JPS63299334A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS63299334A JPS63299334A JP13503887A JP13503887A JPS63299334A JP S63299334 A JPS63299334 A JP S63299334A JP 13503887 A JP13503887 A JP 13503887A JP 13503887 A JP13503887 A JP 13503887A JP S63299334 A JPS63299334 A JP S63299334A
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- Japan
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- pattern
- resist
- thin film
- electron beam
- photoreceptor
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は１μｍ以下の感光体パターン形成方法に係り、
特に電子ビーム露光における反転パターン形成方法に関
するものである。
特に電子ビーム露光における反転パターン形成方法に関
するものである。
従来の技術
電子ビーム（ＥＢ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）露光
パターンデータからパターンを形成する実用上唯一の方
法として、レチクル描画、マスク描画、およびウェハへ
の直接描画に利用されている。
パターンデータからパターンを形成する実用上唯一の方
法として、レチクル描画、マスク描画、およびウェハへ
の直接描画に利用されている。
第２図ａ〜ＣはＥＢｇ光によるパターン形成方法の概念
図を示すものである。第２図ａに示すパターンデータＰ
の領域に電子ビームを偏向走査してレジストを描画する
。電子ビームの照射を受けた部分のレジストの断面は、
レジストの種類によって異なる。ポジ型レジストの場合
には第２図ｂの如く、電子ビームが照射された部分が除
去され、ネガ型レジストの場合には第２図Ｃの如く宝子
ビームの照射された部分が残る。
図を示すものである。第２図ａに示すパターンデータＰ
の領域に電子ビームを偏向走査してレジストを描画する
。電子ビームの照射を受けた部分のレジストの断面は、
レジストの種類によって異なる。ポジ型レジストの場合
には第２図ｂの如く、電子ビームが照射された部分が除
去され、ネガ型レジストの場合には第２図Ｃの如く宝子
ビームの照射された部分が残る。
さて、パターンＰにより指定された領域をどのように加
工するかの目的により、使用するレジストの種類が決定
される。しかしながら、従来のＥＥレジストはポジ型の
方がネガ型よりも解像度が優れ、微細パターン形成には
概ねポジ型レジストが使用されている。その為、パター
ンデータの加工目的によりネガ型レジストが必要な場合
には、第３図に示す如く、パターンデータＰを図形反転
させ、反転パターンデータＱを作成してから、ポジ型レ
ジストを用いてＥＢ露光を行う方法がとられている。し
かしながら、この方法は、図形反転処理に膨大な時間が
かかるのと、パターンデータの量が増大し描画時間が著
しく長くなるという問題がある。
工するかの目的により、使用するレジストの種類が決定
される。しかしながら、従来のＥＥレジストはポジ型の
方がネガ型よりも解像度が優れ、微細パターン形成には
概ねポジ型レジストが使用されている。その為、パター
ンデータの加工目的によりネガ型レジストが必要な場合
には、第３図に示す如く、パターンデータＰを図形反転
させ、反転パターンデータＱを作成してから、ポジ型レ
ジストを用いてＥＢ露光を行う方法がとられている。し
かしながら、この方法は、図形反転処理に膨大な時間が
かかるのと、パターンデータの量が増大し描画時間が著
しく長くなるという問題がある。
発明が解決しようとする問題点
電子ビーム霧光において、反転パターンを形成する方法
のうち、パターンデータを図形反転する方法は膨大な計
算機処理時間とデータ量を必要とし、スルーグツト、信
頼性の低下を及ぼすという問題点がある。本発明はこの
ような従来の問題点に鑑み、反転パターンを容易に形成
する方法を提供するものである。
のうち、パターンデータを図形反転する方法は膨大な計
算機処理時間とデータ量を必要とし、スルーグツト、信
頼性の低下を及ぼすという問題点がある。本発明はこの
ような従来の問題点に鑑み、反転パターンを容易に形成
