JPS5984427A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS5984427A JPS5984427A JP19411182A JP19411182A JPS5984427A JP S5984427 A JPS5984427 A JP S5984427A JP 19411182 A JP19411182 A JP 19411182A JP 19411182 A JP19411182 A JP 19411182A JP S5984427 A JPS5984427 A JP S5984427A
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- Japan
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- resist
- radiation
- layer
- pattern
- positive
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパターン形成方法とくに放射線感応樹脂を用い
たパターン形成方法に関する。
たパターン形成方法に関する。
従来例の構成とその問題点
集積回路の高集積化、高密度化は従来のリング２フイ技
術の進歩により増大してきた。その最小線幅も１μｍ前
後となってきておシ、この加工線幅を達成するには、高
開口レンズを有した縮小投影法により紫外線露光する方
法、基板上に直接描画する電子ビーム鋸光法；Ｘ線を用
いたプロキシミティ露光法があげられる。しかし、いず
れの方法もスループットを犠牲にすることなく良好な線
幅制御と高解像度及び良好な段差部のカバレジを同時に
得ることｈ必然的に凹凸が発生し、放射線感応性樹脂（
以後、レジストと略）を塗布した後では、凹凸部におけ
るレジストの膜厚差が発生し、良好な線幅制御が不可能
となる。
術の進歩により増大してきた。その最小線幅も１μｍ前
後となってきておシ、この加工線幅を達成するには、高
開口レンズを有した縮小投影法により紫外線露光する方
法、基板上に直接描画する電子ビーム鋸光法；Ｘ線を用
いたプロキシミティ露光法があげられる。しかし、いず
れの方法もスループットを犠牲にすることなく良好な線
幅制御と高解像度及び良好な段差部のカバレジを同時に
得ることｈ必然的に凹凸が発生し、放射線感応性樹脂（
以後、レジストと略）を塗布した後では、凹凸部におけ
るレジストの膜厚差が発生し、良好な線幅制御が不可能
となる。
このことを第１図を用いて説明する。第１図は従来法に
より単層レジスト膜を段差部へ塗布し、その段差部に対
して交叉してパターニングを行なった状態を示したもの
である。第１図ａは半導体基板等の基板１上に配線等の
階差物２が形成されておりその上にレジスト３が塗布さ
れた状態の断面図である。この場合、段差部２がない平
坦な基板１上のレジスト３の膜厚をｔＲｌの厚さに塗布
した時、段差物２上のレジスト３の膜厚は、レジスト自
身の粘性と塗布時の回転数により膜厚ｔＲ２に決定され
る。この時ｔｌ””Ｒ２にすること、つまり凹凸部での
レジスト膜の膜厚差を皆無にすることは物理的に不可能
である。このようにｔ□１＼’Ｒ２の膜厚においてパタ
ーンを形成した場合の平面図を第１図すに示す。
より単層レジスト膜を段差部へ塗布し、その段差部に対
して交叉してパターニングを行なった状態を示したもの
である。第１図ａは半導体基板等の基板１上に配線等の
階差物２が形成されておりその上にレジスト３が塗布さ
れた状態の断面図である。この場合、段差部２がない平
坦な基板１上のレジスト３の膜厚をｔＲｌの厚さに塗布
した時、段差物２上のレジスト３の膜厚は、レジスト自
身の粘性と塗布時の回転数により膜厚ｔＲ２に決定され
る。この時ｔｌ””Ｒ２にすること、つまり凹凸部での
レジスト膜の膜厚差を皆無にすることは物理的に不可能
である。このようにｔ□１＼’Ｒ２の膜厚においてパタ
ーンを形成した場合の平面図を第１図すに示す。
これは、段差物パターン２に対して直角に交叉してレジ
ストパターン３を形成すると、レジストパターン３の膜
厚ｔＲ１の位置でパターン幅がｔｌと決定されると、膜
厚ｔＨ２の位置ではｔＲｌ〉ｔＲ２という関係があるた
め、パターン幅はｔ２とでかつｔｌ〉ｔ２となり段差部
における寸法変換差が発生してしまう。つまり、非常に
