JPH04311025A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH04311025A JPH04311025A JP3077459A JP7745991A JPH04311025A JP H04311025 A JPH04311025 A JP H04311025A JP 3077459 A JP3077459 A JP 3077459A JP 7745991 A JP7745991 A JP 7745991A JP H04311025 A JPH04311025 A JP H04311025A
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- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光方法に係り、詳し
くは、半導体集積回路の製造におけるリソグラフィー技
術に適用することができ、特に、画像結合領域でのパタ
ーン線幅を均一にすることができる露光方法に関する。
くは、半導体集積回路の製造におけるリソグラフィー技
術に適用することができ、特に、画像結合領域でのパタ
ーン線幅を均一にすることができる露光方法に関する。
【０００２】近年、ＬＳＩの高集積化には回路パターン
の微細化が要求されていると同時に、年々チップは大型
化しており、露光装置の有効露光領域の大口径化が要求
されている。しかし、一度に露光できる面積が大きくな
ると、ウエーハ上の表面段差の影響で露光領域内の全て
の場所でレチクル結像面とウエーハ表面を合わせること
が難しくなるため、小面積で分割露光して繋ぎ合わせる
ことが考えられるようになってきている。
の微細化が要求されていると同時に、年々チップは大型
化しており、露光装置の有効露光領域の大口径化が要求
されている。しかし、一度に露光できる面積が大きくな
ると、ウエーハ上の表面段差の影響で露光領域内の全て
の場所でレチクル結像面とウエーハ表面を合わせること
が難しくなるため、小面積で分割露光して繋ぎ合わせる
ことが考えられるようになってきている。
【０００３】
【従来の技術】従来の分割露光は、例えば、有効露光領
域内の所望露光パターンをまず半分だけレチクル遮光板
で隠してフォーカス合わせ・傾斜合わせして露光し、次
いで、残りの側をレチクル遮光板で隠してフォーカス合
わせ・傾斜合わせして露光して、結果として所望の全領
域を露光しようとするものである。
域内の所望露光パターンをまず半分だけレチクル遮光板
で隠してフォーカス合わせ・傾斜合わせして露光し、次
いで、残りの側をレチクル遮光板で隠してフォーカス合
わせ・傾斜合わせして露光して、結果として所望の全領
域を露光しようとするものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の露光方法では、繋ぎ合わせの領域がレチクル遮
光板のエッジ位置で規定されるため、この領域の光強度
分布が曖昧であったり、またはコントラストが高すぎて
他の露光領域に比べて露光量が不安定になり易かった。 このため、結合領域のパターン線幅が他の領域の線幅に
比べて著しく異なってしまうといった問題を生じていた
。
た従来の露光方法では、繋ぎ合わせの領域がレチクル遮
光板のエッジ位置で規定されるため、この領域の光強度
分布が曖昧であったり、またはコントラストが高すぎて
他の露光領域に比べて露光量が不安定になり易かった。 このため、結合領域のパターン線幅が他の領域の線幅に
比べて著しく異なってしまうといった問題を生じていた
。
【０００５】具体的には、レチクル遮光板の位置精度が
悪くて１回目の露光と２回目の露光が図１６（ａ）、（
ｂ）に示す如く境界部分で離れて行われると、図１６（
ｃ）に示す如く境界部分で未露光部分が生じてしまうこ
とがあったり、またレチクル遮光板の位置精度が悪くて
１回目の露光と２回目の露光が図１７（ａ）、（ｂ）に
示す如く境界部分で重なって行われると、図１７（ｃ）
に示す如く境界部分で倍の露光がなされパターン寸法に
大きな違いが生じてしまうことがあったりして、境界部
分の露光量が大きく変化してしまうことがあった。
悪くて１回目の露光と２回目の露光が図１６（ａ）、（
ｂ）に示す如く境界部分で離れて行われると、図１６（
ｃ）に示す如く境界部分で未露光部分が生じてしまうこ
とがあったり、またレチクル遮光板の位置精度が悪くて
１回目の露光と２回目の露光が図１７（ａ）、（ｂ）に
示す如く境界部分で重なって行われると、図１７（ｃ）
に示す如く境界部分で倍の露光がなされパターン寸法に
大きな違いが生じてしまうことがあったりして、境界部
分の露光量が大きく変化してしまうことがあった。
【０００６】そこで、本発明は、以上の点を鑑み、画像
結合領域の露光量を他の領域の露光量と略同量になるよ
