JPS61256723A - Ｘ線マスクの形成方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの形成方法Info
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- JPS61256723A JPS61256723A JP60099216A JP9921685A JPS61256723A JP S61256723 A JPS61256723 A JP S61256723A JP 60099216 A JP60099216 A JP 60099216A JP 9921685 A JP9921685 A JP 9921685A JP S61256723 A JPS61256723 A JP S61256723A
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- Japan
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- mask
- resin layer
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｘ線マスクの材料として使用されるタンタル（Ｔａ）
＊金（Ａｕ）などの重金属は電子線の照射を受けるとこ
れを反射させるが、この散乱電子のために微細パターン
の形成が難しい。
＊金（Ａｕ）などの重金属は電子線の照射を受けるとこ
れを反射させるが、この散乱電子のために微細パターン
の形成が難しい。
本発明は重金属膜の上にシリコン樹脂層よりなる散乱電
子の吸収層を設けることによりサブミクロンパターンの
形成が可能なＸ線マスクの形成方法である。
子の吸収層を設けることによりサブミクロンパターンの
形成が可能なＸ線マスクの形成方法である。
本発明はＸ線マスクパターンの形成方法に関する。
大量の情報を高速に処理する情報処理技術の要望を満た
すために情報処理装置の主構成体である半導体装置は集
積化が進んでいる。
すために情報処理装置の主構成体である半導体装置は集
積化が進んでいる。
すなわち半導体チップの最大面積は殆ど変わらないにも
拘わらず、構成素子数は増加し、ｒｃよりＬＳＩへ、Ｌ
ＳＩよりＶＬＳＩへと高集積化が行われている。
拘わらず、構成素子数は増加し、ｒｃよりＬＳＩへ、Ｌ
ＳＩよりＶＬＳＩへと高集積化が行われている。
かかる集積化は単位素子の小形化により行われているが
、この小形化は半導体層形成技術、薄膜形成技術などと
共に写真食刻技術（ホトリソグラフィ）の進歩に負うと
ころが大きい。
、この小形化は半導体層形成技術、薄膜形成技術などと
共に写真食刻技術（ホトリソグラフィ）の進歩に負うと
ころが大きい。
ここで写真食刻技術は被処理基板の上に感光性レジスト
を被覆し、これに光あるいは電離放射線を照射して選択
的に露光せしめるもので、露光部と非露光部とが現像液
に対して溶解度の差を生ずるのを利用してレジストパタ
ーンが作られる。
を被覆し、これに光あるいは電離放射線を照射して選択
的に露光せしめるもので、露光部と非露光部とが現像液
に対して溶解度の差を生ずるのを利用してレジストパタ
ーンが作られる。
そして、このレジストパターンをマスクとしてドライエ
ツチング或いはウェットエツチングを行って被処理基板
を選択エツチングし、微細なパターンを形成するもので
ある。
ツチング或いはウェットエツチングを行って被処理基板
を選択エツチングし、微細なパターンを形成するもので
ある。
さて、半導体集積回路は高集積化と共にパターン幅が１
μｍ以下の所謂るサブミクロンパターンの形成が必要で
あるが、光源として紫外線を使用する従来のパターン形
成法ではかかる微細パターンの形成は不可能であり、こ
れに代わって電子線のような電離放射線を使用して微細
なパターンを描画して選択露光し、選択エツチングする
ことが行われている。
μｍ以下の所謂るサブミクロンパターンの形成が必要で
あるが、光源として紫外線を使用する従来のパターン形
成法ではかかる微細パターンの形成は不可能であり、こ
