JPH05326381A

JPH05326381A - 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法

Info

Publication number: JPH05326381A
Application number: JP19745892A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Tanaka; 稔彦田中; Iwao Tokawa; 巌東川
Original assignee: Soltec Co Ltd
Current assignee: Soltec Co Ltd
Priority date: 1992-03-18
Filing date: 1992-07-02
Publication date: 1993-12-10
Anticipated expiration: 2010-09-06
Also published as: JPH0782989B2

Abstract

(57)【要約】【目的】両面吸収体Ｘ線マスクの新たな製造方法を提
供し、同一パターンの両面吸収体Ｘ線マスクを量産する
場合に簡便に行なうことができ、且つ欠陥のコントラス
トも小さく、更にパターン配置精度の高いものが得られ
るようにするものである。【構成】両面にネガレジスト6の塗布されたメンブレ
ン3に、所望のパターン21の形成されたマスタマスク90
を近接させてＸ線照射し、該レジスト6を現像してメン
ブレン3両面に同時に同一のレジストパターン60を形成
する。その後このパターン60間にＸ線吸収体を被着せし
め、両面同時に同一のＸ線吸収体パターン20a、20bを形
成し、最後に前記レジストパターン60を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、パターン配置精度が
高く、且つ欠陥密度の少ない状態のものが確実に製造で
き、更にそのうちの一部の構成については、簡便な製造
工程で同一の両面吸収体Ｘ線マスクが複数製造できる両
面吸収体Ｘ線マスクの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】メンブレン片面にＸ線吸収体パターンの
形成された一般的なＸ線マスクは、吸収体アスペクト比
が異常に高くなり、加工が困難になるために通常はコン
トラストの小さいものしか得られず、解像性が劣ってい
ること及び応力歪が大きいこと、更に欠陥が生じた場合
コントラストの大きいものが生ずること等から、メンブ
レン両面に吸収体パターンの形成された両面吸収体Ｘ線
マスクが、次に示されるような点に注目されて脚光を浴
びるようになった。

【０００３】メンブレン両面に夫々形成された個々
の吸収体パターンの厚みが片面吸収体Ｘ線マスクに比べ
て薄くて済み、且つメンブレン表裏両面に形成されているので応力バラ
ンスが良く、歪が発生しにくい。

【０００４】この様な両面吸収体構造を有するＸ線マス
クは、通常図９に示される手順で製造される。即ち、

【０００５】(a) 基板1両面を覆うようにメンブレン3
a、3bを被着後、一方のメンブレン3b表面にＸ線吸収体
膜2bを被着させる。 (b) 裏側のメンブレン3aにバックエッチ用の開口部30
を形成する。 (c) 前記Ｘ線吸収体膜2bを処理して所望のパターン20b
を形成する。 (d) 前記開口部30側から基板1をバックエッチし、ウィ
ンドウ10を形成する。 (e) 露出したメンブレン3b裏面にＸ線吸収体膜2a及び
レジスト7を順次被着させ、更に前記Ｘ線吸収体パター
ン20bの形成された側から垂直にＸ線を照射して該レジ
スト7に対する露光を行なう。 (f) この裏面のレジスト7を現像してレジストパターン
70を形成する。 (g) 該レジストパターン70をマスクにして裏面のＸ線
吸収体膜2aをエッチングし、このレジストパターン70を
除去して両面吸収体Ｘ線マスク8を製造する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】以上の製造方法では、
メンブレン片面側に最初に形成された所望の吸収体パタ
ーンをＸ線照射によって反対面に転写するセルフアライ
ン方式で２層目の吸収体パターンを形成しており、又場
合によっては裏面に再度所望のパターンの転写を行なう
ことで２層目の吸収体パターンを形成することもあり、
これらの処理に付随する工程も含めると、複雑で工程数
も多くなるという問題がある。一方Ｘ線マスクは洗浄が
困難であることから、同一種類のマスクが何枚も必要と
なるため、同一種類のマスクを簡便な工程で量産できる
新たな製造方法の開発が望まれていた。

【０００７】更に、上記製造工程中(e)の工程では、Ｘ
線吸収体膜2aの被着の際に熱と吸収体材料による応力
がメンブレン3bに加わり、既に表面側に形成されている
Ｘ線吸収体パターン20bの位置がずれ、位置歪を生ずる
ことになる。しかもこの歪はその後の工程で是正される
ことはない。この様なパターン配置精度の劣化が原因
で、依然として総合的な意味での重ね合せ精度はあまり
高くない。