微細パターンになると良好な線幅制御が得られず、更に
段差物２のエツジ部２ａでは実質上、平坦部の膜厚ｔＲ
１より厚くなるため解像度が低下する。一般に解像度は
レジストの膜厚が薄くなればなるほど向上する。
ストパターン３を形成すると、レジストパターン３の膜
厚ｔＲ１の位置でパターン幅がｔｌと決定されると、膜
厚ｔＨ２の位置ではｔＲｌ〉ｔＲ２という関係があるた
め、パターン幅はｔ２とでかつｔｌ〉ｔ２となり段差部
における寸法変換差が発生してしまう。つまり、非常に
微細パターンになると良好な線幅制御が得られず、更に
段差物２のエツジ部２ａでは実質上、平坦部の膜厚ｔＲ
１より厚くなるため解像度が低下する。一般に解像度は
レジストの膜厚が薄くなればなるほど向上する。
これは放射線自身の波長によって微細間隙になると干渉
１回折現象のため入射するエネルギーが減衰してしまう
ためである。つまり段差物上のレジスト膜厚差を少なく
するために、ただ単にレジストを厚く塗布し見掛は上の
レジスト膜厚差を軽減しようとしても解像度が低下する
ためにパターン形成−ヒ好ましくない。
１回折現象のため入射するエネルギーが減衰してしまう
ためである。つまり段差物上のレジスト膜厚差を少なく
するために、ただ単にレジストを厚く塗布し見掛は上の
レジスト膜厚差を軽減しようとしても解像度が低下する
ためにパターン形成−ヒ好ましくない。
このような従来の単層レジストによる段差上での解像度
１寸法変換差の値を向上するために三層構造レジスト法
などが提案されている。この方法を第２図を用いて説明
する。基板１上に段差部２が形成され有機膜例えばフォ
トレジスト４が厚く塗布され（第２図ａ）、更に有機膜
４上に無機膜層例えばプラズマ酸化硅素膜など５を形成
後、最上層にレジスト６を薄く塗布する（第２図ｂ）。
１寸法変換差の値を向上するために三層構造レジスト法
などが提案されている。この方法を第２図を用いて説明
する。基板１上に段差部２が形成され有機膜例えばフォ
トレジスト４が厚く塗布され（第２図ａ）、更に有機膜
４上に無機膜層例えばプラズマ酸化硅素膜など５を形成
後、最上層にレジスト６を薄く塗布する（第２図ｂ）。
次にンジスト層６をパターニングしレジストパターン６
ａを得る（第２図Ｃ）。レジストパターン６ａを介して
ドライエツチング技術を用いて無機膜層パターン５ａを
得る（第２図ｄ）。
ａを得る（第２図Ｃ）。レジストパターン６ａを介して
ドライエツチング技術を用いて無機膜層パターン５ａを
得る（第２図ｄ）。
最後にレジストパターン６ａ、無
介して酸素系ガスプラズマにて有機膜パターン４ａを形
成する方法である。
成する方法である。
この三層構造レジストによるパターン形成では最上層の
レジスト６を薄く出来るため解像度が良く、しかも最下
層の有機膜層４を厚く塗布している／ζめ基板１上の段
差２の影響なくレジストパターン６ａが得られるため寸
法変換差が少ない。しかしドライエツチング技術上の終
点検出や、エツチング条件が多層にわたるために難しり
、シかも工程時間が長くかかり量産上，経済上好ましく
ない０ 発明の目的 そこで、従来のように単層レジストを、凹凸を有する実
際の集積回路上にパターン形成する際に障害となる、パ
ターン寸法変換差とそれに伴なう解像度の低下を防ぎ、
三層構造レジストによるパターン形成方法の経済性，量
産性上の欠点を克服するパターン形成方法を提供するこ
とを目的とする。
レジスト６を薄く出来るため解像度が良く、しかも最下
層の有機膜層４を厚く塗布している／ζめ基板１上の段
差２の影響なくレジストパターン６ａが得られるため寸
法変換差が少ない。しかしドライエツチング技術上の終
点検出や、エツチング条件が多層にわたるために難しり
、シかも工程時間が長くかかり量産上，経済上好ましく
ない０ 発明の目的 そこで、従来のように単層レジストを、凹凸を有する実
際の集積回路上にパターン形成する際に障害となる、パ
ターン寸法変換差とそれに伴なう解像度の低下を防ぎ、
三層構造レジストによるパターン形成方法の経済性，量
産性上の欠点を克服するパターン形成方法を提供するこ
とを目的とする。
発明の構成
本発明は、レジストの膜厚を厚く塗布しながらも、段差
部におけるパターン寸法変換差を少なくし、かつ解像度
の低下を防ぐために、レジストを２層に塗布することに
より厚く塗布しながらかつ最初に塗布したレジスト膜全
