JPS6075837A - Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6075837A JPS6075837A JP58183834A JP18383483A JPS6075837A JP S6075837 A JPS6075837 A JP S6075837A JP 58183834 A JP58183834 A JP 58183834A JP 18383483 A JP18383483 A JP 18383483A JP S6075837 A JPS6075837 A JP S6075837A
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- JP
- Japan
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- ray
- pattern
- mask
- forming
- ion
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、半導体装置などの微細加工に使用するＸ線
露光用マスクおよびその製造方法に関する。
露光用マスクおよびその製造方法に関する。
［従来技術］
第１図は、従来のＸ線露光用マスクの製造工程を説明す
るための部分側面断面図である。従来のｘｍｎ光用マス
クは、以下の手順により作製されている。すなわち、ま
ず第１図（ａ）で示すように、シリコンウェハ１上にス
トッパとしてのチタン薄膜２を蒸着により形成し、さら
にたとえばポリイミドからなるＸ線透過薄躾３をチタン
薄膜２上に形成する。次に、第１図（ｂ）に示すように
、Ｘ線透過前１！３の上面にたとえば金からなる金属膜
４を蒸着し、この金属膜４上にレジスト５を塗布する。
るための部分側面断面図である。従来のｘｍｎ光用マス
クは、以下の手順により作製されている。すなわち、ま
ず第１図（ａ）で示すように、シリコンウェハ１上にス
トッパとしてのチタン薄膜２を蒸着により形成し、さら
にたとえばポリイミドからなるＸ線透過薄躾３をチタン
薄膜２上に形成する。次に、第１図（ｂ）に示すように
、Ｘ線透過前１！３の上面にたとえば金からなる金属膜
４を蒸着し、この金属膜４上にレジスト５を塗布する。
さらに、マスクパターンに応じて露光・現像することに
より、第１図（Ｃ）で示すように所定のパターン部分の
レジスト５を削除する。次に、第１図（ｄ）で示すよう
に、電気めっきを施し、Ｘ輪吸収部材となる金パターン
を形成し、合わせてレジスト５を除去する。その後エツ
チングにより金薄膜４のうち金パターン６以外の部分を
除去し、最後に第１図（ｅ）で示すようにシリコンウェ
ハ１の裏面の主要部分をチタンＩ膜２が露出するまでエ
ツチングにより除去する。
より、第１図（Ｃ）で示すように所定のパターン部分の
レジスト５を削除する。次に、第１図（ｄ）で示すよう
に、電気めっきを施し、Ｘ輪吸収部材となる金パターン
を形成し、合わせてレジスト５を除去する。その後エツ
チングにより金薄膜４のうち金パターン６以外の部分を
除去し、最後に第１図（ｅ）で示すようにシリコンウェ
ハ１の裏面の主要部分をチタンＩ膜２が露出するまでエ
ツチングにより除去する。
以上のような工程により、Ｘ線に対して透過性の高い所
定の平面形状を有するＸ線吸収パターン６を配置するこ
とが可能となり、このようにして得られたＸｗＡ露光用
マスクを用いて全面にＸＳ＊を照射することにより、半
導体装置などの微細パターン形成を行なうことができる
。
定の平面形状を有するＸ線吸収パターン６を配置するこ
とが可能となり、このようにして得られたＸｗＡ露光用
マスクを用いて全面にＸＳ＊を照射することにより、半
導体装置などの微細パターン形成を行なうことができる
。
しかしながら上述したような従来の製造方法では１．金
パターン６を形成するに際し、第１図（ｂないし第１図
（ｄ ）に示したように多数の工程が必要であるという
欠点があった。さらに、金パターン６の形成に際し、エ
ツチングあるいはめっきなどの工程を重りるため、パタ
ーンに滲みが発生し、正確な微細パターンの形成が困難
であるという欠点もあった。
パターン６を形成するに際し、第１図（ｂないし第１図
（ｄ ）に示したように多数の工程が必要であるという
欠点があった。さらに、金パターン６の形成に際し、エ
ツチングあるいはめっきなどの工程を重りるため、パタ