【０００８】その他、最初に形成されたＸ線吸収体パタ
ーン20bにピンドットの様な欠陥があると、それがその
まま裏面に転写されてしまい、コントラストの大きい欠
陥として残存することになる。

【０００９】本発明は従来技術の以上の様な問題に鑑み
創案されたもので、両面吸収体Ｘ線マスクの新たな製造
方法を提供することにより、量産性に富み、且つパター
ン配置精度が高く、更に欠陥が生じていても該欠陥のコ
ントラストが小さい両面吸収体Ｘ線マスクが得られるよ
うにせんとするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】そのため本発明の両面吸
収体Ｘ線マスクの製造方法は、メンブレン両面にレジス
トを塗布し、その片面側からＸ線露光又は電子ビーム露
光を行なって両面のレジストに対して所望のパターンを
転写すると共に、該レジストを現像してメンブレン両面
にレジストパターンを形成し、しかる後そのパターン間
にＸ線吸収体の被着を行なって該メンブレン両面にＸ線
吸収体パターンを形成せしめることを基本的特徴として
いる。

【００１１】第２発明法では、先にメンブレン両面にＸ
線吸収体膜の被着を行なっておき、その上に所望のレジ
ストパターンを形成せしめ、該パターンをマスクにして
Ｘ線吸収体膜のエッチングを行なって、所望のＸ線吸収
体パターンを得るというものであるが、１回の露光でメ
ンブレン両面に所望のレジストパターンを得るのみなら
ず、１回のエッチングにより所望のＸ線吸収体パターン
がその両面に形成されることになる。即ち、メンブレン
両面にＸ線吸収体膜を被着し、更にその上に直接或いは
中間膜を介してレジストの塗布を行ない、その片面側か
らＸ線露光（Ｘ線の場合は露光時間を長くしたり、強度
を高めたりする必要がある）又は電子ビーム露光を行な
って両面のレジストに対して所望のパターンを転写する
と共に、該レジストを現像してメンブレン両面にレジス
トパターンを形成し、しかる後該レジストパターンをマ
スクとして直接Ｘ線吸収体膜のエッチング加工を行なっ
て、又はこのレジストパターンをマスクとして中間膜を
エッチング加工した上で、更にこれをエッチングマスク
としてＸ線吸収体膜のエッチング加工を行なって前記メ
ンブレン両面にＸ線吸収体パターンを形成せしめること
を基本的特徴としている。

【００１２】更に第３発明法では、メンブレン表面に塗
布するレジストがその両面間でネガ型とポジ型の異種タ
イプの場合の構成であり、上記２つの発明の構成を夫々
メンブレンの一方の面に対して行なうことになる。即
ち、メンブレン片面にＸ線吸収体膜の被着を行なった後
又は該Ｘ線吸収体膜の被着と共に中間膜の形成を行なっ
た後、同面側にレジストを塗布する一方で他面側に異種
タイプのレジストを塗布し、どちらか一方の面側からＸ
線露光（この場合も前記と同様露光時間を長くしたり、
強度を高めたりする必要がある）又は電子ビーム露光を
行なって両面のレジストに対して所望のパターンを転写
すると共に、これらのレジストを各々現像してメンブレ
ン両面にレジストパターンを形成し、これらのレジスト
パターンのうちパターン間にメンブレン表面が露出する
側では該パターン間にＸ線吸収体の被着を行なうと共
に、その反対面側ではレジストパターンをマスクとして
直接Ｘ線吸収体膜のエッチングを行ない、又はその反対
面側で最初に該レジストパターンをマスクとして中間膜
のエッチングを行なった上で、更にこれをエッチングマ
スクとしてＸ線吸収体膜のエッチングを行ない、前記メ
ンブレン両面にＸ線吸収体パターンを形成せしめること
を基本的特徴としている。

