JPH04346414A - Ｘ線マスク及びｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線マスク及びｘ線露光方法Info
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- JPH04346414A JPH04346414A JP3148119A JP14811991A JPH04346414A JP H04346414 A JPH04346414 A JP H04346414A JP 3148119 A JP3148119 A JP 3148119A JP 14811991 A JP14811991 A JP 14811991A JP H04346414 A JPH04346414 A JP H04346414A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線露光に用いられるＸ
線マスク及びＸ線露光方法に関する。
線マスク及びＸ線露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、Ｘ線露光に用いられるＸ線マス
クは、Ｘ線を良く透過するメンブレン膜上にＸ線を吸収
する吸収体層からなるＸ線吸収体パタンを形成して作成
されている。本Ｘ線マスクを使用した１：１の等倍近接
Ｘ線露光においては、吸収体層の厚さがマスクコントラ
スト（吸収体パタンのない部分のＸ線透過率／吸収体パ
タン部のＸ線透過率）を決めるので、その厚さは露光特
性を左右する重要な要因となる。マスクコントラストは
吸収体層の膜厚をｔ（ｎｍ）、照射Ｘ線に対する線吸収
係数をμ（１／ｎｍ）としたときに、１／ｅｘｐ（−μ
ｔ）で与えられる。従来、上記コントラストが高い程、
Ｘ線露光の解像性，転写パタンの寸法制御性，露光マー
ジン等の露光特性が良くなると考えられていたので、吸
収体層の厚さは吸収体パタンが形成可能な範囲で出来る
限り厚く形成されていた。この場合のコントラストとし
ては７〜１０がだいたいの判断基準となっていた。例え
ば、タンタル（Ｔａ）を吸収体材料とした場合には、０
．６５μｍの膜厚で中心波長が０．８ｎｍのシンクロト
ロン放射光に対してコントラストが約７であり、最低こ
のコントラストは確保するように吸収体層の厚さが０．
６５μｍ以上となるように作成されていた。しかし、こ
のコントラストの判断基準は吸収体パタンの平面的サイ
ズが１μｍ以上の大きなパタンをもとに導出されており
、これより微細パタンの接近露光において顕著となるＸ
線回折と相互干渉の影響に伴う実効的な露光コントラス
トの変化は考慮されていなかった。
クは、Ｘ線を良く透過するメンブレン膜上にＸ線を吸収
する吸収体層からなるＸ線吸収体パタンを形成して作成
されている。本Ｘ線マスクを使用した１：１の等倍近接
Ｘ線露光においては、吸収体層の厚さがマスクコントラ
スト（吸収体パタンのない部分のＸ線透過率／吸収体パ
タン部のＸ線透過率）を決めるので、その厚さは露光特
性を左右する重要な要因となる。マスクコントラストは
吸収体層の膜厚をｔ（ｎｍ）、照射Ｘ線に対する線吸収
係数をμ（１／ｎｍ）としたときに、１／ｅｘｐ（−μ
ｔ）で与えられる。従来、上記コントラストが高い程、
Ｘ線露光の解像性，転写パタンの寸法制御性，露光マー
ジン等の露光特性が良くなると考えられていたので、吸
収体層の厚さは吸収体パタンが形成可能な範囲で出来る
限り厚く形成されていた。この場合のコントラストとし
ては７〜１０がだいたいの判断基準となっていた。例え
ば、タンタル（Ｔａ）を吸収体材料とした場合には、０
．６５μｍの膜厚で中心波長が０．８ｎｍのシンクロト
ロン放射光に対してコントラストが約７であり、最低こ
のコントラストは確保するように吸収体層の厚さが０．
６５μｍ以上となるように作成されていた。しかし、こ
のコントラストの判断基準は吸収体パタンの平面的サイ
ズが１μｍ以上の大きなパタンをもとに導出されており
、これより微細パタンの接近露光において顕著となるＸ
線回折と相互干渉の影響に伴う実効的な露光コントラス
