JPS58152241A - 高精度マスクの製造方法 - Google Patents
高精度マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS58152241A JPS58152241A JP57036018A JP3601882A JPS58152241A JP S58152241 A JPS58152241 A JP S58152241A JP 57036018 A JP57036018 A JP 57036018A JP 3601882 A JP3601882 A JP 3601882A JP S58152241 A JPS58152241 A JP S58152241A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- layer
- aluminum
- pattern
- etching
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、高精度マスクの製造方法に関する。
従来、集積回路装置を作るための所謂高精度マスクは、
基板上にクロムなどからなる金属層を積層し九マスクブ
ランク上に電子ビーム感応レジスト膜を形成し、このレ
ジスト膜に電子ビームを照射して所望のノ臂ターンを描
画し、次いで、現像、エツチング等の処理を施すことＫ
よシ製造されている０例えば、膜厚が８０００Ｘの電子
線レジストポリメチルメタクリレート（Ｐ）４Ｍ＆ ）
からなるレジスト膜に、ビーム径０．５ ｆｉ、ドーズ
量゛２０ハΔ−の条件で円形電子ビームを１０ ｗ（ｓ
・・の描画速度で走査しながら照射して・皆ターン描画
を行う０次いで、これを２８℃のメチルイソ１チルケト
ン（ＭＩ！１Ｋ ）溶液中に３〜４分間浸漬して現像す
る。然る後、このレジスト膜をマスクにしてその直下の
金属層にエツチング処理を施して高精度マスクを得る。
基板上にクロムなどからなる金属層を積層し九マスクブ
ランク上に電子ビーム感応レジスト膜を形成し、このレ
ジスト膜に電子ビームを照射して所望のノ臂ターンを描
画し、次いで、現像、エツチング等の処理を施すことＫ
よシ製造されている０例えば、膜厚が８０００Ｘの電子
線レジストポリメチルメタクリレート（Ｐ）４Ｍ＆ ）
からなるレジスト膜に、ビーム径０．５ ｆｉ、ドーズ
量゛２０ハΔ−の条件で円形電子ビームを１０ ｗ（ｓ
・・の描画速度で走査しながら照射して・皆ターン描画
を行う０次いで、これを２８℃のメチルイソ１チルケト
ン（ＭＩ！１Ｋ ）溶液中に３〜４分間浸漬して現像す
る。然る後、このレジスト膜をマスクにしてその直下の
金属層にエツチング処理を施して高精度マスクを得る。
しかしながら、このような従来方法によるものでは、次
のような欠点がある。
のような欠点がある。
■ ＪＩＩＩＩＩＫ示す如く、レノスト膜１をマスクに
して化学エツチング液により金属層２にエツチングを施
すと、エツチング処理が等方向に進行する。その結果、
金属層２に０．３μ解鵬度のアンダーカット２ａができ
、２−以下の微細ノ臂ターンを高い形状精度で形成でき
ない、なお、図中３は基板である。
して化学エツチング液により金属層２にエツチングを施
すと、エツチング処理が等方向に進行する。その結果、
金属層２に０．３μ解鵬度のアンダーカット２ａができ
、２−以下の微細ノ臂ターンを高い形状精度で形成でき
ない、なお、図中３は基板である。
■ 第２図に示す如く、スノ４ ｙタエッチン！を採用
するとクロム、酸化クロム等からなるに鳩層２よ）も、
レジスト膜１の方が数倍速くエツチングされる丸め、パ
ターニングの形状精度が悪い、ま九、金属層２のエツチ
ングの際に庖請だれ２ｂがエツチング処ｌ１ｌ１部にで
自る・リアクティブエツチング法を採用すると、金属層
２中Ｋ［ｌ直にエツチング処理が進行するが、金属層２
よりもレジスト膜１が早く工、チングされる問題がある
。その結果、金属層２の／４ターン寸法が０．４μｗ４
１ｉ＆変化する欠点があり九。
するとクロム、酸化クロム等からなるに鳩層２よ）も、
レジスト膜１の方が数倍速くエツチングされる丸め、パ
ターニングの形状精度が悪い、ま九、金属層２のエツチ
ングの際に庖請だれ２ｂがエツチング処ｌ１ｌ１部にで
自る・リアクティブエツチング法を採用すると、金属層
２中Ｋ［ｌ直にエツチング処理が進行するが、金属層２
よりもレジスト膜１が早く工、チングされる問題がある