する方法を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、上層ポジ型ＥＢレジスト、中間層。
下層、ホトレジストよりなる３層レジスト構造を形成し
、上層ＥＢレジストをＥＢ露光によりパターン形成した
後、中間層をエツチングし、下層ホトレジストを紫外線
露光して、上層ＥＢレジスト。
、上層ＥＢレジストをＥＢ露光によりパターン形成した
後、中間層をエツチングし、下層ホトレジストを紫外線
露光して、上層ＥＢレジスト。
中間層を除去した後、下層レジストを熱処理した後再び
下層レジスト全面に紫外線露光して、その後下層ホトレ
ジストを現像することにょシ反転パターンを形成するも
のである。
下層レジスト全面に紫外線露光して、その後下層ホトレ
ジストを現像することにょシ反転パターンを形成するも
のである。
作 用
本発明によれば、高解像度の上層ＥＢレジストを用いて
、ＥＢ露光により微細なパターンを形成し、この微細パ
ターンをマスクに下層ホトレジストの露光をした後、下
層レジストを熱処理及び全面露光した後現像することに
より微細な反転パターンを形成することができる。
、ＥＢ露光により微細なパターンを形成し、この微細パ
ターンをマスクに下層ホトレジストの露光をした後、下
層レジストを熱処理及び全面露光した後現像することに
より微細な反転パターンを形成することができる。
実施例
第１図は本発明の一実施例における反転パターン形成方
法を説明する工程断面図である。
法を説明する工程断面図である。
第１図ａにおいて、半導体基板１０表面に、ホトレジス
ト２を０．５〜１．６ｔｉｒａ の厚さにスピンコード
シ、その上にアルミニウム等の金属膜３を６０Ｑ〜２ｏ
ＱＯ人蒸着し、さらにその上にポジ型ＥＢレジスト４を
０．１〜０．３１ｔｍの厚さにスピンコードし、３層レ
ジスト構造を形成する。
ト２を０．５〜１．６ｔｉｒａ の厚さにスピンコード
シ、その上にアルミニウム等の金属膜３を６０Ｑ〜２ｏ
ＱＯ人蒸着し、さらにその上にポジ型ＥＢレジスト４を
０．１〜０．３１ｔｍの厚さにスピンコードし、３層レ
ジスト構造を形成する。
次に、上層ＥＢレジストに電子ビーム６をパターン領域
６に照射し、第１図すに示す如く、バタ〜ン形成を行う
。
６に照射し、第１図すに示す如く、バタ〜ン形成を行う
。
次に、第１図Ｃに示す如く、ＥＢレジストバタ〜ン４を
マスクに中間層Ａｄ膜３をドライエツチングでエツチン
グを行った後、全面に紫外線７を照射し、下層ホトレジ
ストの露出部８を露光する。
マスクに中間層Ａｄ膜３をドライエツチングでエツチン
グを行った後、全面に紫外線７を照射し、下層ホトレジ
ストの露出部８を露光する。
この露光量は通常のパターン形成に比較して約２倍とす
る。また、紫外線７は中間層Ａ７１！膜により反射され
、下層ホトレジストには入射しないので露出部８以外は
露光されない。
る。また、紫外線７は中間層Ａ７１！膜により反射され
、下層ホトレジストには入射しないので露出部８以外は
露光されない。
次に、第１図ｄに示す如く、上層ＥＢレジスト４をＥＢ
レジスト現像液で、また中間層Ａｌ膜３をリン酸溶液の
エツチング液でそれぞれ除去する。
レジスト現像液で、また中間層Ａｌ膜３をリン酸溶液の
エツチング液でそれぞれ除去する。
次に、第１図ｅ［示す如く、アンモニア９雰囲気中で熱
処理を行い、露光部分８を現像液に対して非溶解質１ｏ
にする。ここでアンモニアはレジストの分解反応におけ
る触媒作用の働きをする。
処理を行い、露光部分８を現像液に対して非溶解質１ｏ
にする。ここでアンモニアはレジストの分解反応におけ
る触媒作用の働きをする。
次に、第１図ｆに示す如く、下層レジスト全面に紫外線
１１を照射し全面露光を行い、非溶解質領域１ｏ以外の
レジスト１２の現像液に対する溶解速度を増加させる。
１１を照射し全面露光を行い、非溶解質領域１ｏ以外の
レジスト１２の現像液に対する溶解速度を増加させる。
次に、第１図ｑに示す如く、下層レジストを現像液で現
像を行うと、領域１０以外除去され反転パターン１０が
形成される。
像を行うと、領域１０以外除去され反転パターン１０が
形成される。
なお上記実施例で説明した電子ビーム５は他の放射線例
えばイオンビーム、Ｘ線等でもかまわない。
えばイオンビーム、Ｘ線等でもかまわない。
また、中間層は他の金属膜、例えばチタン（Ｔｉ ）等
でもかまわない。また、他の絶縁膜２例えば酸化膜（Ｓ
ｚ ０２ ）等でもかまわない。
でもかまわない。また、他の絶縁膜２例えば酸化膜（Ｓ
ｚ ０２ ）等でもかまわない。
発明の効果
本発明は、３層レジスト構造を用いて、ＥＢ露光により
形成された微細な上層レジストパターンをマスクに使い
、紫外線露光熱処理及び紫外線露光により下層ホトレジ
ストの反転パターンを高精度にかつ容易に形成すること
ができる。
形成された微細な上層レジストパターンをマスクに使い
、紫外線露光熱処理及び紫外線露光により下層ホトレジ
ストの反転パターンを高精度にかつ容易に形成すること
ができる。
第１図は本発明の一実施例における反転パターン形成方
法を説明する工程断面図、第２図は従来のＥＢ露光によ
るパターン形成方法を説明する概念図、第３図は、従来
のパターンデータ反転方法を説明する図である。 ２・・・・・・下層ホトレジスト、３・・・・・・中間
層、４・・・・・・上層ＥＢレジスト、５・・・・・・
電子ビーム、７・・・・・・紫外線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｚ−
−−下贋レジースト ３−中間層 第１図 第 ２ 図 （ｌｌｌＬン （ｂ）（り 第３図
法を説明する工程断面図、第２図は従来のＥＢ露光によ
るパターン形成方法を説明する概念図、第３図は、従来
のパターンデータ反転方法を説明する図である。 ２・・・・・・下層ホトレジスト、３・・・・・・中間
層、４・・・・・・上層ＥＢレジスト、５・・・・・・
電子ビーム、７・・・・・・紫外線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｚ−
−−下贋レジースト ３−中間層 第１図 第 ２ 図 （ｌｌｌＬン （ｂ）（り 第３図
Claims (4)
- （１）半導体基板表面上に下層感光体薄膜、中間層薄膜
、上層感光体薄膜を順次堆積し３層構造を形成する工程
と、前記上層感光体薄膜を第１の放射線照射によりパタ
ーン形成する工程と、前記上層感光体薄膜パターンをマ
スクに前記中間層薄膜をエッチングする工程と、前記下
層感光体薄膜露出部に第２の放射線を照射する工程と、
前記上層感光体薄膜及び中間層薄膜を除去する工程と、
前記下層感光体薄膜に熱処理を施す工程と、前記下層感
光体薄膜に第２の放射線を再度照射する工程と、前記下
層感光体薄膜を現像し所定のパターンを形成する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - （２）第１の放射線が電子ビーム、第２の放射線が紫外
線であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
パターン形成方法。 - （３）下層感光体薄膜をアンアニアガス雰囲気で熱処理
を行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパ
ターン形成方法。 - （４）中間層薄膜が金属膜よりなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13503887A JPS63299334A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13503887A JPS63299334A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63299334A true JPS63299334A (ja) | 1988-12-06 |
Family
ID=15142491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13503887A Pending JPS63299334A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63299334A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396523B1 (ko) * | 2001-10-06 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 파장가변 레이저 장치의 선택회절 격자 제작 방법 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13503887A patent/JPS63299334A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396523B1 (ko) * | 2001-10-06 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 파장가변 레이저 장치의 선택회절 격자 제작 방법 |
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