JPS5951527A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5951527A JPS5951527A JP57162558A JP16255882A JPS5951527A JP S5951527 A JPS5951527 A JP S5951527A JP 57162558 A JP57162558 A JP 57162558A JP 16255882 A JP16255882 A JP 16255882A JP S5951527 A JPS5951527 A JP S5951527A
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- Japan
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- radiation
- sensitive resin
- positive
- resistor
- pattern
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパターン形成方法とくに放射線感光性。
感応性樹脂を用いたパターン形成方法に関する。
従来例の構成とその問題点
集積回路の高集積化、高密度化は従来のリングラフィ技
術の進歩により増大してきた。その最小線幅も１μｍ前
後となってきており、この加工線幅を達成するには、高
開口レンズを有した縮小投影法により紫外線露光する方
法、基板上に直接描画する電子ビーム露光法、Ｘ線を用
いたプロキシミティ露光法があげられる。しかし、いず
れの方法もスループソトヲ犠性にすることなく良好な線
幅制御と高解像度及び良好な段差部のカバレジ全同時に
得ることは困難である。特に実際の集積回路上において
は必然的に凹凸が発生し、放射線感応性樹脂を塗布した
後では、凹凸部における放射線感応性樹脂膜の膜厚差が
発生し、良好な線幅制御が不可能となる。これについて
第１図を用いて説明す々。第１図は従来法により単層放
射線感応性樹脂膜を段差部へ塗布し、その段差部に対し
て交叉してパターン形成グを行なった状態を示し蛇もの
である。第１図（ａ）は基板１」二に段差物２が形成さ
れておりその」二に放射線感応性樹脂３が塗布された状
態の断面図である。この場合、段差物２がない平坦な基
板１上の放射線感応性樹脂３の膜厚ｋ ｔＲｌの厚さに
塗布した時、暉差物２上の放射線感応性樹脂３の膜厚は
、放射線感応性樹脂自身の粘性と塗布時の回転数により
膜厚ｔＲ２に、決定される。この時ｔＲ１＝ｔＲ２にす
ること、つまり凹凸部での放射線感応性樹脂膜の膜厚差
を皆無にすることに物理的に不可能である。
術の進歩により増大してきた。その最小線幅も１μｍ前
後となってきており、この加工線幅を達成するには、高
開口レンズを有した縮小投影法により紫外線露光する方
法、基板上に直接描画する電子ビーム露光法、Ｘ線を用
いたプロキシミティ露光法があげられる。しかし、いず
れの方法もスループソトヲ犠性にすることなく良好な線
幅制御と高解像度及び良好な段差部のカバレジ全同時に
得ることは困難である。特に実際の集積回路上において
は必然的に凹凸が発生し、放射線感応性樹脂を塗布した
後では、凹凸部における放射線感応性樹脂膜の膜厚差が
発生し、良好な線幅制御が不可能となる。これについて
第１図を用いて説明す々。第１図は従来法により単層放
射線感応性樹脂膜を段差部へ塗布し、その段差部に対し
て交叉してパターン形成グを行なった状態を示し蛇もの
である。第１図（ａ）は基板１」二に段差物２が形成さ
れておりその」二に放射線感応性樹脂３が塗布された状
態の断面図である。この場合、段差物２がない平坦な基
板１上の放射線感応性樹脂３の膜厚ｋ ｔＲｌの厚さに
塗布した時、暉差物２上の放射線感応性樹脂３の膜厚は
、放射線感応性樹脂自身の粘性と塗布時の回転数により
膜厚ｔＲ２に、決定される。この時ｔＲ１＝ｔＲ２にす
