JPS6279622A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6279622A JPS6279622A JP60219346A JP21934685A JPS6279622A JP S6279622 A JPS6279622 A JP S6279622A JP 60219346 A JP60219346 A JP 60219346A JP 21934685 A JP21934685 A JP 21934685A JP S6279622 A JPS6279622 A JP S6279622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- plating
- forming
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はＸ線露光用マスク１ζ関し、特許ζマスク基
板上に、Ｘ線吸収パターンを形成する方法蛋ζ関するも
のである。
板上に、Ｘ線吸収パターンを形成する方法蛋ζ関するも
のである。
Ｘ線吸収パターンの形成方法には従来２つの方法がある
。すなわち、イオンミリング法とメッキ法である。Ｘ線
吸収パターンは理想的にはマスク基板に対して垂直な側
面を持つことが望ましい。
。すなわち、イオンミリング法とメッキ法である。Ｘ線
吸収パターンは理想的にはマスク基板に対して垂直な側
面を持つことが望ましい。
この点でメッキ法がすぐれた方法であり、サブミクロン
領域のパターン形成薔ζおいては、メッキ法が一般的に
用いられている。
領域のパターン形成薔ζおいては、メッキ法が一般的に
用いられている。
第２図は従来のメッキ法によるＸ線吸収パターン形成方
法を示したものであり、以下これを用いて、メッキ法に
ついて説明する。
法を示したものであり、以下これを用いて、メッキ法に
ついて説明する。
第２図ａに示すようＣζ、まず基板（１）上Ｃζマスク
基板（２）となるＳｉＮ ＢＮ、ポリイミドなどの薄膜
を形成し、次１ζメッキベース（３）となるＸ線吸収材
料の薄膜をマスク基板（２）上に形成する。次に第２図
Ｃに示すように、上記メッキベース（３）上にレジスト
あるいはポリイミドからなるポリマ一層（４ｂ）を形成
し、さらに第２図ｄのように上記ポリマ一層（４ｂ）上
に金、４層（８）を形成する。次に第２図ｅｌζ示すよ
うｆζ金属Ｍｌ （８１上にレジストＪｆｆｉ ＋９１
を形成し、そのレジスト層（９）に対して所望のパター
ンを電子ビーム１ζより露光し１．涜く現像処理の後１
ζ第２図ｆ［ζ示すレジストパターンσ■を得る。次憂
ζ第２図ｇに示すように、レジストパターン（、ｌＯｌ
をマスクとしたエツチング処理１ζよって所望のパター
ンを持−］金属層ｔｎ＋を形成する。次に第２図りに示
すようにレジストパターンＧωの除去、同時に金ｊａ４
Ｂ ｆｌｌｌをマスクとするポリマー）’ｔＡ （４
ｂ）のエツチングを行ない、ポリマ一層（４ｂ）ｆζ所
望のパターン（５）を形成し、さらに金属層σＤを除去
することによって第２図ｉに示すようなポリマーからな
るメッキ用の型（５ｂ）が形成される。次ｆζ第２図ｊ
に示すように上記メッキ用の型（５ｂ）ｔζ対してＸ線
吸収材料のメッキを行なってＸ線吸収層（６）を形成す
る。次に第２図にのよう番ζポリマーからなるメッキ用
の型（５ｂ）をエツチングにより除去する。次に全面を
エツチング処理し、Ｘ線吸収層（６）以外の場所に付着
しているメッキベース（３）を除去し、第２図Ｉｔζ示
すようなＸ線吸収パターン叩を得ることができる。最後
１ζ基板の裏面よりリング状に支持枠（７）を残してエ
ツチングを行なうことでＸ線露光用マスクを得る。
基板（２）となるＳｉＮ ＢＮ、ポリイミドなどの薄膜
を形成し、次１ζメッキベース（３）となるＸ線吸収材
料の薄膜をマスク基板（２）上に形成する。次に第２図
Ｃに示すように、上記メッキベース（３）上にレジスト
あるいはポリイミドからなるポリマ一層（４ｂ）を形成
し、さらに第２図ｄのように上記ポリマ一層（４ｂ）上
に金、４層（８）を形成する。次に第２図ｅｌζ示すよ
うｆζ金属Ｍｌ （８１上にレジストＪｆｆｉ ＋９１
を形成し、そのレジスト層（９）に対して所望のパター
ンを電子ビーム１ζより露光し１．涜く現像処理の後１
ζ第２図ｆ［ζ示すレジストパターンσ■を得る。次憂
ζ第２図ｇに示すように、レジストパターン（、ｌＯｌ
をマスクとしたエツチング処理１ζよって所望のパター
ンを持−］金属層ｔｎ＋を形成する。次に第２図りに示
すようにレジストパターンＧωの除去、同時に金ｊａ４
Ｂ ｆｌｌｌをマスクとするポリマー）’ｔＡ （４
ｂ）のエツチングを行ない、ポリマ一層（４ｂ）ｆζ所
望のパターン（５）を形成し、さらに金属層σＤを除去
することによって第２図ｉに示すようなポリマーからな
