JPH035653B2 - - Google Patents
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- JPH035653B2 JPH035653B2 JP57041273A JP4127382A JPH035653B2 JP H035653 B2 JPH035653 B2 JP H035653B2 JP 57041273 A JP57041273 A JP 57041273A JP 4127382 A JP4127382 A JP 4127382A JP H035653 B2 JPH035653 B2 JP H035653B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターン形成方法とくに放射線感応性
樹脂を用いたパターン形成方法に関する。
樹脂を用いたパターン形成方法に関する。
集積回路の高集積化、高密度化は従来のリソグ
ラフイ技術の進歩により増大してきた。その最小
線幅も程1μｍ前後となつてきており、この加工
線幅を達成するには、高開口レンズを有した縮少
投影法により紫外線露光する方法、基板上に直接
描画する電子ビーム露光法、Ｘ線を用いたプロキ
シミテイ露光法があげられる。しかし、いずれの
方法もスループツトを犠牲にすることなく良好な
線幅制御と高解像度及び良好な段差部のカバレジ
を同時に得ることは困難である。特に実際の集積
回路上においては必然的に凹凸が発生し、放射線
感応性樹脂を塗布した後では、凹凸部における放
射線感応性樹脂膜の膜厚差が発生し、良好な線幅
制御が不可能となる。
ラフイ技術の進歩により増大してきた。その最小
線幅も程1μｍ前後となつてきており、この加工
線幅を達成するには、高開口レンズを有した縮少
投影法により紫外線露光する方法、基板上に直接
描画する電子ビーム露光法、Ｘ線を用いたプロキ
シミテイ露光法があげられる。しかし、いずれの
方法もスループツトを犠牲にすることなく良好な
線幅制御と高解像度及び良好な段差部のカバレジ
を同時に得ることは困難である。特に実際の集積
回路上においては必然的に凹凸が発生し、放射線
感応性樹脂を塗布した後では、凹凸部における放
射線感応性樹脂膜の膜厚差が発生し、良好な線幅
制御が不可能となる。
これについて第１図を用いて説明する。第１図
は従来法により、単層放射線感応性樹脂膜を段差
部へ塗布し、その段差部に対して交叉してパター
ンニングを行なつた状態を示したものである。第
１図ａは基板１上に段差物２が形成されておりそ
の上に放射線感応性樹脂３が塗布された状態の断
面図である。この場合、段差物２がない平坦な基
板１上の放射線感応性樹脂３の膜厚をtR1に塗布
した時、段差物２上の放射線感応性樹脂３の膜厚
は、放射線感応性樹脂自身の粘性と塗布時の回転
数により膜厚はtR2に決定される。この時tR1＝tR2
にすること、つまり凹凸部での放射線感応性樹脂
膜の膜厚差を階無にすることは物理的に不可能で
ある。このようにtR1≠tR2の膜厚においてパター
ンを形成した場合の平面を第１図ｂに示す。これ
は、段差物パターン２に対して直角に交叉して放
射線感応性樹脂パターン３を形成するとパターン
３の膜厚tR1位置ではパターン幅がl1と決定される
と、膜厚tR2位置ではtR1＞tR2という関係があるた
めパターン幅は、l2とl1＞l2となり段差部におけ
るパターン寸法変換差が発生してしまう。つま
り、非常に微細パターンになると良好な線幅制御
が得られず、更に段差物２のエツジ部２ａでは実
質上、平坦部の膜厚tR1より厚くなるため、解像
度が低下する。
は従来法により、単層放射線感応性樹脂膜を段差
部へ塗布し、その段差部に対して交叉してパター
ンニングを行なつた状態を示したものである。第
１図ａは基板１上に段差物２が形成されておりそ
の上に放射線感応性樹脂３が塗布された状態の断
面図である。この場合、段差物２がない平坦な基
板１上の放射線感応性樹脂３の膜厚をtR1に塗布
した時、段差物２上の放射線感応性樹脂３の膜厚
は、放射線感応性樹脂自身の粘性と塗布時の回転
数により膜厚はtR2に決定される。この時tR1＝tR2
にすること、つまり凹凸部での放射線感応性樹脂
膜の膜厚差を階無にすることは物理的に不可能で
ある。このようにtR1≠tR2の膜厚においてパター
ンを形成した場合の平面を第１図ｂに示す。これ
は、段差物パターン２に対して直角に交叉して放
