JPH04368135A - T型パターン形成方法 - Google Patents
T型パターン形成方法Info
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- JPH04368135A JPH04368135A JP3170760A JP17076091A JPH04368135A JP H04368135 A JPH04368135 A JP H04368135A JP 3170760 A JP3170760 A JP 3170760A JP 17076091 A JP17076091 A JP 17076091A JP H04368135 A JPH04368135 A JP H04368135A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はT型パターン形成方法
に関し、特にT型形状を有する金属パターンの形成方法
の改良に関するものである。
に関し、特にT型形状を有する金属パターンの形成方法
の改良に関するものである。
【0002】図2は例えば従来のT型形状を有する金属
パターン形成方法を示す断面図であり、図において、1
は半導体基板、12は電子ビーム(EB)に感度を有す
るもので感度の低いEBレジストA、8はEBレジスト
A12より感度の高いEBレジストB、9は低ドーズ量
の電子ビーム、10は高ドース量の電子ビーム、12a
は高ドース量の電子ビーム10により反応したEBレジ
ストA反応層、8aは低ドーズ量の電子ビーム9により
反応したEBレジストB反応層、6は半導体基板1上に
形成したリセス溝、7はゲート金属である。Aは図2(
d) に示すT型電極(ゲート金属7)と基板1との距
離を示す。
パターン形成方法を示す断面図であり、図において、1
は半導体基板、12は電子ビーム(EB)に感度を有す
るもので感度の低いEBレジストA、8はEBレジスト
A12より感度の高いEBレジストB、9は低ドーズ量
の電子ビーム、10は高ドース量の電子ビーム、12a
は高ドース量の電子ビーム10により反応したEBレジ
ストA反応層、8aは低ドーズ量の電子ビーム9により
反応したEBレジストB反応層、6は半導体基板1上に
形成したリセス溝、7はゲート金属である。Aは図2(
d) に示すT型電極(ゲート金属7)と基板1との距
離を示す。
【0003】次に形成方法について説明する。図2(a
) に示すように、半導体基板1上に低感度のEBレジ
ストA12を1000〜2000オングストローム程度
の厚みで塗布し、該EBレジストA12の上層に高感度
のEBレジストB8を5000〜10000オングスト
ロームの厚みで塗布する。
) に示すように、半導体基板1上に低感度のEBレジ
ストA12を1000〜2000オングストローム程度
の厚みで塗布し、該EBレジストA12の上層に高感度
のEBレジストB8を5000〜10000オングスト
ロームの厚みで塗布する。
【0004】次に図2(b) 示すように、T型パター
ンの上部の寸法となる領域に低ドーズ量の電子ビーム9
を照射し、EBレジストB8に反応層8aを形成する。 さらに高ドース量の電子ビーム10を上記領域の中央部
に照射し、EBレジストA12に反応層12aを形成す
る。 このとき電子ビーム9のドーズ量は、EBレジストB8
を反応させ、EBレジストA12を反応させないドーズ
量とする。
ンの上部の寸法となる領域に低ドーズ量の電子ビーム9
を照射し、EBレジストB8に反応層8aを形成する。 さらに高ドース量の電子ビーム10を上記領域の中央部
に照射し、EBレジストA12に反応層12aを形成す
る。 このとき電子ビーム9のドーズ量は、EBレジストB8
を反応させ、EBレジストA12を反応させないドーズ
量とする。
【0005】次に現像を行い、図2(c) に示すよう
なT型のパターンを得る。次にリセス溝6を酒石酸等に
より形成した後、全面にゲート金属7を被着させ、図2
(d) に示すようなパターンを形成する。次にリフト
オフし、図2(e) に示すようなT型のパターンを形
成する。
なT型のパターンを得る。次にリセス溝6を酒石酸等に
より形成した後、全面にゲート金属7を被着させ、図2
(d) に示すようなパターンを形成する。次にリフト
オフし、図2(e) に示すようなT型のパターンを形
成する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来のT型パターン形
成方法は以上のようになされているので、2層のレジス
トのどちらもEB直接描画を行う必要があり、スループ
ットが低い。また現像は上層レジストと下層レジストと
の現像速度の差を利用して行うのであるが、2層のレジ
ストがどちらもEBレジストであるため、現像時の現像
速度比が小さくなってしまい、現像後の下層レジストの
厚みが不安定となり、このことからT型電極と基板との
距離、即ち図2(d) に示す距離Aが不安定となり、
完成後の半導体装置としての特性がばらつくという問題
点があった。さらにレジストが厚い状態でEB照射する
ため微細化が困難であり、また上層レジストプロファイ
ルをオーバーハング形状にすることが困難で、リフトオ
