JPS6130278Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6130278Y2 JPS6130278Y2 JP1985156051U JP15605185U JPS6130278Y2 JP S6130278 Y2 JPS6130278 Y2 JP S6130278Y2 JP 1985156051 U JP1985156051 U JP 1985156051U JP 15605185 U JP15605185 U JP 15605185U JP S6130278 Y2 JPS6130278 Y2 JP S6130278Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- exposure
- pattern
- rays
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は露光用マスクの構造に関する。
最近、マスクを用いる露光法として従来の紫外
線露光法以外に遠紫外線露光法、Ｘ線露光法、お
よび電子線露光法等の露光法が用いられて来てい
る。これ等露光法においては、各々に独立したマ
スクを用いて各工程毎に一枚づつのマスクを用い
るのが通例である。
線露光法以外に遠紫外線露光法、Ｘ線露光法、お
よび電子線露光法等の露光法が用いられて来てい
る。これ等露光法においては、各々に独立したマ
スクを用いて各工程毎に一枚づつのマスクを用い
るのが通例である。
しかしながら、従来の方法では工程毎にマスク
材料を変える必要があるため、マスク費用が大で
あり，かつマスク合わせ精度が低下するという欠
点がある。
材料を変える必要があるため、マスク費用が大で
あり，かつマスク合わせ精度が低下するという欠
点がある。
本考案は上記の方法を改良し、マスク基板表面
の図形状被膜が電子図、Ｘ線および光線の波長に
より阻止能に選択性が得られることができ、各々
の波長に対し吸収能を有する図形状被膜を同一基
板上に形成すれば、一枚のマスクで二つの図形を
露光でき、マスク枚数の低減と、マスク合わせ精
度が向上できるとの着想のもとになされたもので
あり、例えばLSI用の異なつた図形を一つのマス
クでＸ線露光と光露光により形成するマスクを提
供し、そのマスク費用をトータルを低減すると共
に、その各露光時の目合わせ精度を高めることを
目的とする。
の図形状被膜が電子図、Ｘ線および光線の波長に
より阻止能に選択性が得られることができ、各々
の波長に対し吸収能を有する図形状被膜を同一基
板上に形成すれば、一枚のマスクで二つの図形を
露光でき、マスク枚数の低減と、マスク合わせ精
度が向上できるとの着想のもとになされたもので
あり、例えばLSI用の異なつた図形を一つのマス
クでＸ線露光と光露光により形成するマスクを提
供し、そのマスク費用をトータルを低減すると共
に、その各露光時の目合わせ精度を高めることを
目的とする。
以下、本考案に係る多重露光用多重マスクを実
施例にもとづいて説明する。
施例にもとづいて説明する。
いま、第１図に示す如くSi基板上に１μ厚の熱
酸化SiO2膜２を形成し、ホトリゾグラフイー法
により、光露光用のパターンとして光線の阻止能
は有するが、Ｘ線は透過する厚さが100Å程度で
少なくとも１μ以上の巾のAuパターン３を形成
後、同じくホトリゾグラフイー法によりＸ線の吸
収能は有するが、光線を阻止するには巾の狭すぎ
る少なくとも0.1μ巾で厚さ0.5μのＸ線露光用の
Auパターン４および５を形成後、Si基板裏面よ
りSi枠１を残してSiをエツチング除去した多重マ
スクを形成し、該マスクに対し、垂直にまず光露
光６を施すと例えば波長4000Åの光露光ではＸ線
に対し阻止能を有するマスクパターン５は0.1μ
巾では解像せず実効的に光に対し阻止能は有せ
ず、例えば１μ以上の線巾のマスクパターン３の
図形を転写することとなる。次にＸ線露光を施す
場合は、マスク・パターン３は100Å程度と薄い
Au膜の為、Ｘ線の透過能が大となり、マスク・
パターン４，５はAu膜が少なくとも0.5μと厚い
ためＸ線に阻止能を有するためマスク・パターン
４，５の図形を転写することとなる。
酸化SiO2膜２を形成し、ホトリゾグラフイー法
により、光露光用のパターンとして光線の阻止能
は有するが、Ｘ線は透過する厚さが100Å程度で
少なくとも１μ以上の巾のAuパターン３を形成
後、同じくホトリゾグラフイー法によりＸ線の吸
収能は有するが、光線を阻止するには巾の狭すぎ
る少なくとも0.1μ巾で厚さ0.5μのＸ線露光用の
Auパターン４および５を形成後、Si基板裏面よ
りSi枠１を残してSiをエツチング除去した多重マ
スクを形成し、該マスクに対し、垂直にまず光露
光６を施すと例えば波長4000Åの光露光ではＸ線
に対し阻止能を有するマスクパターン５は0.1μ
巾では解像せず実効的に光に対し阻止能は有せ
ず、例えば１μ以上の線巾のマスクパターン３の
図形を転写することとなる。次にＸ線露光を施す
場合は、マスク・パターン３は100Å程度と薄い
Au膜の為、Ｘ線の透過能が大となり、マスク・
パターン４，５はAu膜が少なくとも0.5μと厚い
ためＸ線に阻止能を有するためマスク・パターン
４，５の図形を転写することとなる。
このようにして形成されたマスクは一枚のマス
クで二枚のマスクの作用を行なうことができ、マ
スク枚数の低減と、マスク製作および転写露光時
に同一の目合わせマークを用いることにより、マ
スク製作時のパターン毎のずれと、目合わせ露光
時のパターン毎のずれを減少できる等の効果を奏
する。
クで二枚のマスクの作用を行なうことができ、マ
スク枚数の低減と、マスク製作および転写露光時
に同一の目合わせマークを用いることにより、マ
スク製作時のパターン毎のずれと、目合わせ露光
時のパターン毎のずれを減少できる等の効果を奏
する。
上記実施例では、Ｘ線マスク・パターンと光線
マスク・パターンとを同一基板に形成する例を説
明したが、紫外線（波長4000Å程度）と遠紫外線
（波長2000Å乃至3000Å）に対し各各阻止能を異
にするパターンを石英基板上に形成する場合や、
電子線マスク・パターンと光線マスク・パター
ン、Ｘ線マスク・パターンと電子線マスク・パタ
ーン等の組合せ等で同一基板上に多重マスクとし
て用いても同様に本願の目的を達成できることは
云うまでもない。