ること、つまり凹凸部での放射線感応性樹脂膜の膜厚差
を皆無にすることに物理的に不可能である。
このようにｔＲ１＝：＝ｔＲ２の膜厚においてパターン
を形成した場合の平面を第１図（ｂ）に示す。これは、
段差物パターン２に対して直角に交叉して放射線感応性
樹脂パターン３を形成するとパターン３の膜厚ｔＲ１の
位置ではパターン幅がｐｌ と決定されると、膜厚’
Ｒ２の位！ではｔＲｌ〉ｔＨ２という関係があるｌζ、
めパターン幅はｆ１２ とで、かつＱｌ〉２２となり
段差部しくおけるパターン寸法変換差が発生してし！［
９ｏつ１す、非常に微細パターンになると良好な線幅制
御が得られず、更に段差物２のエツジ部２ａで（１，実
質上、平坦部の膜厚ｔＲ１より厚くなるため、解像度が
低下する。
を形成した場合の平面を第１図（ｂ）に示す。これは、
段差物パターン２に対して直角に交叉して放射線感応性
樹脂パターン３を形成するとパターン３の膜厚ｔＲ１の
位置ではパターン幅がｐｌ と決定されると、膜厚’
Ｒ２の位！ではｔＲｌ〉ｔＨ２という関係があるｌζ、
めパターン幅はｆ１２ とで、かつＱｌ〉２２となり
段差部しくおけるパターン寸法変換差が発生してし！［
９ｏつ１す、非常に微細パターンになると良好な線幅制
御が得られず、更に段差物２のエツジ部２ａで（１，実
質上、平坦部の膜厚ｔＲ１より厚くなるため、解像度が
低下する。
一般に解像ＬＷは、放射線感応性樹脂の膜厚が薄くなれ
ばなるほど向上する。これは放射線自身の波長によ−、
て微細間隙になると干渉２回折現像のため入射するエネ
ルギーは減衰してしまうためである。
ばなるほど向上する。これは放射線自身の波長によ−、
て微細間隙になると干渉２回折現像のため入射するエネ
ルギーは減衰してしまうためである。
第２図は段差物２を有する基板１上に放射線感応性樹脂
３を塗布した断面図である。この場合、第１図（ａ）の
放射線感応性樹脂膜厚のｔＲｌよく厚く塗布した状態を
示す。ｔＲ１’に厚く塗布した場合では、図示されるよ
うに放射線感応性樹脂膜３上の表面は平坦となるが、や
はりこの場合も良好な凹凸部でのカバレジを得ることは
出来ない。しかるに段産物２の膜厚ｔｓ より基板１の
平坦上の放射線感応性樹脂３の膜厚ｔＲ１”ｆたとえは
倍以上に浮身上に厚く塗布した場合は、ｔＲ１′と段差
物２上の放射線感応性樹脂２の膜厚ｔＲ２’は、はぼｔ
Ｒ１’ ＝ｔＲ２’となり段差物２の膜厚ｔ３に影響さ
れなくなるＯ しかし、前述したように放射線感応性樹脂は膜厚が厚く
なると逆に解像度が低下するため、ただ単に放射線感応
性樹脂を厚く塗布し段差を軽減しようとするのはパター
ン形成上好ましくない。同時にこれ全実証するため第３
図に放射線感応性樹脂膜厚ｔＲｆ変化させた場合の放射
線感応性樹脂ライン幅（力と現像時間（ｔｄ）特性を示
した。この特性曲線Ｃ１Ｌ単一波長で縮小屈折光学系を
介して、ジアジド系紫外線１醪光性樹脂に紫外線を照射
し、その照射エネルギーを一定とし現像時間のみを可変
としたときのライン幅変動の理論曲線（シュミレーショ
ン結果）である。つ１リライン幅（Ｑ）においてν）が
Ｌになるための現像時間ｔｄ は放射線感応性樹脂膜厚
ｔＲが厚くなればなる程大きくなる。
３を塗布した断面図である。この場合、第１図（ａ）の
放射線感応性樹脂膜厚のｔＲｌよく厚く塗布した状態を
示す。ｔＲ１’に厚く塗布した場合では、図示されるよ
うに放射線感応性樹脂膜３上の表面は平坦となるが、や
はりこの場合も良好な凹凸部でのカバレジを得ることは
出来ない。しかるに段産物２の膜厚ｔｓ より基板１の
平坦上の放射線感応性樹脂３の膜厚ｔＲ１”ｆたとえは
倍以上に浮身上に厚く塗布した場合は、ｔＲ１′と段差
物２上の放射線感応性樹脂２の膜厚ｔＲ２’は、はぼｔ
Ｒ１’ ＝ｔＲ２’となり段差物２の膜厚ｔ３に影響さ
れなくなるＯ しかし、前述したように放射線感応性樹脂は膜厚が厚く
なると逆に解像度が低下するため、ただ単に放射線感応
