JPH0669185A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
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- JPH0669185A JPH0669185A JP22135192A JP22135192A JPH0669185A JP H0669185 A JPH0669185 A JP H0669185A JP 22135192 A JP22135192 A JP 22135192A JP 22135192 A JP22135192 A JP 22135192A JP H0669185 A JPH0669185 A JP H0669185A
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Abstract
工された精度の高いフォトマスクを得ることを最も主要
な特徴とする。 【構成】 透明基板1と、該透明基板1の上に設けられ
た遮光パターン5と、を備える。遮光パターン5は、加
工時のエッチング速度が、深さ方向にエッチングが進む
につれて速くなるように成膜されている。
Description
に関するものであり、より特定的には、レジストパター
ン寸法に忠実に加工された精度の高いフォトマスクに関
する。
上に縮小して繰返し結像させ、所望のLSIパターンを
形成するフォトリソグラフィ技術は、従来より、よく知
られている。
する原理を断面図で示したものである。
表面上に、遮光パターンとなる、たとえばクロムからな
る金属膜6を、蒸着等により形成する。金属膜6の上
に、たとえば有機高分子材料からなる電子線レジスト3
を、スピンコーティング等の方法を用いて、成膜する。
を、電子線露光機を用いて選択的に露光する。その後、
電子線レジスト3を現像することにより、レジストパタ
ーン4を形成する。
4をマスクとして、金属膜6を、たとえば塩素等のガス
を用いたドライエッチングで加工し、所望のマスクパタ
ーン7を形成する。
プラズマ等でレジストパターン4を除去し、それによっ
てフォトマスク10を作成する。なお、上記従来例で
は、金属膜にクロムを用いた場合を例示したが、MoS
i等の他の金属が用いられることもある。
ライエッチング法を例示したが、硝酸セリウムアンモニ
ウム水溶液等のエッチング液でエッチングを行なう、ウ
ェットエッチング法を用いることもある。
作成原理は以上のとおりであるが、実際にこの原理に基
づいてフォトマスクを製造すると、図4に示すような問
題点があった。
マスクに金属膜6を、ウェットエッチングやガス圧が
0.1Torr以上のドライエッチングを行なうと、等
方的にエッチングが進み、レジスト4の下部の金属膜6
をエッチングされてしまい、レジストの寸法が忠実に反
映されず、遮光パターンの寸法変動が生じるという問題
点があった。この寸法変動は、金属膜7の両端でそれぞ
れ膜厚分起こるため、片側で約0.1μm寸法変動が生
じるとすれば、両側あわせて、約0.2μmとなり、無
視できない値となる。
るためになされたもので、初期のレジストパターン寸法
に忠実に加工された精度の高いフォトマスクを得ること
を目的とする。
スクは、透明基板と、上記透明基板の上に設けられた遮
光パターンと、を備える。上記遮光パターンは、加工時
のエッチング速度が、深さ方向にエッチングが進むにつ
れて、速くなるように成膜されている。
に設けられた、加工時のエッチング速度が、深さ方向に
エッチングが進むにつれて速くなるように成膜された遮
光金属膜をエッチングすることによって得られる。この
ような遮光金属膜は、異法的にエッチングされるので、
初期のレジスト寸法が忠実に反映された遮光パターンと
なる。
する。
マスクの製造方法の順序の各工程における基板の断面図
である。
主表面上に、後に遮光パターンとなる、たとえばMoS
iからなる遮光膜2を、スパッタ法等により、約0.1
μm蒸着法により形成する。このとき、蒸着中に、雰囲
気中の酸素(O2 )圧力を、連続的に増加させ、膜の下
層部に対して、上層部の方が含有酸素濃度が高くなるよ
うに成膜する。
タクリレートからなる電子線レジスト材を、たとえば溶
剤に溶かして、回転している基板1上に約5ml滴下
し、乾燥させる。これによって、約0.5μmの膜厚の
レジスト膜3を成膜する。
けて、電子線露光機等で、たとえば20kVの加速電圧
で、約100μC/cm2 の電子線を照射することによ
り、レジスト分子を選択的に分解する。その後、溶剤等
で現像することにより、レジストパターン4を形成す
る。
4をマスクにして、たとえば四フッ化炭素(CF4 )等
のプラズマを用いて、MoSiからなる遮光膜2をドラ
イエッチングし、MoSi金属パターン5を形成する。
レジストパターン4を除去することにより、フォトマス
クを作成する。
忠実に反映された遮光パターンが得られる。このことに
ついて、図2を用いてさらに詳細に説明する。
て示した断面図である。四フッ化炭素(CF4 )等のプ
ラズマを用いたドライエッチングでは、一般的に、等方
的なエッチングが進む。しかし、遮光膜2は、上層部ほ
ど酸素含有率が高くなるように成膜されており、上層部
ほどエッチング速度は遅い。逆に、下層部ほどエッチン
グ速度が速くなっている。このため、エッチングは、横
方向に進むよりも速く、下方向(深さ方向に)に進むた
め、結果として、異方的なエッチングとなり、ひいて
は、レジスト形状に忠実なエッチングが行なわれる。そ
の結果、レジスト4の寸法とMoSiパターン5の寸法
変動量を小さくすることができる。
クを用いる際の露光光に対して透過率が1/1000以
下となればよく、上記の値に限定されない。
にポリメチルメタクリレートを用いた場合を例示した
が、この発明はこれに限られるものでなく、他の電子線
レジストを用いることも可能であり、また、電子線レジ
ストの代わりにフォトレジストを用いて、感光させ、パ
ターニングすることも可能である。
Siを用いた場合を例示したが、透過率を減少できる材
料なら、いずれのものも使用できる。
変化させる方法として、酸素含有率を変化させる場合を
例示したが、この発明はこれに限られるものでなく、た
とえば、スパッタ時の放電ガスたとえばアルゴンの圧力
を変えて、スパッタ膜の組成を変化させても、実施例と
同様の効果を実現する。
ば、遮光パターンは、加工時のエッチング速度が、深さ
方向にエッチングが進むにつれて速くなるように成膜さ
れている。上記遮光パターンは、基板の上に設けられ
た、加工時のエッチング速度が深さ方向にエッチングが
進むにつれて早くなるように成膜された遮光金属膜をエ
ッチングすることによって得られる。このような遮光金
属膜は、異方的にエッチングされるので、初期のレジス
ト寸法が忠実に反映された遮光パターンとなる。その結
果、レジストパターン寸法に忠実に加工された精度の高
いフォトマスクが得られる。
方法の順序の各工程における基板の断面図である。
ーンが得られる原理を示す断面図である。
における基板の断面図である。
図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 透明基板と、 前記透明基板の上に設けられた遮光パターンと、を備
え、 前記遮光パターンは、加工時のエッチング速度が、深さ
方向にエッチングが進むにつれて速く早くなるように成
膜されている、フォトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22135192A JP2909317B2 (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22135192A JP2909317B2 (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | フォトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0669185A true JPH0669185A (ja) | 1994-03-11 |
JP2909317B2 JP2909317B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=16765443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22135192A Expired - Lifetime JP2909317B2 (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | フォトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2909317B2 (ja) |
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-
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- 1992-08-20 JP JP22135192A patent/JP2909317B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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JP2909317B2 (ja) | 1999-06-23 |
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