れに代わって電子線のような電離放射線を使用して微細
なパターンを描画して選択露光し、選択エツチングする
ことが行われている。
ここでＸ線を使用する写真食刻技術は波長が５〜１５人
のソフトＸ線を光の代わりに用い、マスクを通してレジ
ストを露光する方式であり、電子ビーム露光に較べて一
度に全面積の露光ができ、露光時間が短く、電子線のよ
うに電子の散乱がなく、切れのよい微細パターンを作る
ことができ、また特別な真空を用いなくともよい。
のソフトＸ線を光の代わりに用い、マスクを通してレジ
ストを露光する方式であり、電子ビーム露光に較べて一
度に全面積の露光ができ、露光時間が短く、電子線のよ
うに電子の散乱がなく、切れのよい微細パターンを作る
ことができ、また特別な真空を用いなくともよい。
然し、Ｘ線用のマスクの使用が必要となる。
すなわち微細パターンを窓開けした重金属からなるマス
クが必要になる。
クが必要になる。
Ｘ線マスクの材料としてはＸ線を透過しない材料である
ことが必要で重金属が選ばれ、加工のし易さからＴａ、
Ａｕなどが使われている。
ことが必要で重金属が選ばれ、加工のし易さからＴａ、
Ａｕなどが使われている。
然し、この金属を被処理基板とし、この上に電子線に対
して感度のある電子線レジストを塗布した後、電子線を
走査して微細パターンを描画しても重金属は従来被処理
基板として用いられているシリコン（Ｓｉ）やアルミニ
ウム（ＡＩ）に較べて電子の反射係数が大きく、電子が
反射して散乱するために微細パターンの形成ができない
。
して感度のある電子線レジストを塗布した後、電子線を
走査して微細パターンを描画しても重金属は従来被処理
基板として用いられているシリコン（Ｓｉ）やアルミニ
ウム（ＡＩ）に較べて電子の反射係数が大きく、電子が
反射して散乱するために微細パターンの形成ができない
。
そのために二層構造のレジストプロセスが提案されてい
る。
る。
すなわち、被処理基板の上に有機物よりなる樹脂層を設
け、この上に電子線に対して感度の高いレジスト層を設
ける。
け、この上に電子線に対して感度の高いレジスト層を設
ける。
そして電子線を走査して微細パターンを描画すると電子
は被処理基板に達して反射が起こるが、樹脂層で吸収さ
れるため、上部にあるレジスト層に達するものは少なく
、そのため微細パターンのレジストマスクが形成される
。
は被処理基板に達して反射が起こるが、樹脂層で吸収さ
れるため、上部にあるレジスト層に達するものは少なく
、そのため微細パターンのレジストマスクが形成される
。
然し、そのためには樹脂層の膜厚を２．５〜３．０μｍ
と厚く作る必要があり、このように樹脂層が厚いとレジ
スト層をマスクとしてドライエツチングを行う場合に樹
脂層がアンダーカットされてパターン精度が低下すると
云う問題がある。
と厚く作る必要があり、このように樹脂層が厚いとレジ
スト層をマスクとしてドライエツチングを行う場合に樹
脂層がアンダーカットされてパターン精度が低下すると
云う問題がある。
また散乱電子のエネルギを低下させるために重金属から
なる被処理基板の上に二酸化硅素（５ｉＯ２）層を電子
吸収層として形成し、この上に電子線に対し感度のよい
レジスト層を設けることが検討されている。
なる被処理基板の上に二酸化硅素（５ｉＯ２）層を電子
吸収層として形成し、この上に電子線に対し感度のよい
レジスト層を設けることが検討されている。
然し、基板としてよく使用されるＴａ等の金属は非常に
割れ易い金属であり、この上にｓｉｏ ｚ Ｎをスパッ
タ法などで形成すると被処理基板に応力が発生してクラ
ックが発生し易く、そのため内部応力の厳密な制御を必
要とすると云う問題がある。
割れ易い金属であり、この上にｓｉｏ ｚ Ｎをスパッ
タ法などで形成すると被処理基板に応力が発生してクラ
ックが発生し易く、そのため内部応力の厳密な制御を必
要とすると云う問題がある。
以上記したようにＸ線マスク材料として重金属を使用す
る必要があるが、電子線を走査して上層の電子線レジス
トにサブミクロンパターンを描画する際、重金属からの
反射電子によって電子線レジストが感光して微細パター