性樹脂を厚く塗布し段差を軽減しようとするのはパター
ン形成上好ましくない。同時にこれ全実証するため第３
図に放射線感応性樹脂膜厚ｔＲｆ変化させた場合の放射
線感応性樹脂ライン幅（力と現像時間（ｔｄ）特性を示
した。この特性曲線Ｃ１Ｌ単一波長で縮小屈折光学系を
介して、ジアジド系紫外線１醪光性樹脂に紫外線を照射
し、その照射エネルギーを一定とし現像時間のみを可変
としたときのライン幅変動の理論曲線（シュミレーショ
ン結果）である。つ１リライン幅（Ｑ）においてν）が
Ｌになるための現像時間ｔｄ は放射線感応性樹脂膜厚
ｔＲが厚くなればなる程大きくなる。
つ寸りｔＨが厚くなると放射線の黒線エネルギー量を増
すことにより、ｔＨが薄い場合と同等なライン幅（ｆ！
、）が得られるため、第１図（ａ） 、 （ｂ）、第２
図に示すように段差がある上に放射線感応性樹脂膜全塗
布した場合には前述のようにパターン幅変動が発生する
ことになる。
すことにより、ｔＨが薄い場合と同等なライン幅（ｆ！
、）が得られるため、第１図（ａ） 、 （ｂ）、第２
図に示すように段差がある上に放射線感応性樹脂膜全塗
布した場合には前述のようにパターン幅変動が発生する
ことになる。
発明の目的
そこで、従来のように単層で放射線間りじ性樹脂を凹凸
ヲ崩する実際の集積回路上Ｖこパターン形成する際に障
害となる、パターン寸法変換差とそれに伴なう′Ｍ解像
度低下を防ぐパターン形成方法を提供することを目的と
する。
ヲ崩する実際の集積回路上Ｖこパターン形成する際に障
害となる、パターン寸法変換差とそれに伴なう′Ｍ解像
度低下を防ぐパターン形成方法を提供することを目的と
する。
発明の構成
本廃明ば、放射線感応性樹脂の膜厚を厚く塗布しながら
も、段差部におけるパターン寸法変換差を少なくし、か
つ解１象度の低下を防ぐために、放射線感光性樹脂を２
層に塗布することにより、厚く塗布しながらかつ最初に
塗布した放射線感応性樹脂膜全面に放射線感応させ、更
に第２の放射線感応性樹脂膜を塗布し、第２の放射線感
応性樹脂パターンを形成し、前記第２の放射線感応性樹
脂パターンを介して、第１の放射線感応性樹ｌｉｔ￥全
現像処理することによって、第１．第２の放射線感応性
樹脂パターンを形成しようとするものである。
も、段差部におけるパターン寸法変換差を少なくし、か
つ解１象度の低下を防ぐために、放射線感光性樹脂を２
層に塗布することにより、厚く塗布しながらかつ最初に
塗布した放射線感応性樹脂膜全面に放射線感応させ、更
に第２の放射線感応性樹脂膜を塗布し、第２の放射線感
応性樹脂パターンを形成し、前記第２の放射線感応性樹
脂パターンを介して、第１の放射線感応性樹ｌｉｔ￥全
現像処理することによって、第１．第２の放射線感応性
樹脂パターンを形成しようとするものである。
実施例の説明
本発明の実施例を第４図を用いて詳細に説明する。１ず
第１の実施例を、第１の放射線感応性樹脂を遠紫外線感
光性樹脂、第２の放射線感応性樹脂を紫外線感光性樹脂
を例にとって説明する。基板４上にポジ形遠紫外線感光
性樹脂（以後、ポジＤＵＶレジスト）５ｆｆ：塗布し、
ソフトベーキングを施こす〔第４図ａ〕。次にポジＤＵ
Ｖレジスト５に遠紫外線（以後、ＤＵＶ ）光６を全面
に照射することによって感光したポジＤＵＶレジス）５
ａにする〔第４図ｂ〕。そして感光したポジＤＵＶレジ
ス）６ａ上にポジ形紫外線感光性樹脂（以後、ポジＵＶ
レジスｌ１７に塗布し、リフトベーキングを施こす〔第
４図Ｃ〕。次に選択的にポジＵＶレジスト７に紫外線（
以後、Ｕｖ）光を照射し現像【−で、ポジＵＶレジスト
パターン７ａｉ形成する〔第４図ｄ）。この時、ポジＵ
Ｖレジス）ｋ現像する現（３）液＆Ｊ： 、第１のポジ
ＤＵＶレジストヲ現像溶解しない組成であることが制約
となる。最後にポジＵＶレジストパターン７ａを介して
ＤＵＶレージストパターンｓｂ、４形成する〔第４図ｅ
〕。
第１の実施例を、第１の放射線感応性樹脂を遠紫外線感
