JPS634700B2 - - Google Patents
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- JPS634700B2 JPS634700B2 JP55189024A JP18902480A JPS634700B2 JP S634700 B2 JPS634700 B2 JP S634700B2 JP 55189024 A JP55189024 A JP 55189024A JP 18902480 A JP18902480 A JP 18902480A JP S634700 B2 JPS634700 B2 JP S634700B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/28123—Lithography-related aspects, e.g. sub-lithography lengths; Isolation-related aspects, e.g. to solve problems arising at the crossing with the side of the device isolation; Planarisation aspects
- H01L21/28132—Lithography-related aspects, e.g. sub-lithography lengths; Isolation-related aspects, e.g. to solve problems arising at the crossing with the side of the device isolation; Planarisation aspects conducting part of electrode is difined by a sidewall spacer or a similar technique, e.g. oxidation under mask, plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、所望の基板上にまたは所望の基板内
に所望のパターンを有する所望の層または領域を
形成する場合、所望の基板を所望のパターンに加
工する場合などに適用し得る、所望の基板上に所
要の層による所望のパターンを形成するパターン
形成法に関する。
に所望のパターンを有する所望の層または領域を
形成する場合、所望の基板を所望のパターンに加
工する場合などに適用し得る、所望の基板上に所
要の層による所望のパターンを形成するパターン
形成法に関する。
所望の基板上に所要の層による所望のパターン
を形成するパターン形成法として、従来、第１図
に示すように、所望の基板１を予め用意し（第１
図Ａ）、その基板上に紫外線などの光線に感応す
るポジ型またはネガ型のフオトレジスト層、Ｘ線
乃至電子線などに感応するポジ型またはネガ型の
Ｘ線乃至電子線レジスト層などのレジスト層２
（以下簡単のため、ポジ型のフオトレジスト層と
する）を形成し（第１図Ｂ）、次にそのレジスト
層２に対する所望のパターンでの紫外線などの光
線３の照射処理を行なつて、レジスト層２に、所
望のパターンでの紫外線などの光線３によつて照
射されている領域４を形成し（第１図Ｃ）、次に
このように所望のパターンで紫外線などの光線３
が照射されている領域４を形成しているレジスト
層２に対する現像処理を行なつて、紫外線などの
光線３の照射されている領域４を基板１上から溶
去し（第１図Ｄ）、よつて、レジスト層２から、
所望のパターンにパターン化されているパターン
化レジスト層５による所望のパターンを得る、と
いう方法が提案されている。
を形成するパターン形成法として、従来、第１図
に示すように、所望の基板１を予め用意し（第１
図Ａ）、その基板上に紫外線などの光線に感応す
るポジ型またはネガ型のフオトレジスト層、Ｘ線
乃至電子線などに感応するポジ型またはネガ型の
Ｘ線乃至電子線レジスト層などのレジスト層２
（以下簡単のため、ポジ型のフオトレジスト層と
する）を形成し（第１図Ｂ）、次にそのレジスト
層２に対する所望のパターンでの紫外線などの光
線３の照射処理を行なつて、レジスト層２に、所
望のパターンでの紫外線などの光線３によつて照
射されている領域４を形成し（第１図Ｃ）、次に
このように所望のパターンで紫外線などの光線３
が照射されている領域４を形成しているレジスト
層２に対する現像処理を行なつて、紫外線などの
光線３の照射されている領域４を基板１上から溶
去し（第１図Ｄ）、よつて、レジスト層２から、
所望のパターンにパターン化されているパターン
化レジスト層５による所望のパターンを得る、と
いう方法が提案されている。
このような従来のパターン形成法の場合、それ
によつて得られる所望の基板上の所望の層による
所望のパターンが、基板１上のパターン化レジス
ト層５によるパターンでなり、そして、そのパタ