射線感応性樹脂パターン３を形成するとパターン
３の膜厚tR1位置ではパターン幅がl1と決定される
と、膜厚tR2位置ではtR1＞tR2という関係があるた
めパターン幅は、l2とl1＞l2となり段差部におけ
るパターン寸法変換差が発生してしまう。つま
り、非常に微細パターンになると良好な線幅制御
が得られず、更に段差物２のエツジ部２ａでは実
質上、平坦部の膜厚tR1より厚くなるため、解像
度が低下する。
一般に解像度は、放射線感応性樹脂の膜厚が薄
くなればなるほど向上する。これは放射線自身の
波長によつて微細間隙になると干渉、回折現像の
ため入射するエネルギーは減衰してしまうためで
ある。
くなればなるほど向上する。これは放射線自身の
波長によつて微細間隙になると干渉、回折現像の
ため入射するエネルギーは減衰してしまうためで
ある。
第２図は段差物２を有する基板１上に放射線感
応性樹脂３を塗布した断面図である。この場合、
第１図ａの放射線感応性樹脂膜厚のtR1より厚く
塗布した状態を示す。tR1に厚く塗布した場合で
は、図示される放射線感応性樹脂３上の表面は平
坦となる。やはりこの場合も良好な凹凸部でのカ
バレジを得ることは出来ないが、段差物２の膜厚
tSより基板１の平坦上の放射線感応性樹脂３の膜
厚tR1′をたとえば倍以上に厚く塗布した場合は、
tR1′と段差物２上の放射線感応性樹脂３の膜厚
tR2′は、ほぼtR1′＝tR2′となり段差物２の膜厚tSに
影響されなくなる。
応性樹脂３を塗布した断面図である。この場合、
第１図ａの放射線感応性樹脂膜厚のtR1より厚く
塗布した状態を示す。tR1に厚く塗布した場合で
は、図示される放射線感応性樹脂３上の表面は平
坦となる。やはりこの場合も良好な凹凸部でのカ
バレジを得ることは出来ないが、段差物２の膜厚
tSより基板１の平坦上の放射線感応性樹脂３の膜
厚tR1′をたとえば倍以上に厚く塗布した場合は、
tR1′と段差物２上の放射線感応性樹脂３の膜厚
tR2′は、ほぼtR1′＝tR2′となり段差物２の膜厚tSに
影響されなくなる。
しかし、前述したように放射線感応性樹脂は膜
厚が厚くなると逆に解像度が低下するため、ただ
単に放射線感応性樹脂を厚く塗布し段差を軽減し
ようとするのはパターン形成上好ましくない。同
時にこれを実証するため第３図に放射線感応性樹
脂膜厚tRを変化させた場合の放射線感応性樹脂ラ
イン幅ｌと現像時間td特性を示した。この特性曲
線は単一波長で縮小屈折光学系を介して、ジアジ
ド系紫外線感光性樹脂に紫外線照射し、その照射
エネルギーを一定とし現像時間のみを可変とした
ときのライン幅変動の理論曲線（シユミレーシヨ
ン結果）である。つまりライン幅ｌにおいてｌが
Ｌになるための現像時間tdは放射線感応性樹膜厚
tRが厚くなればなる程大きくなる。つまりtRが厚
くなると放射線の照射エネルギー量を増すことに
より、tRが薄い場合と同等なライン幅ｌが得られ
る訳であるため、第１図ａ，ｂ第２図に示すよう
に段差がある上に放射線感応性樹脂膜を塗布した
場合には前述のようにパターン幅変動が発生する
ことになる。
厚が厚くなると逆に解像度が低下するため、ただ
単に放射線感応性樹脂を厚く塗布し段差を軽減し
ようとするのはパターン形成上好ましくない。同
時にこれを実証するため第３図に放射線感応性樹
脂膜厚tRを変化させた場合の放射線感応性樹脂ラ
イン幅ｌと現像時間td特性を示した。この特性曲
線は単一波長で縮小屈折光学系を介して、ジアジ
ド系紫外線感光性樹脂に紫外線照射し、その照射
エネルギーを一定とし現像時間のみを可変とした
ときのライン幅変動の理論曲線（シユミレーシヨ
ン結果）である。つまりライン幅ｌにおいてｌが
Ｌになるための現像時間tdは放射線感応性樹膜厚
tRが厚くなればなる程大きくなる。つまりtRが厚
くなると放射線の照射エネルギー量を増すことに
より、tRが薄い場合と同等なライン幅ｌが得られ
る訳であるため、第１図ａ，ｂ第２図に示すよう
に段差がある上に放射線感応性樹脂膜を塗布した
場合には前述のようにパターン幅変動が発生する
ことになる。
そこで、従来のように単層で放射線感応性樹脂
を凹凸を有する実際の集積回路上にパターン形成
する際に障害となる、パターン寸法変換差とそれ
に伴なう解像度の低下を防ぐため、本発明者らは
放射線感応性樹脂の膜厚を厚く塗布しながらも、
段差部におけるパターン寸法変換差を少なくしか