トの変化は考慮されていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の高いコントラス
トのＸ線マスクを用いたＸ線露光では、プロキシミティ
ギャップ（マスクとウエハ間距離）が３０μｍ以上でも
、平面的サイズが０．３μｍ以上の大きさのパタンは良
好に転写可能であった。しかし、０．３μｍより小さな
パタンに対しては、Ｘ線の回折と干渉の影響で急激に解
像性劣化が生じ、特に０．２μｍ以下のパタン転写が困
難となる問題があった。このため、従来のＸ線マスクを
用いて０．２μｍ以下のパタンを転写するには、プロキ
シミティギャップを１０μｍ前後の実用上不可能な値ま
で小さくする必要があった。
トのＸ線マスクを用いたＸ線露光では、プロキシミティ
ギャップ（マスクとウエハ間距離）が３０μｍ以上でも
、平面的サイズが０．３μｍ以上の大きさのパタンは良
好に転写可能であった。しかし、０．３μｍより小さな
パタンに対しては、Ｘ線の回折と干渉の影響で急激に解
像性劣化が生じ、特に０．２μｍ以下のパタン転写が困
難となる問題があった。このため、従来のＸ線マスクを
用いて０．２μｍ以下のパタンを転写するには、プロキ
シミティギャップを１０μｍ前後の実用上不可能な値ま
で小さくする必要があった。
【０００４】本発明の目的は、０．３μｍ以下のサイズ
のパタンに対して２０μｍ以上の大きなプロキシミティ
ギャップにおいて実効的露光コントラストが高く、結果
として解像性の高いＸ線マスク及びＸ線露光方法を提供
することにある。
のパタンに対して２０μｍ以上の大きなプロキシミティ
ギャップにおいて実効的露光コントラストが高く、結果
として解像性の高いＸ線マスク及びＸ線露光方法を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、０．３μｍ
以下の微細パタンの近接露光におけるＸ線回折と相互干
渉の影響を逆利用するために、吸収体層における照射Ｘ
線の移相変化量｛３６０（１−ｎ）ｔ／λ｝とマスクコ
ントラスト｛１／ｅｘｐ（−μｔ）｝を吸収体層の膜厚
ｔにより制御し、実効的な露光コントラストを増加させ
ることを特徴とする。
以下の微細パタンの近接露光におけるＸ線回折と相互干
渉の影響を逆利用するために、吸収体層における照射Ｘ
線の移相変化量｛３６０（１−ｎ）ｔ／λ｝とマスクコ
ントラスト｛１／ｅｘｐ（−μｔ）｝を吸収体層の膜厚
ｔにより制御し、実効的な露光コントラストを増加させ
ることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明によれば、プロキシミティギャップが２
０μｍ以上の大きい条件でも０．３μｍ以下のパタンに
対する実効的露光コントラストの増加が図れるので、本
マスクを使用したＸ線露光で得られる解像特性は従来の
Ｘ線マスクを用いた解像特性に比べ良好である。特に、
０．２μｍ以下のパタンも容易に解像可能である。また
、吸収体層の厚さを従来に比べ薄くできるので、結果と
して微細パタンでも加工が容易で加工精度の高いＸ線マ
スクとＸ線露光方法が得られる。
０μｍ以上の大きい条件でも０．３μｍ以下のパタンに
対する実効的露光コントラストの増加が図れるので、本
マスクを使用したＸ線露光で得られる解像特性は従来の
Ｘ線マスクを用いた解像特性に比べ良好である。特に、
０．２μｍ以下のパタンも容易に解像可能である。また
、吸収体層の厚さを従来に比べ薄くできるので、結果と
して微細パタンでも加工が容易で加工精度の高いＸ線マ
スクとＸ線露光方法が得られる。
【０００７】
【実施例】以下本発明を実施例によりさらに具体的に説
明する。 （実施例１） 図１は本発明による第１の実施例を示す図である。図１
において、符号１は吸収体層、２はメンブレン、３はこ
れらを基本的な構成要素とするＸ線マスクであり、本マ
スクには吸収体パタン４が形成されている。４は線幅Ｌ
４ａのラインパタンが一定間隔Ｌ４ｂで繰り返している
ラインアンドスペースの吸収体パタンである。ここでは
断面図を示す。吸収体層１はタンタル（Ｔａ）、メンブ
レン２は２μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）で構成した。 吸収体パタン４のサイズＬ４ａは０．１５μｍ、そのス
