形に近ずき、コントラストが向上する。
示す光強度分布を得ることができる。該光強度Ａは、開
口部での光強度Ｂ及びオフセット部での光強度Ｃを合成
したものであり、従来のＣｒ膜パターンによるフォトマ
スクより矩形に近ずき、コントラストが向上する。
【０００９】
【実施例】以下、一実施例に基づいて、本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例の断面図であり、
図２は図１に示したフォトマスクの作成工程を示す。図
１及び図２において、１はガラス基板、２はＣｒ膜、３
はレジストを示す。本発明は、図１に示す様にＣｒ膜２
のパターンエッジをテーパ状にすることにより、フォト
リソグラフィ技術における解像度の低下させる原因であ
る、光の回折によるコントラストの減少を防止すること
を特徴とする。
図２は図１に示したフォトマスクの作成工程を示す。図
１及び図２において、１はガラス基板、２はＣｒ膜、３
はレジストを示す。本発明は、図１に示す様にＣｒ膜２
のパターンエッジをテーパ状にすることにより、フォト
リソグラフィ技術における解像度の低下させる原因であ
る、光の回折によるコントラストの減少を防止すること
を特徴とする。
【００１１】次に、本発明の一実施例の作成工程を説明
する。
する。
【００１２】まず、ガラス基板１にＣｒをスパッタ蒸着
し、膜厚約１０００ÅのＣｒ膜２を作成する（図２
（ａ））。次に、スピンコート法を用いてＥＢレジスト
３を約０．３〜０．５μｍ塗布する（図２（ｂ））。Ｅ
Ｂレジスト３として、例えば東洋ソーダ社製ＣＭＳレジ
ストを用いる。次に、電子ビームにより１０μＣ／ｃｍ
2程度のドーズ量を照射して、ＥＢレジスト３をパター
ニングする（図２（ｃ））。次に、ウェットエッチング
又はドライエッチングを行い、Ｃｒ膜２を等方性エッチ
ングする（図１（ｄ））。ウェットエッチング法を用い
た場合、エッチング液は、硝酸第２セリウムアンモニウ
ム（Ｃｅ（ＮＯ3）4・２ＮＨ4ＮＯ3）４．０００ｇと過
塩素酸１．０４０ｍｌと純水１７．６００ｍｌ及び、フ
ッ素界面活性剤を混合したものを用いる。また、エッチ
ング時間は、温度２０．５℃で６０〜８０秒である。ま
た、ドライエッチングを用いる場合、エッチングガス
は、ＣＣｌ4とＯ2の比が１：３となるようにし、電力密
度０．２５Ｗ／ｃｍ2，圧力４０Ｐａ，電極間距離８５
ｍｍの条件により、ブラズマエッチングを行う。
し、膜厚約１０００ÅのＣｒ膜２を作成する（図２
（ａ））。次に、スピンコート法を用いてＥＢレジスト
３を約０．３〜０．５μｍ塗布する（図２（ｂ））。Ｅ
Ｂレジスト３として、例えば東洋ソーダ社製ＣＭＳレジ
ストを用いる。次に、電子ビームにより１０μＣ／ｃｍ
2程度のドーズ量を照射して、ＥＢレジスト３をパター
ニングする（図２（ｃ））。次に、ウェットエッチング
又はドライエッチングを行い、Ｃｒ膜２を等方性エッチ
ングする（図１（ｄ））。ウェットエッチング法を用い
た場合、エッチング液は、硝酸第２セリウムアンモニウ
ム（Ｃｅ（ＮＯ3）4・２ＮＨ4ＮＯ3）４．０００ｇと過
塩素酸１．０４０ｍｌと純水１７．６００ｍｌ及び、フ
ッ素界面活性剤を混合したものを用いる。また、エッチ
ング時間は、温度２０．５℃で６０〜８０秒である。ま
た、ドライエッチングを用いる場合、エッチングガス
は、ＣＣｌ4とＯ2の比が１：３となるようにし、電力密
度０．２５Ｗ／ｃｍ2，圧力４０Ｐａ，電極間距離８５
ｍｍの条件により、ブラズマエッチングを行う。
【００１３】図４は、本実施例に用いるドライエッチン
グ装置の構造図を示す。図４において、５は高周波電
源、６はマッチング回路，７はカソード，８は試料，９
はアノード，１０はエンドポイントモニタ，１１はレコ
ーダ，１２はメカニカルブースタポンプ，１３はオイル
ロータリポンプ，１４はオイルタンクを示す。上記条件
の下で６０〜９０秒間エッチングを行う。その後、ＥＢ
レジスト３を除去する（図２（ｅ））。
グ装置の構造図を示す。図４において、５は高周波電
源、６はマッチング回路，７はカソード，８は試料，９
はアノード，１０はエンドポイントモニタ，１１はレコ
ーダ，１２はメカニカルブースタポンプ，１３はオイル
ロータリポンプ，１４はオイルタンクを示す。上記条件
の下で６０〜９０秒間エッチングを行う。その後、ＥＢ
レジスト３を除去する（図２（ｅ））。
【００１４】
【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明を用い
ることにより、フォトマスクの開口部での光強度に、テ
ーパ部の透過光の光強度が加わるため、合成された光強
度分布は図３に示す様に矩形に近づき、コントラストが
向上する。
ることにより、フォトマスクの開口部での光強度に、テ
ーパ部の透過光の光強度が加わるため、合成された光強
度分布は図３に示す様に矩形に近づき、コントラストが
向上する。
【００１５】位相シフトにより作成されたフォトマスク
より簡単に作成でき、又従来のフォトマスクより高コン
トラストが得られるフォトマスクを作成することがで
き、ＬＳＩの微細加工が精度良く行える。
より簡単に作成でき、又従来のフォトマスクより高コン
トラストが得られるフォトマスクを作成することがで
き、ＬＳＩの微細加工が精度良く行える。
【図１】本発明の一実施例のフォトマスクの断面図であ
る。
る。
【図２】図１のフォトマスクの作成工程図である。
【図３】図１のフォトマスクを用いた場合の光強度分布
を示す図である。
を示す図である。
【図４】図１のフォトマスクの作成に用いるドライエッ
チング装置の構成を示す図である。
チング装置の構成を示す図である。
【図５】位相シフトマスクの作成工程図である。
【図６】従来のＣｒ膜パターンを用いたフォトマスクの
作成工程図である。
作成工程図である。
【図７】従来のＣｒ膜パターンを用いたフォトマスクを
用いた場合の光強度分布を示す図である。
用いた場合の光強度分布を示す図である。
１ ガラス基板 ２ Ｃｒ膜 ３ レジスト
Claims (1)
- 【請求項１】 マスク基板上に設けられたＣｒ膜パター
ンによるフォトマスクにおいて、該Ｃｒパターンのエッ
ジ部がテーパ状になっていることを特徴とするフォトマ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21968291A JPH0561185A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21968291A JPH0561185A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0561185A true JPH0561185A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16739323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21968291A Pending JPH0561185A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0561185A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004294990A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び露光方法 |
| WO2011105282A1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | シャープ株式会社 | 配線形成方法、および、半導体基板の製造方法 |
| JP2012037687A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP21968291A patent/JPH0561185A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004294990A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び露光方法 |
| WO2011105282A1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | シャープ株式会社 | 配線形成方法、および、半導体基板の製造方法 |
| US8647980B2 (en) | 2010-02-25 | 2014-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of forming wiring and method of manufacturing semiconductor substrates |
| JP2012037687A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびその製造方法 |
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