。その結果、金属層２の／４ターン寸法が０．４μｗ４
１ｉ＆変化する欠点があり九。
〔発明の目的〕
本発明は、アンダーカット及びだれ現象の発生を防止し
て形状精度の高い高精度マスクを容Ｊ＆に得ることがで
きる高精度マスクの製造方法を提供するものである。
て形状精度の高い高精度マスクを容Ｊ＆に得ることがで
きる高精度マスクの製造方法を提供するものである。
本発明の実施例について第３図（〜乃至同図（鴎を参照
して説明する。
して説明する。
先ず、第３図（４）Ｋ示す如く、マスク基板１゜上に厚
さ約ｘｏｏｏｌの金属層１１を積層したマスク クンク
１２を用意し、このマスクグラン１ の金属層１１上に
膜厚が１００Ｘ程度のｆ ４ニウム層１１を形成する０
次いで、アル、ラム層１３上に厚さ約５ｏｏｏｌのレゾ
ストｄ４１４を形成する。ここで、マスク基板１０は、
ガラス、石英等で形成されえものである。金属層１１は
、クロムなどの金属で形成されたものであり、金属層１
１上に酸化クロムなどの金属酸化層を形成し友ものでも
良い。この金属層１１は、後述の工程でアルミニウム層
７７にエツチングを施した際にその直下でサイドエツチ
ングやアンダーカツトが起きないものであれば良い。
さ約ｘｏｏｏｌの金属層１１を積層したマスク クンク
１２を用意し、このマスクグラン１ の金属層１１上に
膜厚が１００Ｘ程度のｆ ４ニウム層１１を形成する０
次いで、アル、ラム層１３上に厚さ約５ｏｏｏｌのレゾ
ストｄ４１４を形成する。ここで、マスク基板１０は、
ガラス、石英等で形成されえものである。金属層１１は
、クロムなどの金属で形成されたものであり、金属層１
１上に酸化クロムなどの金属酸化層を形成し友ものでも
良い。この金属層１１は、後述の工程でアルミニウム層
７７にエツチングを施した際にその直下でサイドエツチ
ングやアンダーカツトが起きないものであれば良い。
レジスト膜１４としては、電子線感応レゾストからなる
ものであ６、／リメチルメタクリレートに代表されるｐ
ｙＩｌｃ電子ビームの照射によって分子が崩壊するもの
）のものでも、或は、Ｉリメチルダリシジルメタクリレ
ート・エチルアセテート共重合体に代表されるネｆＷｉ
ｃ電子ビームの照射によって分子が架橋反応を起こすも
の）でも良い。
ものであ６、／リメチルメタクリレートに代表されるｐ
ｙＩｌｃ電子ビームの照射によって分子が崩壊するもの
）のものでも、或は、Ｉリメチルダリシジルメタクリレ
ート・エチルアセテート共重合体に代表されるネｆＷｉ
ｃ電子ビームの照射によって分子が架橋反応を起こすも
の）でも良い。
次いで、同図（ｍｌ）Ｋ示す如く、レジスト膜１４０所
定領域に例えばビーム径が・０．５ｊｍの円形電子ビー
ムをドーズ量２０ ｆｉ＠／ａｄ 、描画速度１０１・
Ｏｌの条件で滝査しながら照射し、所定のｊ４ターフ１
４１を描画する。
定領域に例えばビーム径が・０．５ｊｍの円形電子ビー
ムをドーズ量２０ ｆｉ＠／ａｄ 、描画速度１０１・
Ｏｌの条件で滝査しながら照射し、所定のｊ４ターフ１
４１を描画する。
次いで、同図（Ｃ’）Ｋ示す如く、パターニングされた
レジスト膜１４をマスクにして酸性エツチング液により
アルミニウム層ＪＪＫエツチング処理を施す、酸性エツ
チング液としては例えば、下記の組成のものを使用する
。
レジスト膜１４をマスクにして酸性エツチング液により
アルミニウム層ＪＪＫエツチング処理を施す、酸性エツ
チング液としては例えば、下記の組成のものを使用する
。
硝酸第二セリウムアンモニウム １４０１過塩嵩酸
３〇− 水 ９０００
Ｃ酸性エツチング液によるエツチング時間としては、例
えば２０秒程とする。アルミニウム層１３の厚さは約１
００Ｘであり、これに比べて金属層１１の厚さは約ｔｏ
ｏＯＸである九めアル＜ニウム層は十分に薄く、その丸
めアンダーカットが生じることなく、所定ノ量ターンＪ
Ｊａのアルミニウム層ＩＳが害鳥に形成される。また、
この酸性エツチング液によって金属層１１はエツチング
されない、その理由は、工、チング処理によってアルミ
ニウム層１３が変質した状態で金属層１１上に残存する
ためと推測さ・れる。
３〇− 水 ９０００
Ｃ酸性エツチング液によるエツチング時間としては、例
えば２０秒程とする。アルミニウム層１３の厚さは約１
００Ｘであり、これに比べて金属層１１の厚さは約ｔｏ
ｏＯＸである九めアル＜ニウム層は十分に薄く、その丸
めアンダーカットが生じることなく、所定ノ量ターンＪ
Ｊａのアルミニウム層ＩＳが害鳥に形成される。また、
