KR100406584B1 - 위상 반전 마스크의 제조 방법 - Google Patents
위상 반전 마스크의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (7)
- 석영 기판 위에 크롬층을 증착하는 단계;초기 컨택 홀 영역을 형성하기 위하여 상기 크롬층의 소정 부분을 선택적으로 제거하는 단계;상기 석영 기판의 전면에 희생막을 증착한 후 전면 식각하여 상기 크롬층의 측벽에 제1 스페이서를 형성하는 단계;상기 희생막의 증착 및 전면 식각을 반복 실시하여 제2 스페이서를 형성하는 단계;상기 제1, 제2 스페이서의 외부로 노출된 상기 석영 기판의 컨택 홀 영역 상부를 비등방성 식각으로 제거하는 단계; 및상기 제1, 제2 스페이서를 제거하는 단계를 포함하며,상기 제1, 제2 스페이서에 의하여 정해지는 림 영역은 상기 제1, 제2 스페이서에 의하여 크기 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 크롬층의 선택적 제거 단계는 한번의 전자선 노광 공정과 식각 공정을 진행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 초기 컨택 홀 영역은 상기 림 영역과 상기 컨택 홀 영역의 합과 같은 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 희생막은 상기 석영 기판 및 상기 크롬층과의 식각 선택비가 높은 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 희생막은 질화막인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 비등방성 식각 단계 후, 상기 크롬층의 상부를 산화시켜 크롬 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1, 제2 스페이서의 제거 단계 후, 상기 림 영역의 크기를 줄이고 상기 식각된 석영 기판의 표면을 고르게 하기 위하여 습식 식각을 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.
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2001
- 2001-12-24 KR KR10-2001-0084166A patent/KR100406584B1/ko active IP Right Grant
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