うにすることができ、パターン線幅を均一にすることが
できる露光方法を提供することを目的としている。
結合領域の露光量を他の領域の露光量と略同量になるよ
うにすることができ、パターン線幅を均一にすることが
できる露光方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による露光方法は
上記目的達成のため、レチクル遮光板のエッジで形成さ
れるウエーハ上の光強度分布または積算露光量分布をな
だらかに変化させ、該なだらかに変化させた露光領域を
相対する方向から重複露光するものである。
上記目的達成のため、レチクル遮光板のエッジで形成さ
れるウエーハ上の光強度分布または積算露光量分布をな
だらかに変化させ、該なだらかに変化させた露光領域を
相対する方向から重複露光するものである。
【０００８】
【作用】図１〜３は本発明の原理説明図である。本発明
では、図１〜３に示すように、レチクル遮光板エッジで
形成されるウエーハ上での光強度分布をなだらかに変化
するようにし、画像結合領域で相対するレチクル遮光板
のエッジで形成された光強度分布を足して平均化するよ
うにしたため、画像結合領域とこの画像結合領域以外の
領域での光強度の差を小さくなるようにすることができ
る。図１、２は画像結合領域で従来の場合だと未露光部
分が生じるのを上記のように平均化することによって画
像結合領域での露光量を増加させている場合であり、図
１は従来よりも画像結合領域で露光量変化が少なくなっ
て改善されており、画像結合領域以外の左右の領域と比
較して若干露光量不足の場合であり、図２は画像結合領
域で露光量変化がほとんどなく均一化されている場合で
ある。図３は画像結合領域で従来の場合だと２倍の露光
量となってしまうのを上記のように平均化することによ
って画像結合領域で露光量を減少させて従来よりも画像
結合領域での露光量変化が少なくなって改善されており
、画像結合領域以外の左右の領域と比較して若干露光量
が多目になっている場合である。
では、図１〜３に示すように、レチクル遮光板エッジで
形成されるウエーハ上での光強度分布をなだらかに変化
するようにし、画像結合領域で相対するレチクル遮光板
のエッジで形成された光強度分布を足して平均化するよ
うにしたため、画像結合領域とこの画像結合領域以外の
領域での光強度の差を小さくなるようにすることができ
る。図１、２は画像結合領域で従来の場合だと未露光部
分が生じるのを上記のように平均化することによって画
像結合領域での露光量を増加させている場合であり、図
１は従来よりも画像結合領域で露光量変化が少なくなっ
て改善されており、画像結合領域以外の左右の領域と比
較して若干露光量不足の場合であり、図２は画像結合領
域で露光量変化がほとんどなく均一化されている場合で
ある。図３は画像結合領域で従来の場合だと２倍の露光
量となってしまうのを上記のように平均化することによ
って画像結合領域で露光量を減少させて従来よりも画像
結合領域での露光量変化が少なくなって改善されており
、画像結合領域以外の左右の領域と比較して若干露光量
が多目になっている場合である。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
４は本発明の一実施例に則した露光方法を説明する図で
ある。ここでは、レチクル遮光板のエッジで形成される
ウエーハ上の積算光量分布を図１に示すように、所望の
分割領域の露光途中でレチクル遮光板位置を適宜連続的
に移動させることによってなだらかに変化させるように
している。次いで、このなだらかに変化させた露光領域
を相対する方向から重複露光する。具体的には、画像結
合領域で相対するレチクル遮光板のエッジで形成された
積算露光量分布（上記と同様レチクル遮光板位置を移動
させて形成する）を足して平均化するようにする。
４は本発明の一実施例に則した露光方法を説明する図で
ある。ここでは、レチクル遮光板のエッジで形成される
ウエーハ上の積算光量分布を図１に示すように、所望の
分割領域の露光途中でレチクル遮光板位置を適宜連続的
に移動させることによってなだらかに変化させるように
している。次いで、このなだらかに変化させた露光領域
を相対する方向から重複露光する。具体的には、画像結
合領域で相対するレチクル遮光板のエッジで形成された
積算露光量分布（上記と同様レチクル遮光板位置を移動
させて形成する）を足して平均化するようにする。
【００１０】このように、本実施例では、画像結合領域
とこの画像結合領域以外の領域との積算露光量の差を小
さくするようにしたため、パターン線幅を均一にするこ
とができる。
とこの画像結合領域以外の領域との積算露光量の差を小
さくするようにしたため、パターン線幅を均一にするこ
とができる。
【００１１】なお、上記実施例では、レチクル遮光板エ