つ解像度の低下を防ぐために、放射線感応性樹脂
を２層に塗布することにより、厚く塗布しながら
かつ最初に塗布した放射線感応性樹脂膜全面に放
射性感応させ、更に第２の放射線感応性樹脂膜を
塗布する際に、第１の放射線感応性樹脂膜との溶
解混合を防ぐため第１の放射線感応性樹脂膜表面
に第２の放射線感応性樹脂を分離するための処理
を施こし、最後に第１、第２の放射線感応性樹脂
膜を同時にパターンを形成しようとするパターン
形成方法を提供しようとするものである。
を凹凸を有する実際の集積回路上にパターン形成
する際に障害となる、パターン寸法変換差とそれ
に伴なう解像度の低下を防ぐため、本発明者らは
放射線感応性樹脂の膜厚を厚く塗布しながらも、
段差部におけるパターン寸法変換差を少なくしか
つ解像度の低下を防ぐために、放射線感応性樹脂
を２層に塗布することにより、厚く塗布しながら
かつ最初に塗布した放射線感応性樹脂膜全面に放
射性感応させ、更に第２の放射線感応性樹脂膜を
塗布する際に、第１の放射線感応性樹脂膜との溶
解混合を防ぐため第１の放射線感応性樹脂膜表面
に第２の放射線感応性樹脂を分離するための処理
を施こし、最後に第１、第２の放射線感応性樹脂
膜を同時にパターンを形成しようとするパターン
形成方法を提供しようとするものである。
本発明の実施例を第４図を用いて詳細に説明す
る。まず第１の実施例をポジ型放射線感応性樹脂
の特にポジ型紫外線感光性樹脂を例にとつて説明
する。基板４上にポジ型紫外線感光性樹脂（以
後、ポジUVフオトレジスト）５を塗布し、ソフ
トベーキングを施こす（第４図ａ）。次にポジ
UVフオトレジスト５にUV光６を全面に照射す
ることによつて感光したポジUVフオトレジスト
５ａにする（第４図ｂ）。そして感光したポジ
UVフオトレジスト５ａの表面にフツ素系ガスプ
ラズマ７によつてポジUVフオトレジスト５ａ表
面に応光反応に変化が生じない程度に変質層５ｂ
を施こす（第４図ｃ）。
る。まず第１の実施例をポジ型放射線感応性樹脂
の特にポジ型紫外線感光性樹脂を例にとつて説明
する。基板４上にポジ型紫外線感光性樹脂（以
後、ポジUVフオトレジスト）５を塗布し、ソフ
トベーキングを施こす（第４図ａ）。次にポジ
UVフオトレジスト５にUV光６を全面に照射す
ることによつて感光したポジUVフオトレジスト
５ａにする（第４図ｂ）。そして感光したポジ
UVフオトレジスト５ａの表面にフツ素系ガスプ
ラズマ７によつてポジUVフオトレジスト５ａ表
面に応光反応に変化が生じない程度に変質層５ｂ
を施こす（第４図ｃ）。
次に第１層目のポジUVフオトレジスト５と同
タイプの第２のポジUVフオトレジスト８を第１
のポジUVフオトレジストの変質層５ｂ上に塗布
しベーキングを施こす。この際、変質層５ｂが形
成されているため、第１、第２のポジUVフオト
レジスト５，８における第２のポジUVフオトレ
ジスト８塗布時の溶解がなく完全に分離した形で
積層形成が可能である（第４図ｄ）。
タイプの第２のポジUVフオトレジスト８を第１
のポジUVフオトレジストの変質層５ｂ上に塗布
しベーキングを施こす。この際、変質層５ｂが形
成されているため、第１、第２のポジUVフオト
レジスト５，８における第２のポジUVフオトレ
ジスト８塗布時の溶解がなく完全に分離した形で
積層形成が可能である（第４図ｄ）。
次にパターンを有したマスク９によりクロム部
１０以外に紫外線１１を用いて選択的に第２のポ
ジUVフオトレジスト８ａ、第１のポジUVフオ
トレジスト５ａ，５ｂ同時に照射する（第４図
ｅ）。そして紫外線非照射部８ｂを除去し、紫外
線照射部８ａ，５ｂ，５ａを現像除去する（第４
図ｆ）。これら一連の工程をえて、レジスト厚く
塗布しながらも微細パターンをかつ段差部におけ
る寸法変換差を少なくすることができる。
１０以外に紫外線１１を用いて選択的に第２のポ
ジUVフオトレジスト８ａ、第１のポジUVフオ
トレジスト５ａ，５ｂ同時に照射する（第４図
ｅ）。そして紫外線非照射部８ｂを除去し、紫外
線照射部８ａ，５ｂ，５ａを現像除去する（第４
図ｆ）。これら一連の工程をえて、レジスト厚く
塗布しながらも微細パターンをかつ段差部におけ
る寸法変換差を少なくすることができる。
このことをもつと詳細に説明する。第５図に単
層放射線感応性樹脂（ポジ形）の照射特性（同図
ａ）、本発明にかかるパターン形成方法による２
層放射線感応性樹脂の照射特性（同図ｂ）を示し
た。
層放射線感応性樹脂（ポジ形）の照射特性（同図