るメッキ用の型（５ｂ）が形成される。次ｆζ第２図ｊ
に示すように上記メッキ用の型（５ｂ）ｔζ対してＸ線
吸収材料のメッキを行なってＸ線吸収層（６）を形成す
る。次に第２図にのよう番ζポリマーからなるメッキ用
の型（５ｂ）をエツチングにより除去する。次に全面を
エツチング処理し、Ｘ線吸収層（６）以外の場所に付着
しているメッキベース（３）を除去し、第２図Ｉｔζ示
すようなＸ線吸収パターン叩を得ることができる。最後
１ζ基板の裏面よりリング状に支持枠（７）を残してエ
ツチングを行なうことでＸ線露光用マスクを得る。
従来の方法Ｅでおいては、ポリマー＠ １４＋ 、金属
、、１（８）、レジスト層（９）からなる８層がパター
ン形成のためＣζ使用される。最も表面にあるレジスト
層）９）は、電子ビームが金属層（８）から後方散乱し
たりすることにより非照射部分レジストが感光すること
を軽減し、所望のレジストパターンＵαを精度良く形成
するため（ζ厚さ０．２μ乳程度の薄膜である必要があ
る。しかし、メッキ用の型（５ｂ）は１．５μｍ１浬度
の厚さが要求されるため、レジストパターンＩＪＯ）を
そのままメッキ用の型（５ｂ）とすることができず、む
しろメッキ用の型（５ｂ）を形成すべき位置を決定する
ような役割を持つ。実際のメッキ用の型（５ｂ）はこの
レジストパターンをマスクとして、金属；１（８）、ポ
リマ一層（４ｂ）へ次々にパターンをトランスファーし
、Ｘ線吸収層（６）Ｉζ要求される厚さｆζ相応した深
さを持つように形成される。このとき中間の金属ｍ ａ
Ｄは、ポリマーＪＥ！ （４ｂ）のエツチングのための
マスクを形成するための層であり、最終的には取り除か
れてポリマーｆａｔζ形成されたパターンがメッキ用の
型（５ｂ）となる。このメッキ用の型（５ｂ）＋ｖ対し
てメッキして得られたＸ線吸収パターン（１２１はマス
ク基板に対して垂直な側面を持つものである。
、、１（８）、レジスト層（９）からなる８層がパター
ン形成のためＣζ使用される。最も表面にあるレジスト
層）９）は、電子ビームが金属層（８）から後方散乱し
たりすることにより非照射部分レジストが感光すること
を軽減し、所望のレジストパターンＵαを精度良く形成
するため（ζ厚さ０．２μ乳程度の薄膜である必要があ
る。しかし、メッキ用の型（５ｂ）は１．５μｍ１浬度
の厚さが要求されるため、レジストパターンＩＪＯ）を
そのままメッキ用の型（５ｂ）とすることができず、む
しろメッキ用の型（５ｂ）を形成すべき位置を決定する
ような役割を持つ。実際のメッキ用の型（５ｂ）はこの
レジストパターンをマスクとして、金属；１（８）、ポ
リマ一層（４ｂ）へ次々にパターンをトランスファーし
、Ｘ線吸収層（６）Ｉζ要求される厚さｆζ相応した深
さを持つように形成される。このとき中間の金属ｍ ａ
Ｄは、ポリマーＪＥ！ （４ｂ）のエツチングのための
マスクを形成するための層であり、最終的には取り除か
れてポリマーｆａｔζ形成されたパターンがメッキ用の
型（５ｂ）となる。このメッキ用の型（５ｂ）＋ｖ対し
てメッキして得られたＸ線吸収パターン（１２１はマス
ク基板に対して垂直な側面を持つものである。
しかし、上述した従来の方法は多層プロセスであるため
工程が非常ｆζ複雑であるという問題点があった。また
従来方法ではレジスト層（９）を薄膜化することにより
、電子ビームの後方散乱などｆζよる影響を軽減してい
る。しかしパターンの微細化ｆζ伴ってより薄膜化する
必要があり、耐エツチング性などが問題となるため０．
５μ展以下の微細パターン形成が困難であるという問題
点もあった。
工程が非常ｆζ複雑であるという問題点があった。また
従来方法ではレジスト層（９）を薄膜化することにより
、電子ビームの後方散乱などｆζよる影響を軽減してい
る。しかしパターンの微細化ｆζ伴ってより薄膜化する
必要があり、耐エツチング性などが問題となるため０．
５μ展以下の微細パターン形成が困難であるという問題
点もあった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、Ｘ線露光用マスクＣζおけるパターン形成方
法が簡略化でき、しかも０．５μｍ以下の微細なパター
ンの形成に適したパターン形成方法を得ることを目的と
する。
たもので、Ｘ線露光用マスクＣζおけるパターン形成方
法が簡略化でき、しかも０．５μｍ以下の微細なパター
ンの形成に適したパターン形成方法を得ることを目的と
する。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るＸ線露光用マスクのパターン形成方法は
一層のレジスト層に対して集束イオンビーム（以下ＦＩ
Ｂと称す）で霧光、現像処理を行なうことにより得られ
るレジストパターンをそのままメッキの型として使用す
るよう１ζしたものである。
