JPS61212844A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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- JPS61212844A JPS61212844A JP60053575A JP5357585A JPS61212844A JP S61212844 A JPS61212844 A JP S61212844A JP 60053575 A JP60053575 A JP 60053575A JP 5357585 A JP5357585 A JP 5357585A JP S61212844 A JPS61212844 A JP S61212844A
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- Japan
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- mask
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造等に用いられる露光用マスク
に関し、％【−Ｘ線露光用マスクに関する。
に関し、％【−Ｘ線露光用マスクに関する。
口〕従来の技術
半導体集積回路の進歩は目覚しく、一層の高密度化、高
集積化の方向にあり、サブミクロンパターンを用いる超
ＬＳＩの研究が精力的Ｃ−進められている。パターンの
微細化の鍵を握るリソグラフィ技術では、ａ小投影露光
方式の開発と光学系の進歩【ユよって１μｍ近傍まで紫
外線露光が使えるようＣ二なりつつあるが、サブミクロ
ン領域では焦点、深度、フィールドサイズなどの制約が
厳しくなってくる。
集積化の方向にあり、サブミクロンパターンを用いる超
ＬＳＩの研究が精力的Ｃ−進められている。パターンの
微細化の鍵を握るリソグラフィ技術では、ａ小投影露光
方式の開発と光学系の進歩【ユよって１μｍ近傍まで紫
外線露光が使えるようＣ二なりつつあるが、サブミクロ
ン領域では焦点、深度、フィールドサイズなどの制約が
厳しくなってくる。
Ｘ線転写技術はその高解像性から０．５μｍ以下のパタ
ーン領域に適用可能な転写技術と考えられている。Ｘ線
Ｃ二依る転写Ｃユは半導体基板とＸ線露光用マスクの間
隔ｖｉ ｏｐｍ程度に保持して露光露光用マスクＣ二つ
いての提案も種々なされている。
ーン領域に適用可能な転写技術と考えられている。Ｘ線
Ｃ二依る転写Ｃユは半導体基板とＸ線露光用マスクの間
隔ｖｉ ｏｐｍ程度に保持して露光露光用マスクＣ二つ
いての提案も種々なされている。
プロキシミテイ法【；依り０．５μｍ以下のパターンを
形成するためには、使用するＸ’ｍ 露光用マスクハ光
分なパターンコントラストラ肩する必要がある。
形成するためには、使用するＸ’ｍ 露光用マスクハ光
分なパターンコントラストラ肩する必要がある。
Ｘ線吸収体パターン材としてＡｕ膜が用いられるが、光
分なパターンコントラストを得るＣ二は１μｍ程度の）
艮厚が必要とされる。しかしＸ線露光用マスクのＸ線吸
収体パターン幅は最小０．２５μｍ程度であり、光分な
パターンコントラストラ得た場会のアスペクト比（Ｘｍ
吸収体の厚さをそのパターン幅で割ったもの〕は３〜４
にも達する。
分なパターンコントラストを得るＣ二は１μｍ程度の）
艮厚が必要とされる。しかしＸ線露光用マスクのＸ線吸
収体パターン幅は最小０．２５μｍ程度であり、光分な
パターンコントラストラ得た場会のアスペクト比（Ｘｍ
吸収体の厚さをそのパターン幅で割ったもの〕は３〜４
にも達する。
このようにアスペクト比の高いパターンが薄い支持合Ｃ
二形成されていると、熱的な変動や機械的な １振
動じよりパターンの位置ズレ、歪み等が発生する確率が
高いので、マスクの安定性というＭＡからはアスペクト
比が低い方が望ましい。しかし微細化が激しく進むとア
スペクト比はどうしても高いものとなり、アスペクト比
を低く即ち吸収体パターンの膜厚を薄くすると充分なパ
ターンコントラストが得られなくなるという不部会が生
じていた。
二形成されていると、熱的な変動や機械的な １振
動じよりパターンの位置ズレ、歪み等が発生する確率が
高いので、マスクの安定性というＭＡからはアスペクト
比が低い方が望ましい。しかし微細化が激しく進むとア
スペクト比はどうしても高いものとなり、アスペクト比
を低く即ち吸収体パターンの膜厚を薄くすると充分なパ
ターンコントラストが得られなくなるという不部会が生
じていた。
ハ）発り］が解決しようとする問題点
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、アスペクト