この酸性エツチング液によって金属層１１はエツチング
されない、その理由は、工、チング処理によってアルミ
ニウム層１３が変質した状態で金属層１１上に残存する
ためと推測さ・れる。
次に、パターニングされたレジスト膜１４及びアルミニ
ウム層１３をマスクにして、金属層１１にドライエツチ
ングをして例えばリアクティブスパッタリングにょシエ
ッチングを施す。
ウム層１３をマスクにして、金属層１１にドライエツチ
ングをして例えばリアクティブスパッタリングにょシエ
ッチングを施す。
このリアク・テイブスパッタリングの条件としては、例
えば、ＲＦパワー、３００Ｗ、ｘ、ｆントｃｃｔ４、圧
力ｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ１エツチング時間約４分に設定
する。このような条件では、工、チンダ適度はきわめて
這いので、アルミニウム層ＩＪは、マスクとしての機能
を十分に発揮する。このようにして、金属層１１にアン
ダーカットのほとんどない（０，１μ畷以下）ノ譬ター
ンＩＩｍを形成することができる。（同図（２）参照）
Ｐライエツチングとしては、リアクティゾス・量ツタリ
ングの他にも、グツズ！エツチング、イオンエツチング
、スパッタエツチング、リアクティ！イオンエツチング
を行りても良い。
えば、ＲＦパワー、３００Ｗ、ｘ、ｆントｃｃｔ４、圧
力ｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ１エツチング時間約４分に設定
する。このような条件では、工、チンダ適度はきわめて
這いので、アルミニウム層ＩＪは、マスクとしての機能
を十分に発揮する。このようにして、金属層１１にアン
ダーカットのほとんどない（０，１μ畷以下）ノ譬ター
ンＩＩｍを形成することができる。（同図（２）参照）
Ｐライエツチングとしては、リアクティゾス・量ツタリ
ングの他にも、グツズ！エツチング、イオンエツチング
、スパッタエツチング、リアクティ！イオンエツチング
を行りても良い。
このようにしてこの高精度マスクの製造方法によれば、
高い形状精度で・ダターニングされたアルミニウム層Ｉ
Ｊをマスクにして金属層１１にノ譬ターニングを施すこ
とができるので、だれやアンダーカットがなく形状精度
の高い高精度マスク１−５を容品に得ることができる。
高い形状精度で・ダターニングされたアルミニウム層Ｉ
Ｊをマスクにして金属層１１にノ譬ターニングを施すこ
とができるので、だれやアンダーカットがなく形状精度
の高い高精度マスク１−５を容品に得ることができる。
本発明に係る高精度マスクの製造方法によれば、アンダ
ーカット及びだれ現象の発生を防止して、形状精度の高
い高精度マスクを容重に得ることができる等顕著な効果
を有するものである。
ーカット及びだれ現象の発生を防止して、形状精度の高
い高精度マスクを容重に得ることができる等顕著な効果
を有するものである。
第１図は、従来方法にてマスクを作成した際にレジスト
膜直下の薄膜にアンダーカットが起きている状態を示す
断面図、第２図は、従来方法にてマスクを作成した際に
レジスト膜及びその直下の薄膜にだれが起きている状態
を示す断面図、第３図囚乃至同図（ロ）は、本発明方法
を工程順に示す説明図である。 １０・・・基板、１１・・・金属層、１２・・・マスク
ジランク、１３・・・アルミニウム層、１４・・・レジ
スト膜、１−５・・・高精度マスク。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 （Ａ）
膜直下の薄膜にアンダーカットが起きている状態を示す
断面図、第２図は、従来方法にてマスクを作成した際に
レジスト膜及びその直下の薄膜にだれが起きている状態
を示す断面図、第３図囚乃至同図（ロ）は、本発明方法
を工程順に示す説明図である。 １０・・・基板、１１・・・金属層、１２・・・マスク
ジランク、１３・・・アルミニウム層、１４・・・レジ
スト膜、１−５・・・高精度マスク。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第３図 （Ａ）
Claims (2)
- （１）基板上に金属層を介してアルミニウム層を積層し
てなるマスクブランク上にレジスト膜を形成する工程と
、鋏しジスト属を′ｉＡ＊シてノ母ターニングする工程
と、Δターニングされた前記レジスト膜をマスクにして
前記アルミニウム層を酸性エツチング液でノｌターニン