一層のレジスト層に対して集束イオンビーム（以下ＦＩ
Ｂと称す）で霧光、現像処理を行なうことにより得られ
るレジストパターンをそのままメッキの型として使用す
るよう１ζしたものである。
この発明においては、ＦＩＢを用いて露光を行なうが、
電子ビーム露光で問題となる、粒子の後方散乱や２次電
子の影響による解像度の低下が軽減されるのでパターン
の微細化に適しており、さらに一層のレジストＣζ対す
る露光で得られるレジストパターンをそのままメッキ用
の型とすることができるため、Ｘ線吸収パターン形成の
工程を大福ｆζ簡略化することが可能である。
電子ビーム露光で問題となる、粒子の後方散乱や２次電
子の影響による解像度の低下が軽減されるのでパターン
の微細化に適しており、さらに一層のレジストＣζ対す
る露光で得られるレジストパターンをそのままメッキ用
の型とすることができるため、Ｘ線吸収パターン形成の
工程を大福ｆζ簡略化することが可能である。
以下、この発明の一実施例を図１ζついて説明する。−
笥１図はこの発明の一実施例によるｘｓｉ光用マスクの
パターン形成法を工程順に示し、以下この図を用いて実
施例の説明をする。
笥１図はこの発明の一実施例によるｘｓｉ光用マスクの
パターン形成法を工程順に示し、以下この図を用いて実
施例の説明をする。
第１図ａは従来方法における第２図ａと同一状態であり
、シリコンからなる基板（１）上にマスク基板（２）と
なるシリコン窒化膜を形成したものである。
、シリコンからなる基板（１）上にマスク基板（２）と
なるシリコン窒化膜を形成したものである。
・肩１図すも従来方法第２図すと同一の状態であり、マ
スク基板（２）上にメッキベース１３）となる金の薄膜
を形成したものである。次に第１図Ｃ１ζ示すよう］ζ
メッキベース（３）上にポリメチルメタアクリレートか
らなるレジストＩｆｌ （４ａ）を形成する。このレジ
スト習（４）に対して所望のパターンを加速電圧２００
ｋｖ、 □ｒｌ流２０１）Ａ のベリリウムイオンを使
用したＦＩＢ＋こより露光、さらに現像処理を行なうこ
とによって第１図ｄに示す様なレジストパターン（５ａ
）が得られる。このとき現像はメチルイソブチルケトン
とイソプロピルアルコールの１：８溶ｉを使用する。形
成されたレジストパターン（５ａ）をメッキの型として
１．゛８１図ｅ！ζ示すようにＸ線吸収層（６）となる
金のメッキを行なう。次（こ、第１図ｆに示すよう１ζ
メツキ用の型であるレジストパターン（５ａ）をエツチ
ング除去し、偉いて第１図ｇ１ζ示すように全面エツチ
ング１ζよりＸ線吸収層（６）以外の場所にあるメッキ
ベース（３）を除去し、Ｘ線吸収パターン＋１２が形成
される。次ｆζ基板（１）を裏面より支持枠（７）とな
る部分をリング状ｆζ残してエツチング処理を行ない、
第１図りに示すようなＸ線露光用マスクを製作した。
スク基板（２）上にメッキベース１３）となる金の薄膜
を形成したものである。次に第１図Ｃ１ζ示すよう］ζ
メッキベース（３）上にポリメチルメタアクリレートか
らなるレジストＩｆｌ （４ａ）を形成する。このレジ
スト習（４）に対して所望のパターンを加速電圧２００
ｋｖ、 □ｒｌ流２０１）Ａ のベリリウムイオンを使
用したＦＩＢ＋こより露光、さらに現像処理を行なうこ
とによって第１図ｄに示す様なレジストパターン（５ａ
）が得られる。このとき現像はメチルイソブチルケトン
とイソプロピルアルコールの１：８溶ｉを使用する。形
成されたレジストパターン（５ａ）をメッキの型として
１．゛８１図ｅ！ζ示すようにＸ線吸収層（６）となる
金のメッキを行なう。次（こ、第１図ｆに示すよう１ζ
メツキ用の型であるレジストパターン（５ａ）をエツチ
ング除去し、偉いて第１図ｇ１ζ示すように全面エツチ
ング１ζよりＸ線吸収層（６）以外の場所にあるメッキ
ベース（３）を除去し、Ｘ線吸収パターン＋１２が形成
される。次ｆζ基板（１）を裏面より支持枠（７）とな
る部分をリング状ｆζ残してエツチング処理を行ない、
第１図りに示すようなＸ線露光用マスクを製作した。
本実施例においてはメッキ用の型となるレジストパター
ン（５ａ）をＦＩＢを使用した露光１ζより得た。
ン（５ａ）をＦＩＢを使用した露光１ζより得た。
イオンは電子に比べて格段に質量が大きいため、レジス
ト層（４ａ）内］ζおける散乱をうけに＜＜、またマス
ク基板（２）あるいはメッキベース（３）からの後方散
乱、あるいはレジストｌ！ （４ａ）、マスク’１Ｍ
板＋２＋、メッキベース（３）での２次電子の発生など
が小さい。
ト層（４ａ）内］ζおける散乱をうけに＜＜、またマス
ク基板（２）あるいはメッキベース（３）からの後方散
乱、あるいはレジストｌ！ （４ａ）、マスク’１Ｍ
板＋２＋、メッキベース（３）での２次電子の発生など
が小さい。
したがって、それらの２次的な要因によるレジストの感
