JPS61114527A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS61114527A JPS61114527A JP23492084A JP23492084A JPS61114527A JP S61114527 A JPS61114527 A JP S61114527A JP 23492084 A JP23492084 A JP 23492084A JP 23492084 A JP23492084 A JP 23492084A JP S61114527 A JPS61114527 A JP S61114527A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置などの電子回路部品の製造に有用な
パターン形成方法に係り、電子線描画法等の荷電ビーム
を用いた図形転写に特に好適なパターン形成方法に関す
る。
パターン形成方法に係り、電子線描画法等の荷電ビーム
を用いた図形転写に特に好適なパターン形成方法に関す
る。
従来、電子線描画等の荷電ビームを用いたパターン形成
法では、基板が絶縁性または基板上に厚い絶縁膜が存在
する場合、電子または荷電粒子が捕えられたシ、二次電
子を放出することにより、いわゆるチャージアップと呼
ばれる現象が起とシこの電荷の形成する電界が荷電ビー
ムに影響を与え、正確なパターン転写ができないという
欠点があった。この檻のチャージアップによる問題は１
９７０年のＪ、 Ｊ、 Ａ、 Ｐ、誌９巻 １１８７頁
から１１８８頁に示されているが、この文献で示されて
いるような炭素の膜を表面に塗布するという方法はＬＳ
ＩやＶＬ８Ｉプロセスに導入することは塗布膜の欠陥密
度、厚さの制御性等から難かしい。
法では、基板が絶縁性または基板上に厚い絶縁膜が存在
する場合、電子または荷電粒子が捕えられたシ、二次電
子を放出することにより、いわゆるチャージアップと呼
ばれる現象が起とシこの電荷の形成する電界が荷電ビー
ムに影響を与え、正確なパターン転写ができないという
欠点があった。この檻のチャージアップによる問題は１
９７０年のＪ、 Ｊ、 Ａ、 Ｐ、誌９巻 １１８７頁
から１１８８頁に示されているが、この文献で示されて
いるような炭素の膜を表面に塗布するという方法はＬＳ
ＩやＶＬ８Ｉプロセスに導入することは塗布膜の欠陥密
度、厚さの制御性等から難かしい。
本発明の目的は前記した電荷の蓄積による絶縁性基板あ
るいは厚い絶縁性の膜の被着した基板上でもチャージア
ップを誘起することなく、正確なパターン転写が可能な
パターン形成方法を提供することにある。
るいは厚い絶縁性の膜の被着した基板上でもチャージア
ップを誘起することなく、正確なパターン転写が可能な
パターン形成方法を提供することにある。
チャージアップを防止するためには蓄積される電荷が逃
がれる導電路を形成すれば良い。しかし一般に電子線等
の荷電ビームに感応する樹脂は高分子化合物であり導電
性は極めて低い。ところでポリイミド系樹脂をはじめと
する耐熱性高分子樹脂は、その優れた平坦化性、耐熱性
、絶縁性に着目され多層配線構造の絶縁膜として利用さ
れている。この耐熱性樹脂もやはシ絶縁膜として利用さ
れるように導電性は極めて低い。しかしこれらの高分子
樹脂の主成分は炭素および水素でアシ、これＶＣ１！！
素、窒素等が含まれている。これらの樹脂をいわゆる蒸
し焼きにすることによって炭化することができ、この炭
化した樹脂は導電性を示す。
がれる導電路を形成すれば良い。しかし一般に電子線等
の荷電ビームに感応する樹脂は高分子化合物であり導電
性は極めて低い。ところでポリイミド系樹脂をはじめと
する耐熱性高分子樹脂は、その優れた平坦化性、耐熱性
、絶縁性に着目され多層配線構造の絶縁膜として利用さ
れている。この耐熱性樹脂もやはシ絶縁膜として利用さ
れるように導電性は極めて低い。しかしこれらの高分子
樹脂の主成分は炭素および水素でアシ、これＶＣ１！！
素、窒素等が含まれている。これらの樹脂をいわゆる蒸
し焼きにすることによって炭化することができ、この炭
化した樹脂は導電性を示す。
−万年活性ガスプラズマで樹脂の表面を処理すると、炭
素が異常に多い層が表面に形成され、この層は導電性を
示し、先に述べた蓄積される電荷の逃げる経路となるこ
とがわかった。プラズマ処理する樹脂としては、荷電粒
子感応性樹脂を用いることも可能であるが、荷電ビーム
照射後の現像処理の際に表面導電層が障害になったり、
プラズマ処理中の温度上昇により感度低下の起こること
もあり、下の絶縁膜として使用する高分子樹脂を処理す
る方がよシ望ましい。
素が異常に多い層が表面に形成され、この層は導電性を
示し、先に述べた蓄積される電荷の逃げる経路となるこ
とがわかった。プラズマ処理する樹脂としては、荷電粒
子感応性樹脂を用いることも可能であるが、荷電ビーム
照射後の現像処理の際に表面導電層が障害になったり、
プラズマ処理中の温度上昇により感度低下の起こること