フによるパターン形成が歩留り良くできないなどの問題
点があった。
成方法は以上のようになされているので、2層のレジス
トのどちらもEB直接描画を行う必要があり、スループ
ットが低い。また現像は上層レジストと下層レジストと
の現像速度の差を利用して行うのであるが、2層のレジ
ストがどちらもEBレジストであるため、現像時の現像
速度比が小さくなってしまい、現像後の下層レジストの
厚みが不安定となり、このことからT型電極と基板との
距離、即ち図2(d) に示す距離Aが不安定となり、
完成後の半導体装置としての特性がばらつくという問題
点があった。さらにレジストが厚い状態でEB照射する
ため微細化が困難であり、また上層レジストプロファイ
ルをオーバーハング形状にすることが困難で、リフトオ
フによるパターン形成が歩留り良くできないなどの問題
点があった。
【0007】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、上層レジストプロファイルを安
定にオーバーハング形状にするとともに、現像後の下層
レジストの膜厚を常に一定にでき、また微細な寸法を高
いスループットで形成することのできるT型パターン形
成方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、上層レジストプロファイルを安
定にオーバーハング形状にするとともに、現像後の下層
レジストの膜厚を常に一定にでき、また微細な寸法を高
いスループットで形成することのできるT型パターン形
成方法を得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係るT型パタ
ーン形成方法は、2層のレジストのうち下層を電子ビー
ムに感度を有するレジストとし、上層を紫外線に感度を
有するレジストとし、そして上層レジストを紫外線で露
光し、下層レジストを電子ビームで描画するようにした
ものである。
ーン形成方法は、2層のレジストのうち下層を電子ビー
ムに感度を有するレジストとし、上層を紫外線に感度を
有するレジストとし、そして上層レジストを紫外線で露
光し、下層レジストを電子ビームで描画するようにした
ものである。
【0009】また、上層レジストを画像反転法によりパ
ターン形成するようにしたものである。
ターン形成するようにしたものである。
【0010】
【作用】この発明においては、2層のレジストのうち下
層を電子ビームに感度を有するレジスト、上層を紫外線
に感度を有するレジストとし、上層レジストを紫外線で
露光し、下層レジストを電子ビームで描画するようにし
たので、上層レジスト現像時に下層レジストの膜減りが
なく、また上層を紫外線で露光することにより高いスル
ープットでT型パターンを形成できる。
層を電子ビームに感度を有するレジスト、上層を紫外線
に感度を有するレジストとし、上層レジストを紫外線で
露光し、下層レジストを電子ビームで描画するようにし
たので、上層レジスト現像時に下層レジストの膜減りが
なく、また上層を紫外線で露光することにより高いスル
ープットでT型パターンを形成できる。
【0011】また上層レジストの形成に画像反転法を用
いたので、安定したオーバーハング形状を得ることがで
きる。
いたので、安定したオーバーハング形状を得ることがで
きる。
【0012】
【実施例】図1はこの発明の一実施例によるT型パター
ン形成方法を示す断面図であり、図において、図2と同
一符号は同一又は相当部分を示し、2は電子ビームに感
度を有するEBレジスト、3は紫外線に感度を有するフ
ォトレジストである。4はフォトレジスト3をパターニ
ングするための紫外線で、波長300nm以上の光であ
る。5はEBレジスト2をパターニングするための電子
ビーム、2aは電子ビーム5により反応したEBレジス
ト反応層である。
ン形成方法を示す断面図であり、図において、図2と同
一符号は同一又は相当部分を示し、2は電子ビームに感
度を有するEBレジスト、3は紫外線に感度を有するフ
ォトレジストである。4はフォトレジスト3をパターニ
ングするための紫外線で、波長300nm以上の光であ
る。5はEBレジスト2をパターニングするための電子
ビーム、2aは電子ビーム5により反応したEBレジス
ト反応層である。
【0013】次に形成方法について説明する。まず、図
1(a) に示すように、GaAsなどの半導体基板1
上にPMGI(Poly dimethyl glut
arimide )等のEBに感度を有するEBレジス
ト2を塗布し、画像反転可能なフォトレジスト3を塗布
する。
1(a) に示すように、GaAsなどの半導体基板1
上にPMGI(Poly dimethyl glut
arimide )等のEBに感度を有するEBレジス
ト2を塗布し、画像反転可能なフォトレジスト3を塗布
する。
【0014】次に図1(b) に示すように、紫外線4
を所望の領域に照射する。次に画像反転法などで処理、
即ち例えばポジ型レジストを画像反転することでネガ型
の像を得た後、現像し、図1(c) に示すようなパタ
ーンを得る。即ちポジ型レジストを露光すると、表面付
近は光吸収が大きいので非露光部分のプロファイルが台