ペース幅Ｌ４ｂも０．１５μｍである。吸収体パタン４
に対応する吸収体層１の厚さｔ４ は、０．８ｎｍのピ
ーク波長を有するシンクロトロン放射光に対して位相変
化量｜３６０（１−ｎ）ｔ／λ｜が８３度、マスクコン
トラスト１／ｅｘｐ（−μｔ） が２．４５となるよ
うに０．３μｍに制御した。このときの、タンタルの屈
折率ｎは０．９９９３９、線吸収係数μは０．００２９
８７１／ｎｍである。
明する。 （実施例１） 図１は本発明による第１の実施例を示す図である。図１
において、符号１は吸収体層、２はメンブレン、３はこ
れらを基本的な構成要素とするＸ線マスクであり、本マ
スクには吸収体パタン４が形成されている。４は線幅Ｌ
４ａのラインパタンが一定間隔Ｌ４ｂで繰り返している
ラインアンドスペースの吸収体パタンである。ここでは
断面図を示す。吸収体層１はタンタル（Ｔａ）、メンブ
レン２は２μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）で構成した。 吸収体パタン４のサイズＬ４ａは０．１５μｍ、そのス
ペース幅Ｌ４ｂも０．１５μｍである。吸収体パタン４
に対応する吸収体層１の厚さｔ４ は、０．８ｎｍのピ
ーク波長を有するシンクロトロン放射光に対して位相変
化量｜３６０（１−ｎ）ｔ／λ｜が８３度、マスクコン
トラスト１／ｅｘｐ（−μｔ） が２．４５となるよ
うに０．３μｍに制御した。このときの、タンタルの屈
折率ｎは０．９９９３９、線吸収係数μは０．００２９
８７１／ｎｍである。
【０００８】本Ｘ線マスクの作成に当たっては、先ず、
シリコン基板の両面に窒化シリコン膜をＣＶＤで２μｍ
膜厚に形成した後、タンタルをスパッタリングで０．３
μｍの膜厚に形成し、引続き二酸化シリコン（ＳｉＯ２
）を０．２μｍ膜厚にＥＣＲで形成した。本基板にＥ
Ｂレジストを塗布し、ＥＢ露光により吸収体パタン４上
のレジストのみを残すように露光した。このレジストパ
タンをエッチングマスクとして二酸化シリコンをＲＩＥ
によりエッチングした。さらに、二酸化シリコンをエッ
チングマスクとしてＲＩＥにより、タンタルをエッチン
グした。最後に本基板の裏側より窒化シリコン膜をエッ
チングマスクとして、シリコン基板をウェットエッチン
グで除去した。本マスク製造工程では吸収体パタン４の
形成時のタンタルの膜厚が０．３μｍと薄いので、エッ
チング特性は良好であり、パタンの倒れやパタンエッジ
での不均一性等の従来の問題がなくなり、０．１５μｍ
とパタン寸法が小さいにも関わらずパタン形状、寸法精
度とも良好に形成された。
シリコン基板の両面に窒化シリコン膜をＣＶＤで２μｍ
膜厚に形成した後、タンタルをスパッタリングで０．３
μｍの膜厚に形成し、引続き二酸化シリコン（ＳｉＯ２
）を０．２μｍ膜厚にＥＣＲで形成した。本基板にＥ
Ｂレジストを塗布し、ＥＢ露光により吸収体パタン４上
のレジストのみを残すように露光した。このレジストパ
タンをエッチングマスクとして二酸化シリコンをＲＩＥ
によりエッチングした。さらに、二酸化シリコンをエッ
チングマスクとしてＲＩＥにより、タンタルをエッチン
グした。最後に本基板の裏側より窒化シリコン膜をエッ
チングマスクとして、シリコン基板をウェットエッチン
グで除去した。本マスク製造工程では吸収体パタン４の
形成時のタンタルの膜厚が０．３μｍと薄いので、エッ
チング特性は良好であり、パタンの倒れやパタンエッジ
での不均一性等の従来の問題がなくなり、０．１５μｍ
とパタン寸法が小さいにも関わらずパタン形状、寸法精
度とも良好に形成された。
【０００９】本Ｘ線マスク３を用いて、０．８ｎｍのピ
ーク波長を有するシンクロトロン放射光を利用したＸ線
露光装置でパタン転写を行なった。マスクとウエハのギ
ャップは３０μｍに制御した。露光レジストとして、Ｆ
ＢＭ−Ｇ（ポジ型レジスト）を１μｍ塗布した。本マス
クを使用した場合、０．１５μｍの吸収体パタン４をレ
ジストパタンに転写可能な露光量変動幅が８０〜１１０
ｍＪ／ｃｍ２ と大きな値が得られた。
ーク波長を有するシンクロトロン放射光を利用したＸ線
