JPH05259037A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH05259037A JPH05259037A JP5302192A JP5302192A JPH05259037A JP H05259037 A JPH05259037 A JP H05259037A JP 5302192 A JP5302192 A JP 5302192A JP 5302192 A JP5302192 A JP 5302192A JP H05259037 A JPH05259037 A JP H05259037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- film
- ray
- stress
- absorber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線マスクの製造方法に関し、サブクォータ
ミクロンオーダのデバイスパターンに要求される高位置
精度で吸収体パターンを容易に形成することが可能なＸ
線マスクの製造方法の提供を目的とする。 【構成】 任意の吸収体応力を有する第１のマスクブラ
ンク４を用いて形成した第１のＸ線マスクをマスターマ
スク６とし、該第１のマスクブランク４と吸収体応力の
絶対値がほぼ同等で且つ符号が逆の第２のマスクブラン
ク８上に、Ｘ線露光により該マスターマスク６のパター
ン3Pを転写して該第２のマスクブランク８からなる実露
光用の第２のＸ線マスク10を形成する工程を有するよう
に構成する。
ミクロンオーダのデバイスパターンに要求される高位置
精度で吸収体パターンを容易に形成することが可能なＸ
線マスクの製造方法の提供を目的とする。 【構成】 任意の吸収体応力を有する第１のマスクブラ
ンク４を用いて形成した第１のＸ線マスクをマスターマ
スク６とし、該第１のマスクブランク４と吸収体応力の
絶対値がほぼ同等で且つ符号が逆の第２のマスクブラン
ク８上に、Ｘ線露光により該マスターマスク６のパター
ン3Pを転写して該第２のマスクブランク８からなる実露
光用の第２のＸ線マスク10を形成する工程を有するよう
に構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線マスクの製造方法、
特にパターン位置精度の高いＸ線マスクの製造方法に関
する。
特にパターン位置精度の高いＸ線マスクの製造方法に関
する。
【０００２】電子デバイスの集積度は年々高まり、現在
では、サブクォータミクロン級のデバイスパターンを露
光する技術が要望されている。一方、Ｘ線露光は波長が
短く、且つレンズ系を用いないために光の回折による解
像度の劣化を伴わないので超微細デバイスパターンを形
成する技術として適しており、開発が進められている
が、上記のようにサブクォータミクロン級のデバイスパ
ターンを形成するには、それに相当した高パターン位置
精度を有するＸ線マスクを提供する必要がある。
では、サブクォータミクロン級のデバイスパターンを露
光する技術が要望されている。一方、Ｘ線露光は波長が
短く、且つレンズ系を用いないために光の回折による解
像度の劣化を伴わないので超微細デバイスパターンを形
成する技術として適しており、開発が進められている
が、上記のようにサブクォータミクロン級のデバイスパ
ターンを形成するには、それに相当した高パターン位置
精度を有するＸ線マスクを提供する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】Ｘ線露光技術において、パターン位置精
度を決める要因のうち最も大きいのは、Ｘ線吸収体膜を
パターニングする際に生ずる吸収体応力開放歪みであ
り、従来から上記応力開放歪みを小さく抑えるために、