光性樹脂、第２の放射線感応性樹脂を紫外線感光性樹脂
を例にとって説明する。基板４上にポジ形遠紫外線感光
性樹脂（以後、ポジＤＵＶレジスト）５ｆｆ：塗布し、
ソフトベーキングを施こす〔第４図ａ〕。次にポジＤＵ
Ｖレジスト５に遠紫外線（以後、ＤＵＶ ）光６を全面
に照射することによって感光したポジＤＵＶレジス）５
ａにする〔第４図ｂ〕。そして感光したポジＤＵＶレジ
ス）６ａ上にポジ形紫外線感光性樹脂（以後、ポジＵＶ
レジスｌ１７に塗布し、リフトベーキングを施こす〔第
４図Ｃ〕。次に選択的にポジＵＶレジスト７に紫外線（
以後、Ｕｖ）光を照射し現像【−で、ポジＵＶレジスト
パターン７ａｉ形成する〔第４図ｄ）。この時、ポジＵ
Ｖレジス）ｋ現像する現（３）液＆Ｊ： 、第１のポジ
ＤＵＶレジストヲ現像溶解しない組成であることが制約
となる。最後にポジＵＶレジストパターン７ａを介して
ＤＵＶレージストパターンｓｂ、４形成する〔第４図ｅ
〕。
この際、ポジＵＶレジストパターンがポジＤＵＶレジス
トの現像液Ｖこよって溶解しないことが制約となる。
トの現像液Ｖこよって溶解しないことが制約となる。
次に、第２の実施例について第゛４図、第５図を用いて
説明する。第４図ａ −ｄ ｉでは第１の実施例と同様
ム」−程とするが、ポジＵＶレジスト了ａが、ポジｌ）
Ｕ Ｖレジスト５ａの現像液によってＭ解されないた
めに、ポジＤＵＶレジス） ５ ａ ｆ、１現像除去す
る前に、フッ素系ガスプラズマ９によってポジＤＵＶレ
ジスト、ポジＵＶレジスト表面全面にポジＤＩＪＶレジ
ストの現ｆ象蔽Ｖこ対して不溶になるように変質層８を
形成する〔第５図〕。この時、ポジＤＵＶレジス）５ａ
の表面は、フッ素ガスプラズマ９によって変質層８はほ
とんど形成されない。これは一般に遠紫外線感光性樹脂
などは、励起エネルギーが元来高く、フッ素系プラズマ
中の電子ビーム、イオン、光などによって照射されると
構造上この励起エネルギーが散逸されにくい。
説明する。第４図ａ −ｄ ｉでは第１の実施例と同様
ム」−程とするが、ポジＵＶレジスト了ａが、ポジｌ）
Ｕ Ｖレジスト５ａの現像液によってＭ解されないた
めに、ポジＤＵＶレジス） ５ ａ ｆ、１現像除去す
る前に、フッ素系ガスプラズマ９によってポジＤＵＶレ
ジスト、ポジＵＶレジスト表面全面にポジＤＩＪＶレジ
ストの現ｆ象蔽Ｖこ対して不溶になるように変質層８を
形成する〔第５図〕。この時、ポジＤＵＶレジス）５ａ
の表面は、フッ素ガスプラズマ９によって変質層８はほ
とんど形成されない。これは一般に遠紫外線感光性樹脂
などは、励起エネルギーが元来高く、フッ素系プラズマ
中の電子ビーム、イオン、光などによって照射されると
構造上この励起エネルギーが散逸されにくい。
つ壕り分子構造の関係によって励起状態になりにくいた
め、逆にエツチング機構が促進されるためである。この
ように変質層８を形成したあと、ポジＵＶレジスト２図
ａｆ！ｃ現緯処理することによ−て、第４図ｅのように
パターンを形成する。
め、逆にエツチング機構が促進されるためである。この
ように変質層８を形成したあと、ポジＵＶレジスト２図
ａｆ！ｃ現緯処理することによ−て、第４図ｅのように
パターンを形成する。
第１の実施例、第２の実施例の結果、段差物パターン２
」二にパターニングしたパターン３は、従来法ＶＣよる
単層レジスｌ−法Ｖこよると段差物−にては第６図の破
線Ｌ１ のように寸法変換差が発生する。
」二にパターニングしたパターン３は、従来法ＶＣよる
単層レジスｌ−法Ｖこよると段差物−にては第６図の破
線Ｌ１ のように寸法変換差が発生する。
しかるに、本発明によるパターン形成法金用いるとパタ
ーン３は第６図の実線Ｌ２のごとくなり、第１の放ＩＩ
ｌ線１１＆応１クニ樹脂によって段差が緩和される第２
のノｌ（射わ１感りち性樹脂パターンは平坦上で形成さ
ねる／ξめ、χ１法変換差は減少することになる。
ーン３は第６図の実線Ｌ２のごとくなり、第１の放ＩＩ
ｌ線１１＆応１クニ樹脂によって段差が緩和される第２
のノｌ（射わ１感りち性樹脂パターンは平坦上で形成さ
ねる／ξめ、χ１法変換差は減少することになる。
いず′Ｊ王の実施例においても、第１ 、第２の放射線
感応性４ｉ１脂の膜厚条件は、下地である基板の凹凸の
段差量に、Ｖっで定めるべきである。そして放射線感応
１テ１−樹脂の種別に関しても、Ｘ線、電子ビーム、遠
紫外線、紫外線、イオンビームいずれに関しても本発明
に適用できることは明確である。
感応性４ｉ１脂の膜厚条件は、下地である基板の凹凸の
段差量に、Ｖっで定めるべきである。そして放射線感応
１テ１−樹脂の種別に関しても、Ｘ線、電子ビーム、遠
紫外線、紫外線、イオンビームいずれに関しても本発明
に適用できることは明確である。
また、第１．第２の実施例において、第２のポジＤＵＶ
レジス）５ａの現像処理後〔第４図ｅ〕。
レジス）５ａの現像処理後〔第４図ｅ〕。
ポジＵＶレジス）７ａが溶解されても、本来のポジＵＶ
レジストパターンが転写されれば問題ないことも当然で
ある。
レジストパターンが転写されれば問題ないことも当然で
ある。
発明の効果
以上のように本発明によると、放射線感ＬＬ１．ｌ／Ｉ
樹脂膜全１’／′＜塗布することて、段差１１１Ｓの凹
凸を１匠滅することができ、かつその上で段差部に４パ
けるパターン副変動率を減少させ、解像度、感度の低下
がない。つ１り本発明は今後の微細化への半導体集積回
路の製造に重要な価値全発揮するものである０
樹脂膜全１’／′＜塗布することて、段差１１１Ｓの凹
凸を１匠滅することができ、かつその上で段差部に４パ
けるパターン副変動率を減少させ、解像度、感度の低下
がない。つ１り本発明は今後の微細化への半導体集積回
路の製造に重要な価値全発揮するものである０
第１図（ａ）は従来の単層放射線感応性樹脂法による段
差部ヘパターニングした断面図、同（ｂ）は同（ａ）の
平面図、第２図は従来法により段差部へ放射線感応性樹
脂全厚く塗布した状態の断面図、第３図は単数射線感応
性樹脂による現像特性図、第４図（ａ）〜（ｅ）、第５
図は本発明の一実施例にかかるパターン形成方法の工程
図、第６図は本発明の実施例のパターン平面図である。 ４・・・・・・基板、５・・・・・・ポジＵＶレジスト
、６・・・・・・ＤＵＶ、−ｒ・・・・・・ポジＵＶレ
ジスト、８・・・・・変質層、９・・・・フッ素系プラ
ズマ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ｂ ＩＬイ眉〔１１す’ｕ’１
Ｈ（ｔｄ〕第４図 第４図 ７ｎ 第５図 第６図
差部ヘパターニングした断面図、同（ｂ）は同（ａ）の
平面図、第２図は従来法により段差部へ放射線感応性樹
脂全厚く塗布した状態の断面図、第３図は単数射線感応
性樹脂による現像特性図、第４図（ａ）〜（ｅ）、第５
図は本発明の一実施例にかかるパターン形成方法の工程
図、第６図は本発明の実施例のパターン平面図である。 ４・・・・・・基板、５・・・・・・ポジＵＶレジスト
、６・・・・・・ＤＵＶ、−ｒ・・・・・・ポジＵＶレ
ジスト、８・・・・・変質層、９・・・・フッ素系プラ
ズマ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ｂ ＩＬイ眉〔１１す’ｕ’１
Ｈ（ｔｄ〕第４図 第４図 ７ｎ 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板上に第１の放射線感応性樹脂を塗布する工程
と、第１の放射線照射を行ない、前記第１の放射線感応
性樹脂膜を感応性反応させる工程と、前記感応性反応し
た第１の放射線感応性樹脂上に、前記第１の放射線感応
性樹脂と異なる放射線に感応する第２の放射線感応性樹
脂を塗布し、選択的に第２の放射線照射を行なう工程と
、現像処理にターンを形成する工程とを有することを特
徴とするパターン形成方法。 （２）第２の放射線感応性樹脂を選択的に除去する工程
の後、全面にフッ素系ガスプラズマによって第２の放射
線感応性樹脂パターンの表面に処理を施こすことを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方法
゛し く３）第１の放射線感応性樹脂が、遠紫外線感応性樹脂
であること全特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
パターン形成方法。 （４）第２の放射線感応性樹脂が、紫外線感応性樹脂で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパ
ターン形成方法。 （５）第１の放射線が遠紫外線であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のパターン形μ方法。 （６）第２の放射線が、紫外線であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162558A JPS5951527A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57162558A JPS5951527A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951527A true JPS5951527A (ja) | 1984-03-26 |
Family
ID=15756865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57162558A Pending JPS5951527A (ja) | 1982-09-17 | 1982-09-17 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951527A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0197519A2 (en) * | 1985-04-10 | 1986-10-15 | International Business Machines Corporation | Process for masking and resist formation |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS564236A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Nec Corp | Manufacture of photoresist film pattern |
| JPS57204033A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Toshiba Corp | Formation of fine pattern |
| JPS589323A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 微細レジストパタンの形成方法 |
| JPS58103138A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1982
- 1982-09-17 JP JP57162558A patent/JPS5951527A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0197519A2 (en) * | 1985-04-10 | 1986-10-15 | International Business Machines Corporation | Process for masking and resist formation |
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