【００１３】以上の構成ではいずれも一回の露光でメン
ブレン両面に同時に同一の又は相補的なレジストパター
ンの形成が可能であり、しかも後に同一の吸収体パター
ンがその両面に同時に又は連続して形成できるので、従
前のセルフアライン方式に比べその製造工程も非常に簡
便化され、量産化に適することになる。又一度の露光に
よってメンブレン両面にレジストパターン等が形成され
るため、欠陥の転写ということがなく、従ってメンブレ
ン両面の同位置に欠陥が発生することがほとんどなくな
り、該欠陥のコントラストは非常に低く抑えられること
になる。更に露光後のＸ線吸収体パターンの形成がメン
ブレン両面で同時になされれば、メンブレン片面側に応
力変化が生じたり、該片面側に熱が加わることもなく、
Ｘ線吸収体パターンの配置歪の発生がなくなってパター
ン配置も良好となる。加えて露光時に所望のＸ線吸収体
パターン又は電子ビーム吸収体パターンの形成されたマ
スタマスクを使用してＸ線照射又は電子ビーム照射を行
なう一括露光によれば、マスタマスクからのコピーにな
り、且つ一括で露光が終了するため、複数枚同一のマス
クを作るという場合は、その製造がより簡便化すること
になる（尚、電子ビーム露光技術では、この様なマスタ
マスクの使用による一括露光が行なわれない場合もある
ので、その場合は両面へのパターン転写は瞬時に行なわ
れるということはない）。

【００１４】又、第２発明法及び第３発明法において、
Ｘ線吸収体膜をエッチング加工する際エッチングマスク
として形成される中間膜のパターンの形成方法について
は、リフトオフ法によると良い。

【００１５】更に、第２発明法及び第３発明法におい
て、該中間膜として、Ｘ線吸収体膜のエッチング加工時
に耐ドライエッチング性を有する材料をこれに用いる良
い。その様な材料としては、酸化シリコン、シリコン、
シリコンナイトライド、Ｃr、ＣrＯxide、Ａl₂Ｏ₃等が
ある。

【００１６】

【実施例】以下本発明法の具体的実施例につき添付図面
に基づき説明する。

【００１７】図１は第１発明法の一実施例に係る両面吸
収体Ｘ線マスクの製造工程を示している。

【００１８】まず同図(a)に示される様に、Si基板1上に
メンブレン3を形成する。

【００１９】そして露光フィールド部をバックエッチ
し、基板1にウィンドウ部10を形成し、更に後のメッキ
処理を前提としたメッキ前処理をメンブレン3表面に対
して行ない、メッキベースを得る。具体的にはCrやAu等
の金属をメンブレン3両面に数ｎｍ蒸着する等の処理に
より行なわれる。その後同図(b)に示される様に、メン
ブレン3両面にネガ型レジスト6を塗布する。

【００２０】同図(c)に示される様に、所望のＸ線吸収
体パターン21の形成されたマスタマスク90を上記基板1
に近接させ、更にその上からＸ線を照射して前記表裏両
面のレジスト6に潜像を形成せしめる。

【００２１】次に現像を行なって同図(d)に示される様
に、メンブレン3の両面にネガ型のレジストパターン60
を形成する。

【００２２】更にメッキ処理により、同図(e)に示され
る様に、メンブレン3の両面のレジストパターン60が形
成されていない部分にＸ線吸収体パターン20a、20bを形
成する。

【００２３】最後にレジストパターン60を除去して、同
図(f)に示される様な両面吸収体Ｘ線マスク8を製造す
る。

【００２４】以上の様な両面吸収体Ｘ線マスクの製造工
程によれば、マスタマスク90のパターン21が一度の一括
露光でメンブレン3両面のレジスト6に転写され、更にメ
ンブレン3両面に同時にＸ線吸収体パターン20a、20bが
形成されるため、同一パターンの両面吸収体Ｘ線マスク
を量産する場合でも、簡便に製造することが可能とな
り、且つ製造されたＸ線マスクはパターン配置精度の優
れたものとなる。

【００２５】尚、本実施例では、Ｘ線吸収体パターン20
a、20bの形成については、メッキ処理により形成されて
いたが、これに限定されずスパッタリング等の異方性を
持つ蒸着法により形成されるようにしても良い。

【００２６】以上の様にして作成されたＸ線マスク8
を、Ｘ線レジストの塗布されたウェハ（図示なし）に平
行に近接せしめて中心波長８Åの白色軟Ｘ線を用いてＸ
線露光を行ない、該ウェハ上にレジストパターンを形成
せしめた。このレジストパターンにはマスク欠陥に起因
する欠陥の発生が著しく低減されていた。これは従来の
片面吸収体Ｘ線マスク80には、図２(b)に示される様に
アスペクト比の大きなＸ線吸収体パターン20に対応して
コントラストの大きな欠陥100が発生し易いのに対し、
本発明法により製造された両面吸収体Ｘ線マスク8で
は、同図(a)に示される様に、両面に形成されるために
アスペクト比が小さくなったＸ線吸収体パターン20a、2
0bに対応して欠陥101のコントラストも小さくなり、し
かも一括露光による両面転写であるため、セルフアライ
ン方式の様に、片面側にできた欠陥がその裏面に転写さ
れるということもなく、その結果欠陥101のコントラス
トも低くなるからである。Ｘ線吸収体パターン20a、20b
が0.75μm厚のＴa又は0.67μm厚のＷで形成されたコン
トラストが10の本発明法による両面吸収体Ｘ線マスク8
では、欠陥がその裏面に転写されることがないために、
片面側にできる欠陥の厚みは最大で0.345μm、0.335μm
となり、図３に示される様にＸ線吸収体パターンの厚み
から割り出される該欠陥のコントラストは約3.5とな
る。