マスク・パターンとを同一基板に形成する例を説
明したが、紫外線（波長4000Å程度）と遠紫外線
（波長2000Å乃至3000Å）に対し各各阻止能を異
にするパターンを石英基板上に形成する場合や、
電子線マスク・パターンと光線マスク・パター
ン、Ｘ線マスク・パターンと電子線マスク・パタ
ーン等の組合せ等で同一基板上に多重マスクとし
て用いても同様に本願の目的を達成できることは
云うまでもない。
また、上記実施例では一つのマスク基板に２重
のマスク・パターンを形成する場合を示したが、
２重以上の多重マスク・パターンを形成してもよ
いことは容易に理解されるであろう。
のマスク・パターンを形成する場合を示したが、
２重以上の多重マスク・パターンを形成してもよ
いことは容易に理解されるであろう。
第１図は本考案に係る多重マスクの構造を説明
するための一実施例の断面図である。 １……Si枠、２……SiO2膜、３……薄いAuパ
ターン、４，５……細くて厚いAuパターン、６
……光線、７……Ｘ線。
するための一実施例の断面図である。 １……Si枠、２……SiO2膜、３……薄いAuパ
ターン、４，５……細くて厚いAuパターン、６
……光線、７……Ｘ線。
Claims (1)
- 異なる波長に対してそれぞれに阻止能を有する
マスクパターンが基体薄膜上に形成されている露
光用多重マスクにおいて、前記マスクパターン
は、光線に対しては阻止能を有するがＸ線に対し
ては阻止能を有しない、少なくとも幅が１μ以上
で厚さが100Å以下である第１のマスクパターン
と、Ｘ線に対しては阻止能を有するがＸ線に対し
ては阻止能を有しない、少なくとも幅が0.1μ以
下で厚さが0.5μ以上である第２のマスクパター
ンとから形成されていることを特徴とする露光用
多重マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985156051U JPS6130278Y2 (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985156051U JPS6130278Y2 (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163834U JPS6163834U (ja) | 1986-04-30 |
| JPS6130278Y2 true JPS6130278Y2 (ja) | 1986-09-05 |
Family
ID=30714068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985156051U Expired JPS6130278Y2 (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130278Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8153352B2 (en) * | 2007-11-20 | 2012-04-10 | Eastman Kodak Company | Multicolored mask process for making display circuitry |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP1985156051U patent/JPS6130278Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6163834U (ja) | 1986-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0231916A2 (en) | X-ray exposure masks | |
| JPS6130278Y2 (ja) | ||
| JPS599920A (ja) | 局所的グレ−テイング作製方法 | |
| JPS63170917A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS60230650A (ja) | 微細パタ−ンの製作法 | |
| JP2610402B2 (ja) | 二重露光によるｔ形のゲートの製造方法 | |
| JPS6211491B2 (ja) | ||
| JPH02238457A (ja) | 厚膜フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPS61102738A (ja) | レジスト膜パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0670954B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04368135A (ja) | Ｔ型パターン形成方法 | |
| JPS613489A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0697024A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0471331B2 (ja) | ||
| JPS61222127A (ja) | サブミクロンホトレジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH04346414A (ja) | Ｘ線マスク及びｘ線露光方法 | |
| JPH0360111A (ja) | 密着式露光法 | |
| JPH06295053A (ja) | 位相シフトマスクの形成方法 | |
| JPH0466097B2 (ja) | ||
| JPS6333820A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS609124A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH02171754A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH023044A (ja) | 露光方法 | |
| JPS63104327A (ja) | Ｘ線マスク、およびその製造方法 | |
| JPH03250619A (ja) | パターン形成方法 |