ａ）、本発明にかかるパターン形成方法による２
層放射線感応性樹脂の照射特性（同図ｂ）を示し
た。
第５図ａは、第１の実施例で説明した第１層目
のポジUVフオトレジストのみの照射特性で第４
図ａに示す膜厚t1を厚くしていくと、完全に現像
しうる露光エネルギーETは大きくなる。つまり t1∝kET ｋ〔定数〕 …(1)式 の関係があることがわかる。
のポジUVフオトレジストのみの照射特性で第４
図ａに示す膜厚t1を厚くしていくと、完全に現像
しうる露光エネルギーETは大きくなる。つまり t1∝kET ｋ〔定数〕 …(1)式 の関係があることがわかる。
次に第５図ｂは、本発明にかかるパターン形成
方法による２層ポジUVフオトレジストの照射特
性で第１層、第２層膜厚（t1＋t2）〔第４図参照〕
を厚くしても完全に現像しうる露光エネルギー
は、ほとんど変化量がない。つまり、第１層目の
ポジUVフオトレジストが感光しているため、選
択性が高く、感度の低下がないことを証明してい
る。このことは、レジスト厚の変動に露光（照
射）エネルギーが依存しない。つまり段差部にお
けるレジスト厚の変動にもかかわらず、パターン
幅変動率が少ないということである。
方法による２層ポジUVフオトレジストの照射特
性で第１層、第２層膜厚（t1＋t2）〔第４図参照〕
を厚くしても完全に現像しうる露光エネルギー
は、ほとんど変化量がない。つまり、第１層目の
ポジUVフオトレジストが感光しているため、選
択性が高く、感度の低下がないことを証明してい
る。このことは、レジスト厚の変動に露光（照
射）エネルギーが依存しない。つまり段差部にお
けるレジスト厚の変動にもかかわらず、パターン
幅変動率が少ないということである。
第１の実施例（第４図参照）と第５図の照射特
性の結果、段差物パターン２上にパターニングし
たパターン３は、従来法による単層レジスト法に
よると寸法変換率は第６図の斜線のごとくなる
が、本発明によるパターン形成法を用いると第６
図の実線のごとく寸法変換率が少なく、本発明者
らの実験によると2/3以下に減少することが可能
であつた。例えば、従来法で、段差tR20.6μｍで、
レジスト厚tR1を1.8μｍであると寸法変換比（l2／
l1×100 …(2)式） は50％、本発明の第１の実施例においてはレジス
ト厚（t1＋t2）を2.0μｍで、同様に0.6μｍの段差
基板上での寸法変換比は、80％と良好であつた。
性の結果、段差物パターン２上にパターニングし
たパターン３は、従来法による単層レジスト法に
よると寸法変換率は第６図の斜線のごとくなる
が、本発明によるパターン形成法を用いると第６
図の実線のごとく寸法変換率が少なく、本発明者
らの実験によると2/3以下に減少することが可能
であつた。例えば、従来法で、段差tR20.6μｍで、
レジスト厚tR1を1.8μｍであると寸法変換比（l2／
l1×100 …(2)式） は50％、本発明の第１の実施例においてはレジス
ト厚（t1＋t2）を2.0μｍで、同様に0.6μｍの段差
基板上での寸法変換比は、80％と良好であつた。
次に第２の実施例について第７図を用いて説明
する。第１の実施例において第１の放射線感応性
樹脂表面処理工程（第４図ｃ）を、赤外線熱源１
２を第１の放射線感応性樹脂５ａの表面５ｃに照
射することにより行い、熱変質層５ｃを形成する
工程をもつものである（第７図ａ）。この時第１
の放射線感応性樹脂５の表面熱変質層５ｃは、第
１の実施例と同様に、第２の放射線感応性樹脂を
完全に積層形成が可能となる。
する。第１の実施例において第１の放射線感応性
樹脂表面処理工程（第４図ｃ）を、赤外線熱源１
２を第１の放射線感応性樹脂５ａの表面５ｃに照
射することにより行い、熱変質層５ｃを形成する
工程をもつものである（第７図ａ）。この時第１
の放射線感応性樹脂５の表面熱変質層５ｃは、第
１の実施例と同様に、第２の放射線感応性樹脂を
完全に積層形成が可能となる。
次に第３の実施例として、第２の実施例におけ
る赤外線熱源１２の代わりに高出力紫外線源を照
射することにより、熱変質層５ｃを形成してもよ
い。
る赤外線熱源１２の代わりに高出力紫外線源を照
射することにより、熱変質層５ｃを形成してもよ
い。
次に第４の実施例について第７図を用いて説明
する。すなわち、第１の実施例において第１の放
射線感応性樹脂に全面放射線照射工程（第４図
ｂ）、または表面処理工程（第４図ｃ）を、同時