ーンに滲みが発生し、正確な微細パターンの形成が困難
であるという欠点もあった。
し発明の概要コ
この発明は、上述のような欠点を改善するためになされ
たものであり、エツチングもしくはめっき等の微細パタ
ーン形成に好ましくない工程を追放し、Ｘ線透過層内に
イオン注入を行なうことにより、ＸＩｉ％遮蔽微細パタ
ーンを極めて簡単な工程で形成することが可能なＸ線露
光用マスクおよびその製造方法を提供するものである。
たものであり、エツチングもしくはめっき等の微細パタ
ーン形成に好ましくない工程を追放し、Ｘ線透過層内に
イオン注入を行なうことにより、ＸＩｉ％遮蔽微細パタ
ーンを極めて簡単な工程で形成することが可能なＸ線露
光用マスクおよびその製造方法を提供するものである。
［発明の実施例］
第２図は、この発明の一実施例を製造する工程を説明す
るだめの部分断面側面図である。まず、第２図（ａ ）
で示すように、シリコンウェハ１上にストッパとしての
チタン＠校２を形成し、チタ） ン［＊２のさらに上面
にたとえばポリイミドからなるｘ＃ｆＡ透過層３を形成
する。次に、第２図（ｂ）で示すように、たとえば液体
金属イオン源およびイオン集束系（ともに図示せず）か
ら発射されたイオンビーム７をｘｍ透過層３上に所定の
平面パターンを描＜Ｊ：うに注入する。このようにして
、イオン注入層によりＸ線遮蔽パターン８を形成する。
るだめの部分断面側面図である。まず、第２図（ａ ）
で示すように、シリコンウェハ１上にストッパとしての
チタン＠校２を形成し、チタ） ン［＊２のさらに上面
にたとえばポリイミドからなるｘ＃ｆＡ透過層３を形成
する。次に、第２図（ｂ）で示すように、たとえば液体
金属イオン源およびイオン集束系（ともに図示せず）か
ら発射されたイオンビーム７をｘｍ透過層３上に所定の
平面パターンを描＜Ｊ：うに注入する。このようにして
、イオン注入層によりＸ線遮蔽パターン８を形成する。
最後に、第２図（Ｃ）で示すように、裏面のシリコンウ
ェハ１の中央部分をエツチングにより除去し、ｘｔｔａ
ｎ光用マスクを得る。
ェハ１の中央部分をエツチングにより除去し、ｘｔｔａ
ｎ光用マスクを得る。
上述のように、この発明の製造方法では、ｘｍ遮蔽パタ
ーン８が、イオン注入により形成されるため、注入イオ
ンの種類、注入量および注入エネルギなどが重要である
が、たとえば加速電圧１５ＯＫｅ ｖ、ドーズ量５ｘ１
０” ７ｃｍ２で集光した金イオンビーム７をｘｓＩ透
過Ｉ躾３に注入した場合、１０Ａ以上の波長を有するＸ
線に対し充分な遮蔽効果を有することがわがっている。
ーン８が、イオン注入により形成されるため、注入イオ
ンの種類、注入量および注入エネルギなどが重要である
が、たとえば加速電圧１５ＯＫｅ ｖ、ドーズ量５ｘ１
０” ７ｃｍ２で集光した金イオンビーム７をｘｓＩ透
過Ｉ躾３に注入した場合、１０Ａ以上の波長を有するＸ
線に対し充分な遮蔽効果を有することがわがっている。
ドーズ量としては、イオンビームにょっ″ＣＸ線透過薄
膜３が変形しない範囲内で、可能な限り大きくとること
がより効果的であることがわがっている。上述した実施
例では、第１図を参照して説明した従来の製造方法にお
けるレジスト５のパターン形成、多数のエツチング工程
およびめっき工程などをほとんど使用しないため、極め
て簡単な工程でＸ線＊ｉパターンを形成りることが可能
となっている。
膜３が変形しない範囲内で、可能な限り大きくとること
がより効果的であることがわがっている。上述した実施
例では、第１図を参照して説明した従来の製造方法にお
けるレジスト５のパターン形成、多数のエツチング工程
およびめっき工程などをほとんど使用しないため、極め
て簡単な工程でＸ線＊ｉパターンを形成りることが可能
となっている。
さらに、エツチングあるいはめっきを用いるとパターン
に滲みが発生していたが、この発明では、この種の工程
をほとんど使用しないため、従来の製造方法に比較して
極めて簡単に高精度の微細パターンを形成することが可
能である。
に滲みが発生していたが、この発明では、この種の工程
をほとんど使用しないため、従来の製造方法に比較して
極めて簡単に高精度の微細パターンを形成することが可
能である。
なお、上述の実施例では、イオンビームとして、金を用
いていたが、Ｘａ露光で使用するＸ線の波長域によって
は、金以外にＯｒ 、 Ｐｔ 、 Ｓｂ 、 Ｈｔイオ
ンビームを用いてもよいことは古うまでもない。同様に
Ｘ線透過Ｍ３としても、ポリイミド以外の任意の材料を