面に放射線感応させ熱処理を加えて、更に第２のレジス
ト膜を塗布する際に、第１のレジスト膜との溶解混合を
防ぐため第１のレジスト膜表面に第２のレジストを分離
し、再溶解を防止するための処理をハロゲン化合物溶液
を用いて施こし、最後に第１，第２のレジスト膜に同時
にパターンを形成しようとするパターン形成方法を提供
しようとするものである。
部におけるパターン寸法変換差を少なくし、かつ解像度
の低下を防ぐために、レジストを２層に塗布することに
より厚く塗布しながらかつ最初に塗布したレジスト膜全
面に放射線感応させ熱処理を加えて、更に第２のレジス
ト膜を塗布する際に、第１のレジスト膜との溶解混合を
防ぐため第１のレジスト膜表面に第２のレジストを分離
し、再溶解を防止するための処理をハロゲン化合物溶液
を用いて施こし、最後に第１，第２のレジスト膜に同時
にパターンを形成しようとするパターン形成方法を提供
しようとするものである。
本発明者らは、数々なる実験から前述の放射線反応した
レジスト膜表面に、溶液を用いて、第２のレジストと分
離が可能でかつ現像性を失なわさない変質層の形成を見
い出した。前述の変質層の形成として、本発明者らは、
特願昭６７−４１２７３号にてＣＦ４プラズマ照射にす
る方法を提案した。しかるに、この方法による変質層膜
は、基板内の均一性や、変質層形成時に現像性を失なわ
せない条件は、非常に不安定で時間的制御性に欠けてお
り、更にインラインプロセス処理には不向きであった。
レジスト膜表面に、溶液を用いて、第２のレジストと分
離が可能でかつ現像性を失なわさない変質層の形成を見
い出した。前述の変質層の形成として、本発明者らは、
特願昭６７−４１２７３号にてＣＦ４プラズマ照射にす
る方法を提案した。しかるに、この方法による変質層膜
は、基板内の均一性や、変質層形成時に現像性を失なわ
せない条件は、非常に不安定で時間的制御性に欠けてお
り、更にインラインプロセス処理には不向きであった。
そこで我々は、再現性良く、かつインラインプロセスつ
まシ、レジスト塗布装置内で処理できる変質層の形成と
して、ハロゲン化合物例えばＣＦ ＣＣｔ Ｆ−ＣＣ
１Ｆ２．ＣＣｔ３Ｆ。
まシ、レジスト塗布装置内で処理できる変質層の形成と
して、ハロゲン化合物例えばＣＦ ＣＣｔ Ｆ−ＣＣ
１Ｆ２．ＣＣｔ３Ｆ。
４１ ２
ＣＣ１４，ＳＦ６溶液などをスピンオン処理することに
よって変質層が形成されることを見い出した。
よって変質層が形成されることを見い出した。
これはハロゲン化合物溶液をスピンオン処理することで
レジスト表面からハロゲン化合物中の特にフッ素等の元
素が膜中に拡散されるために、フッ素等による変質層が
形成されると考えられる。
レジスト表面からハロゲン化合物中の特にフッ素等の元
素が膜中に拡散されるために、フッ素等による変質層が
形成されると考えられる。
実施例の説明
本発明の実施例を第３図を用いて詳細に説明する。実施
例としてポジ形レジストの特にポジ形紫外線レジスト（
以後、ポジＵＶレジスト）を例にとって説明する。半導
体基板等の基板１上にポジＵＶレジストアを配線等の段
差物２の膜厚より厚く塗布し表面を平坦にし、ソフトベ
ーキングを施こす（第３図ａ）。次にポジＵＶレジスト
７にＵＶ光１０を全面照射することによって感光したポ
ジＵＶレジスト７ａにするＣ第３図ｂ）。そして更に感
光したポジＵＶレジス）７ａに感光反応が低下しない程
度の熱処理を行ない、更にタロゲン化合物溶液たとえば
Ｃ１’４． ＣＣｔ２Ｆ ＊ＣＣｌＦ２゜ＣＣｔ４又は
ＳＦ６液をポジＵＶレジスト層７ａ上にスピン・オンあ
るいはディップ法において処理してポジＵＶレジスト変
質層７ｂを形成する（第３図Ｃ）。
例としてポジ形レジストの特にポジ形紫外線レジスト（
以後、ポジＵＶレジスト）を例にとって説明する。半導
体基板等の基板１上にポジＵＶレジストアを配線等の段
差物２の膜厚より厚く塗布し表面を平坦にし、ソフトベ
ーキングを施こす（第３図ａ）。次にポジＵＶレジスト
７にＵＶ光１０を全面照射することによって感光したポ
ジＵＶレジスト７ａにするＣ第３図ｂ）。そして更に感
光したポジＵＶレジス）７ａに感光反応が低下しない程
度の熱処理を行ない、更にタロゲン化合物溶液たとえば
Ｃ１’４． ＣＣｔ２Ｆ ＊ＣＣｌＦ２゜ＣＣｔ４又は
ＳＦ６液をポジＵＶレジスト層７ａ上にスピン・オンあ
るいはディップ法において処理してポジＵＶレジスト変