ーンが、レジスト層２に対する紫外線などの光線
３の照射、続く現像処理によつて得られるが、レ
ジスト層２に対する光線３の照射時、その光線３
が回折したり、光線３がレジスト層２中で散乱し
たり、光線３がレジスト層２の光線３によつて照
射される領域の各部において均一な強度で得られ
なかつたりする。
によつて得られる所望の基板上の所望の層による
所望のパターンが、基板１上のパターン化レジス
ト層５によるパターンでなり、そして、そのパタ
ーンが、レジスト層２に対する紫外線などの光線
３の照射、続く現像処理によつて得られるが、レ
ジスト層２に対する光線３の照射時、その光線３
が回折したり、光線３がレジスト層２中で散乱し
たり、光線３がレジスト層２の光線３によつて照
射される領域の各部において均一な強度で得られ
なかつたりする。
このため、上述した従来のパターン形成法の場
合、基板１上のパターン化レジスト層５によるパ
ターンでなる、所望の基板上の所望の層による所
望のパターンを、1μm以下、すなわちサブミクロ
ンオーダの幅を有する微細なものとして、高精度
に得るのが極めて困難である、という欠点を有し
ていた。
合、基板１上のパターン化レジスト層５によるパ
ターンでなる、所望の基板上の所望の層による所
望のパターンを、1μm以下、すなわちサブミクロ
ンオーダの幅を有する微細なものとして、高精度
に得るのが極めて困難である、という欠点を有し
ていた。
よつて、本発明は、上述した欠点のない、新規
なパターン形成法を提案せんとするもので、以下
詳述するところから明らかとなるであろう。
なパターン形成法を提案せんとするもので、以下
詳述するところから明らかとなるであろう。
第２図は、本発明によるパターン形成法の第１
の実施例を示し、以下述べる順次工程をとつて、
目的とするパターンを形成する。
の実施例を示し、以下述べる順次工程をとつて、
目的とするパターンを形成する。
すなわち、第２図Ａに示すように、上面に
SiO2でなる層（図示せず）を形成し且つSiでな
る基板１１を予め用意する。
SiO2でなる層（図示せず）を形成し且つSiでな
る基板１１を予め用意する。
次に、その基板１１上に、第２図Ｂに示すよう
に、それ自体は公知の方法によつて、アルミニウ
ム（Al）でなる酸化性層２２を、例えば0.4μmの
厚さに形成する。
に、それ自体は公知の方法によつて、アルミニウ
ム（Al）でなる酸化性層２２を、例えば0.4μmの
厚さに形成する。
次に、その酸化性層１２上に、第２図Ｃに示す
ように、それ自体は公知の紫外線などの光線に感
応するポジ型のフオトレジスト層１３例えば1μm
の厚さに塗布形成する。
ように、それ自体は公知の紫外線などの光線に感
応するポジ型のフオトレジスト層１３例えば1μm
の厚さに塗布形成する。
次に、第２図Ｄに示すように、フオトレジスト
層１３に対する所望のパターンでの紫外線などの
光線１４の照射処理を行なつて、フオトレジスト
層１３に、所望のパターンで光線１４によつて照
射されている領域１５を形成する。
層１３に対する所望のパターンでの紫外線などの
光線１４の照射処理を行なつて、フオトレジスト
層１３に、所望のパターンで光線１４によつて照
射されている領域１５を形成する。
次に、このように形成された、所望パターンで
光線１４によつて照射されている領域１５を形成
しているフオトレジスト層１３に対する現像処理
を行なつて、第２図Ｅに示すように、光線１４に
よつて照射されている光線１５を、酸化性層１２
上から溶去し、よつてフオトレジスト層１３か
ら、所望のパターンにパターン化されているパタ
ーン化フオトレジスト層によるマスク層１６を、
酸化性層１２上に形成する。
光線１４によつて照射されている領域１５を形成
しているフオトレジスト層１３に対する現像処理
を行なつて、第２図Ｅに示すように、光線１４に
よつて照射されている光線１５を、酸化性層１２
上から溶去し、よつてフオトレジスト層１３か
ら、所望のパターンにパターン化されているパタ
ーン化フオトレジスト層によるマスク層１６を、
酸化性層１２上に形成する。
次に、このようにして形成されたマスク層１６
をマスクとした、酸化性層１２に対する、例えば
CCl4でなるガスを用いたドライエツチング処理
でなるエツチング処理によつて、第２図Ｆに示す
ように、酸化性層１２から、マスク層１６と同じ
パターンにパターン化されているパターン化酸化
性層１７を形成する。
をマスクとした、酸化性層１２に対する、例えば
CCl4でなるガスを用いたドライエツチング処理
でなるエツチング処理によつて、第２図Ｆに示す
ように、酸化性層１２から、マスク層１６と同じ
パターンにパターン化されているパターン化酸化
性層１７を形成する。
次に、パターン化酸化性層１７に対する酸化処
理によつて、第２図Ｇに示すように、そのパター
ン化酸化性層１７の側面に、その酸化物であるア
ルミニウム酸化物でなる酸化物層１８を形成す
る。この場合の酸化処理は、Alを温水に浸漬し
た場合、そのAlの表面に、アルミニウム酸化物
