JPH05160105A - ウエットエッチング方法 - Google Patents
ウエットエッチング方法Info
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- JPH05160105A JPH05160105A JP34887691A JP34887691A JPH05160105A JP H05160105 A JPH05160105 A JP H05160105A JP 34887691 A JP34887691 A JP 34887691A JP 34887691 A JP34887691 A JP 34887691A JP H05160105 A JPH05160105 A JP H05160105A
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- JP
- Japan
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- aqueous solution
- resist
- etching
- positive resist
- etchant
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 サイドエッチング量の小さいＨＦ水溶液とＮ
Ｈ4 Ｆ水溶液の２成分からなるエッチャントＢＨＦ（バ
ッファードフッ酸）を用いてエッチングが行なえ、か
つ、エッチャントが充分にコンタクトホールに浸透させ
ることができ、最終的に良好なエッチング形状を得るこ
とができ、コンタクトホール形成の次工程のメタルのス
テップカバレッジを向上させることができるウエットエ
ッチング方法を提供する。 【構成】 ポジレジストの表面を親水性に改質し、ＨＦ
水溶液とＮＨ4 Ｆ水溶液の２成分から成るエッチャント
ＢＨＦが微細なコンタクトホールに浸透するようにする
工程とサイドエッチング量の小さい前記エッチャントで
ＳｉＯ2 をエッチングする工程を順次行う。
Ｈ4 Ｆ水溶液の２成分からなるエッチャントＢＨＦ（バ
ッファードフッ酸）を用いてエッチングが行なえ、か
つ、エッチャントが充分にコンタクトホールに浸透させ
ることができ、最終的に良好なエッチング形状を得るこ
とができ、コンタクトホール形成の次工程のメタルのス
テップカバレッジを向上させることができるウエットエ
ッチング方法を提供する。 【構成】 ポジレジストの表面を親水性に改質し、ＨＦ
水溶液とＮＨ4 Ｆ水溶液の２成分から成るエッチャント
ＢＨＦが微細なコンタクトホールに浸透するようにする
工程とサイドエッチング量の小さい前記エッチャントで
ＳｉＯ2 をエッチングする工程を順次行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエットエッチング方
法に関し、より詳しくは、良好なエッチング形状を得る
ことができるウエットエッチング方法に関する。
法に関し、より詳しくは、良好なエッチング形状を得る
ことができるウエットエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のコンタクトホール形成技術にあっ
ては、３μｍルールぐらいまでは、ＨＦ水溶液とＮＨ4
Ｆ水溶液の混合エッチャントＢＨＦ（バッファードフッ
酸）でウエットエッチングを行うことによりコンタクト
ホールを形成していた。この方法では、レジストはＳｉ
Ｏ2 膜との密着性がポジより良好なネガレジストがエッ
チングマスクに用いられていた。
ては、３μｍルールぐらいまでは、ＨＦ水溶液とＮＨ4
Ｆ水溶液の混合エッチャントＢＨＦ（バッファードフッ
酸）でウエットエッチングを行うことによりコンタクト
ホールを形成していた。この方法では、レジストはＳｉ
Ｏ2 膜との密着性がポジより良好なネガレジストがエッ
チングマスクに用いられていた。
【０００３】ところが、半導体デバイスの小型化、回路
パターンの微細化に伴い、３μｍルール以下でのコンタ
クトホール形成にあたって、ウエットエッチングではサ
イドエッチングによりエッチング寸法の制御性が確保さ
れないため、垂直エッチングが可能なドライエッチング
が主流となり、また、ドライプロセスではレジストは密
着性がさほど要求されないので、微細加工に有利なポジ