質層７ｂを形成する（第３図Ｃ）。
次に第１層目のポジＵＶレジスト７と同タイプの第２の
ポジＵＶレジスト８を第１のポジＵＶレジストの変質層
７−ｂ上に塗布しベーキングを施こす。この際、変質層
７ｂが形成されているため、第１．第２のポジＵＶレジ
スト７．８における第２のポジＵＶレジスト８の塗布時
の溶解がなく分離した形で積層形成が可能である（第３
図ｄ）。
ポジＵＶレジスト８を第１のポジＵＶレジストの変質層
７−ｂ上に塗布しベーキングを施こす。この際、変質層
７ｂが形成されているため、第１．第２のポジＵＶレジ
スト７．８における第２のポジＵＶレジスト８の塗布時
の溶解がなく分離した形で積層形成が可能である（第３
図ｄ）。
次にパターンを有したマスク９によシ光しゃへい第３図
ｈ）。そして紫外線照射部以外の第２のポジＵＶレジス
ト８ａ、第１のポジＵＶレジスト７ｃ、７ｄを残して現
像除去する（第３図ｆ）。
ｈ）。そして紫外線照射部以外の第２のポジＵＶレジス
ト８ａ、第１のポジＵＶレジスト７ｃ、７ｄを残して現
像除去する（第３図ｆ）。
これら一連の工程をえて、レジスト厚を厚く塗布しなが
らも微細パターンを、かつ段差部における寸法変換差を
少なくすることができる。
らも微細パターンを、かつ段差部における寸法変換差を
少なくすることができる。
このことをもっと詳細に説明する。第４図に単層レジス
ト（ポジ形）の照射特性ａ１本発明にかカルパターン形
成方法によるレジストの照射特性すを示した。第４図ａ
は、従来例によＺポジＵＶレジストのみの照射特性で第
１図ａや第３図ａに示すｔＲｌあるいはｔｌ を厚くし
ていくと完全に現像しうる露光エネルギＥＴは大きくな
る。次に第４図すは、本発明にかかるパターン形成方法
による２層ポジＵＶレジストの照射特性で第１層、第２
層膜厚（ｔ １＋ ｔ ２ ） （第３図参照〕を厚
くしても完全に現像しうる露光エネルギーはほとんど変
化量がない。つまり、第１層目のポジＵＶレジストが感
光しているため、選択性が高く、感度の低下がないこと
を証明している。このことはレジスト厚の変動に露光エ
ネルギーが依存しないので段差部におけるレジスト厚の
変動にもかかわらず、パターン幅変動率が少ないという
ことである。本発明の実施例〔第３図参照〕と第４図の
照射特性の結果、段差物パターン２上にパターニングし
たパターン３は、従来法によると第５図の点線のごとく
なるが、本発明によるパターン形成方法を用いると第５
図の実線のごとく寸法変化が少なくなった。
ト（ポジ形）の照射特性ａ１本発明にかカルパターン形
成方法によるレジストの照射特性すを示した。第４図ａ
は、従来例によＺポジＵＶレジストのみの照射特性で第
１図ａや第３図ａに示すｔＲｌあるいはｔｌ を厚くし
ていくと完全に現像しうる露光エネルギＥＴは大きくな
る。次に第４図すは、本発明にかかるパターン形成方法
による２層ポジＵＶレジストの照射特性で第１層、第２
層膜厚（ｔ １＋ ｔ ２ ） （第３図参照〕を厚
くしても完全に現像しうる露光エネルギーはほとんど変
化量がない。つまり、第１層目のポジＵＶレジストが感
光しているため、選択性が高く、感度の低下がないこと
を証明している。このことはレジスト厚の変動に露光エ
ネルギーが依存しないので段差部におけるレジスト厚の
変動にもかかわらず、パターン幅変動率が少ないという
ことである。本発明の実施例〔第３図参照〕と第４図の
照射特性の結果、段差物パターン２上にパターニングし
たパターン３は、従来法によると第５図の点線のごとく
なるが、本発明によるパターン形成方法を用いると第５
図の実線のごとく寸法変化が少なくなった。
実施例において、第１．第２のレジストの膜厚条件は、
下地である基板の凹凸の段差量によって定めるべきであ
る。そしてレジストの種別に関しても、Ｘ線、電子ビー
ム、イオンビーム゛、紫外線。
下地である基板の凹凸の段差量によって定めるべきであ
る。そしてレジストの種別に関しても、Ｘ線、電子ビー
ム、イオンビーム゛、紫外線。
遠紫外線のいずれに関しても本発明を適用できることは
明確である。さらに、第１．第２のレジストとして放射
線反応機構は異なるが、同一現像液で現像可能なもので
あると好都合である。また実施例において、第３図すの
工程とＣの工程が前後逆になっても本発明は可能である
ことはいうまでもない。
明確である。さらに、第１．第２のレジストとして放射
