JPS5832420A - 電子ビ−ム描画方法 - Google Patents
電子ビ−ム描画方法Info
- Publication number
- JPS5832420A JPS5832420A JP13101281A JP13101281A JPS5832420A JP S5832420 A JPS5832420 A JP S5832420A JP 13101281 A JP13101281 A JP 13101281A JP 13101281 A JP13101281 A JP 13101281A JP S5832420 A JPS5832420 A JP S5832420A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- area
- lithography
- substrate
- rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子ビーム描画方法に関する。
従来、半４を体マスクイタ−ｙは、精度の高い電子ビー
ムによる一ターン描画によって次のようにして製造され
ている。マスクまたは苧導体基板上に形成した電子ビー
ム感応レジスト膜に、電子ビームを照射して所望のパタ
ーンを描画し、これを現像して工、チングマスクとして
作用するレジストパターンを形成するものがそれである
。ここで電子ビーム感応レジスト膜としては、例えは膜
厚が８０００１の電子線レジストポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭｍ）が用いられる。電子ビームの照射は、例
えば、ビーム径が０．５μｍ１ドーズ量２０ハｈ２の円
形電子ビームを５湘〆−・Ｃの描画速度で照射する条件
で行われる。また、現像は、２８℃のメチルイノデチル
ケト′ン（ＭＩＢＫ ）に３〜４分浸漬するこ、とによ
シ行われる。
ムによる一ターン描画によって次のようにして製造され
ている。マスクまたは苧導体基板上に形成した電子ビー
ム感応レジスト膜に、電子ビームを照射して所望のパタ
ーンを描画し、これを現像して工、チングマスクとして
作用するレジストパターンを形成するものがそれである
。ここで電子ビーム感応レジスト膜としては、例えは膜
厚が８０００１の電子線レジストポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭｍ）が用いられる。電子ビームの照射は、例
えば、ビーム径が０．５μｍ１ドーズ量２０ハｈ２の円
形電子ビームを５湘〆−・Ｃの描画速度で照射する条件
で行われる。また、現像は、２８℃のメチルイノデチル
ケト′ン（ＭＩＢＫ ）に３〜４分浸漬するこ、とによ
シ行われる。
而して、基板に描画されるツクターンの全面積の大小、
つまシ描１面積率によって／４／−ンの現像度合が異な
ることが判明し九。例えは、５インチマスク上に１０１
００Ｘ１００パターン描画範囲を設定し、この領域の全
体に亘って電子ビームを露光し九場合の描画面積率を１
００−とし、逆に電子ビームを全く露光しなかった場合
の描画面積率を０−とすると、パターン寸法は第１図に
示す如く、描画面積率が０〜１００％まで変化すると±
０．１μｍ変化する。しかしながら、現在の牛導体製造
工程で鉱、ノリーン寸法精度は極めて高いことが要求さ
れ、一工程でパｌ−ン寸法が±０．１ａｍ変化すると工
程全体によって大きな障害となる間勉があった。
つまシ描１面積率によって／４／−ンの現像度合が異な
ることが判明し九。例えは、５インチマスク上に１０１
００Ｘ１００パターン描画範囲を設定し、この領域の全
体に亘って電子ビームを露光し九場合の描画面積率を１
００−とし、逆に電子ビームを全く露光しなかった場合
の描画面積率を０−とすると、パターン寸法は第１図に
示す如く、描画面積率が０〜１００％まで変化すると±
０．１μｍ変化する。しかしながら、現在の牛導体製造
工程で鉱、ノリーン寸法精度は極めて高いことが要求さ
れ、一工程でパｌ−ン寸法が±０．１ａｍ変化すると工
程全体によって大きな障害となる間勉があった。
本発明は、かかる点に鑑みて表されたもので、基板の描
画面積率に左右されずに高い精度でパターン寸法を制御
するととができる電子Ｖ−ム描画方法を見出した％Ｏで
ある。
画面積率に左右されずに高い精度でパターン寸法を制御
するととができる電子Ｖ−ム描画方法を見出した％Ｏで
ある。
即ち、本発明は、基板Ｏ所定領域に施す電子ビーム露光
の際Ｏ電子ビームＯ単位面積幽シの露光量を、描画面積
率に応じた値に設定したもＯである。
の際Ｏ電子ビームＯ単位面積幽シの露光量を、描画面積
率に応じた値に設定したもＯである。
以下、本発明方法について説明する。
本発明の対象とする基板は、例えば、シリコン基板、シ
リコン酸化膜を！！！面に形成したシリコン基板、或祉
、シリコン基板上のシリコン酸化膜に多結晶シップン襄
、リン添加ガラス膜、シリコン窒化膜、を設けたものや
、透明ｆラス基板、石英基板上にり璽ム膜やり胃ム／酸
化りｐム膜等を設けたマスク基板等である。
リコン酸化膜を！！！面に形成したシリコン基板、或祉
、シリコン基板上のシリコン酸化膜に多結晶シップン襄
、リン添加ガラス膜、シリコン窒化膜、を設けたものや
、透明ｆラス基板、石英基板上にり璽ム膜やり胃ム／酸
化りｐム膜等を設けたマスク基板等である。
これらの基板上に形成されるパターン描画用の電子ビー
ム感応レジストｄ、／リメチルメタクリレートに代表さ
れ、電子Ｃ−＾の照射によりて崩壊反応を起むすｆｙ型
のもの、あるいは、Ｉリグリシジルメタクリレート・エ
チルア七テート共重合体等の電子ビームの照射によって
架橋反応を起こすネガ型のもの岬である。
ム感応レジストｄ、／リメチルメタクリレートに代表さ
れ、電子Ｃ−＾の照射によりて崩壊反応を起むすｆｙ型
のもの、あるいは、Ｉリグリシジルメタクリレート・エ
チルア七テート共重合体等の電子ビームの照射によって
架橋反応を起こすネガ型のもの岬である。
次に、本発明の実施例について説明する。
例えば、透明ガラス基板上にパターン描画用の電子ビー
ム感応レジストとして、−ジ型のポリメチルメタクリレ
ートからなるレジスト膜を形成し、このレジスト膜ＫＭ
画面積率が１００ ’ＩＩのときにドーズ量が１８μＯ
／ｌｌＩ２．５０チのときに２０μｑノ、ＯＳのときに
２２μ０７−となるように第２図に示す如く、描画面ｓ
Ｉ岸に応じた負の露光量によって電子ビーム露光を施し
、所定のマスクイターンを形成した。電子ビームＯ露光
量は、手動式でも自動式でも容易に設定する仁とができ
た。得られたマスクのパターン寸法軸度を調べたとζろ
、基板の描画面積率には左右されずにＦ′１１．は±０
．０５μｍの範囲内に入りていることが判りた。このよ
うに基板の描画面積率に応じた露光量で電子ビーム露光
を施すことによシ、高い′ｈ１度でパターン寸法を制御
できることが判うた。