露光装置でパタン転写を行なった。マスクとウエハのギ
ャップは３０μｍに制御した。露光レジストとして、Ｆ
ＢＭ−Ｇ（ポジ型レジスト）を１μｍ塗布した。本マス
クを使用した場合、０．１５μｍの吸収体パタン４をレ
ジストパタンに転写可能な露光量変動幅が８０〜１１０
ｍＪ／ｃｍ２ と大きな値が得られた。
【００１０】一方、従来マスクを使用した場合には、３
０μｍギャップの露光条件では吸収体パタン４をレジス
トパタンに転写することが不可能であった。
０μｍギャップの露光条件では吸収体パタン４をレジス
トパタンに転写することが不可能であった。
【００１１】上記のように本Ｘ線マスクを用いた場合の
転写特性がよくなる理由を以下に説明する。図２にＸ線
露光におけるＸ線マスクを透過した透過Ｘ線強度分布の
一般的例を示す。マスク吸収体パタンがないときのＸ線
強度を１としている。メンブレンを透過したＸ線３０μ
ｍのギャップに応じて回折を起こす。また、吸収体層を
透過するＸ線は強度の減衰｛１−ｅｘｐ（−μｔ）｝倍
と同時に位相の変化｛３６０（１−ｎ）ｔ／λ｝度を生
じる。さらにこれらのＸ線は互いに干渉を起こす。上記
回折と干渉の及び範囲はＸ線の波長とギャップに依存し
ており、本実施例のＸ線波長とギャップの場合、最も影
響が大きく現われる範囲はパタンエッジから高々０．２
μｍまでである。従って、パタンサイズが小さい程Ｘ線
回折と相互干渉の効果が大きくなり、透過Ｘ線強度分布
が変化する。場合によっては、図２の（ａ），（ｂ）に
示すような強度の反転現象を起こし、マスクパタンに忠
実なレジストパタンが得られるなくなる。しかしながら
、本発明のごとく位相変化量と減衰量（マスクコントラ
ストと従属関係）を最適な値に選択すれば、上記回折と
干渉の効果を逆利用することが可能となり、マスクパタ
ンに忠実なＸ線強度分布が得られる。これにより０．３
μｍ以下の微細パタンにおいても実効的な露光コントラ
ストを向上することが可能になる。図２の（ｃ）で示す
ように、マスクパタンに忠実なＸ線強度分布が得られる
範囲を露光量マージンＣと定義した場合、前記の反転現
象を起こす位置（ａ）のＸ線強度の極小値をａとし位置
（ｂ）のＸ線強度の極大値をｂとしたとき、ｉ）ａが１
より小さくなるときＣ＝ａ／ｂ，ｉｉ） ａが１より大
なるときｃ＝１／ｂとなる。
転写特性がよくなる理由を以下に説明する。図２にＸ線
露光におけるＸ線マスクを透過した透過Ｘ線強度分布の
一般的例を示す。マスク吸収体パタンがないときのＸ線
強度を１としている。メンブレンを透過したＸ線３０μ
ｍのギャップに応じて回折を起こす。また、吸収体層を
透過するＸ線は強度の減衰｛１−ｅｘｐ（−μｔ）｝倍
と同時に位相の変化｛３６０（１−ｎ）ｔ／λ｝度を生
じる。さらにこれらのＸ線は互いに干渉を起こす。上記
回折と干渉の及び範囲はＸ線の波長とギャップに依存し
ており、本実施例のＸ線波長とギャップの場合、最も影
響が大きく現われる範囲はパタンエッジから高々０．２
μｍまでである。従って、パタンサイズが小さい程Ｘ線
回折と相互干渉の効果が大きくなり、透過Ｘ線強度分布
が変化する。場合によっては、図２の（ａ），（ｂ）に
示すような強度の反転現象を起こし、マスクパタンに忠
実なレジストパタンが得られるなくなる。しかしながら
、本発明のごとく位相変化量と減衰量（マスクコントラ
ストと従属関係）を最適な値に選択すれば、上記回折と
干渉の効果を逆利用することが可能となり、マスクパタ
ンに忠実なＸ線強度分布が得られる。これにより０．３
μｍ以下の微細パタンにおいても実効的な露光コントラ
ストを向上することが可能になる。図２の（ｃ）で示す
ように、マスクパタンに忠実なＸ線強度分布が得られる
範囲を露光量マージンＣと定義した場合、前記の反転現
象を起こす位置（ａ）のＸ線強度の極小値をａとし位置
（ｂ）のＸ線強度の極大値をｂとしたとき、ｉ）ａが１
より小さくなるときＣ＝ａ／ｂ，ｉｉ） ａが１より大
なるときｃ＝１／ｂとなる。
【００１２】露光量マージンのマスクコントラストと位
相変化量に対する関係を図３（ａ），（ｂ）に示す。 （ａ）はプロキシミティギャップが３０μｍ、（ｂ）は
２０μｍの場合の結果である。これらの図において、■
