JP3130335B2 - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JP3130335B2 JP3130335B2 JP03182653A JP18265391A JP3130335B2 JP 3130335 B2 JP3130335 B2 JP 3130335B2 JP 03182653 A JP03182653 A JP 03182653A JP 18265391 A JP18265391 A JP 18265391A JP 3130335 B2 JP3130335 B2 JP 3130335B2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
ストパターンの形成方法に関する。
示す。図4(a)のように、所望の下地の上に、例えば
ポジ型フォトレジスト2を塗布し、縮小露光装置等でマ
スク30上の所望のパターンを露光する。次に、現像を
行うことにより、図4(b)のようなレジストパターン
を得ることができる。このフォトレジストパターンをマ
スクにし、インプラ工程、またはエッチング工程等を行
うことにより、半導体装置を製造していた。
ようとすると、より高NAの(開口数の大きな)露光機
を用いなければならなくなり、露光波長レベルのピッチ
の線幅は解像することができなかった。
作る。なお、このときレジスト表面段差を、露光波長の
位相がちょうど1/2波長ずれるようにする。その後、
露光機で平行光線を全面露光し、現像するようにした。
時位相が変化する。従って、段差部で位相が異なった光
が干渉し、段差部の下には光が注入されない。この段差
部を中心としてある光強度分布が形成される。これを現
像すればマスクパターンよりさらに微細なレジストパタ
ーンを形成することができる。
て説明する。図1(a)のように所望の下地基板1の上
に、ポジ形フォトレジスト2を塗布し、縮小露光装置等
で所望のパターンをマスク20から転写する。そして、
現像を行い、図1(b)のようにレジスト表面に段差が
つく。
けであるが、このとき、段差上部を通過した光と、段差
下部を通過した光とでは、レジストと露光雰囲気(例え
ば大気等)の屈折率の差により、位相差が生じる。この
位相差はk′λ−kλで表される。(ここでkは、露光
雰囲気中における波数であり、k′はフォトレジスト膜
中の波数である。)この位相差をπとするため、 k′λ−kλ=k(αλ−λ)=(R+0.5)λ ……… (1) (R:任意の整数 α:フォトレジストの露光雰囲気に
対する屈折率)を満たすように、k=(R+0.5)/
(α−1)と設定する。すると、段差部上部と下部の膜
厚差Tは T=kλ={(R+0.5)/(α−1)}λ ……… (2) を満たすように、段差を形成すればよいことがわかる。
この段差量とするため、段差形成時の露光量及び、現像
液濃度、現像時間等を調整する。なお、最終的なレジス
ト形状をより精度良く形成するため、上記段差を形成す
るための露光量は、後に全面を波長λの平行光線で露光
するときの露光量にくらべ、少なく設定する。また、段
差上部と下部の膜厚差Tは、段差形成時の露光時及び、
後の全面の露光時の透過性及び、解像、焦点深度等の理
由により、薄い方が望ましい。また、一般的にフォトレ
ジストの屈折率αは、1<αであるため、R=0のと
き、上記膜厚差Tは最も薄くすることが可能であり、そ
の時の膜厚をT0 とすると、 T0 =λ/{2(α−1)}となる。
T0 に膜厚差がなるように、段差を形成し、次に図1
(c)に示すように2度目の露光を波長λの平行光線を
用いて、全面に行う。すると、段差上部と下部とでは、
πだけ位相がずれるため、段差部の下には光が注入され
ない。従って、後に現像を行うと図1(d)に示すよう
にレジスト表面段差部分のラインにそうようにレジスト
が残り、非常に微細なラインパターンを形成することが
できる。
いて説明する。図2(a)のように、所望の下地基板1
の上にネガ形フォトレジスト3を塗布し、縮小露光装置
等で第1実施例と同様に露光、現像する。このとき、図
2(b)のような形状となるが、このときの段差T1 は
ネガ形フォトレジストの屈折率をβとすると、 T1 =λ/{2(β−1)}となるように、一度目の露
光、現像条件を設定する。
露光を全面に行う。後に現像を行うと図2(d)に示す
ようにレジストが残り、非常に微細なスペースパターン
を形成することができる。次に、本発明の第3実施例を
図面に基づいて説明する。所望の下地の上にネガ形フォ
トレジストを塗布し、縮小露光装置等で図3(a)に示
したようなパターンを露光する。このとき、露光量は第
2実施例の一度目の露光量の1/2に設定する。
を露光する。このとき、露光量は第2実施例の一度目の
露光量の1/2に設定する。そして、第2実施例の一度
目の現像条件と同様の現像条件で、現像を行う。する
と、図3(c)に示すように格子状にレジスト段差が形
成され、その交点を囲むレジスト段差の最高部領域9
と、段差の最低部領域10の段差がλ/{2(β−
1)}となる。また、このとき、中段部領域11は、最
高部領域9及び最低部領域10と、十分に段差があるこ
とが必要であり、特に、最高部と最低部の高さの真中に
なっていると、より円形に近いパターンを形成しやす
い。
る。その後、現像を行うと、図3(d)に示すように、