もあり、下の絶縁膜として使用する高分子樹脂を処理す
る方がよシ望ましい。
以下本発明の詳細な説明する。
実施例１
８３基板（１０１）上に厚さ４μｍのポリイミドイソイ
ンドロキナゾリン樹脂（以下ＰＩＩと略記する）層（１
０２）を形成する（第１図（ａ））。
ンドロキナゾリン樹脂（以下ＰＩＩと略記する）層（１
０２）を形成する（第１図（ａ））。
この基板をアルゴンプラズマ中でスパッタエッチ処理し
表面を改質させる（同図（ｂ） ）。このときのＡｒ圧
は５ｍｔＯｒｒ、高周波電力は２ Ｗ ／ ｃｍ ”、
時間は７分間である。つぎに電子線レジストとしてポリ
メチルメタアクリレート樹脂（以下ＰＭＭＡと略記）層
（１０４）を１μｍの厚さに形成する（同図（Ｃ））。
表面を改質させる（同図（ｂ） ）。このときのＡｒ圧
は５ｍｔＯｒｒ、高周波電力は２ Ｗ ／ ｃｍ ”、
時間は７分間である。つぎに電子線レジストとしてポリ
メチルメタアクリレート樹脂（以下ＰＭＭＡと略記）層
（１０４）を１μｍの厚さに形成する（同図（Ｃ））。
つぎに電子線描画装置内で１０ｋｅＶ。
１００μＣ／ｃｍ”の照射量でパターンを描画する。
ついで現像処理としてメチルイソブチルケトンとイソプ
ロパツールの混液に浸し、電子線描画部分のＰＭＭＡを
除去する（同図（ｆ））。本法によシ、従来は不可能で
あった厚い絶縁膜上でのパターン形成が可能となった。
ロパツールの混液に浸し、電子線描画部分のＰＭＭＡを
除去する（同図（ｆ））。本法によシ、従来は不可能で
あった厚い絶縁膜上でのパターン形成が可能となった。
実施例２
ガドリニウムガリウムガーネット基板（２０１）上に厚
さ０．８μｍのポリイミド樹脂（以下ＰＩと略記）層（
２０２）を形成Ｌ Ｚ ５ ｋＶ ４０ ａ Ａ１０ｎ
”のアルゴンイオンビームで２分間処理した後、いわゆ
る塗布性ガラス層（２０４）を０．１μｍの厚さに形成
した（第２図（ａ））。その後実施例１と同様にＰＭＭ
Ａ （２０５）を塗布し、描画、現像を行ないパターン
を形成した同図（ｂ）。本法によシ従来不可能であった
絶縁性基板上でのパターン形成が可能となった。
さ０．８μｍのポリイミド樹脂（以下ＰＩと略記）層（
２０２）を形成Ｌ Ｚ ５ ｋＶ ４０ ａ Ａ１０ｎ
”のアルゴンイオンビームで２分間処理した後、いわゆ
る塗布性ガラス層（２０４）を０．１μｍの厚さに形成
した（第２図（ａ））。その後実施例１と同様にＰＭＭ
Ａ （２０５）を塗布し、描画、現像を行ないパターン
を形成した同図（ｂ）。本法によシ従来不可能であった
絶縁性基板上でのパターン形成が可能となった。
実施例３
島状の８ｉ層（３０２）を有するサファイア基板（３０
１）上に２μｍのＰＩＩ層（３０３）を形成し、ｌ ｍ
ｔｏｒｒ ４Ｗ／ｃｒｒＩ”のアルゴンプラズマ中で
１分間スパッタエッチ処理した後、０．２μｍの５ｉ０
１膜（３０５）を被着した（第３図（ａ））。ついで実
施例１と同様にＰＭＭＡ （３０６）を塗布し、描画、
現像を行ないパターンを形成した（第３図（ｂ））。
１）上に２μｍのＰＩＩ層（３０３）を形成し、ｌ ｍ
ｔｏｒｒ ４Ｗ／ｃｒｒＩ”のアルゴンプラズマ中で
１分間スパッタエッチ処理した後、０．２μｍの５ｉ０
１膜（３０５）を被着した（第３図（ａ））。ついで実
施例１と同様にＰＭＭＡ （３０６）を塗布し、描画、
現像を行ないパターンを形成した（第３図（ｂ））。
実施例４
Ｓｉ基板（４０１）上に２μｍの８ｉＣｈ膜（４０２）
を形成し、更にその上にフェノールノボラック系の樹脂
層（４０３）を２μｍの厚さに形成し２００Ｃでベーク
した後１ ｋＶ ８０μＡ／ｃｍ”のアルゴンビームで
２分間表面処理した（第４図（ａ））。その後塗布性ガ
ラス層（４０５）を０．２μｍの厚さに形成した（同図
伽））。ついで以下同様にＰＭＭＡ層（４０６）の形成
、描画、現像を行ないパターンを形成した。
を形成し、更にその上にフェノールノボラック系の樹脂
層（４０３）を２μｍの厚さに形成し２００Ｃでベーク
した後１ ｋＶ ８０μＡ／ｃｍ”のアルゴンビームで
２分間表面処理した（第４図（ａ））。その後塗布性ガ
ラス層（４０５）を０．２μｍの厚さに形成した（同図
伽））。ついで以下同様にＰＭＭＡ層（４０６）の形成
、描画、現像を行ないパターンを形成した。
眉間絶縁膜として使用する際に表面の導電層か障害とな
る場合は、この部分を醗素プラズマなどで除去しておけ
はよい。
る場合は、この部分を醗素プラズマなどで除去しておけ
はよい。
本発明に依れば、従来困難であった厚い絶縁性樹脂上、
あるいは絶縁性基板上のパターン転写を行なうに荷電ビ
ームを用いる場合、電荷を逃がすことができるのでチャ
ージアップが防止でき微細パターンの形成に極めて有利
でおる。
あるいは絶縁性基板上のパターン転写を行なうに荷電ビ
ームを用いる場合、電荷を逃がすことができるのでチャ
ージアップが防止でき微細パターンの形成に極めて有利
でおる。
第１図、第２図、第３図および第４図はそれぞれ本発明