，■，■はラインパタンの線幅とスペース幅がそれぞれ
０．２μｍ，０．１５μｍ，０．１μｍの場合である。 これらの結果からも明らかなように、露光量マージンは
マスクコントラストが約２．５、位相変化量が約８０度
で極大値を持ち、マスクコントラストが１〜４、位相変
化量が３０〜１２０度の範囲では他の条件に比べ非常に
高い値である。従って、この条件を満足するように吸収
体層の膜厚を制御すれば、プロキシミティギャップが２
０〜３０μｍと大きい場合でも、０．１〜０．２μｍの
微細パタンが良好にパタン転写することができることに
なる。吸収体層がタンタルの場合、本条件を満たす膜厚
は７５〜４５０ｎｍである。
相変化量に対する関係を図３（ａ），（ｂ）に示す。 （ａ）はプロキシミティギャップが３０μｍ、（ｂ）は
２０μｍの場合の結果である。これらの図において、■
，■，■はラインパタンの線幅とスペース幅がそれぞれ
０．２μｍ，０．１５μｍ，０．１μｍの場合である。 これらの結果からも明らかなように、露光量マージンは
マスクコントラストが約２．５、位相変化量が約８０度
で極大値を持ち、マスクコントラストが１〜４、位相変
化量が３０〜１２０度の範囲では他の条件に比べ非常に
高い値である。従って、この条件を満足するように吸収
体層の膜厚を制御すれば、プロキシミティギャップが２
０〜３０μｍと大きい場合でも、０．１〜０．２μｍの
微細パタンが良好にパタン転写することができることに
なる。吸収体層がタンタルの場合、本条件を満たす膜厚
は７５〜４５０ｎｍである。
【００１３】本実施例では、吸収体層の材料がタンタル
の場合について実施例を示したが、吸収体層での位相変
化量及びマスクコントラストの条件が上記条件を満足す
るものであれば、金，タングステン，その他の材料であ
っても同様の効果が得られることは明らかである。
の場合について実施例を示したが、吸収体層での位相変
化量及びマスクコントラストの条件が上記条件を満足す
るものであれば、金，タングステン，その他の材料であ
っても同様の効果が得られることは明らかである。
【００１４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のＸ
線マスクを使用すると、２０μｍ以上の大きなプロキシ
ミティギャップで０．３μｍ以下の微細パタンを精度良
く転写することができる。さらに、吸収体層の膜厚を薄
くすることができるのでＸ線マスクの製造も従来に比べ
容易になり、精度も高くなる効果がある。
線マスクを使用すると、２０μｍ以上の大きなプロキシ
ミティギャップで０．３μｍ以下の微細パタンを精度良
く転写することができる。さらに、吸収体層の膜厚を薄
くすることができるのでＸ線マスクの製造も従来に比べ
容易になり、精度も高くなる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】Ｘ線露光におけるＸ線マスクを透過した透過Ｘ
線強度分布の一般的例を示す図である。
線強度分布の一般的例を示す図である。
【図３】露光量マージンのマスクコントラストと位相変
化量に対する関係を示す図である。
化量に対する関係を示す図である。
１ 吸収体層
２ メンブレン
３ Ｘ線マスク
４ 吸収体パタン
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線を透過するメンブレン膜と、該メ
ンブレン膜上に形成されたＸ線吸収体層からなるＸ線吸
収体パタンを有するＸ線マスクにおいて、照射するＸ線
のピーク波長をλ（ｎｍ）、この波長に対する前記吸収
体層の屈折率をｎ、線吸収係数をμ（１／ｎｍ）とした
ときに、前記Ｘ線吸収体層の膜厚ｔ（ｎｍ）が３０＜｜
３６０（１−ｎ）ｔ／λ｜＜１２０、かつ１＜１／ｅｘ
ｐ（−μｔ）＜４ を満足する条件に設定されたことを特徴とするＸ線マス
ク。 - 【請求項２】 Ｘ線を透過するメンブレン膜と、該メ
ンブレン膜上に形成されたＸ線吸収体層からなるＸ線吸
収体パタンを有するＸ線マスクを用いて、照射するＸ線
のピーク波長をλ（ｎｍ）、この波長に対する前記吸収
体層の屈折率をｎ、線吸収係数をμ（１／ｎｍ）とした