ム感応レジストとして、−ジ型のポリメチルメタクリレ
ートからなるレジスト膜を形成し、このレジスト膜ＫＭ
画面積率が１００ ’ＩＩのときにドーズ量が１８μＯ
／ｌｌＩ２．５０チのときに２０μｑノ、ＯＳのときに
２２μ０７−となるように第２図に示す如く、描画面ｓ
Ｉ岸に応じた負の露光量によって電子ビーム露光を施し
、所定のマスクイターンを形成した。電子ビームＯ露光
量は、手動式でも自動式でも容易に設定する仁とができ
た。得られたマスクのパターン寸法軸度を調べたとζろ
、基板の描画面積率には左右されずにＦ′１１．は±０
．０５μｍの範囲内に入りていることが判りた。このよ
うに基板の描画面積率に応じた露光量で電子ビーム露光
を施すことによシ、高い′ｈ１度でパターン寸法を制御
できることが判うた。
以上説明した如く、本発明に係る電子ビーム描画方法に
よれば、基板の描画面積率に左右されずに高い精度でパ
ターン寸法を制御することができるものである。
よれば、基板の描画面積率に左右されずに高い精度でパ
ターン寸法を制御することができるものである。
第１図は、描画面積率とパターン寸法との関係を示す特
性図、第２図は、描画面積率と電子ビーム露光量との関
係を示す特性図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ０１０２０３０４０５０６０７０８０９０ ＴＯＯ（’
！、）幕板つ腫±町呻 第２図
性図、第２図は、描画面積率と電子ビーム露光量との関
係を示す特性図である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ０１０２０３０４０５０６０７０８０９０ ＴＯＯ（’
！、）幕板つ腫±町呻 第２図
Claims (1)
- 基板の所定領域に施す電子ビーム露光の際の電子ビーム
の単位面積癲〕の露光量を、描画面＆率に応じた値に設
定したことを特徴とする電子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13101281A JPS5832420A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 電子ビ−ム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13101281A JPS5832420A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 電子ビ−ム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832420A true JPS5832420A (ja) | 1983-02-25 |
Family
ID=15047910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13101281A Pending JPS5832420A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 電子ビ−ム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832420A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60251617A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-12 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS61284921A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子ビ−ム描画方法 |
| JPS63198108A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-16 | Funai Denki Kk | コンピユ−タ塔載機器の電源装置 |
| US5278421A (en) * | 1990-01-31 | 1994-01-11 | Hitachi, Ltd. | Pattern fabrication method using a charged particle beam and apparatus for realizing same |
| US6946668B1 (en) | 2000-03-21 | 2005-09-20 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography device and drawing method using electron beams |
-
1981
- 1981-08-21 JP JP13101281A patent/JPS5832420A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60251617A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-12 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS61284921A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子ビ−ム描画方法 |
| JPS63198108A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-16 | Funai Denki Kk | コンピユ−タ塔載機器の電源装置 |
| US5278421A (en) * | 1990-01-31 | 1994-01-11 | Hitachi, Ltd. | Pattern fabrication method using a charged particle beam and apparatus for realizing same |
| US6946668B1 (en) | 2000-03-21 | 2005-09-20 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography device and drawing method using electron beams |
| US7329883B2 (en) | 2000-03-21 | 2008-02-12 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography device and drawing method using electron beams |
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