ッジを露光途中で連続的に移動させることによって画像
結合領域における積算露光量分布を直線状になだらかに
変化させる場合について説明したが、本発明においては
、図５に示すようにレチクル遮光板エッジを露光途中で
不連続的（断続的）に移動させることにより画像結合領
域における積算露光量分布を階段状になだらかに変化さ
せる場合であってもよい。
ッジを露光途中で連続的に移動させることによって画像
結合領域における積算露光量分布を直線状になだらかに
変化させる場合について説明したが、本発明においては
、図５に示すようにレチクル遮光板エッジを露光途中で
不連続的（断続的）に移動させることにより画像結合領
域における積算露光量分布を階段状になだらかに変化さ
せる場合であってもよい。
【００１２】次に、本発明においては、図６に示すよう
に、レチクル遮光板をレチクルパターン面と光学的に共
役な面Ａ部からずれたところに設定することによってレ
チクル遮光板エッジで形成されるウエーハ上の光強度分
布をなだらかに変化させる場合であってもよい。図６で
はレチクル遮光板をレチクルパターン面と光学的に共役
な面Ａ部から上側にずらした場合である。なお、ここで
は、分割露光や画像結合で分割に関わるレチクル遮光板
を従来のレチクル遮光板とは別個に設けるようにしても
よいし、共用にするようにしてもよい。
に、レチクル遮光板をレチクルパターン面と光学的に共
役な面Ａ部からずれたところに設定することによってレ
チクル遮光板エッジで形成されるウエーハ上の光強度分
布をなだらかに変化させる場合であってもよい。図６で
はレチクル遮光板をレチクルパターン面と光学的に共役
な面Ａ部から上側にずらした場合である。なお、ここで
は、分割露光や画像結合で分割に関わるレチクル遮光板
を従来のレチクル遮光板とは別個に設けるようにしても
よいし、共用にするようにしてもよい。
【００１３】次に、本発明においては、図７に示すよう
に、レチクル遮光板のエッジを露光途中で振動させるこ
とによってレチクル遮光板エッジで結合されるウエーハ
上の積算露光量分布をなだらかに変化させる場合であっ
てもよい。レチクル遮光板の振動方法としては、例えば
図８に示すように、レチクル遮光板エッジ位置が時間に
対してサインカーブを描くように行ってもよく、図９に
示すように、時間に対してジグザグ状に描くように行っ
てもよい。
に、レチクル遮光板のエッジを露光途中で振動させるこ
とによってレチクル遮光板エッジで結合されるウエーハ
上の積算露光量分布をなだらかに変化させる場合であっ
てもよい。レチクル遮光板の振動方法としては、例えば
図８に示すように、レチクル遮光板エッジ位置が時間に
対してサインカーブを描くように行ってもよく、図９に
示すように、時間に対してジグザグ状に描くように行っ
てもよい。
【００１４】次に、本発明においては、図１０に示すよ
うに、レチクル遮光板のエッジ付近の光透過率をなだら
かに変化させることによってレチクル遮光板エッジで形
成されるウエーハの光強度分布をなだらかに変化させる
場合であってもよく、ここでは露光波長に対して透明な
板に厚さがなだらかに変化した遮光膜を形成したレチク
ル遮光板を用いた場合である。レチクル遮光板としては
、図１１（ａ）に示す如くそのエッジでジグザグ状に形
成されている場合であっても、図１１（ｂ）に示す如く
凸凹状（ここでは凸凹が粗い場合）に形成されている場
合であってもよく、この場合、図４で説明した実施例の
レチクル遮光板のエッジを露光途中で移動させる場合と
適宜組み合わせると効果的である。図１１（ｂ）では、
レチクル遮光板のエッジの凸凹が粗い場合で光強度分布
が画像結合領域で階段状（ここでは光強度が画像結合領
域以外の半分）になっており、図４の実施例と組み合わ
せると好ましい態様の場合であるが、図１２に示すよう
に、適用しようとする露光装置の解像力よりも微細な凸
凹状である場合は上記した凸凹が粗い場合よりも画像結
合領域で光強度分布を更になだらかにすることができる
。
うに、レチクル遮光板のエッジ付近の光透過率をなだら
かに変化させることによってレチクル遮光板エッジで形
成されるウエーハの光強度分布をなだらかに変化させる
場合であってもよく、ここでは露光波長に対して透明な
板に厚さがなだらかに変化した遮光膜を形成したレチク
ル遮光板を用いた場合である。レチクル遮光板としては
、図１１（ａ）に示す如くそのエッジでジグザグ状に形
成されている場合であっても、図１１（ｂ）に示す如く
凸凹状（ここでは凸凹が粗い場合）に形成されている場
合であってもよく、この場合、図４で説明した実施例の
レチクル遮光板のエッジを露光途中で移動させる場合と
適宜組み合わせると効果的である。図１１（ｂ）では、
レチクル遮光板のエッジの凸凹が粗い場合で光強度分布
が画像結合領域で階段状（ここでは光強度が画像結合領