【００２７】一方前述の様に両面吸収体構造のマスクで
は吸収体パターンのアスペクト比が半減するため、加工
精度も向上することになる。

【００２８】次に電子ビーム露光による本発明法の実施
例につき説明する。

【００２９】図４(a)に示される様にＳi基板1上に2μm
厚のＳiＮx薄膜30を形成し、次いでこのＳiＮx薄膜30の
裏面の所望領域を開口し、Ｓiのエッチング除去を行な
い、ＳiＮx薄膜30一層のメンブレン3を形成する。

【００３０】次に該メンブレン3両面にＴa0.01μm、あ
るいはＡu0.01μmの薄膜をスパッタ法で形成してメッキ
ベース4を得る前処理を行ない、その上に1μm厚のポジ
型の電子ビームレジスト（ＰＭＭＡ）7を塗布した。

【００３１】そして同図(b)に示される様に、加速電圧1
00ＫeＶの電子ビーム露光を行なって所望のパターンの
焼き付けを行ない、現像後同図(c)に示される様なレジ
ストパターン70を得た。

【００３２】更に同図(d)に示される様に、レジストパ
ターン70間に0.5μm厚のＡuをメッキし、メンブレン3の
両面にＸ線吸収体パターン20を形成した。

【００３３】最後に同図(e)に示される様にレジストパ
ターン70を除去し、更に前記メッキベース4を除去して
Ｘ線マスク8を得た。

【００３４】次に第２発明法による一実施例につき説明
する。

【００３５】前述の第２実施例と同様な手順によりＳi
Ｎxのメンブレン3を形成し、スパッタ法により図５(a)
に示される様に該メンブレン3両面に0.4μm厚のＴaから
なるＸ線吸収体膜2を形成した。

【００３６】そしてこの両面に、スパッタ法により同図
(b)に示される様に、0.4μmのシリコン酸化膜5を中間膜
として形成し、更に該両面に厚さ1.0μmのネガ型電子ビ
ームレジスト（ＰＭＭＡ）6を塗布した。

【００３７】その後同図(c)に示される様に加速電圧100
ＫeＶの電子ビーム露光を行なって所望のパターンの焼
き付けを行ない、現像後同図(d)に示される様なレジス
トパターン60を形成した。

【００３８】次いでＣＦ₄とＨ₂の混合ガスを用いたドラ
イエッチングによりシリコン酸化膜5に対し方向性エッ
チングを行ない、図６(a)に示される様なシリコン酸化
膜パターン50を得た。このエッチングのなされる基板の
裏面は電極面と10μmの間隔で保持し、その間隙には20
ＴorrのＨeガスを供給し、エッチング時の温度変化を防
いだ。そしてこのエッチングは片面ずつ行ない、両面に
なされた。

【００３９】同様にしてレジストパターン60の残置され
たシリコン酸化膜パターン50をマスクにして前記Ｘ線吸
収体膜2のエッチングを行ない、同図(b)に示される様な
Ｘ線吸収体パターン20の加工形状を得た。この時最上層
のレジストパターン60はすべてエッチングされていた。

【００４０】最後にシリコン酸化膜パターン50を残した
まま或いはこれを除去した後、Ｘ線マスク8を得た。

【００４１】このＸ線マスクをセットした上で、中心波
長が８Åで３Åから１４Åの波長のＸ線が有効にそのメ
ンブレン3領域を透過してくる光学系を用いてＸ線露光
を行なったところ、コントラストが１０以上の露光が可
能となった。

【００４２】尚本実施例では、シリコン酸化膜パターン
50の加工をメンブレン3両面において行なってからＸ線
吸収体膜2のエッチング処理を同じくその両面において
行なっているが、メンブレン3の片面側でＸ線吸収体膜2
のエッチングまでの処理を先に行なってから、もう一方
の面のシリコン酸化膜パターン50の加工及びＸ線吸収体
膜2のエッチングを行なって、両面にＸ線吸収体パター
ン20を形成しても良い。