線反応機構は異なるが、同一現像液で現像可能なもので
あると好都合である。また実施例において、第３図すの
工程とＣの工程が前後逆になっても本発明は可能である
ことはいうまでもない。
さらに本発明の変質層形成にもとすく具体例を第６図を
もって詳細に説明する。第６図は、横軸に第１のレジス
ト膜厚ｔＲ１，ここではＡＺｌ ４７０（シップレイ社
）で、縦軸には第２のレジスト同じくＡＺ１４７ｏ （
シップレイ社）を塗布した総合膜厚ｔＲ（”ｔｌ（１＋
ｔＲ２を示した。実線は単層レジストの塗布特性２点線
はさらに第２のレジスト１．０μｍ塗布した場合であり
、一点鎖線はｔＲｌを１．５μｍ 、二点鎖線は’Ｒ１
を２．０μｍ厚とした時の理論値、各プロット点は実験
値である。なお変質層形成には、ＣＣ４２Ｆ−ＣＣｔＦ
２溶媒を１００秒間スピンオン処理した。第６図から理
論値に各プロット点がのっておりこれは第１．第２のレ
ジストの溶解がないことを示している。例えば、前述の
ハロゲン化合物溶液処理による変質層形成がない場合、
ｔＲｌを１．０７１ Ｉｎ 、 ｔ Ｒ２を１．０μｍ
とした時の総合膜厚ｔＲｏは、１．２μｍ程度に薄く
なり第１゜第２のレジストの分離はされず膜厚の均一性
は３Ｑ係と悪くなる。本発明では、同様の膜厚条件（ｔ
Ｒ１； １．Ｏｐｒｎ 、 ｔｌ２ ｉ １．０１１
ｍ ）では、総合膜厚ｔＲＯが２．０μｍと２層膜厚を
合わせた厚さとなり、かつ膜厚の均一性は５チ以内と、
第１．第２のレジストの溶解がなかった。
もって詳細に説明する。第６図は、横軸に第１のレジス
ト膜厚ｔＲ１，ここではＡＺｌ ４７０（シップレイ社
）で、縦軸には第２のレジスト同じくＡＺ１４７ｏ （
シップレイ社）を塗布した総合膜厚ｔＲ（”ｔｌ（１＋
ｔＲ２を示した。実線は単層レジストの塗布特性２点線
はさらに第２のレジスト１．０μｍ塗布した場合であり
、一点鎖線はｔＲｌを１．５μｍ 、二点鎖線は’Ｒ１
を２．０μｍ厚とした時の理論値、各プロット点は実験
値である。なお変質層形成には、ＣＣ４２Ｆ−ＣＣｔＦ
２溶媒を１００秒間スピンオン処理した。第６図から理
論値に各プロット点がのっておりこれは第１．第２のレ
ジストの溶解がないことを示している。例えば、前述の
ハロゲン化合物溶液処理による変質層形成がない場合、
ｔＲｌを１．０７１ Ｉｎ 、 ｔ Ｒ２を１．０μｍ
とした時の総合膜厚ｔＲｏは、１．２μｍ程度に薄く
なり第１゜第２のレジストの分離はされず膜厚の均一性
は３Ｑ係と悪くなる。本発明では、同様の膜厚条件（ｔ
Ｒ１； １．Ｏｐｒｎ 、 ｔｌ２ ｉ １．０１１
ｍ ）では、総合膜厚ｔＲＯが２．０μｍと２層膜厚を
合わせた厚さとなり、かつ膜厚の均一性は５チ以内と、
第１．第２のレジストの溶解がなかった。
発明の効果
以上のように本発明によると、レジストを厚く塗布する
ことで、段差部の凹凸を軽減することができ、かつその
上で段差部におけるパターン幅変動率を減少させ、解像
度、感度の低下がない。またレジスト膜厚が厚いため耐
ドライエツチング特性が良好となる。またプラズマ処理
がないためにインラインでパターン形成が可能なため量
産性。
ことで、段差部の凹凸を軽減することができ、かつその
上で段差部におけるパターン幅変動率を減少させ、解像
度、感度の低下がない。またレジスト膜厚が厚いため耐
ドライエツチング特性が良好となる。またプラズマ処理
がないためにインラインでパターン形成が可能なため量
産性。
経済性にも優れた方法である。つまシ本発明は今後の微
細化−＼の半導体集積回路の製造に重要な価値を発揮す
るものである。
細化−＼の半導体集積回路の製造に重要な価値を発揮す
るものである。
第１図ａは従来の単層レジスト法による段差部ヘパター
ニングした断面図、同すは同ａの平面図、第２図ａ −
ｅは従来の三層構造レジスト法の工程断面図、第３図ａ
−ｆは本発明の一実施例にかかるパターン形成方法の
工程図、第４図ａ、ｂは従来例と本発明による照射特性
図、第５図は本発明の実施例にかかるパターン平面図、
第６図はレジスト塗布時の膜厚を示す特性図である０１
・・・・・・基板、２・・・・・・段差物、７・・・・
・・ポジレジスト、７ａ・・・・・・感光レジスト、７
ｂ・・・・・・変質層、８・・・・・・ポジレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏男ほか１名第１図 第２図 第２図 ム 第３図 第３図 第４図 り丁 露光エネ７レギ一 第５図