層が、Alの温水への浸漬時間をパラメータとし
て、第３図に示すように、温水の温度Ｔ（℃）に
応じた厚さＤ（μm）に形成されるということを利
用した、いわゆるベーマイト法による酸化処理す
る。このようなベーマイト法による酸化処理によ
つて、アルミニウム酸化物でなる酸化物層１８を
形成する場合、パターン化酸化性層１７を温水に
所望時間浸漬させればよく、そして、この場合、
温水の温度を100℃以下、温水への浸漬時間を10
分とすることによつて、酸化物層１８を、0.02〜
0.4μm程度の広い厚さ範囲中の所望の厚さを有す
る丈夫なものとして、短い時間で、容易に形成す
ることができる。
理によつて、第２図Ｇに示すように、そのパター
ン化酸化性層１７の側面に、その酸化物であるア
ルミニウム酸化物でなる酸化物層１８を形成す
る。この場合の酸化処理は、Alを温水に浸漬し
た場合、そのAlの表面に、アルミニウム酸化物
層が、Alの温水への浸漬時間をパラメータとし
て、第３図に示すように、温水の温度Ｔ（℃）に
応じた厚さＤ（μm）に形成されるということを利
用した、いわゆるベーマイト法による酸化処理す
る。このようなベーマイト法による酸化処理によ
つて、アルミニウム酸化物でなる酸化物層１８を
形成する場合、パターン化酸化性層１７を温水に
所望時間浸漬させればよく、そして、この場合、
温水の温度を100℃以下、温水への浸漬時間を10
分とすることによつて、酸化物層１８を、0.02〜
0.4μm程度の広い厚さ範囲中の所望の厚さを有す
る丈夫なものとして、短い時間で、容易に形成す
ることができる。
ちなみに、パターン化酸化性層１７を60℃の温
水に浸漬することによつて酸化物層１８を形成す
る場合において、その浸漬時間に対する酸化物層
１８の厚さＤ（μm）の関係を測定したところ、第
３図Ｂに示すように、酸化物層１８の厚さＤが、
比較的広い浸漬時間の範囲内において、浸漬時間
に対して飽和しない、という結果が得られた。こ
のことからも、酸化物層１８を厚い厚さを有する
丈夫なものに、容易に、形成することができるこ
とは明らかであろう。なお、アルミニウム酸化物
でなる酸化物層１８を、陽極酸化法によつて形成
する場合、その酸化物層１８の厚さが、陽極酸化
時間に対して、比較的薄い厚さ（0.1mm程度）で
飽和してしまうため、酸化物層１８を、上述した
ベーマイト法による酸化処理によつて形成する場
合のようには、厚い厚さを有する丈夫なものとし
て、容易に、形成することが困難である。
水に浸漬することによつて酸化物層１８を形成す
る場合において、その浸漬時間に対する酸化物層
１８の厚さＤ（μm）の関係を測定したところ、第
３図Ｂに示すように、酸化物層１８の厚さＤが、
比較的広い浸漬時間の範囲内において、浸漬時間
に対して飽和しない、という結果が得られた。こ
のことからも、酸化物層１８を厚い厚さを有する
丈夫なものに、容易に、形成することができるこ
とは明らかであろう。なお、アルミニウム酸化物
でなる酸化物層１８を、陽極酸化法によつて形成
する場合、その酸化物層１８の厚さが、陽極酸化
時間に対して、比較的薄い厚さ（0.1mm程度）で
飽和してしまうため、酸化物層１８を、上述した
ベーマイト法による酸化処理によつて形成する場
合のようには、厚い厚さを有する丈夫なものとし
て、容易に、形成することが困難である。
また、アルミニウム酸化物でなる酸化物層１８
を、陽極酸化法によつて形成する場合、パターン
化酸化性層１７と溶液との間に電流を流す必要が
あるため、基板１１またはパターン化酸化性層１
７に接する電極を設ける必要があり、また、溶液
が酸性を有しているフオトレジストでなるマスク
層１６や基板１１に材質の制約があるが、そのよ
うな必要性及び制約は、上述したベーマイト法に
よる場合、有しない。
を、陽極酸化法によつて形成する場合、パターン
化酸化性層１７と溶液との間に電流を流す必要が
あるため、基板１１またはパターン化酸化性層１
７に接する電極を設ける必要があり、また、溶液
が酸性を有しているフオトレジストでなるマスク
層１６や基板１１に材質の制約があるが、そのよ
うな必要性及び制約は、上述したベーマイト法に
よる場合、有しない。
次に、マスク層１６に対する酸素プラズマエツ
チング処理でなるエツチング処理によつて、第２
図Ｈに示すように、マスク層１６を、パターン化
酸化性層１７上より除去する。
チング処理でなるエツチング処理によつて、第２
図Ｈに示すように、マスク層１６を、パターン化
酸化性層１７上より除去する。
次に、パターン化酸化性層１７に対し、それ
と、その側面に形成している酸化物層１８との間
のエツチング速度の差を利用したドライエツチン
グ処理、例えばCCl4ガスを用いたドライエツチ
ング処理でなるエツチング処理を施すことによつ
て、第２図Ｉに示すように、パターン化酸化性層
１７を、その側面に形成している酸化物層１８を
残して、基板１１上から除去し、よつて、基板１
１上に残された酸化物層１８による所望のパター