【００４３】最後に第３発明法の具体的実施例につき説
明する。

【００４４】前述の第２実施例と同様な手順によりＳi
Ｎxのメンブレン3を形成し、その片面に図７(a)に示さ
れる様に、0.4μmのＴaから成るＸ線吸収体膜2を設ける
と共に、他面にＴa0.01μm、あるいはＡu0.01μmの薄膜
をスパッタ法で形成し、メッキベース4とした。

【００４５】次いで同図(b)に示される様に、メッキベ
ース4面にポジ型の電子ビームレジスト（ＰＭＭＡ）7を
設けてソフトベークすると共に、他面にシリコン酸化膜
5を形成し、更にネガ型電子ビームレジスト6を塗布し
た。

【００４６】そして加速電圧100ＫeＶの電子ビーム露光
を行ない、ベーク処理後ネガ型電子ビームレジスト6を
現像した後、ポジ型電子ビームレジスト7の現像も行な
う。それから、前記ネガ型電子ビームレジストパターン
60をマスクにシリコン酸化膜5のエッチングを行ない、
同図(c)に示される様なパターン50を得た。そしてこの
シリコン酸化膜パターン50をエッチングマスクとしてＸ
線吸収体膜2のエッチングを行ない、同図(d)に示される
様な吸収体パターン20を形成せしめた。

【００４７】一方このＸ線吸収体パターン20が形成され
た側を、その反対面側に塗布されたレジスト7と同様な
ＰＭＭＡのポジ型電子ビームレジスト膜7aで保護した
後、前記ポジ型電子ビームレジストパターン70をマスク
として該パターン70間にＡuメッキを行ない、図８(a)に
示される様なＸ線吸収体パターン20を形成した。

【００４８】次いで同図(b)に示される様に両面のポジ
型電子ビームレジスト7、7aを除去し、更に前記メッキ
ベース4を除去して同図(c)に示される様な両面吸収体Ｘ
線マスク8を得た。

【００４９】前実施例と同様にしてこのＸ線マスク8を
所定の光学系にセットし、Ｘ線露光を行なったところ、
コントラストが１０以上の露光が可能となり、又、ウェ
ハ上のレジストへの欠陥の転写も少なくなった。

【００５０】

【発明の効果】以上詳述した本発明の両面吸収体Ｘ線マ
スクの製造方法によれば、一度の露光でメンブレン両面
に同時にレジストパターンが形成され、それに続くＸ線
吸収体パターンの形成がメンブレン両面に同時に又は連
続してなされるため、簡便に製造でき、量産に適するこ
とになる。又一度の露光によってメンブレン両面にレジ
ストパターン等が形成されるため、欠陥の転写というこ
とがなく、従ってメンブレン両面の同位置に欠陥が発生
することがほとんどなくなり、該欠陥のコントラストは
非常に低く抑えられることになる。更に露光後のＸ線吸
収体パターンの形成がメンブレン両面で同時になされれ
ば、パターン配置精度も高くなる。加えて露光を一括露
光で行なえば、マスタマスクからのコピーになるので複
数枚同一のマスクを作る場合により簡便になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明法の一実施例に係るマスク製造工程を示
す説明図である。