形となり、その後処理して非露光部分を除去することで
台形のパターンを得るようにしたものである。
を所望の領域に照射する。次に画像反転法などで処理、
即ち例えばポジ型レジストを画像反転することでネガ型
の像を得た後、現像し、図1(c) に示すようなパタ
ーンを得る。即ちポジ型レジストを露光すると、表面付
近は光吸収が大きいので非露光部分のプロファイルが台
形となり、その後処理して非露光部分を除去することで
台形のパターンを得るようにしたものである。
【0015】次に図1(d) に示すように、フォトレ
ジスト3の開口部内に電子ビーム5を照射し、EBレジ
スト2を反応させ、反応層2aを形成する。次いで現像
し、図1(e) に示すようなT型のパターンを形成す
る。
ジスト3の開口部内に電子ビーム5を照射し、EBレジ
スト2を反応させ、反応層2aを形成する。次いで現像
し、図1(e) に示すようなT型のパターンを形成す
る。
【0016】次に図1(f) に示すように、リセス溝
6を酒石酸,リン酸等により形成した後、Ti/Mo/
Ti/Auの積層金属,Ti/Al/Moの積層金属な
どのゲート金属7を全面に蒸着する。次にリフトオフし
、図1(g) に示すようなT型のパターンを形成する
。
6を酒石酸,リン酸等により形成した後、Ti/Mo/
Ti/Auの積層金属,Ti/Al/Moの積層金属な
どのゲート金属7を全面に蒸着する。次にリフトオフし
、図1(g) に示すようなT型のパターンを形成する
。
【0017】このように本実施例によれば、2層のレジ
ストのうち下層をEBレジスト2、上層をフォトレジス
ト3とし、上層のフォトレジスト3を紫外線で露光し、
下層のEBレジスト2を電子ビームで描写するようにし
たので、フォトレジスト3を紫外線で露光することによ
り高いスループットで形成でき、またフォトレジスト3
の現像時にEBレジスト2の膜減りがなく、即ちEBレ
ジスト2のレジスト厚が安定にでき、またフォトレジス
ト3の現像後にEBレジスト2をパターンニングするた
め、微小な開口部が形成できる。従ってT型電極(ゲー
ト金属7)と基板との距離が安定し、完成後の装置の特
性がばらつかない。
ストのうち下層をEBレジスト2、上層をフォトレジス
ト3とし、上層のフォトレジスト3を紫外線で露光し、
下層のEBレジスト2を電子ビームで描写するようにし
たので、フォトレジスト3を紫外線で露光することによ
り高いスループットで形成でき、またフォトレジスト3
の現像時にEBレジスト2の膜減りがなく、即ちEBレ
ジスト2のレジスト厚が安定にでき、またフォトレジス
ト3の現像後にEBレジスト2をパターンニングするた
め、微小な開口部が形成できる。従ってT型電極(ゲー
ト金属7)と基板との距離が安定し、完成後の装置の特
性がばらつかない。
【0018】また、フォトレジスト3形成に画像反転法
を用いたので、リフトオフに適したオーバーリング形状
が形成でき、リフトオフ時にケバが発生せず安定なT型
パターンを形成できる。
を用いたので、リフトオフに適したオーバーリング形状
が形成でき、リフトオフ時にケバが発生せず安定なT型
パターンを形成できる。
【0019】なお上記実施例ではリセス溝6を設けたも
のを示したが、リセス溝6がなくてもよい。
のを示したが、リセス溝6がなくてもよい。
【0020】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係るT型パター
ン形成方法にれよば、上層に紫外線に感度を有するレジ
ストを、下層に電子ビームに感度を有するレジストを用
い、上層レジストを紫外線で露光し、下層レジストを電
子ビームで描画するようにしたので、上層レジスト現像
時に下層レジストの膜減りがなく、T型パターン形状が
安定にでき、また微細にできるとともに、高いスループ
ットで得られるという効果がある。
ン形成方法にれよば、上層に紫外線に感度を有するレジ
ストを、下層に電子ビームに感度を有するレジストを用
い、上層レジストを紫外線で露光し、下層レジストを電
子ビームで描画するようにしたので、上層レジスト現像
時に下層レジストの膜減りがなく、T型パターン形状が
安定にでき、また微細にできるとともに、高いスループ
ットで得られるという効果がある。
【0021】また、上層レジストの形成に画像反転法を
用いることによりリフトオフに適したオーバーハング形
状ができ、リフトオフ時にケバが発生せず安定なT型パ
ターンが形成できるという効果がある。
用いることによりリフトオフに適したオーバーハング形
状ができ、リフトオフ時にケバが発生せず安定なT型パ
ターンが形成できるという効果がある。
【図1】この発明の一実施例によるT型パターン形成方
法を示す断面図である。
法を示す断面図である。
【図2】従来のT型パターン形成方法を示す断面図であ
る。
る。
1 半導体基板
2 EBレジスト
2a EBレジスト反応層
3 フォトレジスト
4 紫外線
5 電子ビーム
6 リセス溝
7 ゲート金属
Claims (3)
- 【請求項1】 2層構造のレジストを用い、露光、現
像してT型パターンを形成する方法において、上記2層
のレジストのうちの下層として電子ビームに感度を有す