に行なおうとするものである。これは、第４図に
おいて、第１の放射線感応性樹脂塗布後（第４図
ａ）、フツ素系プラズマ照射と放射線照射機能を
有した装置により、放射線感応反応層５ａと表面
変質層５ｄを、フツ素系プラズマと放射線１３に
より形成するものである（第７図ｂ）。
する。すなわち、第１の実施例において第１の放
射線感応性樹脂に全面放射線照射工程（第４図
ｂ）、または表面処理工程（第４図ｃ）を、同時
に行なおうとするものである。これは、第４図に
おいて、第１の放射線感応性樹脂塗布後（第４図
ａ）、フツ素系プラズマ照射と放射線照射機能を
有した装置により、放射線感応反応層５ａと表面
変質層５ｄを、フツ素系プラズマと放射線１３に
より形成するものである（第７図ｂ）。
次に第５の実施例について説明する。第４図に
おいて、第１の放射線感応性樹脂５をあらかじめ
放射線感応したものを塗布することにより、放射
線照射する工程（第４図ｂ）を省略するものであ
る。
おいて、第１の放射線感応性樹脂５をあらかじめ
放射線感応したものを塗布することにより、放射
線照射する工程（第４図ｂ）を省略するものであ
る。
次に第１の実施例にもとづく具体例を第４図を
用いて説明する。
用いて説明する。
第１のポジ形UVフオトレジスト（キノンジア
ジド系）５を膜厚1.0μｍt1に塗布し、90℃５分間
のソフトベーキングを施こす（第４図ａ）。次に、
Hgランプより発生させた紫外線領域（3000〜
5000Å）の紫外線６を200ｍＪ／cm2の露光エネル
ギーで照射することにより完全に光分解反応を施
こす（第４図ｂ）。そしてCF4ガスによりプラズ
マを発生させ、フツ素ラジカル７によつて全面露
光された第１のポジ形UVフオトレジスト５ａの
表面に変質層５ｂを数十〜数百Å形成する（第４
図ｄ）。
ジド系）５を膜厚1.0μｍt1に塗布し、90℃５分間
のソフトベーキングを施こす（第４図ａ）。次に、
Hgランプより発生させた紫外線領域（3000〜
5000Å）の紫外線６を200ｍＪ／cm2の露光エネル
ギーで照射することにより完全に光分解反応を施
こす（第４図ｂ）。そしてCF4ガスによりプラズ
マを発生させ、フツ素ラジカル７によつて全面露
光された第１のポジ形UVフオトレジスト５ａの
表面に変質層５ｂを数十〜数百Å形成する（第４
図ｄ）。
次に、第１のポジ形UVフオトレジストと同タ
イプである第２のポジ形フオトレジスト８を、第
１のポジ形UVフオトレジストの変質層５ｂ上に
1.0μｍ厚（t2）に塗布する。この時の総合膜厚は
ほぼ2.0μｍ（t1＋t2）になる（第４図ｄ）。
イプである第２のポジ形フオトレジスト８を、第
１のポジ形UVフオトレジストの変質層５ｂ上に
1.0μｍ厚（t2）に塗布する。この時の総合膜厚は
ほぼ2.0μｍ（t1＋t2）になる（第４図ｄ）。
次に、微細パターン１０を有したレチクル９を
介して縮小投影露光法を用いて、更に4365Åの単
一波長１１により100ｍＪ／cm2で第２、第１のポ
ジ形UVフオトレジスト８ａ，５ｂ，５ａに照射
する（第４図ｅ）。最後に、アルカリ性現像液に
より光感光したポジ形フオトレジスト（８ａ，５
ｂ，５ａの一部を）を除去し、膜厚の厚いかつ微
細パターン（８ａ，５ｂ，５ａの一部）を得るも
のである。これによると第１のポジ形UVフオト
レジスト５ａが紫外線領の全波長により照射され
るために、パターン８ｂ，５ｂ，５ａ部のボトム
部５ａでの定在波の影響が出ないことになる。
介して縮小投影露光法を用いて、更に4365Åの単
一波長１１により100ｍＪ／cm2で第２、第１のポ
ジ形UVフオトレジスト８ａ，５ｂ，５ａに照射
する（第４図ｅ）。最後に、アルカリ性現像液に
より光感光したポジ形フオトレジスト（８ａ，５
ｂ，５ａの一部を）を除去し、膜厚の厚いかつ微
細パターン（８ａ，５ｂ，５ａの一部）を得るも
のである。これによると第１のポジ形UVフオト
レジスト５ａが紫外線領の全波長により照射され
るために、パターン８ｂ，５ｂ，５ａ部のボトム
部５ａでの定在波の影響が出ないことになる。
いずれの実施例においても、表面処理された第
１の放射線感応性樹脂層は、現像除去反応が起こ
りうる条件によつてそれぞれ設定すべきものであ
る。また、第１、第２の放射線感応性樹脂の膜厚
条件は、下地である基板の凹凸の段差量によつて
定めるべきであり、各々の実施例は一例にすぎな
い。そして放射線感応性樹脂の種別に関しても、