ンを得る。この場合、パターン化酸化性層１７
を、それと酸化物層１８との間のエツチング速度
は差を利用したドライエツチング処理によつて除
去するので、その除去時、酸化物層１８に、ほと
んど破損が与えられない。
と、その側面に形成している酸化物層１８との間
のエツチング速度の差を利用したドライエツチン
グ処理、例えばCCl4ガスを用いたドライエツチ
ング処理でなるエツチング処理を施すことによつ
て、第２図Ｉに示すように、パターン化酸化性層
１７を、その側面に形成している酸化物層１８を
残して、基板１１上から除去し、よつて、基板１
１上に残された酸化物層１８による所望のパター
ンを得る。この場合、パターン化酸化性層１７
を、それと酸化物層１８との間のエツチング速度
は差を利用したドライエツチング処理によつて除
去するので、その除去時、酸化物層１８に、ほと
んど破損が与えられない。
また、酸化物層１８を、前述したように厚い厚
さを有する丈夫なものに、容易に形成することが
できるので、パターン化酸化性層１７の除去時、
酸化物層１８が破損するおそれを有さず、よつ
て、パターン化酸化性層１７を容易に、基板１１
上から除去することができる。
さを有する丈夫なものに、容易に形成することが
できるので、パターン化酸化性層１７の除去時、
酸化物層１８が破損するおそれを有さず、よつ
て、パターン化酸化性層１７を容易に、基板１１
上から除去することができる。
以上が、本発明によるパターン形成法の第１の
実施例である。
実施例である。
このような本発明によるパターン形成法の場
合、それによつて得られる所望の基板上の所要の
層による所望のパターンが、第２図Ｉに示すよう
に、基板１１上の酸化物層１８によるパターンで
なり、そして、そのパターンが、所望のパターン
を有し且つアルミニウムを主成分とするパターン
化酸化性層１７を形成する工程（第２図Ｆ）と、
そのパターン化酸化性層１７に対する温水中への
浸漬による酸化処理によつて、そのパターン化酸
化性層１７の側面にそのアルミニウムの酸化物層
１８を形成する工程（第２図Ｇ）と、パターン化
酸化性層１７を、それとアルミニウムの酸化物層
１８との間のエツチング速度の差を利用したドラ
イエツチング処理によつて基板１１上から除去す
る工程（第２図Ｉ）とを有して得られ、そして、
前述したように、パターン化酸化性層１７に対す
る温水中への浸漬による酸化処理によつてその酸
化性層１７の側面にその酸化物層１８を形成する
工程（第２図Ｇ）において、その酸化物層１８
は、これを1μm以下の幅を有するが、0.1mm以上
の厚い厚さを有する丈夫なものに、容易に高精度
に形成することができ、また、パターン化酸化性
層１７を除去する工程（第２図Ｈ）において、パ
ターン化酸化性層１７を、酸化物層１８に破損を
与えることなしに、容易に、除去することができ
る。
合、それによつて得られる所望の基板上の所要の
層による所望のパターンが、第２図Ｉに示すよう
に、基板１１上の酸化物層１８によるパターンで
なり、そして、そのパターンが、所望のパターン
を有し且つアルミニウムを主成分とするパターン
化酸化性層１７を形成する工程（第２図Ｆ）と、
そのパターン化酸化性層１７に対する温水中への
浸漬による酸化処理によつて、そのパターン化酸
化性層１７の側面にそのアルミニウムの酸化物層
１８を形成する工程（第２図Ｇ）と、パターン化
酸化性層１７を、それとアルミニウムの酸化物層
１８との間のエツチング速度の差を利用したドラ
イエツチング処理によつて基板１１上から除去す
る工程（第２図Ｉ）とを有して得られ、そして、
前述したように、パターン化酸化性層１７に対す
る温水中への浸漬による酸化処理によつてその酸
化性層１７の側面にその酸化物層１８を形成する
工程（第２図Ｇ）において、その酸化物層１８
は、これを1μm以下の幅を有するが、0.1mm以上
の厚い厚さを有する丈夫なものに、容易に高精度
に形成することができ、また、パターン化酸化性
層１７を除去する工程（第２図Ｈ）において、パ
ターン化酸化性層１７を、酸化物層１８に破損を
与えることなしに、容易に、除去することができ
る。
よつて、本発明によるパターン形成法の場合、
所望のパターンを、1μm以下、すなわちサブミク
ロンオーダの幅に有する微細なものとして、高精
度に得るのが容易である、という特徴を有する。
所望のパターンを、1μm以下、すなわちサブミク
ロンオーダの幅に有する微細なものとして、高精
度に得るのが容易である、という特徴を有する。
次に、第４図を伴なつて、本発明によるパター
ン形成法の第２の実施例を述べよう。第４図にお
いて、第２図との対応部分には同一符号を附して
示す。
ン形成法の第２の実施例を述べよう。第４図にお
いて、第２図との対応部分には同一符号を附して
示す。
第４図に示す本発明によるパターン形成法は、
以下述べる順次の工程をとつて、目的とするパタ
ーンを形成する。
以下述べる順次の工程をとつて、目的とするパタ
ーンを形成する。