出来るだけ低応力の吸収体膜を形成する技術の開発が続
けられている。例えば、吸収体膜の堆積条件による制御
や、堆積後の炉アニールやアルゴン(Ar)等のイオンイン
プランテーション(I.I) による応力の緩和等で、様々な
報告がなされている。
度を決める要因のうち最も大きいのは、Ｘ線吸収体膜を
パターニングする際に生ずる吸収体応力開放歪みであ
り、従来から上記応力開放歪みを小さく抑えるために、
出来るだけ低応力の吸収体膜を形成する技術の開発が続
けられている。例えば、吸収体膜の堆積条件による制御
や、堆積後の炉アニールやアルゴン(Ar)等のイオンイン
プランテーション(I.I) による応力の緩和等で、様々な
報告がなされている。
【０００４】その一つの例は、以下に図４を参照して述
べるように、スパッタ圧力、スパッタパワー等のＸ線吸
収体膜の堆積条件により、その吸収体応力を制御しよう
とするものである。
べるように、スパッタ圧力、スパッタパワー等のＸ線吸
収体膜の堆積条件により、その吸収体応力を制御しよう
とするものである。
【０００５】図４は、スパッタ圧力と吸収体応力との関
係を示す図で、シリコン(Si)基板或いはミラー状の炭化
珪素(SiC) 基板上にアルゴン(Ar)スパッタ法で吸収体膜
である厚さ 0.8μｍの純タンタル(Ta)膜を堆積する際の
スパッタ圧力（mTorr)の変化に対する吸収体応力の変化
を示しており、図中、 0.3 KW/SiのカーブはSi基板上に
0.3 KW でスパッタした膜を、２KW/SiCのカーブはSiC
基板上に２KWでスパッタした膜を、２KW/Si のカーブは
Si基板上に２KWでスパッタした膜をそれぞれ示してい
る。
係を示す図で、シリコン(Si)基板或いはミラー状の炭化
珪素(SiC) 基板上にアルゴン(Ar)スパッタ法で吸収体膜
である厚さ 0.8μｍの純タンタル(Ta)膜を堆積する際の
スパッタ圧力（mTorr)の変化に対する吸収体応力の変化
を示しており、図中、 0.3 KW/SiのカーブはSi基板上に
0.3 KW でスパッタした膜を、２KW/SiCのカーブはSiC
基板上に２KWでスパッタした膜を、２KW/Si のカーブは
Si基板上に２KWでスパッタした膜をそれぞれ示してい
る。
【０００６】同図からわかるように、この方法によると
スパッタ圧力を変えることにより応力０のTa膜を得るこ
とは一応可能な筈である。しかしながら、図に示される
ように圧力変化による吸収体応力値の変化は非常に急激
であること、及び、図中のパワー、圧力以外にも、例え
ば基板温度、スパッタ装置内のベース真空度等、応力値
に関係するパラメータが多く存在することから、それら
の条件を総て一定に保つて内部応力の０に近い吸収体膜
を再現性よく提供することは極めて困難であった。
スパッタ圧力を変えることにより応力０のTa膜を得るこ
とは一応可能な筈である。しかしながら、図に示される
ように圧力変化による吸収体応力値の変化は非常に急激
であること、及び、図中のパワー、圧力以外にも、例え
ば基板温度、スパッタ装置内のベース真空度等、応力値
に関係するパラメータが多く存在することから、それら
の条件を総て一定に保つて内部応力の０に近い吸収体膜
を再現性よく提供することは極めて困難であった。
【０００７】また他の例は、炉アニールやアルゴン( Ar
+ ) 等の不活性ガスのイオンインプランテーション(I.
I) により吸収体応力を緩和して０に近づける方法であ
る。図５は、成膜後の吸収体膜例えばTa膜にAr+ I.I を
行った際の、Ar+ ドーズ量とTa膜の応力の変化量の関係
を示す図で、Ar+ ドーズ量の変化に対する圧縮応力の変
化の状態が示されている。なお、吸収体であるTa膜の厚
さは 0.8μｍ、Ar+の加速電圧は 150KVである。
+ ) 等の不活性ガスのイオンインプランテーション(I.