レジストが用いられるようになってきた。
パターンの微細化に伴い、３μｍルール以下でのコンタ
クトホール形成にあたって、ウエットエッチングではサ
イドエッチングによりエッチング寸法の制御性が確保さ
れないため、垂直エッチングが可能なドライエッチング
が主流となり、また、ドライプロセスではレジストは密
着性がさほど要求されないので、微細加工に有利なポジ
レジストが用いられるようになってきた。
【０００４】さらに微細化が進み、１．２μｍルールく
らいから、コンタクトホールのアスペクト比が大きくな
ると、メタルのステップカバレッジが悪くなるという問
題が出てきた。
らいから、コンタクトホールのアスペクト比が大きくな
ると、メタルのステップカバレッジが悪くなるという問
題が出てきた。
【０００５】そこで、この問題を解決する１つの方法と
し、まず、ある程度ウエットエッチングでサイドエッチ
ングを行い、次にドライエッチングで垂直にエッチング
するという、２つのエッチング法を組み合わせること
で、図１に示したような、エッジのとれたコンタクトホ
ールを形成しようとする試みがなされている。図１にお
いて、１はシリコンウエハ、２はＳｉＯ2 層、３はレジ
ストである。
し、まず、ある程度ウエットエッチングでサイドエッチ
ングを行い、次にドライエッチングで垂直にエッチング
するという、２つのエッチング法を組み合わせること
で、図１に示したような、エッジのとれたコンタクトホ
ールを形成しようとする試みがなされている。図１にお
いて、１はシリコンウエハ、２はＳｉＯ2 層、３はレジ
ストである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来技
術のウエットエッチングとドライエッチングの併用プロ
セスにおいては、以下のような問題点が発生した。ま
ず、コンタクトホールサイズが小さいために、エッチャ
ントＢＨＦ（バッファードフッ酸）自体の表面張力のた
めにエッチャントＢＨＦが充分入らないホールができて
しまう。そこで、ＢＨＦがコンタクトホールに入りやす
くするためにＢＨＦに界面活性剤を混ぜたエッチャント
を使用すると、今後は、すべてのコンタクトホールにエ
ッチャントは浸透するが、レジストとＳｉＯ2 の界面に
もエッチャントが浸透し、サイドエッチングが大きく進
行し、近接するコンタクトホールとつながってしまうと
いう問題が生じた。
術のウエットエッチングとドライエッチングの併用プロ
セスにおいては、以下のような問題点が発生した。ま
ず、コンタクトホールサイズが小さいために、エッチャ
ントＢＨＦ（バッファードフッ酸）自体の表面張力のた
めにエッチャントＢＨＦが充分入らないホールができて
しまう。そこで、ＢＨＦがコンタクトホールに入りやす
くするためにＢＨＦに界面活性剤を混ぜたエッチャント
を使用すると、今後は、すべてのコンタクトホールにエ
ッチャントは浸透するが、レジストとＳｉＯ2 の界面に
もエッチャントが浸透し、サイドエッチングが大きく進
行し、近接するコンタクトホールとつながってしまうと
いう問題が生じた。
【０００７】本発明は上記の点を解決しようとするもの
で、その目的は、サイドエッチング量の小さいＨＦ水溶
液とＮＨ4 Ｆ水溶液の２成分からなるエッチャントＢＨ
Ｆ（バッファードフッ酸）を用いてエッチングが行な
え、かつ、エッチャントが充分にコンタクトホールに浸
透させることができ、最終的に良好なエッチング形状を
得ることができ、コンタクトホール形成の次工程のメタ
ルのステップカバレッジを向上させることができるウエ
ットエッチング方法を提供することにある。
で、その目的は、サイドエッチング量の小さいＨＦ水溶
液とＮＨ4 Ｆ水溶液の２成分からなるエッチャントＢＨ
Ｆ（バッファードフッ酸）を用いてエッチングが行な
え、かつ、エッチャントが充分にコンタクトホールに浸
透させることができ、最終的に良好なエッチング形状を
得ることができ、コンタクトホール形成の次工程のメタ
ルのステップカバレッジを向上させることができるウエ
ットエッチング方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ポジレジスト
の表面を親水性に改質し、ＨＦ水溶液とＮＨ4 Ｆ水溶液
の２成分から成るエッチャントＢＨＦが微細なコンタク
トホールに浸透するようにする工程とサイドエッチング