グする工程と、ノ９ターニングされた鋏アルンニウム層
をマスクにして前記金属層Ｋｌ’ライエツチングを施す
工程とを具備することを４１１１とする高精度マスクの
製造方法。 - （２） マスクフランクが、基板上に金属層、金属酸
化層を順次弁してアルミニウム層を積層したものである
特許請求の範囲第１項記載の高精度マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57036018A JPS58152241A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | 高精度マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57036018A JPS58152241A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | 高精度マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58152241A true JPS58152241A (ja) | 1983-09-09 |
Family
ID=12457994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57036018A Pending JPS58152241A (ja) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | 高精度マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58152241A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6168258U (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | ||
| JPS61296720A (ja) * | 1985-06-26 | 1986-12-27 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム成形マスクの製造方法 |
| WO1987006027A2 (en) * | 1986-04-01 | 1987-10-08 | Plessey Overseas Limited | An etch technique for metal mask definition |
| KR100422822B1 (ko) * | 1996-10-05 | 2004-06-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 건식식각을이용한마스크의제조방법 |
-
1982
- 1982-03-08 JP JP57036018A patent/JPS58152241A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6168258U (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | ||
| JPS61296720A (ja) * | 1985-06-26 | 1986-12-27 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム成形マスクの製造方法 |
| WO1987006027A2 (en) * | 1986-04-01 | 1987-10-08 | Plessey Overseas Limited | An etch technique for metal mask definition |
| WO1987006027A3 (en) * | 1986-04-01 | 1987-12-30 | Plessey Overseas | An etch technique for metal mask definition |
| KR100422822B1 (ko) * | 1996-10-05 | 2004-06-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 건식식각을이용한마스크의제조방법 |
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