比が低く、更に充分なパターンコントラストが得られる
Ｘ線露光用マスクを提供しようとするものである。
′ 二）問題点を解決するだめの手段 本発明は、マスク保持用部材（二て保持された支持体膜
の両面ｒ二Ｘｇ吸収体パターンが表裏一体に形成されて
いるＸ？ｍ露元露光スクである。
比が低く、更に充分なパターンコントラストが得られる
Ｘ線露光用マスクを提供しようとするものである。
′ 二）問題点を解決するだめの手段 本発明は、マスク保持用部材（二て保持された支持体膜
の両面ｒ二Ｘｇ吸収体パターンが表裏一体に形成されて
いるＸ？ｍ露元露光スクである。
ホ〕作 用
Ｘ線吸収体パターンを支持体膜の表と裏Ｃ二分割して同
じパターンを設けることで、アスペクト、比の低い光分
なパターンコントラストを有しているＸ線露光用マスク
が実現される。
じパターンを設けることで、アスペクト、比の低い光分
なパターンコントラストを有しているＸ線露光用マスク
が実現される。
へ〕実 施 例
第１因は不発８ＡによるＸ線露光用マスクの一実施例の
断■図、第２図（８〜（均はそのＭ造工程故ＦＪＪ４図
である。（１）はシリコンよりなるマスク保持用リング
、（２）は厚さ２μｍ程度のＳｉＮｘ或いはＢＮよりな
る支持体１模、（３）（４１はＸ線吸収体パターンで大
々厚さ０゜５μｍ程度のＡｕ膜である。各面のＸ線吸収
体パターン（３）（４）は同一寸法、同一位置の同シバ
ターンＣ二形成されているので露光の際Ｃ二解像性を悪
化させる要因とはならない。
断■図、第２図（８〜（均はそのＭ造工程故ＦＪＪ４図
である。（１）はシリコンよりなるマスク保持用リング
、（２）は厚さ２μｍ程度のＳｉＮｘ或いはＢＮよりな
る支持体１模、（３）（４１はＸ線吸収体パターンで大
々厚さ０゜５μｍ程度のＡｕ膜である。各面のＸ線吸収
体パターン（３）（４）は同一寸法、同一位置の同シバ
ターンＣ二形成されているので露光の際Ｃ二解像性を悪
化させる要因とはならない。
以下Ｃ−第２図区−沿って本発明のＸ線露光用マスクの
製造方法な説明する。
製造方法な説明する。
先ず周知の従来方法ｆ二よって支持体膜（２）表面６二
Ａｕ膜よりなるＸ線吸収体パターン（３）を形成する（
第２図＾〕。この時Ａｕ膜の厚さは前述のとおり０．５
μｍ程度とする。次Ｃ二前記支持体膜（２）の裏面Ｉ：
金メッキの被着？容易にするためＣｒよＶなる導体膜（
５）ｖ １ 、ｏ ｏλ程度真空蒸着し、更（ニネガ型
Ｘ線レジスト膜（６）（例えば東洋ソーダ％「Ｃ＠Ｓ」
］を１１μｍ膜で形成する（、同図（Ｂ））。
Ａｕ膜よりなるＸ線吸収体パターン（３）を形成する（
第２図＾〕。この時Ａｕ膜の厚さは前述のとおり０．５
μｍ程度とする。次Ｃ二前記支持体膜（２）の裏面Ｉ：
金メッキの被着？容易にするためＣｒよＶなる導体膜（
５）ｖ １ 、ｏ ｏλ程度真空蒸着し、更（ニネガ型
Ｘ線レジスト膜（６）（例えば東洋ソーダ％「Ｃ＠Ｓ」
］を１１μｍ膜で形成する（、同図（Ｂ））。
１ＴｉＩ記ＸＭ吸収体パターン（３）側からＸ線で全面
露光する。通常、露光量は３０ ｍＪ／ｌｒａｍ度であ
る。これを現像することで前記Ｘ線吸収体パターン（３
）と全く反対のレジストパターン（６）′力１できる（
同図（Ｃ））。前記導体膜（５） ＹペースＣ；、前記
レジストパターン（６）′ｖマスクとしてＸ１１ＭＭ収
体膜のＡｕ膜を選択メッキする〔同図（Ｄ〕〕。この時
の膜厚も０，５μｍ程度で良い。最後厘ニレジストパタ
ーン（６）トソの下の導体膜（５）ヲ除去丁れば本発明
のＸＩＡ露光用マスクができあがる（同図（Ｅ））。
露光する。通常、露光量は３０ ｍＪ／ｌｒａｍ度であ
る。これを現像することで前記Ｘ線吸収体パターン（３
）と全く反対のレジストパターン（６）′力１できる（
同図（Ｃ））。前記導体膜（５） ＹペースＣ；、前記
レジストパターン（６）′ｖマスクとしてＸ１１ＭＭ収
体膜のＡｕ膜を選択メッキする〔同図（Ｄ〕〕。この時
の膜厚も０，５μｍ程度で良い。最後厘ニレジストパタ
ーン（６）トソの下の導体膜（５）ヲ除去丁れば本発明
のＸＩＡ露光用マスクができあがる（同図（Ｅ））。
ト〕発明の□効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、支彎体膜表面≦
−形成したＸ線吸収体パターンを基（−支持体膜裏面Ｅ
：同一のパターンを形成するので、転写時に解像度Ｃ；
悪影響を与える虞はなく、アスペクト比の低いしかもパ
ターンコントラストの光分禍ち’ｎるＸ錘霞資用マスク
が実現で肯る７アスベクト比が低いとい、うことは、熱
的な変動や機械的な振動Ｃ二対しても安定な露光用マス
クとなる。