量の小さい前記エッチャントでＳｉＯ2 をエッチングす
る工程を含むエッチング方法を提供する。本発明の第１
のウエットエッチング方法は、ポジレジストをマスクと
しＨＦ系の水溶液で微細なパターンを形成する工程にお
いて、ポジレジストを塗布前にレジストの密着性向上剤
ヘキサメチルジシラザンの処理をする工程と、ポジレジ
ストを塗布し、ベークする工程と、形成したいパターン
マスクを用いて酸素が存在する雰囲気下でＵＶ光で露光
する工程と、現像液にて現像する工程と現像後ベーキン
グせずに残レジストを全面露光する工程と、ＨＦ水溶液
とＮＨ4 Ｆ水溶液の２成分から成るエッチャントでエッ
チングする工程を含むことを特徴とする。
の表面を親水性に改質し、ＨＦ水溶液とＮＨ4 Ｆ水溶液
の２成分から成るエッチャントＢＨＦが微細なコンタク
トホールに浸透するようにする工程とサイドエッチング
量の小さい前記エッチャントでＳｉＯ2 をエッチングす
る工程を含むエッチング方法を提供する。本発明の第１
のウエットエッチング方法は、ポジレジストをマスクと
しＨＦ系の水溶液で微細なパターンを形成する工程にお
いて、ポジレジストを塗布前にレジストの密着性向上剤
ヘキサメチルジシラザンの処理をする工程と、ポジレジ
ストを塗布し、ベークする工程と、形成したいパターン
マスクを用いて酸素が存在する雰囲気下でＵＶ光で露光
する工程と、現像液にて現像する工程と現像後ベーキン
グせずに残レジストを全面露光する工程と、ＨＦ水溶液
とＮＨ4 Ｆ水溶液の２成分から成るエッチャントでエッ
チングする工程を含むことを特徴とする。
【０００８】本発明の第２のウエットエッチング方法
は、ポジレジストをマスクとしＨＦ系の水溶液で微細な
パターンを形成する工程において、ポジレジストを塗布
前にレジストの密着性向上剤ヘキサメチルジシラザンの
処理をする工程と、ポジレジストを塗布し、ベークする
工程と形成したいパターンマスクを用いて露光する工程
と、現像液にて現像する工程と、現像後ベーキングする
工程と、Ｏ2 プラズマにてレジストの残膜厚が９５％以
上残る条件でプラズマアッシングする工程とＨＦ水溶液
とＮＨ4 Ｆ水溶液の２成分から成るエッチャントでエッ
チングする工程を含むことを特徴とする。
は、ポジレジストをマスクとしＨＦ系の水溶液で微細な
パターンを形成する工程において、ポジレジストを塗布
前にレジストの密着性向上剤ヘキサメチルジシラザンの
処理をする工程と、ポジレジストを塗布し、ベークする
工程と形成したいパターンマスクを用いて露光する工程
と、現像液にて現像する工程と、現像後ベーキングする
工程と、Ｏ2 プラズマにてレジストの残膜厚が９５％以
上残る条件でプラズマアッシングする工程とＨＦ水溶液
とＮＨ4 Ｆ水溶液の２成分から成るエッチャントでエッ
チングする工程を含むことを特徴とする。
【０００９】本発明の第３のウエットエッチング方法
は、ポジレジストをマスクとしＨＦ系の水溶液で微細な
パターンを形成する工程において、ポジレジストを塗布
前にレジストの密着性向上剤ヘキサメチルジシラザンの
処理をする工程と、ポジレジストを塗布し、ベークする
工程と、形成したいパターンマスクを用いて露光する工
程と、現像液にて現像する工程と、現像後ベーキングす
る工程と、空気もしくはＯ2 雰囲気中でディープＵＶラ
ンプを照射する工程と、ＨＦ水溶液とＮＨ4 Ｆ水溶液の
２成分から成るエッチャントでエッチングする工程を含
むことを特徴とする。
は、ポジレジストをマスクとしＨＦ系の水溶液で微細な
パターンを形成する工程において、ポジレジストを塗布
前にレジストの密着性向上剤ヘキサメチルジシラザンの
処理をする工程と、ポジレジストを塗布し、ベークする
工程と、形成したいパターンマスクを用いて露光する工
程と、現像液にて現像する工程と、現像後ベーキングす
る工程と、空気もしくはＯ2 雰囲気中でディープＵＶラ
ンプを照射する工程と、ＨＦ水溶液とＮＨ4 Ｆ水溶液の
２成分から成るエッチャントでエッチングする工程を含
むことを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の第１及び第２のウエットエッチング方
法は、共にレジストの樹脂成分表面の改質を行なう点で
共通している。ポジレジストは主成分がノボラック樹脂
からなり、親水性に劣る。そこて、第１のウエットエッ
チング方法ではＵＶ光（紫外光）で雰囲気中の酸素を分
解して発生したＯ3 を利用してポリマーの結合を切り、
第２のウエットエッチング方法ではＯ2 プラズマを利用
してポリマーの結合を切り、−ＯＨ基を生成させること
で親水性を向上させる。この効果で、ＨＦ水溶液とＮＨ
4 Ｆ水溶液の２成分からなる表面張力の大きいエッチャ
ントでも微細なコンタクトホールに浸透できるようにな
る。また、次にコンタクトホールをサイドエッチングす
る場合、前記エッチャントは表面張力が大きいが故にサ
イドエッチング量が小さくなる。第３のウエットエッチ
ング方法は、上記第１及び第２のウエットエッチング方
法とレジスト表面の改質方法が異なる。すなわち、第３
のウエットエッチング方法では、未露光部レジストを露
光することによりレジスト中に含まれる下記〔化１〕て
示され感光剤が下記〔化２〕で示される化合物に変化し
−ＣＯＯＨ基が導入されて、レジスト表面の親水性が増
加する。そして、第１及び第２のウエットエッチング方
法の場合と同様の作用が得られる。
法は、共にレジストの樹脂成分表面の改質を行なう点で
共通している。ポジレジストは主成分がノボラック樹脂
からなり、親水性に劣る。そこて、第１のウエットエッ
チング方法ではＵＶ光（紫外光）で雰囲気中の酸素を分
解して発生したＯ3 を利用してポリマーの結合を切り、
第２のウエットエッチング方法ではＯ2 プラズマを利用
してポリマーの結合を切り、−ＯＨ基を生成させること
で親水性を向上させる。この効果で、ＨＦ水溶液とＮＨ
4 Ｆ水溶液の２成分からなる表面張力の大きいエッチャ
ントでも微細なコンタクトホールに浸透できるようにな
る。また、次にコンタクトホールをサイドエッチングす
る場合、前記エッチャントは表面張力が大きいが故にサ
イドエッチング量が小さくなる。第３のウエットエッチ
ング方法は、上記第１及び第２のウエットエッチング方
法とレジスト表面の改質方法が異なる。すなわち、第３
のウエットエッチング方法では、未露光部レジストを露
光することによりレジスト中に含まれる下記〔化１〕て
示され感光剤が下記〔化２〕で示される化合物に変化し
−ＣＯＯＨ基が導入されて、レジスト表面の親水性が増
加する。そして、第１及び第２のウエットエッチング方
法の場合と同様の作用が得られる。
【００１１】
【化１】
【００１２】
【化２】
【００１３】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。 〈実施例１〉シリコンウェハーの表面に６０００ÅのＳ
ｉＯ2 が形成された基板をＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシ
ラザン：Ｈｅｘａ Ｍｅｔｈｙｌ Ｄｉ Ｓｉｌａｚａ
ｎｅ）の蒸気に６０秒さらした後、東京応化製のポジレ
ジストＯＦＰＲ ８００（５０ｃｐ）をスピンコートす
る。回転数４０００ｒｐｍで１０秒間回転しレジスト膜
厚約１．５μｍを得る。９０℃、３０分間、温風中でプ
リベークした後、コンタクトホールのフォトマスクを用
いて露光を行った。露光量は９０ｍｊ／ｃｍ2 である。
東京応化製の現像液ＮＭＤ−Ｗで現像、水洗を行った後
１３５℃、２０分間、温風中でポストベークを行った。
次に、空気中で波長２５４ｎｍのディープＵＶランプ
を、１５秒間照射した。続いてコンタクトホールのエッ
チングを行う。まず、５０％ＨＦ水溶液対４０％ＮＨ4
Ｆ水溶液の体積比が１５：１の２成分系のエッチャント
で３０秒ウエットエッチングを行う。次に十分乾燥した
後、ＣＨＦ3 ／ＣＦ4のガス系で約６０秒ドライエッチ
ングを行った。以上の工程ですべてのコンタクトホール
に、適度なエッジ形状をもったエッチングを施すことが
でき、次工程で良好なメタルのステップカバレッジを得
ることができた。
明する。 〈実施例１〉シリコンウェハーの表面に６０００ÅのＳ
ｉＯ2 が形成された基板をＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシ
ラザン：Ｈｅｘａ Ｍｅｔｈｙｌ Ｄｉ Ｓｉｌａｚａ
ｎｅ）の蒸気に６０秒さらした後、東京応化製のポジレ
ジストＯＦＰＲ ８００（５０ｃｐ）をスピンコートす
る。回転数４０００ｒｐｍで１０秒間回転しレジスト膜
厚約１．５μｍを得る。９０℃、３０分間、温風中でプ
リベークした後、コンタクトホールのフォトマスクを用
いて露光を行った。露光量は９０ｍｊ／ｃｍ2 である。
東京応化製の現像液ＮＭＤ−Ｗで現像、水洗を行った後
１３５℃、２０分間、温風中でポストベークを行った。
次に、空気中で波長２５４ｎｍのディープＵＶランプ
を、１５秒間照射した。続いてコンタクトホールのエッ
チングを行う。まず、５０％ＨＦ水溶液対４０％ＮＨ4
Ｆ水溶液の体積比が１５：１の２成分系のエッチャント
で３０秒ウエットエッチングを行う。次に十分乾燥した
後、ＣＨＦ3 ／ＣＦ4のガス系で約６０秒ドライエッチ
ングを行った。以上の工程ですべてのコンタクトホール
に、適度なエッジ形状をもったエッチングを施すことが
でき、次工程で良好なメタルのステップカバレッジを得
ることができた。
【００１４】〈実施例２〉実施例１でディープＵＶ（ｄ
ｅｅｐ ＵＶ）ランプで露光を行う工程にかわりＯ2 プ
ラズマアッシングを行った。条件は２ｔｏｒｒ、４００
ｗで２０秒である。このときアッシングされるレジスト
は膜厚換算で５％以下である。この条件であれば寸法に
ほとんど影響は与えない。他の工程は実施例１と全く同
様に行い、同様な良好な結果を得た。
ｅｅｐ ＵＶ）ランプで露光を行う工程にかわりＯ2 プ
ラズマアッシングを行った。条件は２ｔｏｒｒ、４００
ｗで２０秒である。このときアッシングされるレジスト
は膜厚換算で５％以下である。この条件であれば寸法に
ほとんど影響は与えない。他の工程は実施例１と全く同
様に行い、同様な良好な結果を得た。
【００１５】〈実施例３〉実施例１で現像を行った後、
ポストベークを行わず、続いてパターンを形成したのと
同一の露光機で、残ったレジストを全面露光する。以降
のコンタクトホールのエッチングは実施例１と全く同様
に行い、同様な良好な結果を得た。
ポストベークを行わず、続いてパターンを形成したのと
同一の露光機で、残ったレジストを全面露光する。以降
のコンタクトホールのエッチングは実施例１と全く同様
に行い、同様な良好な結果を得た。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
請求項１、２、３のウエットエッチング方法においてポ
ジレジストの表面を親水性に変質させる工程とサイドエ
ッチング量の小さいエッチャントでエッチングする工程
を含んでいるので、エッチャントが微細パターンの中に
浸透しないという不良がおきることなく、かつ良好なエ
ッチング形状を得ることができる。
請求項１、２、３のウエットエッチング方法においてポ
ジレジストの表面を親水性に変質させる工程とサイドエ
ッチング量の小さいエッチャントでエッチングする工程
を含んでいるので、エッチャントが微細パターンの中に
浸透しないという不良がおきることなく、かつ良好なエ
ッチング形状を得ることができる。
【図１】従来のウエットエッチングとドライエッチング
の併用プロセスにおいて得られるコンタクトホールの断
面形状を示す断面図である。 １ シリコンウエハ ２ ＳｉＯ2 層 ３ レジスト
の併用プロセスにおいて得られるコンタクトホールの断
面形状を示す断面図である。 １ シリコンウエハ ２ ＳｉＯ2 層 ３ レジスト
Claims (3)
- 【請求項１】 ポジレジストをマスクとしＨＦ系の水溶
液で微細なパターンを形成する工程において、ポジレジ
ストを塗布前にレジストの密着性向上剤ヘキサメチルジ
シラザンの処理をする工程と、ポジレジストを塗布し、
ベークする工程と、形成したいパターンマスクを用いて
酸素が存在する雰囲気下でＵＶ光で露光する工程と、現
像液にて現像する工程と現像後ベーキングせずに残レジ
ストを全面露光する工程と、ＨＦ水溶液とＮＨ4 Ｆ水溶
液の２成分から成るエッチャントでエッチングする工程
を含むことを特徴とするウエットエッチング方法。 - 【請求項２】 ポジレジストをマスクとしＨＦ系の水溶
液で微細なパターンを形成する工程において、ポジレジ
ストを塗布前にレジストの密着性向上剤ヘキサメチルジ
シラザンの処理をする工程と、ポジレジストを塗布し、
ベークする工程と形成したいパターンマスクを用いて露
光する工程と、現像液にて現像する工程と、現像後ベー
キングする工程と、Ｏ2 プラズマにてレジストの残膜厚
が９５％以上残る条件でプラズマアッシングする工程と
ＨＦ水溶液とＮＨ4Ｆ水溶液の２成分から成るエッチャ
ントでエッチングする工程を含むことを特徴とするウエ
ットエッチング方法。 - 【請求項３】 ポジレジストをマスクとしＨＦ系の水溶
液で微細なパターンを形成する工程において、ポジレジ
ストを塗布前にレジストの密着性向上剤ヘキサメチルジ
シラザンの処理をする工程と、ポジレジストを塗布し、
ベークする工程と、形成したいパターンマスクを用いて
露光する工程と、現像液にて現像する工程と、現像後ベ
ーキングする工程と、空気もしくはＯ2 雰囲気中でディ
ープＵＶランプを照射する工程と、ＨＦ水溶液とＮＨ4
Ｆ水溶液の２成分から成るエッチャントでエッチングす
る工程を含むことを特徴とするウエットエッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34887691A JPH05160105A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | ウエットエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34887691A JPH05160105A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | ウエットエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160105A true JPH05160105A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18399987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34887691A Pending JPH05160105A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | ウエットエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160105A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030057180A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 완충막을 이용한 감광막 제거방법 |
| WO2017150657A1 (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-08 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
| CN108699722A (zh) * | 2016-03-04 | 2018-10-23 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置及镀覆方法 |
-
1991
- 1991-12-05 JP JP34887691A patent/JPH05160105A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030057180A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 완충막을 이용한 감광막 제거방법 |
| WO2017150657A1 (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-08 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
| CN108699722A (zh) * | 2016-03-04 | 2018-10-23 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置及镀覆方法 |
| JP2021063306A (ja) * | 2016-03-04 | 2021-04-22 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
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