すなわち、第４図Ａに示すように、第２図Ａで
上述したと同様の基板１１を予め用意する。
上述したと同様の基板１１を予め用意する。
次に、その基板１１上に、第４図Ｂに示すよう
に、第２図Ｂで上述したと同様のAlでなる酸化
性層１２を形成する。
に、第２図Ｂで上述したと同様のAlでなる酸化
性層１２を形成する。
次に、その酸化性層１上に、第４図Ｃに示すよ
うに、それ自体は公知の電子線に感応するポジ型
の例えばポリメチルメタクリレート（PMMA）
でなる電子線レジスト層１３′を例えば0.5μmの
厚さに塗布形成する。
うに、それ自体は公知の電子線に感応するポジ型
の例えばポリメチルメタクリレート（PMMA）
でなる電子線レジスト層１３′を例えば0.5μmの
厚さに塗布形成する。
次に、第４図Ｄに示すように、電子線レジスト
層１３′に対する、所望のパターンでの電子線１
４′の照射処理を行なつて、電子線レジスト層１
３′に、所望のパターンで電子線１４′によつて照
射されている領域１５′を形成する。
層１３′に対する、所望のパターンでの電子線１
４′の照射処理を行なつて、電子線レジスト層１
３′に、所望のパターンで電子線１４′によつて照
射されている領域１５′を形成する。
次に、このように形成された、所望のパターン
で電子線１４′によつて照射されている領域１
５′が形成されている電子線レジスト層１３′に対
する、現像処理を行なつて、第４図Ｅに示すよう
に、電子線１４′によつて照射されている領域１
５′を酸化性層１２上から溶去し、よつて、電子
線レジスト層１３′から、所望のパターンにパタ
ーン化されたパターン化電子線レジスト層による
マスク層１６′を酸化性層１２上に形成する。
で電子線１４′によつて照射されている領域１
５′が形成されている電子線レジスト層１３′に対
する、現像処理を行なつて、第４図Ｅに示すよう
に、電子線１４′によつて照射されている領域１
５′を酸化性層１２上から溶去し、よつて、電子
線レジスト層１３′から、所望のパターンにパタ
ーン化されたパターン化電子線レジスト層による
マスク層１６′を酸化性層１２上に形成する。
次に、第４図Ｆに示すように、このように形成
されたマスク層１６′をマスクとした酸化性層１
２に対する、第２図Ｆで上述したと同様のエツチ
ング処理によつて、マスク層１６′と同じパター
ンにパターン化されてなるパターン化酸化性層１
７を形成する。
されたマスク層１６′をマスクとした酸化性層１
２に対する、第２図Ｆで上述したと同様のエツチ
ング処理によつて、マスク層１６′と同じパター
ンにパターン化されてなるパターン化酸化性層１
７を形成する。
次に、マスク層１６′に対する酸素プラズマエ
ツチング処理でなるエツチング処理によつて、第
４図Ｇに示すように、マスク層１６′を、パター
ン化酸化性層１７上から除去する。
ツチング処理でなるエツチング処理によつて、第
４図Ｇに示すように、マスク層１６′を、パター
ン化酸化性層１７上から除去する。
次に、パターン化酸化性層１７に対する酸化処
理によつて、第４図Ｈに示すように、そのパター
ン化酸化性層１７の側面及び上面に、その酸化物
であるアルミニウム酸化物でなる酸化物層１８及
び１９を、互に連続延長している態様に形成す
る。この場合の酸化処理は、第２図Ｇで上述した
と同様の、所謂ベーマイト法による酸化処理とす
る。このようなベーマイト法による酸化処理によ
れば、第２図Ｇで上述したと同様に、酸化物層１
８及び１９を0.02〜0.4μm程度の厚い厚さを有す
る丈夫なものとして、容易に、得ることができ
る。
理によつて、第４図Ｈに示すように、そのパター
ン化酸化性層１７の側面及び上面に、その酸化物
であるアルミニウム酸化物でなる酸化物層１８及
び１９を、互に連続延長している態様に形成す
る。この場合の酸化処理は、第２図Ｇで上述した
と同様の、所謂ベーマイト法による酸化処理とす
る。このようなベーマイト法による酸化処理によ
れば、第２図Ｇで上述したと同様に、酸化物層１
８及び１９を0.02〜0.4μm程度の厚い厚さを有す
る丈夫なものとして、容易に、得ることができ
る。
次に、酸化物層１９に対する、その厚さ方向の
エツチングが面方向のそれに対して格段的に大き
な割合で進行するという例えばCCl4ガスとH2ガ
スとの混合ガスを用いたドライエツチング処理す
なわち反応性スパツタエツチング処理でなるエツ
チング処理を行ない、よつて、第４図Ｉに示すよ
うに、酸化物層１８はパターン化酸化性層１７の
側面上に残すが、酸化物層１９をパターン化酸化
性層１７上から除去する。
エツチングが面方向のそれに対して格段的に大き
な割合で進行するという例えばCCl4ガスとH2ガ
スとの混合ガスを用いたドライエツチング処理す
なわち反応性スパツタエツチング処理でなるエツ
チング処理を行ない、よつて、第４図Ｉに示すよ
うに、酸化物層１８はパターン化酸化性層１７の
側面上に残すが、酸化物層１９をパターン化酸化
性層１７上から除去する。
次に、第２図Ｉで上述したと同様に、パターン
化酸化性層１７に対する、例えばCCl4ガスを用
いたドライエツチング処理でなるエツチング処理
を行なうことによつて、第４図Ｊに示すように、
パターン化酸化性層１７を、その側面に形成して
いる酸化物層１８を残して、基板１１上から除去
し、よつて基板１１上に残された酸化物層１８で
なる所望のパターンを得る。
化酸化性層１７に対する、例えばCCl4ガスを用
いたドライエツチング処理でなるエツチング処理
を行なうことによつて、第４図Ｊに示すように、
パターン化酸化性層１７を、その側面に形成して
いる酸化物層１８を残して、基板１１上から除去
し、よつて基板１１上に残された酸化物層１８で
なる所望のパターンを得る。
以上が、本発明によるパターン形成法の第２の
実施例である。
実施例である。
このような本発明によるパターン形成法の場
合、それによつて得られる所望の基板上の所望の
層による所望のパターンが、第４図Ｊに示すよう
に、第２図Ｉで上述したと同様に、基板１１上の
アルミニウムの酸化物層１８でなるパターンでな
り、そして、そのパターンも、第２図で上述した
と同様に、所望のパターンを有し且つアルミニウ
ムを主成分とするパターン化酸化性層１７を形成
する工程（第４図Ｇ）と、そのパターン化酸化性
層１７に対する温水中への浸漬による酸化処理に
よつて、そのパターン化酸化性層１７の側面にそ
のアルミニウムの酸化物層１８を形成する工程
（第４図Ｈ）と、パターン化酸化性層１７を基板
１１上から除去する工程（第４図Ｊ）とを有して
得られ、そして、パターン化酸化性層１７に対す
る温水中への浸漬による酸化処理によつて、その
パターン化酸化性層１７の側面に、その酸化物層
１８を形成する工程（第４図Ｈ）において、その
酸化物層１８も、第２図Ｇで上述したと同様に、
1μm以下の幅を有するが、0.1mm以上の厚さを有
する丈夫なものに、容易に、高精度に形成し得
る。
合、それによつて得られる所望の基板上の所望の
層による所望のパターンが、第４図Ｊに示すよう
に、第２図Ｉで上述したと同様に、基板１１上の
アルミニウムの酸化物層１８でなるパターンでな
り、そして、そのパターンも、第２図で上述した
と同様に、所望のパターンを有し且つアルミニウ
ムを主成分とするパターン化酸化性層１７を形成
する工程（第４図Ｇ）と、そのパターン化酸化性
層１７に対する温水中への浸漬による酸化処理に
よつて、そのパターン化酸化性層１７の側面にそ
のアルミニウムの酸化物層１８を形成する工程
（第４図Ｈ）と、パターン化酸化性層１７を基板
１１上から除去する工程（第４図Ｊ）とを有して
得られ、そして、パターン化酸化性層１７に対す
る温水中への浸漬による酸化処理によつて、その
パターン化酸化性層１７の側面に、その酸化物層
１８を形成する工程（第４図Ｈ）において、その
酸化物層１８も、第２図Ｇで上述したと同様に、
1μm以下の幅を有するが、0.1mm以上の厚さを有
する丈夫なものに、容易に、高精度に形成し得
る。
よつて、本発明によるパターン形成法の第２の
実施例の場合も、第２図で上述した本発明による
パターン形成法の第１の実施例の場合と同様に、
所望のパターンを、1μm以下のサブミクロンオー
ダの幅を有する微細なものとして、高精度に得る
のが容易であるという特徴を有する。
実施例の場合も、第２図で上述した本発明による
パターン形成法の第１の実施例の場合と同様に、
所望のパターンを、1μm以下のサブミクロンオー
ダの幅を有する微細なものとして、高精度に得る
のが容易であるという特徴を有する。
上述したように、本発明によるパターン形成法
によれば、基板１１上に、アルミニウムの酸化物
層１８による所望のパターンを、1μm以下のサブ
ミクロンオーダの幅を有するものとして高精度に
容易に得ることができるという特徴を有し、この
ため、得られる酸化物層１８による所望のパター
ンを、そのまま用いることによつて、またはその
所望のパターンを酸化物層１８に対するフオトエ
ツチング処理などの加工処理によつて、変形して
用いることによつて、基板１１上または基板１１
内に、所望のパターンを有する層または領域を、
微細、高精度に形成したり、基板１１を、所望の
パターンに、微細、高精度に加工したりすること
ができる。
によれば、基板１１上に、アルミニウムの酸化物
層１８による所望のパターンを、1μm以下のサブ
ミクロンオーダの幅を有するものとして高精度に
容易に得ることができるという特徴を有し、この
ため、得られる酸化物層１８による所望のパター
ンを、そのまま用いることによつて、またはその
所望のパターンを酸化物層１８に対するフオトエ
ツチング処理などの加工処理によつて、変形して
用いることによつて、基板１１上または基板１１
内に、所望のパターンを有する層または領域を、
微細、高精度に形成したり、基板１１を、所望の
パターンに、微細、高精度に加工したりすること
ができる。
よつて、本発明によるパターン形成法は、基板
１１または基板１１内に、所望のパターンを有す
る層または領域を微細、高精度に形成したり、基
板１１を所望のパターンに、微細、高精度に加工
したりするのに適用して、極めて好適である。
１１または基板１１内に、所望のパターンを有す
る層または領域を微細、高精度に形成したり、基
板１１を所望のパターンに、微細、高精度に加工
したりするのに適用して、極めて好適である。
なお、上述においては、本発明の僅かな実施例
を示したに留まり、第２図及び第４図に示す本発
明によるパターン形成法の第１及び第２の実施例
において、その基板１１を、上面にSiO2でなる
層を形成しているSiでなる基板に代えた、他の所
望の基板（但しパターン化酸化性層を形成する工
程、パターン化酸化性層上のマスク層を除去する
工程、パターン化酸化性層を除去する工程によつ
て実質的に影響を受けない）とすることもでき
る。さらに、第２図に示す本発明によるパターン
形成法の第１の実施例において、そのフオトレジ
スト層１３を、ポジ型に代え、ネガ型とすること
もできる。また、第２図及び第４図に示す本発明
によるパターン形成法の第１及び第２の実施例に
おいて、パターン化酸化性層を形成するためのエ
ツチング処理を、グロー放電エツチング処理、プ
ラズマエツチング処理、反応性スパツタエツチン
グ処理、イオンエツチング処理などのドライエツ
チング処理はもとより、液体エツチヤントを用い
たウエツトエツチング処理とすることもできる。
を示したに留まり、第２図及び第４図に示す本発
明によるパターン形成法の第１及び第２の実施例
において、その基板１１を、上面にSiO2でなる
層を形成しているSiでなる基板に代えた、他の所
望の基板（但しパターン化酸化性層を形成する工
程、パターン化酸化性層上のマスク層を除去する
工程、パターン化酸化性層を除去する工程によつ
て実質的に影響を受けない）とすることもでき
る。さらに、第２図に示す本発明によるパターン
形成法の第１の実施例において、そのフオトレジ
スト層１３を、ポジ型に代え、ネガ型とすること
もできる。また、第２図及び第４図に示す本発明
によるパターン形成法の第１及び第２の実施例に
おいて、パターン化酸化性層を形成するためのエ
ツチング処理を、グロー放電エツチング処理、プ
ラズマエツチング処理、反応性スパツタエツチン
グ処理、イオンエツチング処理などのドライエツ
チング処理はもとより、液体エツチヤントを用い
たウエツトエツチング処理とすることもできる。
その他、本発明の精神を脱することなしに、
種々の変型、変更をなし得るであろう。
種々の変型、変更をなし得るであろう。
第１図Ａ〜Ｄは、従来のパターン形成法を示す
順次の工程における略線的断面図である。第２図
Ａ〜Ｉは、本発明によるパターン形成法の第１の
実施例を示す順次の工程における略線的断面図で
ある。第３図Ａは、浸漬時間をパラメータとした
温度に対する酸化性層の厚さの関係を示す図であ
る。第３図Ｂは、温水の温度をパラメータとした
浸漬時間に対する酸化性層の厚さの関係を示す図
である。第４図Ａ〜Ｊは、本発明によるパターン
形成法の第２の実施例を示す順次の工程における
略線的断面図である。 １１……基板、１２……酸化性層、１３……フ
オトレジスト層、１３′……電子線レジスト層、
１４……光線、１４′……電子線、１５，１５′…
…領域、１６，１６′……マスク層、１７……パ
ターン化酸化性層、１８……アルミニウムの酸化
物層。
順次の工程における略線的断面図である。第２図
Ａ〜Ｉは、本発明によるパターン形成法の第１の
実施例を示す順次の工程における略線的断面図で
ある。第３図Ａは、浸漬時間をパラメータとした
温度に対する酸化性層の厚さの関係を示す図であ
る。第３図Ｂは、温水の温度をパラメータとした
浸漬時間に対する酸化性層の厚さの関係を示す図
である。第４図Ａ〜Ｊは、本発明によるパターン
形成法の第２の実施例を示す順次の工程における
略線的断面図である。 １１……基板、１２……酸化性層、１３……フ
オトレジスト層、１３′……電子線レジスト層、
１４……光線、１４′……電子線、１５，１５′…
…領域、１６，１６′……マスク層、１７……パ
ターン化酸化性層、１８……アルミニウムの酸化
物層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所望の基板上に、所望のパターンを有し且つ
アルミニウムを主成分とするパターン化酸化性層
を形成する工程と、 上記パターン化酸化性層に対する、温水中への
浸漬による酸化処理により、当該パターン化酸化
性層の少くとも側面に、そのアルミニウムの酸化
物層を形成する工程と、 上記パターン化酸化性層を、それと上記アルミ
ニウムの酸化物層との間のエツチング速度の差を
利用したドライエツチング処理によつて、上記基
板上より除去する工程とを含んで、 上記基板上に、上記アルミニウムの酸化物層に
よる、上記パターン化酸化性層の側面パターンに
対応した所望のパターンを得ることを特徴とする