I) により吸収体応力を緩和して０に近づける方法であ
る。図５は、成膜後の吸収体膜例えばTa膜にAr+ I.I を
行った際の、Ar+ ドーズ量とTa膜の応力の変化量の関係
を示す図で、Ar+ ドーズ量の変化に対する圧縮応力の変
化の状態が示されている。なお、吸収体であるTa膜の厚
さは 0.8μｍ、Ar+の加速電圧は 150KVである。
【０００８】図から見る限り、このAr+ I.I により吸収
体応力を緩和して０に近づけることは可能と思われる。
しかしながら、前記のように成膜初期の吸収体応力値に
再現性がなく、またその膜の応力値が基板面内でもばら
つくために、吸収体応力を０に近づけるためのAr+ のド
ーズ量の決定が難しく、実際のマスク製造工程に適用す
ることは極めて困難であった。
体応力を緩和して０に近づけることは可能と思われる。
しかしながら、前記のように成膜初期の吸収体応力値に
再現性がなく、またその膜の応力値が基板面内でもばら
つくために、吸収体応力を０に近づけるためのAr+ のド
ーズ量の決定が難しく、実際のマスク製造工程に適用す
ることは極めて困難であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、吸収体
膜は同一の条件で堆積を行っても、応力値に関係するパ
ラメータが非常に多いことから、従来試みられたよう
に、応力の極度に小さい吸収体膜を再現性よく提供する
ことが困難であり、そのために、従来のＸ線マスクにお
いては、パターンの位置精度をサブクォータミクロンの
オーダで制御することは極めて困難であった。
膜は同一の条件で堆積を行っても、応力値に関係するパ
ラメータが非常に多いことから、従来試みられたよう
に、応力の極度に小さい吸収体膜を再現性よく提供する
ことが困難であり、そのために、従来のＸ線マスクにお
いては、パターンの位置精度をサブクォータミクロンの
オーダで制御することは極めて困難であった。
【００１０】そこで本発明は、サブクォータミクロンオ
ーダの高位置精度で吸収体パターンを容易に形成するこ
とが可能なＸ線マスクの製造方法を提供し、高集積化さ
れる電子デバイスの品質向上に寄与することを目的とす
る。
ーダの高位置精度で吸収体パターンを容易に形成するこ
とが可能なＸ線マスクの製造方法を提供し、高集積化さ
れる電子デバイスの品質向上に寄与することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、任意
の吸収体応力を有する第１のマスクブランクを用いて形
成した第１のＸ線マスクをマスターマスクとし、該第１
のマスクブランクと吸収体応力の絶対値がほぼ同等で且
つ符号が逆の第２のマスクブランク上に、Ｘ線露光によ
り該マスターマスクのパターンを転写して該第２のマス
クブランクからなる実露光用の第２のＸ線マスクを形成
する工程を有する本発明によるＸ線マスクの製造方法に
よって達成される。
の吸収体応力を有する第１のマスクブランクを用いて形
成した第１のＸ線マスクをマスターマスクとし、該第１
のマスクブランクと吸収体応力の絶対値がほぼ同等で且
つ符号が逆の第２のマスクブランク上に、Ｘ線露光によ
り該マスターマスクのパターンを転写して該第２のマス
クブランクからなる実露光用の第２のＸ線マスクを形成
する工程を有する本発明によるＸ線マスクの製造方法に
よって達成される。
【００１２】
【作用】図１(a) 〜(d) は本発明の原理説明用工程断面
図である。 図１(a) 参照 本発明においては、任意の吸収体応力例えば圧縮応力−
ａ(dyn/cm2) を有する第１のＸ線吸収体膜３が被着され
ている第１のマスクブランク４を用い、このマスクブラ
ンクの第１の吸収体膜３上に、塗布、電子ビーム(EB)に
よる描画露光及び現像の工程を経て基準となる高精度の
第１のレジストパターン5Pを形成する。なお、図中、１
は支持枠、２はメンブレン、５は第１のレジスト膜を示
す。
図である。 図１(a) 参照 本発明においては、任意の吸収体応力例えば圧縮応力−
ａ(dyn/cm2) を有する第１のＸ線吸収体膜３が被着され
ている第１のマスクブランク４を用い、このマスクブラ
ンクの第１の吸収体膜３上に、塗布、電子ビーム(EB)に
よる描画露光及び現像の工程を経て基準となる高精度の
第１のレジストパターン5Pを形成する。なお、図中、１
は支持枠、２はメンブレン、５は第１のレジスト膜を示
す。
【００１３】図１(b) 参照 次いで、上記第１のレジストパターン5Pをマスクにしリ
アクティブイオンエッチング(RIE) 処理により第１のＸ
線吸収体膜３をパターニングし、メンブレン２上に第１
