JPH01212909A - 電極形成方法 - Google Patents
電極形成方法Info
- Publication number
- JPH01212909A JPH01212909A JP3798388A JP3798388A JPH01212909A JP H01212909 A JPH01212909 A JP H01212909A JP 3798388 A JP3798388 A JP 3798388A JP 3798388 A JP3798388 A JP 3798388A JP H01212909 A JPH01212909 A JP H01212909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- width
- substrate
- photo resist
- photo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は５ＡＷ（弾性表面波）素子等、基板上に多数の
電極を非常に狭い間隔で揃列して形成する場合に用いる
電極形成方法に関する。
電極を非常に狭い間隔で揃列して形成する場合に用いる
電極形成方法に関する。
（ロ）従来の技術
ＳＡＷ素子ではアルミニウム等からなる多数の電極が圧
電基板上に狭い間隔で櫛歯状に交互に形成されているが
、使用周波数帯域が高くなるに伴なってその１４極幅及
び電極間隔を充分小さくすることが要求される。
電基板上に狭い間隔で櫛歯状に交互に形成されているが
、使用周波数帯域が高くなるに伴なってその１４極幅及
び電極間隔を充分小さくすることが要求される。
ところで、このような電極の形成には、所謂フォトリン
グラフイー法が採用されている。この方法によってＳＡ
Ｗ素子の電極を形成する技術については１例えば特開昭
６０−１０３８１８号公報（ＨＯ３Ｈ３１０８１等で詳
述されているが、フォトリソグラフィー法によって電極
を形成する際に特に電極幅や電極間隔が小さい場合は、
次に説明するような問題があった。
グラフイー法が採用されている。この方法によってＳＡ
Ｗ素子の電極を形成する技術については１例えば特開昭
６０−１０３８１８号公報（ＨＯ３Ｈ３１０８１等で詳
述されているが、フォトリソグラフィー法によって電極
を形成する際に特に電極幅や電極間隔が小さい場合は、
次に説明するような問題があった。
（ハ）発明が解決しようとする課題
即ち、前述のフォトリソグラフィー法による電極の形成
は、先ず第２図（ａ）の如く基板（１）上の金属層（２
１上に形成されたフォトレジスト層（３１の上に予め必
要とする電極パターン（４ａ）を形成したフォトマスク
（４）を載置し、このマスク上から柴外線等の光線（５
）を照射して上記フォトレジスト層（３１の露光を行な
い、その後現像処理する。
は、先ず第２図（ａ）の如く基板（１）上の金属層（２
１上に形成されたフォトレジスト層（３１の上に予め必
要とする電極パターン（４ａ）を形成したフォトマスク
（４）を載置し、このマスク上から柴外線等の光線（５
）を照射して上記フォトレジスト層（３１の露光を行な
い、その後現像処理する。
すると、マスク（４）の電極パターン（４ａ）に対向す
る部分のフォトレジスト（３）のみが残り、その他の部
分のレジストが溶解されることによって第２図（１））
のようになる。そこで、このものを適当なエツチング液
等に浸漬して金属層（２）の化学的エツチングを行なう
と、フォトレジスト（３）の下方の金属層（２）が残る
ように該金属層が次第に浸食されて行くが、化学的エツ
チングの場合は理想的な形状にエツチングすることは難
しく、エツチング後の金属層（２）はどうしても断面が
第２図（Ｃ）の如く台形状になってしまう。
る部分のフォトレジスト（３）のみが残り、その他の部
分のレジストが溶解されることによって第２図（１））
のようになる。そこで、このものを適当なエツチング液
等に浸漬して金属層（２）の化学的エツチングを行なう
と、フォトレジスト（３）の下方の金属層（２）が残る
ように該金属層が次第に浸食されて行くが、化学的エツ
チングの場合は理想的な形状にエツチングすることは難
しく、エツチング後の金属層（２）はどうしても断面が
第２図（Ｃ）の如く台形状になってしまう。
このため、上記エツチング後に不要なフォトレジスト３
１を除去することによって形成された電極（２）は、そ
の上面側では略所定の電極幅及び間隔になるが、下面側
では電極幅（司が広がるため電極間隔（田が狭くなり、
場合によっては電極同士が接触し、電極間の電気的絶縁
を確実に行なうことができないと云う問題があった。
１を除去することによって形成された電極（２）は、そ
の上面側では略所定の電極幅及び間隔になるが、下面側
では電極幅（司が広がるため電極間隔（田が狭くなり、
場合によっては電極同士が接触し、電極間の電気的絶縁
を確実に行なうことができないと云う問題があった。
このような問題を解決する一つの方法として、フォトマ
スク（４）の電極パターン（４ａ）の幅を充分小さ（設
定することが考えられるが、その場合にはフオトレジス
ｌ’１ｉｉ（３）の露光時に露光部と＊ｇ光部を確実に
分離できないことになる。
スク（４）の電極パターン（４ａ）の幅を充分小さ（設
定することが考えられるが、その場合にはフオトレジス
ｌ’１ｉｉ（３）の露光時に露光部と＊ｇ光部を確実に
分離できないことになる。
そこで本発明は上記の各欠点を解決した電極の形成方法
を提供することを目的とする。
を提供することを目的とする。
に）課題を解決するための手段
本発明では、フォトレジスト層の露光をフォトマスクに
垂直な法線に対して互いに逆方向に一定角度をなす二方
向から光を照射して行なうようにした。
垂直な法線に対して互いに逆方向に一定角度をなす二方