域以外の半分）になっており、図４の実施例と組み合わ
せると好ましい態様の場合であるが、図１２に示すよう
に、適用しようとする露光装置の解像力よりも微細な凸
凹状である場合は上記した凸凹が粗い場合よりも画像結
合領域で光強度分布を更になだらかにすることができる
。
【００１５】また、レチクル遮光板としては、図１３に
示すように、露光波長に対して透明な板に遮光膜で解像
不能な微細パターン群でエッジ付近が形成されたものを
用いてもよい。なお、ここでのχ方向の光強度は、微細
パターンのχ方向での密度を適宜変化させてやれば任意
に設定することができる。この場合には、レチクルパタ
ーン面と共役な位置に分割用遮光板があっても解像不能
な微細パターンであるため、この微細パターン形状その
ものが転写される恐れはない。
示すように、露光波長に対して透明な板に遮光膜で解像
不能な微細パターン群でエッジ付近が形成されたものを
用いてもよい。なお、ここでのχ方向の光強度は、微細
パターンのχ方向での密度を適宜変化させてやれば任意
に設定することができる。この場合には、レチクルパタ
ーン面と共役な位置に分割用遮光板があっても解像不能
な微細パターンであるため、この微細パターン形状その
ものが転写される恐れはない。
【００１６】次に、本発明においては、図１４、１５に
示すように、チップをＡ、Ｂに分割露光した場合にチッ
プＡ、Ｂの両方に共通領域を設けて分割露光する場合で
あってもよく、具体的には、画像結合部付近では共通の
パターンを設けたレチクルを用いて露光し、共通領域の
各々の露光ではなだらかに変化させた露光領域で露光す
る。
示すように、チップをＡ、Ｂに分割露光した場合にチッ
プＡ、Ｂの両方に共通領域を設けて分割露光する場合で
あってもよく、具体的には、画像結合部付近では共通の
パターンを設けたレチクルを用いて露光し、共通領域の
各々の露光ではなだらかに変化させた露光領域で露光す
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、画像結合領域の露光量を他の
領域の露光量と略同量になるようにすることができ、パ
ターン線幅を均一にすることができるという効果がある
。
領域の露光量と略同量になるようにすることができ、パ
ターン線幅を均一にすることができるという効果がある
。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の原理説明図である。
【図３】本発明の原理説明図である。
【図４】本発明の一実施例に則した露光方法を説明する
図である。
図である。
【図５】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
【図６】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
【図７】本発明に適用できる露光方法を説明する図であ
る。
る。
【図８】本発明に適用できるレチクル遮光板の振幅方法
を説明する図である。
を説明する図である。
【図９】本発明に適用できるレチクル遮光板の振幅方法
を説明する図である。
を説明する図である。
【図１０】本発明に適用できる露光方法を説明する図で
ある。
ある。
【図１１】本発明に適用できる露光方法を説明する図で
ある。
ある。
【図１２】本発明に適用できる露光方法を説明する図で
る。
る。
【図１３】本発明に適用できる露光方法を説明する図で
ある。
ある。
【図１４】本発明に適用できる露光方法を説明する図で
ある。
ある。
【図１５】本発明に適用できる露光方法を説明する図で
ある。
ある。
【図１６】従来例の露光方法の課題を説明する図である
。
。
【図１７】従来例の露光方法の課題を説明する図である
。
。
Claims (9)
- 【請求項１】 レチクル遮光板のエッジで形成される
ウエーハ上の光強度分布または積算露光量分布をなだら
かに変化させ、該なだらかに変化させた露光領域を相対
する方向から重複露光することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 前記なだらかに変化させた領域を、レ
チクル遮光板のエッジを露光途中で移動させることによ
って形成することを特徴とする請求項１記載の露光方法
。 - 【請求項３】 前記なだらかに変化させた領域を、レ
チクル遮光板をレチクルパターン面と光学的に共役な面
からずれたところに設定することによって形成すること
を特徴とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項４】 前記なだらかに変化させた領域を、レ
チクル遮光板のエッジを露光途中で振動させることによ
って形成することを特徴とする請求項１記載の露光方法
。 - 【請求項５】 前記なだらかに変化させた領域を、レ