の異なる実施例を説明するための図である。 １０１・・・３ｉ基板、１０２・・・ＰＩＩ層、１０３
・・・改質層、１０４・・・ＰＭＭＡ、１０５・・・描
画部、１０６・・・開孔部、２０１・・・ＧＧＧ基板、
２０２・・・ＰＩ層、２０３・・・改質層、２０４・・
・８０Ｇ。 ２０５・・・ＰＭＭＡ、 ２０６・・・開孔部、３０
１・・・サファイア基板、３０２・・・島状３ｉ、３０
３・・・ＰＩＩ。
の異なる実施例を説明するための図である。 １０１・・・３ｉ基板、１０２・・・ＰＩＩ層、１０３
・・・改質層、１０４・・・ＰＭＭＡ、１０５・・・描
画部、１０６・・・開孔部、２０１・・・ＧＧＧ基板、
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１・・・サファイア基板、３０２・・・島状３ｉ、３０
３・・・ＰＩＩ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成された高分子樹脂層に不活性ガスイオ
ンを照射する工程と、該基板上に電子線等の荷電ビーム
に感応する性質を有する樹脂層を形成する工程と、上記
樹脂層に電子線等の荷電ビームを照射する工程と、荷電
ビーム上記樹脂層を現像する工程を含むことを特徴とす
るパターン形成方法。 ２、上記高分子樹脂層がポリイミド系の高分子樹脂であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパター
ン形成方法。 ３、上記ポリイミド系の高分子樹脂がポリイミドイソイ
ンドロキナゾリンジオン樹脂であることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載のパターン形成方法。 ４、上記不活性ガスがＡｒであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項、第２項もしくは第３項記載のパター
ン形成方法。 ５、上記基板が半導体基板であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項、第２項、第３項もしくは第４項記載
のパターン形成方法。 ６、上記半導体基板がＳｉであることを特徴とする特許
請求の範囲第５項記載のパターン形成方法。 ７、上記基板が表面の少なくとも一部分に半導体膜を有
する絶縁物基板であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項、第２項、第３項もしくは第４項記載のパターン
形成方法。 ８、上記基板がガドリニウムガリウムガーネット基板で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、
第３項もしくは第４項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23492084A JPS61114527A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23492084A JPS61114527A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61114527A true JPS61114527A (ja) | 1986-06-02 |
Family
ID=16978352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23492084A Pending JPS61114527A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61114527A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01218021A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
| JPH0463929A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-02-28 | Kokusan Denki Co Ltd | 燃料噴射装置 |
-
1984
- 1984-11-09 JP JP23492084A patent/JPS61114527A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01218021A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
| JPH0463929A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-02-28 | Kokusan Denki Co Ltd | 燃料噴射装置 |
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