パターン形成法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55189024A JPS57111032A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Forming method for pattern |
| NLAANVRAGE8105661,A NL188432C (nl) | 1980-12-26 | 1981-12-16 | Werkwijze voor het vervaardigen van een mosfet. |
| US06/331,612 US4460413A (en) | 1980-12-26 | 1981-12-17 | Method of patterning device regions by oxidizing patterned aluminum layer |
| FR8123625A FR2497403B1 (fr) | 1980-12-26 | 1981-12-17 | Procede de formation de reseaux extremement fins en particulier pour la fabrication de transistors |
| GB8138219A GB2092373B (en) | 1980-12-26 | 1981-12-18 | A method of forming patterns |
| DE19813151915 DE3151915A1 (de) | 1980-12-26 | 1981-12-23 | Verfahren zum bilden von mustern oder schablonen |
| CA000393192A CA1186600A (en) | 1980-12-26 | 1981-12-24 | Method of forming patterns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55189024A JPS57111032A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Forming method for pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57111032A JPS57111032A (en) | 1982-07-10 |
| JPS634700B2 true JPS634700B2 (ja) | 1988-01-30 |
Family
ID=16234019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55189024A Granted JPS57111032A (en) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Forming method for pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57111032A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5957450A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Nec Corp | 半導体装置の素子分離方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5212546A (en) * | 1975-07-21 | 1977-01-31 | Tektronix Inc | Parallel phase amplifier |
| JPS55163863A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of wiring pattern |
-
1980
- 1980-12-26 JP JP55189024A patent/JPS57111032A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5212546A (en) * | 1975-07-21 | 1977-01-31 | Tektronix Inc | Parallel phase amplifier |
| JPS55163863A (en) * | 1979-06-07 | 1980-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of wiring pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57111032A (en) | 1982-07-10 |
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