チクル遮光板のエッジ付近の光透過率をなだらかに変化
させることによって形成することを特徴とする請求項１
記載の露光方法。 - 【請求項６】 前記レチクル遮光板が、露光波長に透
明な板に厚さがなだらかに変化した遮光膜を形成したも
のであることを特徴とする請求項５記載の露光方法。 - 【請求項７】 前記レチクル遮光板が、該遮光板エッ
ジでジグザグ状または凸凹状に形成されたものであるこ
とを特徴とする請求項５記載の露光方法。 - 【請求項８】 前記レチクル遮光板が露光波長に対し
て透明な板に遮光膜の微細パターン群でエッジ付近が形
成されたものであることを特徴とする請求項５記載の露
光方法。 - 【請求項９】 画像結合部付近では共通のパターンを
設けたレチクルを用いて露光し、該共通領域の各々の露
光では、前記なだらかに変化させた露光領域で露光する
ことを特徴とする請求項１記載の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3077459A JPH04311025A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3077459A JPH04311025A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311025A true JPH04311025A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=13634597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3077459A Withdrawn JPH04311025A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04311025A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06302501A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-10-28 | Nikon Corp | 露光装置 |
| WO1999050712A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-10-07 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition, photomasque et son procede de fabrication, micro-composant et son procede de fabrication |
| WO2000068738A1 (fr) * | 1999-05-07 | 2000-11-16 | Nikon Corporation | Table de montage, micro-appareil, masque photographique, procede d'exposition, et procede de fabrication d'appareil |
| US6608667B2 (en) | 2000-02-02 | 2003-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| JP2009063995A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co Ltd | グレースケールマスク |
| US7725872B2 (en) | 2002-07-26 | 2010-05-25 | Asml Masktools, B.V. | Orientation dependent shielding for use with dipole illumination techniques |
| JP2011205042A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP3077459A patent/JPH04311025A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6337162B1 (en) | 1998-03-26 | 2002-01-08 | Nikon Corporation | Method of exposure, photomask, method of production of photomask, microdevice, and method of production of microdevice |
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