ニングした断面図、同すは同ａの平面図、第２図ａ −
ｅは従来の三層構造レジスト法の工程断面図、第３図ａ
−ｆは本発明の一実施例にかかるパターン形成方法の
工程図、第４図ａ、ｂは従来例と本発明による照射特性
図、第５図は本発明の実施例にかかるパターン平面図、
第６図はレジスト塗布時の膜厚を示す特性図である０１
・・・・・・基板、２・・・・・・段差物、７・・・・
・・ポジレジスト、７ａ・・・・・・感光レジスト、７
ｂ・・・・・・変質層、８・・・・・・ポジレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏男ほか１名第１図 第２図 第２図 ム 第３図 第３図 第４図 り丁 露光エネ７レギ一 第５図
Claims (3)
- （１）基板上に第１の放射線感応性樹脂を塗布する工程
と、放射線照射を行ない、前記第１の放射線感応性樹脂
膜を放射線反応させる工程と、前記放射線反応した前記
第１の放射線感応性樹脂にハロゲン化合物溶液にて表面
処理をして変質層を形成する工程と、前記表面処理を施
こした第１の放射線感応性樹脂上に、第２の放射線感応
性樹脂を塗布し、選択的に放射線照射を行なう工程と、
現像処理により前記第１．第２の放射線感応性樹脂膜を
選択的に除去して放射線感応性樹脂パターンを形成する
工程とを含むパターン形成方法。 - （２）第１及び第２の放射線感応性樹脂を、同一放射線
反応機構を有するものを用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載のパターン形成方法。 - （３）第１および第２の放射性感応樹脂が、放射線反応
機構は異なるが同一現像液で現像可能な放射性感応樹脂
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19411182A JPS5984427A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19411182A JPS5984427A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984427A true JPS5984427A (ja) | 1984-05-16 |
| JPH03765B2 JPH03765B2 (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=16319099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19411182A Granted JPS5984427A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984427A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266630A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| GB2442030A (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-26 | Innos Ltd | Resist exposure and patterning process |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP19411182A patent/JPS5984427A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6266630A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| GB2442030A (en) * | 2006-09-19 | 2008-03-26 | Innos Ltd | Resist exposure and patterning process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03765B2 (ja) | 1991-01-08 |
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