のＸ線吸収体パターン3Pを有するマスターマスク６を形
成する。この際、第１のＸ線吸収体パターン3Pの位置
は、前記圧縮応力の開放歪みによって、図１(a) に示し
た基準のレジストパターン5Pの位置から、前記圧縮応力
の値−ａ(dyn/cm2) に応じマスク６の中心に向かう方向
にΔX ずれた位置に形成される。
アクティブイオンエッチング(RIE) 処理により第１のＸ
線吸収体膜３をパターニングし、メンブレン２上に第１
のＸ線吸収体パターン3Pを有するマスターマスク６を形
成する。この際、第１のＸ線吸収体パターン3Pの位置
は、前記圧縮応力の開放歪みによって、図１(a) に示し
た基準のレジストパターン5Pの位置から、前記圧縮応力
の値−ａ(dyn/cm2) に応じマスク６の中心に向かう方向
にΔX ずれた位置に形成される。
【００１４】図１(c) 参照 次いで、上記第１のマスクブランク４と逆符号の吸収体
応力、即ち、引張応力＋ｂ(dyn/cm2) を持った第２のＸ
線吸収体膜７を有する第２のマスクブランク８上に、第
２のレジスト膜９を塗布し、反転した上記マスターマス
ク６を介してのＸ線露光、及び現像を行って第２のレジ
ストパターン9Pを形成する。ここでこの第２のレジスト
パターン9Pの位置は前記マスターマスク６の第１の吸収
体パターン3Pと同様に前記第１のレジストパターンの基
準位置に対し中心に向かう方向にΔX ずれた位置に形成
される。
応力、即ち、引張応力＋ｂ(dyn/cm2) を持った第２のＸ
線吸収体膜７を有する第２のマスクブランク８上に、第
２のレジスト膜９を塗布し、反転した上記マスターマス
ク６を介してのＸ線露光、及び現像を行って第２のレジ
ストパターン9Pを形成する。ここでこの第２のレジスト
パターン9Pの位置は前記マスターマスク６の第１の吸収
体パターン3Pと同様に前記第１のレジストパターンの基
準位置に対し中心に向かう方向にΔX ずれた位置に形成
される。
【００１５】図１(d) 参照 次いで、上記第２のレジストパターン9PをマスクにしRI
E 処理により第２のＸ線吸収体膜７をパターニングし、
メンブレン２上に第２のＸ線吸収体パターン7Pを有する
コピーマスク即ち実露光用マスク10を形成する。
E 処理により第２のＸ線吸収体膜７をパターニングし、
メンブレン２上に第２のＸ線吸収体パターン7Pを有する
コピーマスク即ち実露光用マスク10を形成する。
【００１６】ここで、第２の吸収体パターン7Pの位置
は、第２のレジストパターン9Pの位置と比較して、前記
引張応力値＋ｂに応じて、ΔY だけ外側にずれて形成さ
れる。従って、吸収体応力の符号が逆の、マスターマス
クを形成する第１のＸ線マスクブランクとコピーマスク
を形成する第２のＸ線マスクブランクとの吸収体応力の
絶対値を近い値に選ぶことにより、各々のマスク形成に
際してのパターンのずれ寸法ΔX とΔY は近い値にな
り、且つ応力の符号が逆でずれの方向も逆であることか
ら、ずれ寸法ΔX とΔY が相殺され、前記基準となる第
１のレジストパターン５に近い高パターン位置精度を有
する実露光用のＸ線マスク（コピーマスク）10が形成さ
れる。（但し、実露光用のコピーマスク10のパターンの
配置は、基準となる第１のレジストパターン5Pの配置を
ミラー反転したものになる。）
は、第２のレジストパターン9Pの位置と比較して、前記
引張応力値＋ｂに応じて、ΔY だけ外側にずれて形成さ
れる。従って、吸収体応力の符号が逆の、マスターマス
クを形成する第１のＸ線マスクブランクとコピーマスク
を形成する第２のＸ線マスクブランクとの吸収体応力の
絶対値を近い値に選ぶことにより、各々のマスク形成に
際してのパターンのずれ寸法ΔX とΔY は近い値にな
り、且つ応力の符号が逆でずれの方向も逆であることか
ら、ずれ寸法ΔX とΔY が相殺され、前記基準となる第
１のレジストパターン５に近い高パターン位置精度を有
する実露光用のＸ線マスク（コピーマスク）10が形成さ
れる。（但し、実露光用のコピーマスク10のパターンの
配置は、基準となる第１のレジストパターン5Pの配置を
ミラー反転したものになる。）
【００１７】
【実施例】以下本発明を、図２(a) 〜(d) 及び図３(a)
〜(b) の工程断面図を参照し、一実施例について具体的
に説明する。
〜(b) の工程断面図を参照し、一実施例について具体的
に説明する。
【００１８】図２(a) 参照 本発明の方法によりＸ線マスクを形成するに際しては、
SiC セラミック等からなる支持枠11上に例えば厚さ１〜
２μｍ程度のSiC 透光体（メンブレン）12が張設され、