ときに、前記Ｘ線吸収体層の膜厚ｔ（ｎｍ）が３０＜｜
３６０（１−ｎ）ｔ／λ｜＜１２０、かつ１＜１／ｅｘ
ｐ（−μｔ）＜４ を満足する条件でパタン転写することを特徴とするＸ線
露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14811991A JP3042728B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | Ｘ線マスク及びｘ線露光方法 |
| US08/146,474 US5414746A (en) | 1991-04-22 | 1993-11-01 | X-ray exposure mask and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14811991A JP3042728B2 (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | Ｘ線マスク及びｘ線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346414A true JPH04346414A (ja) | 1992-12-02 |
| JP3042728B2 JP3042728B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=15445686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14811991A Expired - Lifetime JP3042728B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-05-24 | Ｘ線マスク及びｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3042728B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5405802A (en) * | 1992-01-31 | 1995-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Process of fabricating a semiconductor substrate |
| JPH0851057A (ja) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスクおよび露光方法 |
| JPH09190963A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Canon Inc | マスク及びこれを用いたデバイス生産方法や露光装置 |
-
1991
- 1991-05-24 JP JP14811991A patent/JP3042728B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5405802A (en) * | 1992-01-31 | 1995-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Process of fabricating a semiconductor substrate |
| JPH0851057A (ja) * | 1994-08-08 | 1996-02-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスクおよび露光方法 |
| JPH09190963A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Canon Inc | マスク及びこれを用いたデバイス生産方法や露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3042728B2 (ja) | 2000-05-22 |
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