Ｘ線、電子ビーム、遠紫外線、赤外線、イオンビ
ームいずれに関しても本発明を適用させることは
明確である。
１の放射線感応性樹脂層は、現像除去反応が起こ
りうる条件によつてそれぞれ設定すべきものであ
る。また、第１、第２の放射線感応性樹脂の膜厚
条件は、下地である基板の凹凸の段差量によつて
定めるべきであり、各々の実施例は一例にすぎな
い。そして放射線感応性樹脂の種別に関しても、
Ｘ線、電子ビーム、遠紫外線、赤外線、イオンビ
ームいずれに関しても本発明を適用させることは
明確である。
以上のように、本発明によると、放射線感応性
樹脂膜を厚く塗布（形成）することで、段差部の
凹凸を軽減することができ、かつその上で段差部
におけるパターン幅変動率を減少させ、解像度、
感度の低下がない。また定在波の影響が少なくす
ることができる。つまり、本発明は今後の微細化
への半導体集積回路の重要な価値発揮するもので
ある。
樹脂膜を厚く塗布（形成）することで、段差部の
凹凸を軽減することができ、かつその上で段差部
におけるパターン幅変動率を減少させ、解像度、
感度の低下がない。また定在波の影響が少なくす
ることができる。つまり、本発明は今後の微細化
への半導体集積回路の重要な価値発揮するもので
ある。
第１図ａは従来の単層放射線感応性樹脂法によ
る段差部へパターニングした断面図、同ｂは同ａ
の平面図、第２図は従来法により段差部へ放射線
感応性樹脂を厚く塗布した状態の断面図、第３図
は単層放射線感応性樹脂による現像特性図、第４
図ａ〜ｆは本発明の一実施例にかかるパターン形
成方法の工程図、第５図ａは従来法による照射特
図、同ｂは本発明による照射特性図、第６図は本
発明の実施例のパターン形成の平面図、第７図
ａ，ｂは本発明による他の実施例の工程図であ
る。 ４……基板、５……ポジUVフオトレジスト、
５ａ……感光したポジUVフオトレジスト、５
ｂ，５ｃ……変質層、６……UV光、７……ガス
プラズマ、８……第２のポジUVフオトレジス
ト、８ａ……照射部、９……マスク、１１……紫
外線、１２……赤外線熱源、１３……放射線。
る段差部へパターニングした断面図、同ｂは同ａ
の平面図、第２図は従来法により段差部へ放射線
感応性樹脂を厚く塗布した状態の断面図、第３図
は単層放射線感応性樹脂による現像特性図、第４
図ａ〜ｆは本発明の一実施例にかかるパターン形
成方法の工程図、第５図ａは従来法による照射特
図、同ｂは本発明による照射特性図、第６図は本
発明の実施例のパターン形成の平面図、第７図
ａ，ｂは本発明による他の実施例の工程図であ
る。 ４……基板、５……ポジUVフオトレジスト、
５ａ……感光したポジUVフオトレジスト、５
ｂ，５ｃ……変質層、６……UV光、７……ガス
プラズマ、８……第２のポジUVフオトレジス
ト、８ａ……照射部、９……マスク、１１……紫
外線、１２……赤外線熱源、１３……放射線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に第１の放射線感応性樹脂を塗布させ
る工程と、放射線照射を行ない、前記第１の放射
線感応性樹脂膜を放射線反応させる工程と、前記
放射線反応した第１の放射線感応性樹脂にフツ素
系ガスプラズマによつて表面処理を施す工程と、
前記表面処理を施した放射線反応した第１の放射
線感応性樹脂上に、第２の放射線感応性樹脂を塗
布し、選択的に放射線照射を行なう工程と、現像
処理により、前記第１と第２の放射線感応性樹脂
膜を選択的に同時に除去して放射線感応性樹脂パ
ターンを形成する工程とを備えたことを特徴とす
るパターン形成方法。 ２ 第１及び第２の放射線感応性樹脂を同一放射
線反応機構を有するものを用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方
法。 ３ 第１、第２の放射線感応性樹脂が、紫外線感
応性樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載のパターン形成方法。 ４ 第１、第２の放射線感応性樹脂が、遠紫外線
感応性樹脂であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載のパターン形成方法。 ５ 第１、第２の放射線感応性樹脂が、電子ビー
ム感応性樹脂であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載のパターン形成方法。 ６ 第１、第２の放射線感応性樹脂が、Ｘ線感応
性樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041273A JPS58157135A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041273A JPS58157135A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58157135A JPS58157135A (ja) | 1983-09-19 |
| JPH035653B2 true JPH035653B2 (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=12603828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57041273A Granted JPS58157135A (ja) | 1982-03-15 | 1982-03-15 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58157135A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6503693B1 (en) * | 1999-12-02 | 2003-01-07 | Axcelis Technologies, Inc. | UV assisted chemical modification of photoresist |
| US8852851B2 (en) | 2006-07-10 | 2014-10-07 | Micron Technology, Inc. | Pitch reduction technology using alternating spacer depositions during the formation of a semiconductor device and systems including same |
| US10151981B2 (en) | 2008-05-22 | 2018-12-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming structures supported by semiconductor substrates |
| US8409457B2 (en) | 2008-08-29 | 2013-04-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a photoresist-comprising pattern on a substrate |
| US8039399B2 (en) | 2008-10-09 | 2011-10-18 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterns utilizing lithography and spacers |
| US8796155B2 (en) | 2008-12-04 | 2014-08-05 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating substrates |
| US9076680B2 (en) | 2011-10-18 | 2015-07-07 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuitry, methods of forming capacitors, and methods of forming integrated circuitry comprising an array of capacitors and circuitry peripheral to the array |
-
1982
- 1982-03-15 JP JP57041273A patent/JPS58157135A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58157135A (ja) | 1983-09-19 |
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