るレジストを塗布する工程と、上記2層のレジストのう
ちの上層として紫外線に感度を有するレジストを塗布す
る工程と、上記上層レジストを紫外線で露光する工程と
、上記下層レジストを電子ビームで描画する工程とを備
えたことを特徴とするT型パターン形成方法。 - 【請求項2】 請求項1記載のT型パターン形成方法
において、上記上層レジストの形成に画像反転法を用い
ることを特徴とするT型パターン形成方法。 - 【請求項3】 請求項1または2項記載のT型パター
ン形成方法において、上記上層レジストを露光した後現
像して、該上層レジストに開口部を形成し、該開口部内
の下層レジストの少なくとも一部に電子ビームを照射し
た後現像して、該照射部に開口部を形成することを特徴
とするT型パターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3170760A JPH04368135A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | T型パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3170760A JPH04368135A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | T型パターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04368135A true JPH04368135A (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=15910876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3170760A Pending JPH04368135A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | T型パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04368135A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07335671A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-22 | Nec Corp | T型ゲート電極の作製方法 |
JPH08293454A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-05 | Nec Corp | レジストパターンの形成方法 |
US5583063A (en) * | 1993-11-30 | 1996-12-10 | Nec Corporation | Method of forming T-shaped, cross-sectional pattern using two layered masks |
WO2003050619A2 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-19 | Infm Istituto Nazionale Per La Fisica Della Materia | A method for producing a mask for high resolution lithography, a mask obtained thereby and a multi-layer element for high resolution lithography |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63164435A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH02273939A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-08 | Sony Corp | 電界効果型半導体装置の製造方法 |
JPH0319244A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP3170760A patent/JPH04368135A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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WO2003050619A3 (en) * | 2001-12-12 | 2003-10-09 | Infm | A method for producing a mask for high resolution lithography, a mask obtained thereby and a multi-layer element for high resolution lithography |
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