向から光を照射して行なうようにした。
（ホ）作 用
本発明に依れば、フォトレジスト層の下端側はフォトマ
スクに設けた電極パターンよりも幅狭になるよう露光さ
れるので、その現像後のエツチング液捏では金Ｉ−層の
下面を、従来よりも充分狭（なるよう従って所定通りの
電極幅及び電極間隔になるようエツチングされる。
スクに設けた電極パターンよりも幅狭になるよう露光さ
れるので、その現像後のエツチング液捏では金Ｉ−層の
下面を、従来よりも充分狭（なるよう従って所定通りの
電極幅及び電極間隔になるようエツチングされる。
（へ）実施例
以下、本発明の一実施例を第１図（ａｌ〜（ｃｌを参照
して説明する。第１図は先のｖｓ２図と同様の工程図で
あるため、ｖＪ２図と同じ点については説明を省略する
。本実施例に於いて特徴とするのは、フオトレジス）ｄ
ｆ３１に対する露光を、第１図（ａ）の如くフォトマス
ク（４）に垂直な法線（１）に対して互いに逆方向に一
定角度をなす二方向からの光線（＠外線等） （５ａ）
（５ｂ）の照射によって行なうようにしたことである。
して説明する。第１図は先のｖｓ２図と同様の工程図で
あるため、ｖＪ２図と同じ点については説明を省略する
。本実施例に於いて特徴とするのは、フオトレジス）ｄ
ｆ３１に対する露光を、第１図（ａ）の如くフォトマス
ク（４）に垂直な法線（１）に対して互いに逆方向に一
定角度をなす二方向からの光線（＠外線等） （５ａ）
（５ｂ）の照射によって行なうようにしたことである。
その際、その二つの光線（５ａＸ５ｂ）は同時に照射し
てもよいし、或いは時間的にずらして照射してもよい。
てもよいし、或いは時間的にずらして照射してもよい。
このようにすると、上記二光線（５ａ）（５ｂ）の何れ
もが届かないフォトレジスト層（３）の部分（３ａ）の
断面形状は図示のように逆台形になる。このため、この
露光後は第１図（切のようになって金属層（２）上に残
ったフォトレジスト（３）の下面側の幅はフォトマスク
（４）の電極パターン（４ａ）の幅よりも若干小さくな
る。従って、その後、前述と同様にエツチング処理を行
なうと、同図（Ｑ）のようになって基板（１）上に形成
された電極（２）の下端側の電極幅（ＶＦ）及び電極間
隔（勾を所定通りの大きさにできるのである。
もが届かないフォトレジスト層（３）の部分（３ａ）の
断面形状は図示のように逆台形になる。このため、この
露光後は第１図（切のようになって金属層（２）上に残
ったフォトレジスト（３）の下面側の幅はフォトマスク
（４）の電極パターン（４ａ）の幅よりも若干小さくな
る。従って、その後、前述と同様にエツチング処理を行
なうと、同図（Ｑ）のようになって基板（１）上に形成
された電極（２）の下端側の電極幅（ＶＦ）及び電極間
隔（勾を所定通りの大きさにできるのである。
（ト）発明の効果
本発明に依れば、基板上に形成される電極の下面側の幅
及び間隔を設計値通りの大きさにすることができるので
、電極同士の短絡を防止でき、また、フォトレジストの
露光時に露光部と非露光部とが確実に分点されて露光さ
れる。従って、特に下面側の電極幅及び電ｉ間隔に高精
度か要求されるＳＡＷ素子等に採用して好適である。
及び間隔を設計値通りの大きさにすることができるので
、電極同士の短絡を防止でき、また、フォトレジストの
露光時に露光部と非露光部とが確実に分点されて露光さ
れる。従って、特に下面側の電極幅及び電ｉ間隔に高精
度か要求されるＳＡＷ素子等に採用して好適である。
第１図（ａ）（切（Ｃ）は本発明による電極形成方法の
一実施例の各工程での状態をそれぞれ示す因、第２図（
ａ）（１））（ｅ）は従来の’ＩＩ＆形成方法を示す第
１図と同様の図である。 （２）：金属層、ｔ３１ ：フオトレジスト層％（４）
：フォトマスク、（５ａ）（５ｂ）：露光光線。
一実施例の各工程での状態をそれぞれ示す因、第２図（
ａ）（１））（ｅ）は従来の’ＩＩ＆形成方法を示す第
１図と同様の図である。 （２）：金属層、ｔ３１ ：フオトレジスト層％（４）
：フォトマスク、（５ａ）（５ｂ）：露光光線。
Claims (1)
- （１）基板上の金属層上に形成したフォトレジスト層を
電極パターンを形成したフォトマスクを介して露光した
のち現像処理し、その現像処理後にエッチング処理をし
て上記基板上に電極を形成する方法に於いて、前記露光
を前記フォトマスクに垂直な法線に対して互いに逆方向
に一定角度をなす二方向からの光の照射によつて行なう
ようにしたことを特徴とする電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3798388A JPH01212909A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3798388A JPH01212909A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212909A true JPH01212909A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12512802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3798388A Pending JPH01212909A (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01212909A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007034832A1 (ja) | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Kyocera Corporation | 弾性表面波素子及び弾性表面波装置 |