光が非常に小さく、所望の位置だけに露光されたレジス
トパターン（５ａ）が得られる。ベリリウムイオンによ
るＦＩＢと、レジストに一層のポリメチルメタアクリレ
ートを使用した本実施例１ζおいては、最小パターン幅
０．８μｒｎｃＩ）＠細パターンを従来法よりも少ない
工程で形成することができた。
光が非常に小さく、所望の位置だけに露光されたレジス
トパターン（５ａ）が得られる。ベリリウムイオンによ
るＦＩＢと、レジストに一層のポリメチルメタアクリレ
ートを使用した本実施例１ζおいては、最小パターン幅
０．８μｒｎｃＩ）＠細パターンを従来法よりも少ない
工程で形成することができた。
なお、上記実施例においては、ＦＩＢにベリリウムイオ
ン、レジスト（４ωにポリメチルメタアクリレートを使
用した場合について示したが、ＦＩＢには、水素、ヘリ
ウム、リチウム、ホウ素、炭素など他の軽元素、レジス
ト０ωｆζはヘキサフロロブチルメタアクリレートなど
のポジ型のレジストを使用しても同様の効果が期待でき
る。
ン、レジスト（４ωにポリメチルメタアクリレートを使
用した場合について示したが、ＦＩＢには、水素、ヘリ
ウム、リチウム、ホウ素、炭素など他の軽元素、レジス
ト０ωｆζはヘキサフロロブチルメタアクリレートなど
のポジ型のレジストを使用しても同様の効果が期待でき
る。
以上のようにこの発明によれば、Ｘ線露光用マスクのＸ
線吸収パターンの形成方法において、メッキ用の型を単
層のレジスト層をＦＩＢで露光すること１ζより形成し
たため工程が簡略化されると同時（ζ、より微細なパタ
ーンを形成することが可能であるという効果がある。
線吸収パターンの形成方法において、メッキ用の型を単
層のレジスト層をＦＩＢで露光すること１ζより形成し
たため工程が簡略化されると同時（ζ、より微細なパタ
ーンを形成することが可能であるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるＸ線露光用マスクの
パターン形成方法を工程順Ｃζ示した図、第２図は従来
のパターン形成方法を工程順に示した図である。 ２はマスク基板、８はメッキベース、４はレジスト、６
はレジストパターン、６はＸ線吸収パターンである。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
パターン形成方法を工程順Ｃζ示した図、第２図は従来
のパターン形成方法を工程順に示した図である。 ２はマスク基板、８はメッキベース、４はレジスト、６
はレジストパターン、６はＸ線吸収パターンである。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）Ｘ線露光用マスクにＸ線吸収パターンを形成する
方法において、マスク基板上にメッキベースとなる金属
薄膜を形成する工程、上記メッキベース上に単層レジス
ト膜を形成する工程、上記レジスト膜に集束イオンビー
ムを使用してレジストパターンを形成する工程、上記レ
ジストパターンを型としてＸ線吸収パターンとなる金属
材料をメッキする工程を含むことを特徴とするパターン
形成方法。 - （２）上記集束イオンビームのイオン種として、水素、
ヘリウム、リチウムベリリウム、ホウ素、または炭素を
使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
パターン形成方法。 - （３）上記レジストがポリメチルメタアクリレートまた
はヘキサフロロブチルメタアクリレートであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載のパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219346A JPS6279622A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219346A JPS6279622A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279622A true JPS6279622A (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=16734009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219346A Pending JPS6279622A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6279622A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867085B2 (en) * | 1996-08-13 | 2005-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2009054798A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Glory Ltd | 光学樹脂加工方法 |