−形成したＸ線吸収体パターンを基（−支持体膜裏面Ｅ
：同一のパターンを形成するので、転写時に解像度Ｃ；
悪影響を与える虞はなく、アスペクト比の低いしかもパ
ターンコントラストの光分禍ち’ｎるＸ錘霞資用マスク
が実現で肯る７アスベクト比が低いとい、うことは、熱
的な変動や機械的な振動Ｃ二対しても安定な露光用マス
クとなる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２鴨はその製造
工程説明図！ある。 、 （１）・・・マスク保持用リング、（２）・・・支持体
膜、（３）（４）・・・Ｘ線吸収体パターン、（５）・
・・導体膜、、（６ｊ・・・レジストパターン。
工程説明図！ある。 、 （１）・・・マスク保持用リング、（２）・・・支持体
膜、（３）（４）・・・Ｘ線吸収体パターン、（５）・
・・導体膜、、（６ｊ・・・レジストパターン。
出讐人三洋電機株式会社
Claims (1)
- （１）マスク保持用部材にて保持された支持体膜の両面
にＸ線吸収体パターンが表裏一体に形成されていること
を特徴とするＸ線露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053575A JPS61212844A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60053575A JPS61212844A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61212844A true JPS61212844A (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=12946627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60053575A Pending JPS61212844A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61212844A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166226A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH05267130A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Soltec:Kk | Ｘ線マスクの製造方法 |
| JPH05326381A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-12-10 | Soltec:Kk | 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 |
| US10763112B2 (en) | 2018-07-20 | 2020-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing device |
-
1985
- 1985-03-18 JP JP60053575A patent/JPS61212844A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166226A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH05267130A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Soltec:Kk | Ｘ線マスクの製造方法 |
| JPH05326381A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-12-10 | Soltec:Kk | 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 |
| JPH0782989B2 (ja) * | 1992-03-18 | 1995-09-06 | 株式会社ソルテック | 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 |
| US10763112B2 (en) | 2018-07-20 | 2020-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing device |
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