ンが得られないと云う問題がある。
る必要があるが、電子線を走査して上層の電子線レジス
トにサブミクロンパターンを描画する際、重金属からの
反射電子によって電子線レジストが感光して微細パター
ンが得られないと云う問題がある。
上記の問題は重金属膜上にシリコン樹脂層よりなる散乱
電子の吸収層を設けた後、該層上に電子線レジスト層を
形成し、これに電子線の描画を行って後に現像してレジ
ストパターンを作り、該レジストパターンをマスクとし
てシリコン樹脂層および重金属膜と順次選択エッチして
重金属からなるマスクを得ることを特徴とするＸ線マス
クの形成方法により解決することができる。
電子の吸収層を設けた後、該層上に電子線レジスト層を
形成し、これに電子線の描画を行って後に現像してレジ
ストパターンを作り、該レジストパターンをマスクとし
てシリコン樹脂層および重金属膜と順次選択エッチして
重金属からなるマスクを得ることを特徴とするＸ線マス
クの形成方法により解決することができる。
本発明は被処理マスク金属と電子線レジスト層の間にシ
リコン樹脂層を設け、散乱電子を吸収することより被処
理マスク金属からなるサブミクロンマスクを実現するも
のである。
リコン樹脂層を設け、散乱電子を吸収することより被処
理マスク金属からなるサブミクロンマスクを実現するも
のである。
また更に完全にはこのシリコン樹脂層の上に非感光性樹
脂層を設け、この上に電子線レジスト層を設けることに
より、散乱電子が電子線レジスト層に達するのを完全に
阻止するものである。
脂層を設け、この上に電子線レジスト層を設けることに
より、散乱電子が電子線レジスト層に達するのを完全に
阻止するものである。
すなわち本発明はシリコン樹脂が電子を吸収する能力が
優れていると共に層形成が容易で、また被処理マスク金
属に応力を殆ど発生させない性質を利用するものである
。
優れていると共に層形成が容易で、また被処理マスク金
属に応力を殆ど発生させない性質を利用するものである
。
本発明に使用するシリコン樹脂層は第１図（Ａ）〜（Ｄ
）に示すようなシリコン樹脂を用いて形成される。
）に示すようなシリコン樹脂を用いて形成される。
すなわちメチルシルセスキオキサン（−船名ポリラダー
オキシシロキサン）、メチルシロキサン。
オキシシロキサン）、メチルシロキサン。
フェニルシロキサン、メチルフェニルシルセスキオキサ
ンなどである。
ンなどである。
以後、被処理マスク金属としてＴａを用い、０．２１Ｊ
ｍ幅のようなサブミクロンマスクの形成例を説明する。
ｍ幅のようなサブミクロンマスクの形成例を説明する。
実施例１： に１構造）
Ｓｉ基板１の上にスパッタ法によりＴａ膜２を約０゜８
μｍの厚さに形成し、この上にメチルシルセスキオキサ
ン（日本合成ゴム社：商品名ＰＬＯ３−Ｍ）からなるシ
リコン樹脂層３を０．４ μｍの厚さに形成した。〔第
２図（Ａ）〕 その方法はＰＬＯＳ−Ｍのシクロへギサノン溶液をスピ
ンコード法で塗布した後、２００℃で１時間に互って加
熱し硬化させた。
μｍの厚さに形成し、この上にメチルシルセスキオキサ
ン（日本合成ゴム社：商品名ＰＬＯ３−Ｍ）からなるシ
リコン樹脂層３を０．４ μｍの厚さに形成した。〔第
２図（Ａ）〕 その方法はＰＬＯＳ−Ｍのシクロへギサノン溶液をスピ
ンコード法で塗布した後、２００℃で１時間に互って加
熱し硬化させた。
次ぎにかかる試料を平行平板型ドライエ・７チング装置
に入れ、酸素（０２）ガスを導入し、ガス圧力８Ｐａ（
パスカル）、印加電力密度０．３３Ｗ／ｃｍ２゜処理時
間１分の条件でプラズマ処理を行ってシリコン樹脂層３
の表面を改質し、濡れ性を回復させた。
に入れ、酸素（０２）ガスを導入し、ガス圧力８Ｐａ（
パスカル）、印加電力密度０．３３Ｗ／ｃｍ２゜処理時
間１分の条件でプラズマ処理を行ってシリコン樹脂層３
の表面を改質し、濡れ性を回復させた。
このシリコン樹脂層３の上にスピンコード法でクロロメ
チル化ポリスチレン（東洋曹達社：商品名ＣＭＳ−ＥＸ
）を塗布し、窒素（Ｎ２）気流中で１００℃で３０分プ
リベークして厚さ０．６ μｍの電子線レジスト層４を
形成した。〔第２図（Ｂ）〕次ぎにこの電子線レジスト
層４に電子線を加速電圧２０ＫＶの条件で走査して微細
パターンの描画を行った後、試料をアセトンに６０秒間
浸漬して現像し、更にイソプロパツールに３０秒浸して
リンス処理を行った。
チル化ポリスチレン（東洋曹達社：商品名ＣＭＳ−ＥＸ
）を塗布し、窒素（Ｎ２）気流中で１００℃で３０分プ
リベークして厚さ０．６ μｍの電子線レジスト層４を
形成した。〔第２図（Ｂ）〕次ぎにこの電子線レジスト
層４に電子線を加速電圧２０ＫＶの条件で走査して微細
パターンの描画を行った後、試料をアセトンに６０秒間
浸漬して現像し、更にイソプロパツールに３０秒浸して
リンス処理を行った。
その結果０．５ μｍラインアンドスペースのレジスト
パターン５を形成することができた。
パターン５を形成することができた。
なお、パターンの描画感度は２０μＣ／ＣｎＩ２であっ
た。〔第２図（Ｃ）〕 次ぎにレジストパターン５をマスクとしてフレオン（Ｃ
Ｆａ ）ガスを用い、ガス圧８Ｐａ、印加電力密度０．
３３Ｗ／ｃｍ２．処理時間４分の条件でプラズマエツチ
ングしてシリコン樹脂層３にパターンを転写した。〔第
２図（Ｄ）〕 次ぎに塩素（Ｃ１，ｚ）ガスと四塩化炭素（Ｃ（：ｌａ
）の濃度比が１：１の混合ガスを用い、ガス圧８Ｐａ
。
た。〔第２図（Ｃ）〕 次ぎにレジストパターン５をマスクとしてフレオン（Ｃ
Ｆａ ）ガスを用い、ガス圧８Ｐａ、印加電力密度０．
３３Ｗ／ｃｍ２．処理時間４分の条件でプラズマエツチ
ングしてシリコン樹脂層３にパターンを転写した。〔第
２図（Ｄ）〕 次ぎに塩素（Ｃ１，ｚ）ガスと四塩化炭素（Ｃ（：ｌａ
）の濃度比が１：１の混合ガスを用い、ガス圧８Ｐａ
。
印加電力密度０．３３Ｗ／ｃｍ２．処理時間３分の条件
でプラズマエツチングしてＴａ膜２にパターンを転写し
た。〔第２図（Ｅ）〕 以上の結果、０．５μｍラインアンドスペースのザブミ
クロンＴａパターンを形成できた。
でプラズマエツチングしてＴａ膜２にパターンを転写し
た。〔第２図（Ｅ）〕 以上の結果、０．５μｍラインアンドスペースのザブミ
クロンＴａパターンを形成できた。
実施例２： （三層構造）
Ｓｉ基板１の上、にスパッタ法によりＴａ膜２を約０゜
８μｍの厚さに形成し、この上にメチルシルセスキオキ
サン（日本合成ゴム社：商品名ＰＬＯ３−Ｍ）からなる
シリコン樹脂層３を０．４ μｍの厚さに形成した。
８μｍの厚さに形成し、この上にメチルシルセスキオキ
サン（日本合成ゴム社：商品名ＰＬＯ３−Ｍ）からなる
シリコン樹脂層３を０．４ μｍの厚さに形成した。
その方法はＰＬＯ３−Ｍのシクロヘキサノン溶液をスピ
ンコード法で塗布した後、２００℃で１時間に互って加
熱し硬化させた。
ンコード法で塗布した後、２００℃で１時間に互って加
熱し硬化させた。
次ぎにかかる試料を平行平板型ドライエツチング装置に
入れ、酸素（０２）ガスを導入し、ガス圧力８Ｐａ（パ
スカル）、印加電力密度０．３３Ｗ／ｃｍ２゜処理時間
１分の条件でプラズマ処理を行ってシリコン樹脂層３の
表面を改質し、濡れ性を回復させた。
入れ、酸素（０２）ガスを導入し、ガス圧力８Ｐａ（パ
スカル）、印加電力密度０．３３Ｗ／ｃｍ２゜処理時間
１分の条件でプラズマ処理を行ってシリコン樹脂層３の
表面を改質し、濡れ性を回復させた。
このシリコン樹脂層３の上にポリｐ−ヒドロキシスチレ
ン（丸善石油：商品名ＰＯＰ−６８２９）と０−タレゾ
ールノボラック樹脂（住友化学：商品名スミエポキシＥ
ＳＣＮ−１９５−６）とからなる非感光性樹脂層６を厚
さ０．５μｍの厚さに形成した。
ン（丸善石油：商品名ＰＯＰ−６８２９）と０−タレゾ
ールノボラック樹脂（住友化学：商品名スミエポキシＥ
ＳＣＮ−１９５−６）とからなる非感光性樹脂層６を厚
さ０．５μｍの厚さに形成した。
この形成方法は２：１の重量比に混合したもののシクロ
ヘキサン溶液をスピンコード法でシリコン樹脂層３の上
に塗布し２００℃で１時間加熱して硬化させたものであ
る。〔第３図（Ａ）〕次ぎにこの上にシリル化ポリメチ
ルシルセスキオキサン（平均重量分子１ｔ３３０００．
分散度１．３６）からなる電子線レジスト層７を０．２
μ川の厚さに形成した。
ヘキサン溶液をスピンコード法でシリコン樹脂層３の上
に塗布し２００℃で１時間加熱して硬化させたものであ
る。〔第３図（Ａ）〕次ぎにこの上にシリル化ポリメチ
ルシルセスキオキサン（平均重量分子１ｔ３３０００．
分散度１．３６）からなる電子線レジスト層７を０．２
μ川の厚さに形成した。
この形成法はシリル化ポリメチルシルセスキオキサンの
４−メチル−２−ペンタノン溶液をスピンコード法で塗
布し、Ｎ２気流中で８０℃で２０分間プリベークした。
４−メチル−２−ペンタノン溶液をスピンコード法で塗
布し、Ｎ２気流中で８０℃で２０分間プリベークした。
これにより非感光性樹脂層６と電子線レジスト層７とか
らなる二層構造のレジスト層が形成された。〔第３図（
Ｂ）〕 パターン形成法としては、 実施例１と同様に電子線を走査して微細パターンを電子
線レジスト層７に描画した後、４−メチル−２−ペンタ
ノンとイソプロパツールの混合液（混合比２：８）に３
０秒浸漬して現像した後、イソプロパツールに３０秒浸
漬してリンスした。〔第３図（Ｃ）〕 次ぎに試料を平行平板型ドライエツチング装置に入れ、
０□ガスを導入し、ガス圧力２Ｐａ、印加電力密度０．
２２Ｗ／ｃｍ２．処理時間５分の条件でプラズマエツチ
ングを行うことによりレジストパターン８を非感光性樹
脂層６に転写し、これにより０．３μｍラインアンドス
ペースの二層構造レジストパターンが形成された。〔第
３図（Ｄ）〕次ぎにエツチングガスをＣＣＩ ４とＣＦ
、の１：１の混合ガスに切り換え、ガス圧力８Ｐａ、印
加電力密度０．３３Ｗ／ｃｍ２．処理時間１０分の条件
でプラズマエツチングを行うことによりシリコン樹脂層
３とＴａ膜２とを一緒にエツチング処理することによす
０．３ μｍラインアンドスペースのＴａパターンを作
ることができた。〔第３図（Ｅ）〕 〔発明の効果〕 以上記したように本発明の実施によりサブミクロンパタ
ーンの形成が可能になり、またシリコン樹脂層の形成に
おいてはＴａ基板内に応力を生ずることはないので収率
よくＸ線パターンを作ることができる。
らなる二層構造のレジスト層が形成された。〔第３図（
Ｂ）〕 パターン形成法としては、 実施例１と同様に電子線を走査して微細パターンを電子
線レジスト層７に描画した後、４−メチル−２−ペンタ
ノンとイソプロパツールの混合液（混合比２：８）に３
０秒浸漬して現像した後、イソプロパツールに３０秒浸
漬してリンスした。〔第３図（Ｃ）〕 次ぎに試料を平行平板型ドライエツチング装置に入れ、
０□ガスを導入し、ガス圧力２Ｐａ、印加電力密度０．
２２Ｗ／ｃｍ２．処理時間５分の条件でプラズマエツチ
ングを行うことによりレジストパターン８を非感光性樹
脂層６に転写し、これにより０．３μｍラインアンドス
ペースの二層構造レジストパターンが形成された。〔第
３図（Ｄ）〕次ぎにエツチングガスをＣＣＩ ４とＣＦ
、の１：１の混合ガスに切り換え、ガス圧力８Ｐａ、印
加電力密度０．３３Ｗ／ｃｍ２．処理時間１０分の条件
でプラズマエツチングを行うことによりシリコン樹脂層
３とＴａ膜２とを一緒にエツチング処理することによす
０．３ μｍラインアンドスペースのＴａパターンを作
ることができた。〔第３図（Ｅ）〕 〔発明の効果〕 以上記したように本発明の実施によりサブミクロンパタ
ーンの形成が可能になり、またシリコン樹脂層の形成に
おいてはＴａ基板内に応力を生ずることはないので収率
よくＸ線パターンを作ることができる。
第１図は本発明に適用が可能なシリコン樹脂、第２図（
Ａ）〜（Ｅ）は二層構造マスクの製造プロセス、 第３図（Ａ）〜（Ｅ）は三層構造マスクの製造プロセス
、 である。 図において、 １はＳｔ基板、 ２はＴａ膜、３はシリコ
ン樹脂層、 ４．７は電子線レジスト層、 ５．８はレジストパターン、 ６は非感光性樹脂層、 である。 構匿氏 ん 凧 １止し尺１２ ノ士ル冬長１エフェ；ｌし榎Ａ？祇明
に歳用不°町負まρ レリコン潴す指部 １ 図 ％２図 第３図
Ａ）〜（Ｅ）は二層構造マスクの製造プロセス、 第３図（Ａ）〜（Ｅ）は三層構造マスクの製造プロセス
、 である。 図において、 １はＳｔ基板、 ２はＴａ膜、３はシリコ
ン樹脂層、 ４．７は電子線レジスト層、 ５．８はレジストパターン、 ６は非感光性樹脂層、 である。 構匿氏 ん 凧 １止し尺１２ ノ士ル冬長１エフェ；ｌし榎Ａ？祇明
に歳用不°町負まρ レリコン潴す指部 １ 図 ％２図 第３図
Claims (2)
- （１）重金属膜上にシリコン樹脂層（３）よりなる散乱
電子の吸収層を設けた後、該層上に電子線レジスト層（
４）を形成し、これに電子線の描画を行って後に現像し
てレジストパターン（５）を作り、該レジストパターン
（５）をマスクとしてシリコン樹脂層（３）および重金
属膜と順次選択エッチして重金属からなるマスクを得る
ことを特徴とするＸ線マスクの形成方法。 - （２）重金属膜上にシリコン樹脂層（３）よりなる散乱
電子の吸収層を設けた後、該層上に非感光性樹脂層（６
）と電子線レジスト層（７）とを形成し、これに電子線
の描画を行って後に現像してレジストパターン（８）を
作り、該レジストパターン（８）をマスクとして非感光
性樹脂層（６）、シリコン樹脂層（３）および重金属膜
と順次選択エッチして重金属からなるマスクを得ること
を特徴とするＸ線マスクの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60099216A JPS61256723A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | Ｘ線マスクの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60099216A JPS61256723A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | Ｘ線マスクの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61256723A true JPS61256723A (ja) | 1986-11-14 |
Family
ID=14241460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60099216A Pending JPS61256723A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | Ｘ線マスクの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61256723A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004518990A (ja) * | 2000-09-18 | 2004-06-24 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 二重層レティクル素材及びその製造方法 |
| TWI769312B (zh) * | 2017-09-19 | 2022-07-01 | 日商Ｊｓｒ股份有限公司 | 抗蝕劑圖案形成方法及基板的處理方法 |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP60099216A patent/JPS61256723A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004518990A (ja) * | 2000-09-18 | 2004-06-24 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 二重層レティクル素材及びその製造方法 |
| TWI769312B (zh) * | 2017-09-19 | 2022-07-01 | 日商Ｊｓｒ股份有限公司 | 抗蝕劑圖案形成方法及基板的處理方法 |
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