| EP2161836A1 (en) * | 2001-12-28 | 2010-03-10 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device, electronic component using the device, and composite module |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP3798388A patent/JPH01212909A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2161836A1 (en) * | 2001-12-28 | 2010-03-10 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device, electronic component using the device, and composite module |
| WO2007034832A1 (ja) | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Kyocera Corporation | 弾性表面波素子及び弾性表面波装置 |
| EP1947764A1 (en) * | 2005-09-20 | 2008-07-23 | Kyocera Corporation | Acoustic surface wave element and acoustic surface wave device |
| EP1947764A4 (en) * | 2005-09-20 | 2009-09-02 | Kyocera Corp | ACOUSTIC SURFACE WAVE ELEMENT AND ACOUSTIC SURFACE WAVE DEVICE |
| US7893597B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-02-22 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave element and surface acoustic wave device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002506122A (ja) | エッチング方法 | |
| US5221422A (en) | Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like | |
| US4403151A (en) | Method of forming patterns | |
| JPH0122728B2 (ja) | ||
| JPH0791661B2 (ja) | 電子的構成要素を形成するためレ−ザを使用するリソグラフィック方法 | |
| JPS58175830A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH01212909A (ja) | 電極形成方法 | |
| KR100335546B1 (ko) | 지지바에 기초한 반도체 디바이스 제조 방법 | |
| JPH08227873A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4612274A (en) | Electron beam/optical hybrid lithographic resist process in acoustic wave devices | |
| KR20020066373A (ko) | 레지스트 패턴 형성 방법 및 미세 패턴 형성 방법 | |
| JPH03209711A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0670954B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62245251A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| KR100278742B1 (ko) | 고반사 물질의 미세 패턴 형성 방법 | |
| JP3899598B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH01173308A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2004253463A (ja) | 回路基板の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法並びに回路基板及びパワーモジュール用基板 | |
| KR19980077753A (ko) | 포토리소그래피 공정에 의한 반도체장치의 패턴형성방법 | |
| JPS634700B2 (ja) | ||
| JPS62171142A (ja) | 配線形成方法 | |
| JPS6341027A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH03179444A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH08203821A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0936011A (ja) | パターン形成方法 |