| JP2009054797A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Glory Ltd | Ｘ線マスク製造方法 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219346A patent/JPS6279622A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6867085B2 (en) * | 1996-08-13 | 2005-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulated gate semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2009054798A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Glory Ltd | 光学樹脂加工方法 |
| JP2009054797A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Glory Ltd | Ｘ線マスク製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS596506B2 (ja) | 電子写真製版方法 | |
| JPS6311657B2 (ja) | ||
| US6806941B2 (en) | Pattern forming method and pattern forming apparatus | |
| US5401932A (en) | Method of producing a stencil mask | |
| US4101782A (en) | Process for making patterns in resist and for making ion absorption masks useful therewith | |
| JPS6279622A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS58124230A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPS59160144A (ja) | ホトマスク | |
| JPS63170917A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JP3267471B2 (ja) | マスク、これを用いた露光装置やデバイス生産方法 | |
| JPS588129B2 (ja) | 放射感応層をｘ線に露出する方法 | |
| US4557986A (en) | High resolution lithographic process | |
| JP3306963B2 (ja) | ステンシルマスク形成方法 | |
| JPH09260258A (ja) | Ｘ線リソグラフィ用マスク | |
| JP2894772B2 (ja) | Ｘ線窓の製造方法 | |
| JP3114286B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク及びそれの製造方法 | |
| JPS61212844A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JP3004240B2 (ja) | 貫通孔および埋め込みパターンの形成方法、ビーム調整方法、ならびに荷電ビーム露光方法 | |
| JPS62241338A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2607460B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH0312452B2 (ja) | ||
| JPS61205938A (ja) | マスク製造方法 | |
| JPH03179444A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS6075837A (ja) | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 | |
| JPH05241350A (ja) | レジストパターン形成方法 |