【図２】本実施例により製造された両面吸収体構造のＸ
線マスクと従来の片面吸収体構造のＸ線マスクの比較断
面図である。

【図３】Ｘ線吸収体パターンの厚みとコントラストの関
係を示すグラフである。

【図４】電子ビーム露光により行なわれた本発明法の他
の実施例のマスク製造工程を示す説明図である。

【図５】第２発明法の一実施例に係るマスク製造工程を
示す説明図である。

【図６】同実施例の製造工程を示す説明図である。

【図７】第３発明法の一実施例に係るマスク製造工程を
示す説明図である。

【図８】同実施例の製造工程を示す説明図である。

【図９】従来の両面吸収体Ｘ線マスクの製造工程を示す
説明図である。

【符号の説明】

1 基板 2、2a、2b Ｘ線吸収体膜 3、3a、3b メンブレン 4 メッキベース 5 シリコン酸化膜 6 ネガ型レジスト 7 ポジ型レジスト 8 両面吸収体Ｘ線マスク 20、20a、20b Ｘ線吸収体パターン 60 ネガ型レジストパターン 70 ポジ型レジストパターン 90 マスタマスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】メンブレン両面にレジストを塗布し、そ
の片面側からＸ線露光又は電子ビーム露光を行なって両
面のレジストに対して所望のパターンを転写すると共
に、該レジストを現像してメンブレン両面にレジストパ
ターンを形成し、しかる後そのパターン間にＸ線吸収体
の被着を行なって該メンブレン両面にＸ線吸収体パター
ンを形成せしめることを特徴とする両面吸収体Ｘ線マス
クの製造方法。
【請求項２】メンブレン両面にＸ線吸収体膜を被着
し、更にその上に直接或いは中間膜を介してレジストの
塗布を行ない、その片面側からＸ線露光又は電子ビーム
露光を行なって両面のレジストに対して所望のパターン
を転写すると共に、該レジストを現像してメンブレン両
面にレジストパターンを形成し、しかる後該レジストパ
ターンをマスクとして直接Ｘ線吸収体膜のエッチング加
工を行なって、又はこのレジストパターンをマスクとし
て中間膜をエッチング加工した上で、更にこれをエッチ
ングマスクとしてＸ線吸収体膜のエッチング加工を行な
って、前記メンブレン両面にＸ線吸収体パターンを形成
せしめることを特徴とする両面吸収体Ｘ線マスクの製造
方法。
【請求項３】メンブレン片面にＸ線吸収体膜の被着を
行なった後又は該Ｘ線吸収体膜の被着と共に中間膜の形
成を行なった後、同面側にレジストを塗布する一方で他
面側にこれとは異種のタイプのレジストを塗布し、どち
らか一方の面側からＸ線露光又は電子ビーム露光を行な
って両面のレジストに対して所望のパターンを転写する
と共に、これらのレジストを各々現像してメンブレン両
面にレジストパターンを形成し、これらのレジストパタ
ーンのうちパターン間にメンブレン表面が露出する側で
は該パターン間にＸ線吸収体の被着を行なうと共に、そ
の反対面側ではレジストパターンをマスクとして直接Ｘ
線吸収体膜のエッチングを行ない、又はその反対面側で
最初に該レジストパターンをマスクとして中間膜のエッ
チングを行なった上で、更にこれをエッチングマスクと
してＸ線吸収体膜のエッチングを行ない、前記メンブレ
ン両面にＸ線吸収体パターンを形成せしめることを特徴
とする両面吸収体Ｘ線マスクの製造方法。
【請求項４】請求項第２項乃至第３項記載の両面吸収
体Ｘ線マスクの製造方法において、Ｘ線吸収体膜をエッ
チング加工する際エッチングマスクとして形成される中
間膜のパターンがリフトオフ法によって形成されること
を特徴とする請求項第２項乃至第３項記載の両面吸収体
Ｘ線マスクの製造方法。
【請求項５】請求項第２項乃至第４項記載の両面吸収
体Ｘ線マスクの製造方法において、前記中間膜として、
Ｘ線吸収体膜のエッチング加工時に耐ドライエッチング
性を有する材料をこれに用いたことを特徴とする請求項
第２項乃至第４項記載の両面吸収体Ｘ線マスクの製造方
法。
【請求項６】請求項第５項記載の両面吸収体Ｘ線マス
クの製造方法において、前記中間膜材料として、酸化シ
リコン、シリコン、シリコンナイトライド、Ｃr、ＣrＯ
xide、Ａl₂Ｏ₃を用いたことを特徴とする請求項第５項
記載の両面吸収体Ｘ線マスクの製造方法。
【請求項７】請求項第１項乃至第６項記載の両面吸収
体Ｘ線マスクの製造方法において、メンブレン両面側の
レジストに対してＸ線露光又は電子ビーム露光を行なっ
てこれらのレジストに対して所望のパターンを転写する
場合に、所望のＸ線吸収体パターン又は電子ビーム吸収
体パターンの形成されたマスタマスクを前記メンブレン
の一方の面に近接させて上記露光を行なうことを特徴と
する請求項第１項乃至第６項記載の両面吸収体Ｘ線マス
クの製造方法。
【請求項８】請求項第１項、第３項乃至第７項記載の
両面吸収体Ｘ線マスクの製造方法において、レジストパ
ターン間へのＸ線吸収体の被着をメッキ処理により行な
う場合、メンブレン表面へのレジスト塗布前に、該メン
ブレン表面にメッキ前処理を施しておくことを特徴とす
る請求項第１項、第３項乃至第７項記載の両面吸収体Ｘ
線マスクの製造方法。