このメンブレン12上にスパッタ法等により厚さ 0.8μｍ
程度の任意の内部応力（吸収体応力）を有する吸収体
膜、例えば＋５×108(dyn/cm2)程度の圧縮応力を有する
Ta膜13が形成されてなる第１のＸ線マスクブランク14を
用い、このマスクブランク14のTa膜13上に、EB露光用の
厚さ１μｍ程度の第１のレジスト膜15を形成する。
SiC セラミック等からなる支持枠11上に例えば厚さ１〜
２μｍ程度のSiC 透光体（メンブレン）12が張設され、
このメンブレン12上にスパッタ法等により厚さ 0.8μｍ
程度の任意の内部応力（吸収体応力）を有する吸収体
膜、例えば＋５×108(dyn/cm2)程度の圧縮応力を有する
Ta膜13が形成されてなる第１のＸ線マスクブランク14を
用い、このマスクブランク14のTa膜13上に、EB露光用の
厚さ１μｍ程度の第１のレジスト膜15を形成する。
【００１９】図２(b) 参照 次いで、EBによる描画露光を行った後、レジスト膜15の
現像を行い、前記マスクブランク14のTa膜13上に、 0.1
μｍ程度の高い寸法精度及び位置精度を有する第１のレ
ジストパターン例えば15P1と15P2を形成する。
現像を行い、前記マスクブランク14のTa膜13上に、 0.1
μｍ程度の高い寸法精度及び位置精度を有する第１のレ
ジストパターン例えば15P1と15P2を形成する。
【００２０】図２(c) 参照 次いで、上記レジストパターン15P1、15P2等を含むレジ
スト膜15をマスクにし、塩素(Cl)系のガスを用いたRIE
処理によりTa膜13のパターニングを行い、レジストパタ
ーン15P1、15P2等を含むレジスト膜15を除去して、メン
ブレン12上にTa膜パターン13P1及び13P2を有するマスタ
ーマスク16を形成する。
スト膜15をマスクにし、塩素(Cl)系のガスを用いたRIE
処理によりTa膜13のパターニングを行い、レジストパタ
ーン15P1、15P2等を含むレジスト膜15を除去して、メン
ブレン12上にTa膜パターン13P1及び13P2を有するマスタ
ーマスク16を形成する。
【００２１】ここで、前記Ta膜13が有する圧縮応力の開
放歪みにより、Ta膜パターン13P1及び13P2は、基準とな
る前記第１のレジストパターン15P1、15P2の位置からそ
れぞれマスクの中心に向かう方向へ、前記圧縮応力の絶
対値に応じてΔX の距離例えば 0.15 μｍ程度ずれた位
置に形成される。
放歪みにより、Ta膜パターン13P1及び13P2は、基準とな
る前記第１のレジストパターン15P1、15P2の位置からそ
れぞれマスクの中心に向かう方向へ、前記圧縮応力の絶
対値に応じてΔX の距離例えば 0.15 μｍ程度ずれた位
置に形成される。
【００２２】図２(d) 参照 次いで別のTa膜17をＸ線吸収体とする第２のＸ線マスク
ブランク18の中から、第１のマスクブランク16と符号が
逆で絶対値がほぼ等しい吸収体応力を有する第２のマス
クブランク、即ち−５×108(dyn/cm2)近傍の引張り応力
を有するTa膜17がメンブレン12上に被着されている第２
のマスクブランク18を選び、そのマスクブランク18上に
Ｘ線露光用の第２のレジスト膜19を形成する。
ブランク18の中から、第１のマスクブランク16と符号が
逆で絶対値がほぼ等しい吸収体応力を有する第２のマス
クブランク、即ち−５×108(dyn/cm2)近傍の引張り応力
を有するTa膜17がメンブレン12上に被着されている第２
のマスクブランク18を選び、そのマスクブランク18上に
Ｘ線露光用の第２のレジスト膜19を形成する。
【００２３】図３(a) 参照 次いで、上記第２のマスクブランク18上の第２のレジス
ト膜19に前記マスターマスク16を介してＸ線による露光
を行い、次いで現像を行って、第２のマスクブランク18
の前記Ta膜17上に第２のレジストパターン19P1及び19P2
を形成する。なおここで、第２のレジストパターン19P1
及び19P2は、マスターマスク16のTa膜パターン13P1及び
13P2をミラー反転した位置に形成される。
ト膜19に前記マスターマスク16を介してＸ線による露光
を行い、次いで現像を行って、第２のマスクブランク18
の前記Ta膜17上に第２のレジストパターン19P1及び19P2
を形成する。なおここで、第２のレジストパターン19P1
及び19P2は、マスターマスク16のTa膜パターン13P1及び
13P2をミラー反転した位置に形成される。
【００２４】図３(b) 参照 次いで、上記第２のレジストパターン19P1、19P2等を含
むレジスト膜19をマスクにし、塩素(Cl)系のガスを用い
たRIE 処理によりTa膜17のパターニングを行い、レジス
トパターン19P1、19P2等を含むレジスト膜19を除去し
て、メンブレン12上にTa膜パターン17P1及び17P2を有す
る実露光用のコピーマスク20を形成する。ここで前記Ta
膜パターン17P1及び17P2は、前記Ta膜17の吸収体応力
（引張り応力）の開放により、図２(c) で述べたように
基準のパターン位置から中心に向かってΔX の距離例え
ば 0.15 μｍ程度ずれて形成されたマスターマスク16の
Ta膜パターン13P1及び13P2に対応する第２のレジストパ
ターン19P1及び19P2の位置からそれぞれ外側に前記引張
り応力の絶対値に応じΔY の距離例えば 0.15 μｍ近傍
ずれた位置に形成される。従って、前記マスターマスク
パターンの位置ずれが上記コピーマスクパターンの逆方
向の位置ずれによって相殺されるので、実露光に用いる
コピーマスク20には当初の基準となる第１のレジストパ
ターン15P1、15P2等とほぼ等しい高位置精度を有するＸ
線吸収体のTa膜パターン17P1、17P2等が形成される。
むレジスト膜19をマスクにし、塩素(Cl)系のガスを用い
たRIE 処理によりTa膜17のパターニングを行い、レジス
トパターン19P1、19P2等を含むレジスト膜19を除去し
て、メンブレン12上にTa膜パターン17P1及び17P2を有す
る実露光用のコピーマスク20を形成する。ここで前記Ta
膜パターン17P1及び17P2は、前記Ta膜17の吸収体応力
（引張り応力）の開放により、図２(c) で述べたように
基準のパターン位置から中心に向かってΔX の距離例え
ば 0.15 μｍ程度ずれて形成されたマスターマスク16の
Ta膜パターン13P1及び13P2に対応する第２のレジストパ
ターン19P1及び19P2の位置からそれぞれ外側に前記引張
り応力の絶対値に応じΔY の距離例えば 0.15 μｍ近傍
ずれた位置に形成される。従って、前記マスターマスク
パターンの位置ずれが上記コピーマスクパターンの逆方
向の位置ずれによって相殺されるので、実露光に用いる
コピーマスク20には当初の基準となる第１のレジストパ
ターン15P1、15P2等とほぼ等しい高位置精度を有するＸ
線吸収体のTa膜パターン17P1、17P2等が形成される。
【００２５】なお、本発明の方法は、上記実施例に示し
たTa以外の例えばタングステン(W)、硼化タンタル(Ta
4B)等のＸ線吸収体を用いるＸ線マスクの製造にも勿論
有効に適用される。
たTa以外の例えばタングステン(W)、硼化タンタル(Ta
4B)等のＸ線吸収体を用いるＸ線マスクの製造にも勿論
有効に適用される。
【００２６】
【発明の効果】以上説明のように、本発明によれば、Ｘ
線吸収体膜の内部応力に起因して生ずるＸ線吸収体パタ
ーンの位置ずれを極く微小に抑えて、高パターン位置精
度を有する実露光用のＸ線マスクを容易に形成すること
ができる。
線吸収体膜の内部応力に起因して生ずるＸ線吸収体パタ
ーンの位置ずれを極く微小に抑えて、高パターン位置精
度を有する実露光用のＸ線マスクを容易に形成すること
ができる。
【００２７】従って本発明は、超ＬＳＩ等のパターンの
一層の微細化、高密度化に寄与するところが大きい。
一層の微細化、高密度化に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明用工程断面図
【図２】 本発明の方法の一実施例の工程断面図（その
１）
１）
【図３】 本発明の方法の一実施例の工程断面図（その
２）
２）
【図４】 スパッタ圧力と吸収体(Ta)応力との関係を示
す図
す図
【図５】 Ar+ ドーズ量とTa膜の応力の変化量の関係を
示す図
示す図
１ 支持膜 ２ メンブレン ３ 第１のＸ線吸収体膜 3P 第１のＸ線吸収体膜パターン ４ 第１のマスクブランク ５ 第１のレジスト膜 5P 第１のレジスト膜パターン ６ マスターマスク ７ 第２のＸ線吸収体膜 7P 第２のＸ線吸収体膜パターン ８ 第２のマスクブランク ９ 第２のレジスト膜 9P 第２のレジストパターン 10 実露光用マスク（コピーマスク）
Claims (1)
- 【請求項１】 任意の吸収体応力を有する第１のマスク
ブランクを用いて形成した第１のＸ線マスクをマスター
マスクとし、 該第１のマスクブランクと吸収体応力の絶対値がほぼ同
等で且つ符号が逆の第２のマスクブランク上に、Ｘ線露
光により該マスターマスクのパターンを転写して該第２
のマスクブランクからなる実露光用の第２のＸ線マスク
を形成する工程を有することを特徴とするＸ線マスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5302192A JPH05259037A (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5302192A JPH05259037A (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259037A true JPH05259037A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12931247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5302192A Withdrawn JPH05259037A (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259037A (ja) |
-
1992
- 1992-03-12 JP JP5302192A patent/JPH05259037A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6339892B2 (ja) | ||
| JPS5851412B2 (ja) | 半導体装置の微細加工方法 | |
| KR100561895B1 (ko) | 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법 | |
| KR100310257B1 (ko) | 반도체소자의 미세 패턴의 제조방법 | |
| KR101015176B1 (ko) | 전사용마스크기판의 제조방법, 전사용마스크기판 및전사용마스크 | |
| US4661426A (en) | Process for manufacturing metal silicide photomask | |
| JPS63236319A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05259037A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPS623257A (ja) | マスクパタ−ンの形成方法およびこれに使用するマスク基板 | |
| JPS61138257A (ja) | マスク基板 | |
| JP2745988B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| US4368215A (en) | High resolution masking process for minimizing scattering and lateral deflection in collimated ion beams | |
| JPH0915831A (ja) | 露光用マスクの製造方法 | |
| JPH02252229A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JP3254251B2 (ja) | 凹版印刷版の製造方法 | |
| JPH05326381A (ja) | 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH03182752A (ja) | 露光用マスクの作成方法 | |
| JPS60202441A (ja) | 半導体装置用パタ−ン形成マスク | |
| JPH0294421A (ja) | Ｘ線露光マスク | |
| JPS61285725A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPS6116526A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS5825234A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS63157154A (ja) | マスクパタ−ン形成方法 | |
| JPH05281702A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH0961988A (ja) | マスク、このマスクを用いた露光装置やデバイス生産方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |