JPH01218021A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH01218021A JPH01218021A JP63045202A JP4520288A JPH01218021A JP H01218021 A JPH01218021 A JP H01218021A JP 63045202 A JP63045202 A JP 63045202A JP 4520288 A JP4520288 A JP 4520288A JP H01218021 A JPH01218021 A JP H01218021A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- pattern
- layer
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 22
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 abstract description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、多層レジスト法を用いて、半導体基板上に電
子ビーム直接描画により、高精度微細加工用の任意レジ
ストパターンを形成する微細パターン形成方法に関する
ものである。
子ビーム直接描画により、高精度微細加工用の任意レジ
ストパターンを形成する微細パターン形成方法に関する
ものである。
従来の技術
従来、ｔＣ及びＬＳＩ等の製造においては、紫外線を用
む−またホトリソグラフィーによってパターン形成を行
っている。近年、ＬＳＩ素子のパター′ン寸法の微細化
、またＡＳＩＣの製造に伴い、電子ビーム直接描画技術
を用いるようになってきている。パターン形成に使用さ
れる電子ビームレジストは一般に、耐ドライエツチ性が
悪いため、また、電子ビームの基板からの反射による近
接効果によりパターンの解像性が悪くなるため、電子ビ
ームリソグラフィーにおいては多層レジスト法が使用さ
れている。多層レジスト法のうち、二層レジストは高分
子有機膜上に、それとミキシングをおこさないシリコン
含有レジストを塗布した構造をしており、また、三層レ
ジストは二層レジストの高分子有機膜とレジストとの間
に無機膜、主にＳｉＯ２、または有機ポリシロキサン膜
（Ｓ。
む−またホトリソグラフィーによってパターン形成を行
っている。近年、ＬＳＩ素子のパター′ン寸法の微細化
、またＡＳＩＣの製造に伴い、電子ビーム直接描画技術
を用いるようになってきている。パターン形成に使用さ
れる電子ビームレジストは一般に、耐ドライエツチ性が
悪いため、また、電子ビームの基板からの反射による近
接効果によりパターンの解像性が悪くなるため、電子ビ
ームリソグラフィーにおいては多層レジスト法が使用さ
れている。多層レジスト法のうち、二層レジストは高分
子有機膜上に、それとミキシングをおこさないシリコン
含有レジストを塗布した構造をしており、また、三層レ
ジストは二層レジストの高分子有機膜とレジストとの間
に無機膜、主にＳｉＯ２、または有機ポリシロキサン膜
（Ｓ。
Ｇ）を形成した構造をしており、どちらも基板からの電
子の反射による近接効果を抑える働きをしている。しか
し、これらの多層レジストでは有機膜が非常に厚いため
、新たな問題点が生じてくる。それは絶縁膜による電子
のチャージ・アップ効果である。電子が絶縁膜であるレ
ジスト、有機膜、ＳｉＯ２中に蓄積してくると、パター
ンのずれ、バッティングエラー、フィールドのずれ等、
パターンを正確に描画することが出来なくなってしまう
。
子の反射による近接効果を抑える働きをしている。しか
し、これらの多層レジストでは有機膜が非常に厚いため
、新たな問題点が生じてくる。それは絶縁膜による電子
のチャージ・アップ効果である。電子が絶縁膜であるレ
ジスト、有機膜、ＳｉＯ２中に蓄積してくると、パター
ンのずれ、バッティングエラー、フィールドのずれ等、
パターンを正確に描画することが出来なくなってしまう
。
発明が解決しようとする課題
上記の様に、電子線リソグラフィーにおいては、電子線
レジストの耐ドライエツチ性の低さ、電子による近接効
果等の問題点があり、多層レジストにより解決を図ろう
としている。しかし、多層レジスト法を用いると、レジ
スト等の絶縁膜が厚いため、電子のチャージ・アップ効
果が顕著にあられれてきてパターンの正確な描画が困難
になってくる。この多層レジストにおける問題点を解決
するため、中間層に金属、特□に導伝率の高い金属薄膜
を用いている。例えば、ＳＯＧ、ＳｉＯ２のかわりに、
Ｓｔ、Ｗ、Ａ１等の金属薄膜を中間層として用いること
により、チャージアップを防ぎ、正確なパターン描画を
行うことができる。
レジストの耐ドライエツチ性の低さ、電子による近接効
果等の問題点があり、多層レジストにより解決を図ろう
としている。しかし、多層レジスト法を用いると、レジ
スト等の絶縁膜が厚いため、電子のチャージ・アップ効
果が顕著にあられれてきてパターンの正確な描画が困難
になってくる。この多層レジストにおける問題点を解決
するため、中間層に金属、特□に導伝率の高い金属薄膜
を用いている。例えば、ＳＯＧ、ＳｉＯ２のかわりに、
Ｓｔ、Ｗ、Ａ１等の金属薄膜を中間層として用いること
により、チャージアップを防ぎ、正確なパターン描画を
行うことができる。
しかし、レジストプロセスに金属を用いるため、コンタ
ミネーションの問題がある。また、金属をスパッタ蒸着
しなければならないため、プロセスが複雑、困難となり
、パターン形成後の金属のエツチング、金属の剥離等の
プロセス上の問題点、描画においては、金属薄膜がある
ため基板からの反射二次電子の減少により位置合わせが
困難になる等の問題点が生じる。
ミネーションの問題がある。また、金属をスパッタ蒸着
しなければならないため、プロセスが複雑、困難となり
、パターン形成後の金属のエツチング、金属の剥離等の
プロセス上の問題点、描画においては、金属薄膜がある
ため基板からの反射二次電子の減少により位置合わせが
困難になる等の問題点が生じる。
課題を解決すめための手段
本発明は、多層レジスト法を用いて電子ビーム直接描画
を行う前に、下層である高分子有機膜にイオン照射を行
う、または、還元することによって、導伝率を上げて電
子ビーム露光を行い、電子によるチャージ・アップをな
くシ、正確な微細パターン形成することができる方法で
ある。
を行う前に、下層である高分子有機膜にイオン照射を行
う、または、還元することによって、導伝率を上げて電
子ビーム露光を行い、電子によるチャージ・アップをな
くシ、正確な微細パターン形成することができる方法で
ある。
高分子有機膜に■２、Ｓｉｎｇ、Ｃｏ等のガスをイオン
照射を行うことによって、導伝率を上げることができる
。第４図にＨ＋イオン照射した高分子有機膜のシート抵
抗を示す。Ｉ Ｘ １０ ”１ｏｎｓ／ｃｄのドース量
で抵抗は急激に減少し、Ｉ Ｘ １０’Ω／口程度にな
る。この高分子有機膜上に、通常の例えば、ＳＱＧ （
有機ポリシロキサン膜）と電子線レジストを塗布し露光
すると、余分の電子は導伝率の高い下層膜を伝わってい
くので、電子のチャージ・アップはな（なり、正確な微
細パターンを多層レジスト上に電子線を用いて描画する
ことができる。
照射を行うことによって、導伝率を上げることができる
。第４図にＨ＋イオン照射した高分子有機膜のシート抵
抗を示す。Ｉ Ｘ １０ ”１ｏｎｓ／ｃｄのドース量
で抵抗は急激に減少し、Ｉ Ｘ １０’Ω／口程度にな
る。この高分子有機膜上に、通常の例えば、ＳＱＧ （
有機ポリシロキサン膜）と電子線レジストを塗布し露光
すると、余分の電子は導伝率の高い下層膜を伝わってい
くので、電子のチャージ・アップはな（なり、正確な微
細パターンを多層レジスト上に電子線を用いて描画する
ことができる。
また、還元性のある溶液、例えばＲＣＨＯ（Ｒ＝Ｈｏｒ
ＣＨ３）、（ＣＯＯＨ，）２、Ｈ２Ｓ Ｏｓ等の溶液を
下層膜、高分子有機膜上に滴下し、表面を還元して導伝
率を上げる。そうすることによって、チャージ・アップ
のおこらない正確な微細パターン描画を行うことができ
る。
ＣＨ３）、（ＣＯＯＨ，）２、Ｈ２Ｓ Ｏｓ等の溶液を
下層膜、高分子有機膜上に滴下し、表面を還元して導伝
率を上げる。そうすることによって、チャージ・アップ
のおこらない正確な微細パターン描画を行うことができ
る。
作用
本発明は前述したプロセスにより、多層レジストの下層
としての高分子有機膜に、イオン照射または還元性溶液
処理することにより、導伝率を上げ、電子ビーム露光時
のチャージ・アップを防ぎ、正確な微細パターン形成す
ることができる。
としての高分子有機膜に、イオン照射または還元性溶液
処理することにより、導伝率を上げ、電子ビーム露光時
のチャージ・アップを防ぎ、正確な微細パターン形成す
ることができる。
従って、前記プロセスは、多層レジストを用いて電子線
直接描画を行う時、正確なパターン描画に有効に作用す
る。
直接描画を行う時、正確なパターン描画に有効に作用す
る。
実施例
本発明の一実施例を第１図に示す。半導体基板１（表面
に絶縁膜、導体膜等が形成されている場合が多い）上に
下層膜２として高分子有機膜を塗布し、この上から加速
電圧４０ｋＶ、ドース量１ｘ Ｉ Ｑ ”１ｏｎｓ／
ｃｊでＨ＋イオンを全面−括照射した（ａ）、次に中間
層として５ＯＧ４を、上層レジストとしてＰＭＭＡレジ
スト５をスピンコードし、加速電圧２０ｋＶ、ドース量
１００μｍ ／ ｃ−で電子線露光を行った（ｂ）、Ｈ
＋イオン照射された高分子有機膜は導伝率が高くなって
いる。メチルイソブチルケトン（旧ＢＫ）とイソプロピ
ルアルコール（ＩＰＡ）の混合液で６０秒間現像を行っ
た所、正確な微細パターンがあられれた（Ｃ）。このレ
ジストパターン５ｐをマスクとして、中間層５ＯＧ４を
ドライエツチングし、下層膜２をエツチングして、垂直
形状の０．２５μ曙のラインアンドスペースの超微細パ
ターンを形成することができた（ｄ）。なお、５ＯＧ４
は下層膜２のエツチングマスクとなるものであれば他の
絶縁膜でもようが、エツチング選択比をとる意味でシリ
コンを含む有機膜が望ましい。
に絶縁膜、導体膜等が形成されている場合が多い）上に
下層膜２として高分子有機膜を塗布し、この上から加速
電圧４０ｋＶ、ドース量１ｘ Ｉ Ｑ ”１ｏｎｓ／
ｃｊでＨ＋イオンを全面−括照射した（ａ）、次に中間
層として５ＯＧ４を、上層レジストとしてＰＭＭＡレジ
スト５をスピンコードし、加速電圧２０ｋＶ、ドース量
１００μｍ ／ ｃ−で電子線露光を行った（ｂ）、Ｈ
＋イオン照射された高分子有機膜は導伝率が高くなって
いる。メチルイソブチルケトン（旧ＢＫ）とイソプロピ
ルアルコール（ＩＰＡ）の混合液で６０秒間現像を行っ
た所、正確な微細パターンがあられれた（Ｃ）。このレ
ジストパターン５ｐをマスクとして、中間層５ＯＧ４を
ドライエツチングし、下層膜２をエツチングして、垂直
形状の０．２５μ曙のラインアンドスペースの超微細パ
ターンを形成することができた（ｄ）。なお、５ＯＧ４
は下層膜２のエツチングマスクとなるものであれば他の
絶縁膜でもようが、エツチング選択比をとる意味でシリ
コンを含む有機膜が望ましい。
以上のように、本実施例によれば、下層高分子有機膜に
Ｈ＋イオン照射した三層レジストを用いて電子線直接描
画を行なうと、チャージ・アップを防ぐことができ、正
確な微細パターンを形成することができる。また、Ｈ＋
イオン以外に、ＳｉＨ４、Ｓ Ｏ２、ＣＯ等のガスを用
いてイオン照射を行ってもよい。
Ｈ＋イオン照射した三層レジストを用いて電子線直接描
画を行なうと、チャージ・アップを防ぐことができ、正
確な微細パターンを形成することができる。また、Ｈ＋
イオン以外に、ＳｉＨ４、Ｓ Ｏ２、ＣＯ等のガスを用
いてイオン照射を行ってもよい。
次に本発明の第２の実施例を第２図に示す。半導体基板
１上に下層膜２を塗布し、この上にアルデヒド液１４を
滴下し、１分間放置し、（ａ）スピン乾燥した。次に中
間層として５ＯＧ４、上層レジストとしてＰＭＭＡレジ
スト１６をスピンコードし、加速電圧２０ ｋ Ｖ 、
ドース量１００μｃ ／ ｃ−で電子線露光を行った
（ｂ）。アルデヒド液で表面処理した高分子有機膜は導
伝率が高（なっているので、旧ＢＫとＩＰＡの混合液で
、６０秒間現像を行った所、正確な微細パターンがあら
れれた（Ｃ）。このレジストパターン１６ｐをマスクと
して、中間層５ＯＧ４、下層膜２をドライエツチングし
て、垂直形状の超微細パターンを形成することができた
（ｄ）。
１上に下層膜２を塗布し、この上にアルデヒド液１４を
滴下し、１分間放置し、（ａ）スピン乾燥した。次に中
間層として５ＯＧ４、上層レジストとしてＰＭＭＡレジ
スト１６をスピンコードし、加速電圧２０ ｋ Ｖ 、
ドース量１００μｃ ／ ｃ−で電子線露光を行った
（ｂ）。アルデヒド液で表面処理した高分子有機膜は導
伝率が高（なっているので、旧ＢＫとＩＰＡの混合液で
、６０秒間現像を行った所、正確な微細パターンがあら
れれた（Ｃ）。このレジストパターン１６ｐをマスクと
して、中間層５ＯＧ４、下層膜２をドライエツチングし
て、垂直形状の超微細パターンを形成することができた
（ｄ）。
以上のように、本実施例によれば、下層膜にアルデヒド
液で表面処理した三層レジストを用いて電子線直接描画
を行なうと、チャージ・アップを防ぐことができ、正確
な微細パターンを形成することができる。また、アルデ
ヒド液以外に還元性トシテ作用スル。（ＣＯＯＨ）２、
Ｈ２Ｓ Ｏ３等の還元性の溶液であればいずれでもよい
。
液で表面処理した三層レジストを用いて電子線直接描画
を行なうと、チャージ・アップを防ぐことができ、正確
な微細パターンを形成することができる。また、アルデ
ヒド液以外に還元性トシテ作用スル。（ＣＯＯＨ）２、
Ｈ２Ｓ Ｏ３等の還元性の溶液であればいずれでもよい
。
次に本発明の第３の実施例を第３図に示す。半導体基板
１上に下層膜２を塗布し、この上に加速電圧４０ｋＶ、
ドース量１ ｘ １０１ｏｎｓ／ ｃｔｉでＨ＋イオン
を全面−括照射した（ａ）、次に、この上にシリコン含
有レジストであるＳＮＲをスピンコードし、加速電圧２
０ｋＶ、ドース量ｌＯμｃ ／ ｃｄで電子線露光を行
った（ｂ）。Ｈ＋イオン照射された下層膜は導伝率が高
（なっているので、専用現像液で３０秒間現像を行った
所、正確な微細パターンがあられれた（Ｃ）。このレジ
ストパターン２５ｐをマスクにして、下問層をドライエ
ツチングして垂直形状の超微細パターンを形成すること
ができた（ｄ）。
１上に下層膜２を塗布し、この上に加速電圧４０ｋＶ、
ドース量１ ｘ １０１ｏｎｓ／ ｃｔｉでＨ＋イオン
を全面−括照射した（ａ）、次に、この上にシリコン含
有レジストであるＳＮＲをスピンコードし、加速電圧２
０ｋＶ、ドース量ｌＯμｃ ／ ｃｄで電子線露光を行
った（ｂ）。Ｈ＋イオン照射された下層膜は導伝率が高
（なっているので、専用現像液で３０秒間現像を行った
所、正確な微細パターンがあられれた（Ｃ）。このレジ
ストパターン２５ｐをマスクにして、下問層をドライエ
ツチングして垂直形状の超微細パターンを形成すること
ができた（ｄ）。
以上のように、本実施例によれば、二層レジストの下層
膜にＨ＋イオンまたは他のイオンを照射するとこによっ
て、チャージ・アップを防ぐことができ、正確な微細パ
ターンを形成することができる。また、アルデヒド液等
の還元性として作用するもので表面処理をしても同様の
効果を得ることができる。
膜にＨ＋イオンまたは他のイオンを照射するとこによっ
て、チャージ・アップを防ぐことができ、正確な微細パ
ターンを形成することができる。また、アルデヒド液等
の還元性として作用するもので表面処理をしても同様の
効果を得ることができる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、多層レジストの下
層として用いられる高分子有機膜にイオン照射を行う、
または、還元溶剤によって還元することによって、電子
線露光時におこるチャージ・アップを防ぐことができ、
正確な微細パターンを形成することができ、超高密度集
積回路の製造に大きく寄与することができる。
層として用いられる高分子有機膜にイオン照射を行う、
または、還元溶剤によって還元することによって、電子
線露光時におこるチャージ・アップを防ぐことができ、
正確な微細パターンを形成することができ、超高密度集
積回路の製造に大きく寄与することができる。
第１図は本発明における第１の実施例の工程断面図、第
２図は同第２の実施例の工程断面図、第３図は同第３の
実施例の工程断面図、第４図は下層膜にＨ＋イオン照射
した時のシート抵抗とドーズ量との関係を示した図であ
る。 １・・・半導体基板、２・・・下層膜、３．２３・・・
Ｈ＋イオン、４・・・ＳＯＧ、５，１６・・・ＰＭＭＡ
レジスト、６・・・電子線、１４・・・アルデヒド液、
２５・・・ＳＮＲレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第１図 第２図 第３図 第４図 Ｆ′−ス°量（品羽／Ｃｍす
２図は同第２の実施例の工程断面図、第３図は同第３の
実施例の工程断面図、第４図は下層膜にＨ＋イオン照射
した時のシート抵抗とドーズ量との関係を示した図であ
る。 １・・・半導体基板、２・・・下層膜、３．２３・・・
Ｈ＋イオン、４・・・ＳＯＧ、５，１６・・・ＰＭＭＡ
レジスト、６・・・電子線、１４・・・アルデヒド液、
２５・・・ＳＮＲレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第１図 第２図 第３図 第４図 Ｆ′−ス°量（品羽／Ｃｍす
Claims (2)
- （１）半導体基板上に高分子有機膜を塗布し熱処理した
後、ガスをイオン照射することによって高分子有機膜表
面を還元する工程と、上記高分子有機膜上に絶縁膜を形
成し熱処理する工程と、上記絶縁膜上に荷電ビーム用レ
ジスト膜を塗布し熱処理する工程と、上記レジスト膜に
パターンを描画し現像する工程と、上記レジストパター
ンをマスクとして上記絶縁膜をエッチングする工程と、
上記絶縁膜パターンをマスクとして上記高分子有機膜を
エッチングする工程とを備えて成ることを特徴とする微
細パターン形成方法。 - （２）半導体基板上に高分子有機膜を塗布し熱処理した
後、還元性のある溶液を上記高分子有機膜上に滴下し、
上記溶液を除去する工程と、上記高分子有機膜上に絶縁
膜を形成し熱処理する工程と、上記絶縁膜上に電子線レ
ジスト膜を塗布し熱処理する工程と、上記レジスト膜に
パターンを描画し現像する工程と、上記レジストパター
ンをマスクとして上記絶縁膜をエッチングする工程と、
上記絶縁膜パターンをマスクとして上記高分子有機膜を
エッチングする工程とを備えて成ることを特徴とする微
細パターン形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045202A JP2738693B2 (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 微細パターン形成方法 |
| KR1019880013966A KR930000293B1 (ko) | 1987-10-26 | 1988-10-26 | 미세패턴형성방법 |
| US07/262,871 US4936951A (en) | 1987-10-26 | 1988-10-26 | Method of reducing proximity effect in electron beam resists |
| US07/520,654 US4976818A (en) | 1987-10-26 | 1990-04-24 | Fine pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045202A JP2738693B2 (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 微細パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01218021A true JPH01218021A (ja) | 1989-08-31 |
| JP2738693B2 JP2738693B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=12712681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63045202A Expired - Fee Related JP2738693B2 (ja) | 1987-10-26 | 1988-02-26 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738693B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100407601B1 (ko) * | 2000-06-15 | 2003-12-01 | 주식회사 미뉴타텍 | 열처리 및 모세관 현상을 이용한 열경화성 고분자박막상의 미세 패턴 형성 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053023A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS61114527A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6257219A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | Matsushita Electronics Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63045202A patent/JP2738693B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053023A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS61114527A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS6257219A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | Matsushita Electronics Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100407601B1 (ko) * | 2000-06-15 | 2003-12-01 | 주식회사 미뉴타텍 | 열처리 및 모세관 현상을 이용한 열경화성 고분자박막상의 미세 패턴 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2738693B2 (ja) | 1998-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930000293B1 (ko) | 미세패턴형성방법 | |
| JP3355239B2 (ja) | パターンの形成方法 | |
| KR100348902B1 (ko) | 에이치이엠티의 감마게이트 제조방법 | |
| KR100287130B1 (ko) | 포토레지스트막 및 그의 패턴형성방법 | |
| JP2532589B2 (ja) | 微細パタ―ン形成方法 | |
| JPH01218021A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP4675450B2 (ja) | 薄膜パターンの形成方法 | |
| JP2610898B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPH03138922A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| WO1983003485A1 (en) | Electron beam-optical hybrid lithographic resist process | |
| JPH02252231A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS63254729A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH0778756A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS63271334A (ja) | 二層構造電子線レジスト用平坦化材料 | |
| JPH02174216A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02101469A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS63254728A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH03283418A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS60247948A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0272361A (ja) | 二層構造電子線レジスト | |
| JPS61121332A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6074521A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS63157421A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS61256723A (ja) | Ｘ線マスクの形成方法 | |
| JPH04250624A (ja) | パターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |