JP2002506122A - エッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 導電性のエッチング材料(５)のエッチング表面の選択された部分にエッチングパターンを構成する窪み(７)をエッチングにより形成する方法は、エッチング液（２２）と接触させるステップを有する。エッチング材料上にはパッシベーション層が形成され、この層は表面上のエッチング液のエッチング能力を減少あるいは防止し、電磁照射にさらされたときには化学反応で溶解される。電極表面の選択された場所に導電性電極部分（３）を有する電極（１）が設けられ、電極部分（３）はエッチングパターンに対応する電極パターンを構成する。電極（１）はエッチング液（２２）、および電極材料（５）の表面に向いた電極部分（３）と接触するように配置され、電極（１）とエッチング材料（５）との間に電圧を印加し、エッチング材料はエッチングされる表面からパッシベーション層を除去するようにエッチング表面に本質的に垂直な電磁照射にさらされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】

本発明は、添付の請求の範囲１、１４および１７の前文による方法、電極およ
び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

湿式エッチング方法では、エッチング材料をエッチング方法で反応することが
できるエッチング液を含む液体が通常用いられる。化学エッチングでは、エッチ
ング液は自然発生的にエッチング材料とともに化学反応をし、および、電解質エ
ッチングでは、電圧が印加されて、エッチング液が電流をともなうときに、エッ
チング液はエッチング材料の表面上の電気化学反応によって反応する。

【０００３】 選択された部分をエッチングすることによってエッチング材料中に構造を供給
することがエッチングの目的であるときには、エッチング除去されるべきでない
エッチング材料の表面は、通常、エッチング材料よりもエッチング液に対して反
応しないか反応が鈍い、エッチングを防止する層である、いわゆるマスクまたは
レジストで覆われる。そのようなエッチング防止層は、最初の塗布工程とこれを
部分的に除去する後続工程よりなる多ステージ作業により製造される。

【０００４】 一般的なエッチング防止層はフォトレジストである。フォトレジストを用いる
ときには、第１のステップでエッチング材料の表面は光に敏感であるフォトレジ
ストでコーティングされる。 次のステップでは、エッチングが行われるべきフ ォトレジストの領域は露光され、続くステップでこの領域は現像され、溶解され
てエッチングされるべきエッチング材料の領域の被覆が除かれる。現在用いられ
るこの方法は、たとえば、プリント回路基板を製造するときに、導体間にすきま
を形成するために材料をエッチング除去するために用いられる。したがって、従
来技術によるエッチング防止層の製造は、複雑で時間のかかることである。

【０００５】 主に化学エッチングである湿式エッチング方法では、等方エッチング特性によ
り、エッチング防止層で覆われている表面よりも下までエッチング除去される、
いわゆるアンダーエッチングが発生する。このため、純粋な化学エッチングによ
っては幅よりも大きな深さを有する隙間を形成することはできない。電解質エッ
チングでも、微小寸法において、幅を上回深さにすき間をつくることは不可能で
ある。たとえば、導体を互いに近接させるように配置して、狭いすきまを形成す
る可能性は湿式エッチング方法を適用する場合には制限される。例えば幅または
深さが１μｍ以下である直線状の壁を有する隙間を湿式エッチングで達成するこ
とは今日でも不可能である。

【０００６】

【発明の概要】

本発明の目的は、特に１mm以下の、非常に小さい寸法においてエッチングを行
うときに、湿式エッチングと関連した改良を提供することである。

【０００７】 特別な目的は、表面の選択された部分にエッチングを行う改良された方法を提
供することである。

【０００８】 さらにもう一つの目的は、表面でのエッチングされたパターンのより速い製造
を許容することである。

【０００９】 本発明によれば、これらの目的が後述する明細書の、請求の範囲１、１４、１
７の導入部に述べられた形式の方法、電極、装置により、さらにそれらのそれぞ
れの特徴部分に述べられた特徴により達成することが明らかであろう。

【００１０】 したがって、本発明はエッチング表面の選択された一部にエッチングするため
の新しい型の電極に基づく。電極は、電極表面の選択された一部の電気的に導電
性の電極部分を有する。これらの電極部分は、電極パターンを構成する。

【００１１】 、エッチング表面に向けられたこのような電極を用いて本発明によりエッチン
グを行うときには、電極パターンに対応するエッチングパターンを形成する、窪
みが形成される。電極側から見たエッチングパターンは、エッチング表面から見
た電極パターンに関して反転される。

【００１２】 したがって、本発明によれば、エッチング防止層で表面が覆われる必要なく、
表面の選択された部分をエッチングするエッチング方法が提供される。そのよう
な電極は、複数の製品に続いてエッチングするようなやり方で数回用いられるこ
とができる。これは、生産時間および製品コストの双方に関して、連続的エッチ
ング大きい改良を可能にする。

【００１３】 本発明の好適な実施例によれば、電極部分は電磁照射が行わされる。電磁照射
に浸透性の電極部分によって、エッチングの間、電極を通してエッチング材料を
照射することは可能である。エッチング材料はパッシベーション膜で被覆され、
このことはエッチング材料をエッチングするエッチング液の能力を減殺または防
止する。パッシベーション層は照射にさらされたときには化学反応で溶解される
。

【００１４】 別の実施例によれば、パッシベーション層はエッチング材料を通した下からの
照射にさらされる。照射が少なくとも部分的にエッチング材料を貫くために、照
射の波長はエッチング材料に適合される。

【００１５】 照射の平均の強度はパッシベーション層の温度が本質的に保たれるような低い
ものであることが好ましい。

【００１６】 本発明の好ましい実施例によれば、エッチング材料の上でパッシベーション層
を形成している物質が、エッチング液に加えられる。この物質は電磁照射にさら
されるときにパッシベーション層が溶解するように選択される。照射がパッシベ
ーション層をヒットしたときにはそれはイオン化され、溶解される。

【００１７】 好ましい実施例に従って、エッチング液により溶解される物質を供給すること
によって、パッシベーション層エッチング材料の表面に連続的に形成され、照射
にさらされない。その結果、エッチングの高い異方性が達成される。

【００１８】 本発明の好適な実施例によれば、電磁照射は０．０１-５０μｍの波長範囲に あり、好ましくは０．１-１０μｍの波長範囲である。多くの光源が用いられる ことができる。

【００１９】 好ましい実施例において、電極は電極部分間に電気的に絶縁部分を有する。こ
れにより明確に画定された電界が形成されるので、エッチング化学反応工程のよ
り正確な制御に帰着する。このことは、１００μｍ以下の小さいない寸法でエッ
チングするときには特に有利であり、方向性のあるエッチング効果（異方性のエ
ッチング）を達成するための特に良い状態を生ずる。

【００２０】 電極部分間で、電極は好ましくは照射されない部分を有する。これらの部分は
、好ましくはまた、電気的に絶縁部分である。照射は、電界にさらされるエッチ
ング表面の部分だけに行われる。これは、改良された異方性エッチングに帰着す
る。

【００２１】 パッシベーション材料は、たとえば、ヨウ素、ハロゲン化物塩、チオ硫酸塩、
チオシアン酸塩、アンモニアおよびアミンからなる群から選択されることができ
る。

【００２２】 有利な実施例においては、電極の絶縁部分は、絶縁層によって画定される電極
部分間で電極のエッチング表面に適合される絶縁層を備える。これは、例えば直
接導電性の電極表面に直接形成されている絶縁層により、極めて単純なやり方で
電極を設計することを可能にする。たとえば、その層はフォトレジスト層と同様
の手法で形成することができる。

【００２３】 本発明の特別な態様によれば、活性物質を含むエッチング液が希釈された溶液
中に存在する、化学エッチング溶液が使用される。この場合、少ない寸法の正確
なエッチングのような、極めて良い結果が得られる。本発明の本態様は、無視で
きるようなエッチング効果を有する程度に希釈されたエッチング液が電界の働き
のもとでの異方性エッチングに使用できるという驚くべき発見に基づいている。

【００２４】 この点について、電気的に導電性のエッチング材料のエッチングはエッチング
液によって実行される。このエッチング液は、化学エッチングのために実際には
用いられることができないような範囲に薄められた溶液中に存在する。エッチン
グ液の濃度は、非常に低いので、エッチング材料からの原子の脱落の結果である
、エッチング液とエッチング材料間での反応はめったに起こらない。電極とエッ
チング材料間のエッチング液溶液中に電界が供給されることにより、エッチング
材料の表面部分に対する部分的なエッチング液の集中が形成される。このことは
エッチング速度の顕著な増加と、同時にエッチング方向への影響に帰着する。

【００２５】 本発明は導電性の材料であるエッチング材料のエッチングに関する。広い範囲
の金属、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒについて実験が行われたが、本発
明は他の導電性材料、例えば合金や半導体に関して機能できることが期待される
。エッチング材料の伝導率はエッチング材料および電極との間の溶液中で電界が
生ずる程度のものでなければならない。

【００２６】 エッチング材料の結晶構造は重大でなく、エッチング材料はしたがって、多結
晶でも単結晶でも良い。

【００２７】 エッチング液は、溶解されてエッチング材料のエッチング予定のエッチング表
面をエッチング除去するとき反応することができなければならない。また、エッ
チング駅は局部的なエッチング液の集中を可能とするように、電界により動的に
影響されない性質を有することが期待される。

【００２８】 特別な観点による重要な特徴は、低濃度の溶液中にエッチング液が存在すると
いうことである。実行された実験からみて、所望の異方性のエッチング効果は、
２００ｍＭを超えるエッチング液濃度については達成するのが困難なようである
。しかしながら、良好な能のための濃度の下限は、決定できなかった。また、エ
ッチング液は、エッチング液の局部的濃度を許容するために溶液中の充分な可動
性を有しなければならないことが期待される。

【００２９】 電界は、一方では、エッチング駅を局部的に凝縮させ、他方ではエッチングを
加速させるという２つの機能を有するべきと考えられるが、第１の機能がより重
要なものと考えられる。

【００３０】 電界はエッチングされることになっているエッチング材料の表面の方へ導かれ
なければならないと考えられる。エッチング液の濃度を局部的に上昇させること
を可能にするために、エッチングされる表面での電界の範囲は比較的制限されな
ければならない。そして、これは発明の電極で有利な方法により達成される。

【００３１】 本発明は、排他的ではないが、低濃度のエッチング液を使用して特に１mm未満
の小さい構造の製造に向いている。特に、１００μｍ以下、中でも５０μｍ以下
のエッチング幅およぴ深さ、のオーダのくぼみなどの構造を製造するときに有利
である。

【００３２】 極めて低濃度のエッチング液を有する溶液および電界の影響下で実行される関
連するエッチングプロセスによって、エッチングプロセスは従来技術の湿式の方
法と比較して本質的に改良された制御静および異方性を達成する。

【００３３】 特別の観点による重要な性質は、幅より大きい深さを有している溝およびすき
まをエッチングすることができる点である。エッチングされたすきまの深さ対幅
の比は実験では薄い銅膜中のエッチングにおいて３．５：１でった。

【００３４】 特別の観点によれば、効率的な濃度範囲の中で濃度変化にさらに重大な感度を
有しない。

【００３５】 実験によれば、エッチング液のエッチング溶液との特定の組み合わせに対して良
好な結果をもたらす濃度値を示しており、エッチング結果を損なうことなく係数
２で濃度値を終えることができる。

【００３６】 薄められた溶液中で、エッチング液は、好ましくは電界がない場合、自発的な
エッチング能力が５ｎｍ／sのエッチング速度に制限されるそのような状態のエ ッチングと関連する。良好な異方性のために、最高でも４ｎｍ/sまで、およびよ
り好ましくは、３ｎｍ/s以下にエッチング液の自発的なエッチング容量を制限す
ることは、有利である。

【００３７】 エッチング液の好ましい濃度は、最高でも２００ｍＭ、より好ましくは最高で
も２０ｍＭ、好ましくは最高でも１００mm、より好ましくは、最高でも２０mm、
有利には最高でも１０ｍＭである。特に小さい構造をエッチングするときには、
エッチング工程の制御性はが減少したエッチング液濃度において増加する一般的
に言われている。

【００３８】 ある状況では、２ｍＭ未満のエッチング液濃度を有することが有利で、１ｍＭ
以下では特に有利であることが見いだされている。

【００３９】 エッチング液は、エッチング材料をエッチング方法で反応することができるイ
オン物質として、好ましくは定義されることができる。本発明と関連して述べら
れた濃度は、本発明に従って活性化しているエッチング液の濃度に関係する。

【００４０】 電極およびエッチング材料との間に電圧は、少なくとも０．５Ｖ、好ましくは
少なくとも１Ｖ、およびより好ましくは１．５Ｖ、最高でも１０Ｖであり、好ま
しくは最高でも５Ｖおよびより好ましくは最高でも３Ｖである。

【００４１】 良い結果は２Ｖ−２．８Ｖの範囲において達成され、極めて良い結果は２．４
-２．６Vの範囲において達成された。実際に有用なエッチング速度が達成される
値である、エッチングのために必要な電圧のための下限を決定するのは困難であ
る。しかしながら、エッチング材料と電極間の電気化学ポテンシャルは等しくな
く、または逆極性でないことが、これらは全てのエッチング動作を終了させるた
め、重要である。

【００４２】 電界の強度は、有利に、薄められた溶液で、エッチング液が増加させられたエ
ッチング速度（それは好ましくは二倍にされる）を与えられておよびより好まし
くは、電界がない場合少なくとも１０倍よりも高くされる。

【００４３】 好ましい実施例において、電界が変わる複数の第１の期間の間に、エッチング
は生じる。その場合には、前記第１の期間との間に、電界は第２期間の間に反転
された方向を与えられる。 その結果として、残余の生成物は第２期間の間にエ
ッチングされた窪みにおいて開放される。そして、それは隣の第１の期間の間に
再び導かれたエッチング効果を可能にする。

【００４４】 高い異方性および正確なエッチング結果の設備のために、非常にエッチング材
料にピッタリの電極部分が配列される場合、それは特に有利である。距離は、好
ましくは２０００μｍ未満およびより好ましくは、１０００μｍ未満である。液
体（すなわち溶液のエッチング液）にエッチングする良い輸送を許容するために
、任意の絶縁層を備えて、電極までの距離が１μｍ、好ましくは５μｍ以上より
大きいことは、好ましい。

【００４５】 上述したように、自然発生的にエッチングしているエッチング液を用いるとき
に、本発明は特別な利点を有する。しかしながら、本発明の概念を電解質のエッ
チングで用いることを妨げるものは何もない。

【００４６】 本発明は例示の目的で本発明の好適な実施例を示す添付の図面を参照して記述
される。

【００４７】

【発明の実施の形態】

図１は、エッチング容器２１を備えて、エッチングするための装置２０を示す
。そして、それは多くのエッチング液２２および電圧源２３を含む。そして、そ
れは電極およびエッチング材料５を接続するための接続手段２４を有する。電極
１は適切ないくつかの金属または合金でできていておよび電気絶縁層２を有する
一方にコーティングされる。そして、それは従来技術に従うフォトリゾグラフィ
プロセスによって形成される。

【００４８】 電極部分３は、絶縁層２の一部との間に画成される。電極部分３エッチングす
る際に所望の窪みのエッチングパターンと一致する電極パターンを形成する。電
極パターンの鏡像は、エッチング材料５の表面６上の窪み７のエッチング材料か
らわかられる電極パターンに関する逆さにされた設計については、エッチングパ
ターンを形成するためにエッチングで供給される。

【００４９】 エッチングするときに、電極１はエッチング材料５に向かっている電極部分３
を有する電気的に導電性のエッチング材料５から、距離dで配置される。エッチ ングするときに、電極１およびエッチング材料５の全体の組立体はエッチング液
２２に浸漬されており、および保持している装置（図示せず）によって固定され
た関係を閉じ込めた。エッチング液２２は、電位の違いがエッチング材料５およ
び電極１との間にあるときに、エッチング材料５を有するエッチング方法で反応
するエッチング液を備える。電極は、照射源（図示せず）から照射λまで半透明
である。たとえば、これは非常に薄くされている電極によって完成していること
がありえる。帯電した絶縁体に加えて、絶縁層２は照射バリヤー、照射が単に電
極表面３の電極を貫くだけである手段を構成する。たとえば、照射はＵＶ光の平
行光線でありえる。

【００５０】 電極１はエッチング材料５により近く配置されれば、より良い異方性がエッチ
ングする際に得られる。距離dが１０００μｍより少ないとが、好ましい。電極 およびエッチング材料との間の距離が５μｍ未満である場合、特殊な処置はしか
しながら周囲のエッチング液のエッチング液の良い循環を達成するために考慮に
入れられなければならない。

【００５１】 エッチング中、電圧が電極１およびエッチング材料５との間に電圧源２３によ
って印加される。

【００５２】 この実施例は、物質を含んでいる液体を有するエッチングに特に適している。
エッチングを制限しまたはエッチングを防止するパッシベーション層、いずれ自
然発生的にまたはのいくつかの他方法エッチング材料５と接触してまたは中でエ
ッチングする。

【００５３】 いくつかのケースにおいて、パッシベーション層で保護しているそのような層
は、刺激されることができておよび照射にさらされることによって取り除かれる
ことができる。

【００５４】 したがって、図１において示される電極１については、適切な液体と協力して
、選択的に底部領域のパッシベーション層で保護している層を取り除くことは可
能である。同時にまたはその後、エッチングが生じるときに、単におおいのない
底部領域だけがエッチングされて、導かれたエッチングが、実行するエッチング
材料５上のエッチング防止層の欠如にもかかわらず達成する。

【００５５】 好ましい実施例においては、エッチング液が発明の概念がまた、用いられるこ
とができるエッチング材料５にエッチングすることができる低濃度の自発的な、
化学的にエッチングしているエッチング液から成ること電解質のエッチング。エ
ッチング液は、エッチング液が自発的な化学エッチングのために有用でない薄め
られたそのような溶液のエッチング液において本発明である。

【００５６】 希薄、２０倍、商業上用いられたエッチング液の少なくとも１００倍、例のた
めに、エッチング液は、生産されることができる規定の用いる濃度に形成する、
エッチング材料の化学エッチングのために有用である。エッチング液は、したが
って、エッチング材料を有する化学的にエッチングしている方法で反応する。

【００５７】 薄められた溶液のエッチング液濃度は、物質から原子の除去に帰着する散発的
なエッチング活性だけを許す。

【００５８】 図２は、本発明の第２実施例による電極を有する第２のエッチング装置を示す
。この場合、電極１１はロールとして形成される。電極ロール１１の表面に関し
て、絶縁層１２は第１の実施例のそれに同様の方法で配列される。電極１１は、
エッチングするときに、電気的に導電性のエッチング材料５から、距離ｄに配列
される。距離ｄは、１０００μｍ未満であるために好ましい。２の実施例との間
に大きい違いは、電極パターンがこの場合ロール表面の上に形成されるというこ
とである。エッチングするときに、電圧が電圧組立体（図示せず）（好ましくは
ころの上を動かされている電極ロール１１）によって、電極ロール１１およびエ
ッチング材料１５との間に塗布されて、エッチング材料１１の上に、係合してい
る方法の。ロールは、エッチング材料５の上のロールの動きを制御する制御手段
（図示せず）に接続している。電極１１の単に小さい表面だけがエッチング材料
の近くに配置されるので、不満足なエッチング液循環を有する問題が本実施例に
おいてない。

【００５９】 エッチング材料は照射源（図示せず）から照射Xまでさらされる。そして、そ れはロールの前でエッチング材料を照射にさらす。照射は、表面に対して垂直な
エッチング材料を打つ。ロールの回転速度はパッシベーション層で保護している
層がしたそのようなである、有する倍、前に照射にさらされた領域より上に、ロ
ールまで再び形をなすことは配置される。これに対して、光の源は、ロールの範
囲内で配列される。

【００６０】 図３は、電極３１の第３の実施例を示す。この実施例は図１において示される
ものに似ていておよび腐食液の同様の方法で配列されるために適合する、したが
って、違いだけはここで記述される。

【００６１】 電極３１は、エッチングするときに、電気的に導電性のエッチング材料３５か
ら、距離d3に配列される。距離ｄ３は、好ましくは１０００μｍ未満である。エ
ッチング材料は、照射源（図示せず）から下から照射にさらされる。たとえば、
照射はUV光の平行の光線でありえる。照射の強度は側壁に下面が可能である底部
上の調整されることそう照射の強度、したがって、エッチングの増加させられた
異方性を得て、層を不動態化することに対して垂直である表面だけに、パッシベ
ーション層で保護している層は取り除かれる。照射がエッチング材料を貫くため
に、照射の波長はエッチング材料に適合される。

【００６２】 この第３の実施例は、物質を含んでいる液体を有するエッチングに特に適して
いる形態エッチングを制限し、またはエッチングを防止するパッシベーション層
で保護している層、いずれ自然発生的にまたはのいくつかの他方法エッチング材
料３５と接触する、または。そのとき、エッチングはあるケースにおいて、パッ
シベーション層で保護しているそのような層は、刺激されることができておよび
照射にさらされることによって取り除かれることができる。

【００６３】 本発明は図示される実施例に決して限られていなくておよび上述しているおよ
び、いくつかの変更は添付の請求の範囲において定義した保護の範囲内で実行可
能である。

【００６４】 たとえば、それは絶縁層については供給されている平らなまたはカーブする電
極表面によって、電極を供給するのに必要でない。

【００６５】 電極は、電極パターンを構成する多くのポイントあるいはとがったリッジとし
て構成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 エッチング材料が配置され、エッチングがどのように行われるかを示すエッチ
ング装置の第１の実施の形態の概略図断面図である。

【図２】 エッチング材料が配置され、エッチングがどのように行われるかを示すエッチ
ング装置の第２の実施の形態の概略図断面図である。

【図３】 エッチング装置の第３の実施の形態の概略断面図である。

【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書

【提出日】平成１２年６月５日（２０００．６．５）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，Ｇ Ｈ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ， ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，Ｍ Ｗ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ， ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エッチングによって、導電性のエッチング材料(５)のエッチング表面の選択さ
   れた部分に、エッチングパターンを構成する窪み(７)を形成する方法であって、
   エッチング材料(５)がエッチング液（２２）と接触することを含む方法において
   、この方法は、 表面上のエッチング液のエッチング能力を減少あるいは防止し、電磁照射にさ
   らされたときには化学反応で溶解されるパッシベーション層を前記エッチング材
   料上に形成するステップと、 電極（１）を、エッチングパターンと対応するその導電性電極部分（３）が電
   極表面の選択された部分に位置するようにするステップと、 エッチング液（２２）およびエッチング材料(５)のエッチング表面に向いた電
   極部分(３)と接触するように前記電極（１）を配置するステップと、 電極(１)とエッチング材料(５)との間に電圧を印加するステップと、 エッチング材料を本質的にエッチング表面に対して垂直な電磁照射にさらして
   エッチングされる表面からパッシベーション物質を取り除くステップとを備えた
   方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の方法において、 導電性部分が少なくとも１つの波長帯域で電磁照射が通過され、 前記エッチング表面に対して垂直な電極部分（３３）を通じて照射にさらされ
   ることを特徴とする方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の方法において、 電磁照射の波長範囲は０．１-１０μｍであることを特徴とする方法。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の方法において、 エッチング材料上にパッシベーション層を形成している物質をエッチング液に
   加えることによってエッチング材料がパッシベーション層で被覆されることを特
   徴とする方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の方法において、 エッチング液は、最高でも２００ｍＭの濃度、好ましくは最高でも１００ｍＭ
   の濃度、より好ましくは、最高でも５０ｍＭの濃度、最も有利には１０ｍＭ以下
   の濃度において存在することを特徴とする方法。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の方法において、 凝縮された溶液中のエッチング液は、電界がない場合、エッチング材料(５)の
   エッチングをすることができるものである方法。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の方法において、 凝縮された溶液中のエッチング液は、電界がない場合、エッチング材料(５)が
   エッチング液が異方性エッチング用には使用できないほどに希釈された溶液中の
   エッチング液に接触されて、エッチング材料(５)の異方性エッチングをすること
   ができることを特徴とする方法。
8. 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかに記載の方法において、 エッチング材料(５)の異方性のエッチングは電圧が電極(１)およびエッチング
   材料(５)との間に印加されるときに実行されることを特徴とする方法。
9. 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれかに記載の方法において、 電極(１)には、電極表面の電極部分間に、電気的な絶縁部分(２)が与えられた
   ことを特徴とする方法。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかに記載の方法において、 電極表面の電極部分間の電極(１)には照射が貫通しない部分（２）が設けられ
    たことを特徴とする方法。
11. 【請求項１１】 請求項９に記載の方法において、 電極(１)の絶縁部分（２）は、電極部分(３)間で電極(１)のエッチング表面に
    絶縁層が設けられていることにより設けられたことを特徴とする方法。
12. 【請求項１２】 請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法において、 電極部分(３)はエッチング材料(５)から、２０００μｍ未満、好ましくは１０
    ００μｍ未満、およびより好ましくは、５００μｍ未満の距離をもって配置され
    ていることを特徴とする方法。
13. 【請求項１３】 請求項１ないし１２のいずれかに記載の方法において、 電界が変わる複数の第１の期間の間に、エッチングは起こり、この変化は好ま
    しくは第２期間の間に逆の電界を与えることを特徴とする方法。
14. 【請求項１４】 導電性エッチング材料(５)の表面にくぼみをエッチングするための電極であっ
    て、 電極部分が電極パターンを構成し、電極パターンに対応するエッチングパター
    ンにしたがってエッチング表面にエッチング時にくぼみを形成するための、電極
    表面の選択された位置にある導電性電極部分（３）を有し、この電極部分（３３
    ）は照射源からの照射（λ）を通過させることができるものであることを特徴と
    する電極。
15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の電極において、 電極(１)は、電極部分(３)間の絶縁部分（３２）を有し、電気的絶縁部分(３ ２)は前記照射に対するバリヤーを形成することを特徴とする電極。
16. 【請求項１６】 請求項１５に記載の電極において、 電極(１)の絶縁部分（２）は、絶縁層（２）で画定される電極部分(３)間で電
    極(１)のエッチング表面に適用される絶縁層を備えたことを特徴とする電極。
17. 【請求項１７】 所要量のエッチング液（２２）を含むエッチング容器（２１）と、 電極（１）とエッチング材料(５)に対する接続手段を有する電圧源（２３）を
    備えたエッチング装置において、 請求項１４ないし１６のいずれかによる電極(１)を備えたことを特徴とする装
    置。