ネガレジストにホールパターン12が開口し、非常に小
さなホールパターンを形成することができる。
の下地の上に塗布されたレジストを用い位相をシフトさ
せ、露光するため、光の波長程度の非常に微細なパター
ンを形成することが可能である。そして、レジスト表面
に段差をつけるための露光では、レジスト表面のみで結
像すれば良いため、焦点深度が要求されず、また、全面
露光時は平行な短波長光線であれば、高NAのレンズを
介した光を使用しなくてもよい為、全体として段差部で
も非常に微細なパターンを形成することが可能である。
さらに、ネガレジスト、ポジレジストの使い分け、およ
び、表面段差を2段とすることなどにより、微細なスペ
ースパターンや、ホールパターンなど、複雑なパターン
を形成することができる。また、短波長紫外線に対して
透過率の高いレジストを用いることにより、高NAレン
ズが作成困難な波長帯でも平行光線さえ作成できれば光
波の干渉により、光強度のコントラストを作るため、波
長よりも細い線幅またはスペースのパターニングを行う
ことが可能であるという効果がある。
造方法を示す工程順断面図である。
造方法を示す工程順断面図である。
造方法を示す工程順平面図である。
を示す工程順断面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板上に、ネガ形のフォトレジス
トを塗布する工程と、前記フォトレジストを露光現像
し、フォトレジスト表面に所望の段差を形成する工程
と、全面を単波長の平行光線で露光し、現像する工程と
からなり、前記段差部の上部と下部との膜厚差は、前記
単波長の平行光線での露光時、前記フォトレジストのあ
る部分とない部分とで、前記段差部下部面に入射時の前
記平行光線の位相が半波長の奇数倍ずれるような厚みで
あることを特徴とするフォトリソグラフィを用いたレジ
ストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03182653A JP3130335B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03182653A JP3130335B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0529197A JPH0529197A (ja) | 1993-02-05 |
JP3130335B2 true JP3130335B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=16122081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03182653A Expired - Lifetime JP3130335B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3130335B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7959855B2 (en) | 2006-10-19 | 2011-06-14 | Heru Budihartono | White precious metal alloy |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3529347B2 (ja) | 2000-10-25 | 2004-05-24 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 回路基板の保護構造及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
US11139341B2 (en) | 2018-06-18 | 2021-10-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Protection of MRAM from external magnetic field using magnetic-field-shielding structure |
US11088083B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | DC and AC magnetic field protection for MRAM device using magnetic-field-shielding structure |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP03182653A patent/JP3130335B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7959855B2 (en) | 2006-10-19 | 2011-06-14 | Heru Budihartono | White precious metal alloy |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0529197A (ja) | 1993-02-05 |
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