用い胃る。さらに、ストッパとしてのチタン薄膜２につ
いても、ボロン・ナイトライドほか様々な公知の材料を
用いることができる。すなわち、本発明は、Ｘ綿透過層
３およびＸ＃＠遮蔽パターン８に特徴を有するものであ
り、他の構成につい”Ｕ Ｇ、ｔ （ｌ！！の任意の材
料および楢造を適宜利用づ“ることができるものである
。
いていたが、Ｘａ露光で使用するＸ線の波長域によって
は、金以外にＯｒ 、 Ｐｔ 、 Ｓｂ 、 Ｈｔイオ
ンビームを用いてもよいことは古うまでもない。同様に
Ｘ線透過Ｍ３としても、ポリイミド以外の任意の材料を
用い胃る。さらに、ストッパとしてのチタン薄膜２につ
いても、ボロン・ナイトライドほか様々な公知の材料を
用いることができる。すなわち、本発明は、Ｘ綿透過層
３およびＸ＃＠遮蔽パターン８に特徴を有するものであ
り、他の構成につい”Ｕ Ｇ、ｔ （ｌ！！の任意の材
料および楢造を適宜利用づ“ることができるものである
。
［発明の効果１
この発明は、」ス上のように、Ｘ線遮蔽パターンがＸＭ
透過層内に集束イオンビームにより直接形成されるもの
であるため、極めて簡単な工程で高精度のＸ線露光用マ
スクを得ることが可能となるという極めて大きな効果を
奏する。
透過層内に集束イオンビームにより直接形成されるもの
であるため、極めて簡単な工程で高精度のＸ線露光用マ
スクを得ることが可能となるという極めて大きな効果を
奏する。
第１図は、従来のＸ線露光用マスクを製造する工程を説
明するための部分断面側面図である。第２図は、この発
明の一実施例のＸ線露光用マスク製造工程を説明するた
めの部分断面側面図である。 図において、１はウェハ、３はＸ線透過層、８はＸＭ遮
蔽パターンを示す。 なお図中、同一符号は同一または相当部分を示づ。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 篤２図 （０−）
明するための部分断面側面図である。第２図は、この発
明の一実施例のＸ線露光用マスク製造工程を説明するた
めの部分断面側面図である。 図において、１はウェハ、３はＸ線透過層、８はＸＭ遮
蔽パターンを示す。 なお図中、同一符号は同一または相当部分を示づ。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 篤２図 （０−）
Claims (2)
- （１） Ｘ線透過層と、Ｘ線遮蔽パターンとを備えるｘ
ｅ＊露光用マスクにおいて、 前記ｘＩｍ遮蔽パターンがＸＳ透過層内へのイオン注入
により形成されていることを特徴とする、ｘｍ露光用マ
スク。 - （２） ウェハ上にＸ線透過層を形成し、該Ｘ線透過層
にイオン注入を行なうことによりｘｅ＊ａ蔽パターンを
形成することを特徴とする、ｘｍ＊光用マスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183834A JPS6075837A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183834A JPS6075837A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075837A true JPS6075837A (ja) | 1985-04-30 |
Family
ID=16142651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183834A Pending JPS6075837A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | Ｘ線露光用マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6075837A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれを用いた露光方法 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58183834A patent/JPS6075837A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれを用いた露光方法 |
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