JP2952539B2 - 微細加工装置 - Google Patents

微細加工装置

Info

Publication number
JP2952539B2
JP2952539B2 JP4074734A JP7473492A JP2952539B2 JP 2952539 B2 JP2952539 B2 JP 2952539B2 JP 4074734 A JP4074734 A JP 4074734A JP 7473492 A JP7473492 A JP 7473492A JP 2952539 B2 JP2952539 B2 JP 2952539B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
sample
processing
voltage
applying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP4074734A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05271969A (ja
Inventor
正隆 新荻
寿彦 作原
正之 須田
文晴 岩崎
晃人 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP4074734A priority Critical patent/JP2952539B2/ja
Priority to DE69316419T priority patent/DE69316419T2/de
Priority to EP93103595A priority patent/EP0563616B1/en
Priority to US08/038,118 priority patent/US5344539A/en
Publication of JPH05271969A publication Critical patent/JPH05271969A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2952539B2 publication Critical patent/JP2952539B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/14—Etching locally

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高いアスペクト比を必
要とする構造体を製造するため金属等の除去加工、付加
加工を溶液中で電気化学的に行う微細加工装置に関す
る。特に、マイクロマシニング技術を用い構造体を作る
分野に用いられる。
【０００２】
【従来の技術】従来の微細加工方法の一例を図３に示
す。この微細加工方法は、半導体プロセスに代表され
る、フォトリソグラフィを用いたものである（サブトラ
クティブ法）。まず、シリコン等の基板１０上に、スパ
ッタリング法やＣＶＤ法を用い、所望の薄膜１１を形成
する。ついで、スピンコート等によりレジスト１２を形
成し、構造体の形状をマスクもしくは、電子線を用いレ
ジスト１２上に露光し、現像する。さらに、エッチング
液を用い余分な薄膜を除去した後、レジスト１２を剥離
して構造体１３を形成する。
【０００３】また、ＬＩＧＡプロセスという微細加工方
法では、シンクロトロン放射光により厚く塗布されたＸ
線用フォトレジストを、直線性および強度の強いＸ線で
感光させることにより、レジストをパターン精度良く深
く形成することができる。このパターン間に電鋳により
金属を形成し、レジストを剥離することにより、アスペ
クトの高い構造物が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のような
微細加工方法では、パターンの分解能はサブミクロンオ
ーダが可能であるが、高さ方向への成膜が困難で高いア
スペクト比を得ることが困難であった。また、ＬＩＧＡ
プロセスにおいては、シンクロトロンの設備が必要であ
り、容易に使用することができなく、コストが上がって
しまう問題があった。
【０００５】そこで、試料と対極とを接近した距離に近
づけ、試料を作用極、付加電極を対極とし、付加電極と
試料との間に電流を流すことで、付加電極に接近した試
料に電気化学反応をおこさせ、試料に金属あるいは高分
子を析出させる方法もあるが、このような電気化学反応
による方法では、図４に示すように高いアスペクト比は
得られるが析出物５（金属および高分子）は、図示のよ
うなシャープネスのない膜厚分布を示す。
【０００６】本発明の目的は、このようなシャープネス
のない膜厚分布をなくし、パターンエッジのきれいな膜
を得ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は付加電極の周囲に付加電極と逆の電位を
かける構造を付加したことにより金属あるいは高分子を
削りとれるようにした。また、パルスごとに順次、付加
電極、次に付加電極の周囲の除去電極と電位をかけるこ
とにより、金属および高分子の析出、析出部周囲を付加
電極と逆の電位をかけることにより、金属および高分子
を削れるようにした。
【０００８】
【作用】付加電極および除去電極より構成される対極を
試料に接近させる。付加電極と試料との間に電流を流
す。電気化学反応により金属および高分子が析出する。
また、付加電極の周囲に除去電極があり、付加電極と逆
の電位をかけることにより金属および高分子を削り取
る。
【０００９】付加電極および試料を走査することによ
り、試料上に任意のパターンを形成できる。
【００１０】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図に基づいて説
明する。図１に、付加電極２および除去電極３より構成
される対極１の構造の断面図を示す。対極１は、成膜す
るための付加電極２およびパターンのエッジをシャープ
にするための除去電極３、さらに付加電極２、除去電極
３を支持するための絶縁管４よりなる。付加電極２およ
び除去電極３は、タングステンおよび白金等の金属を用
いる。付加電極２および除去電極３は、絶縁管４を通り
支持される構造になっている。付加電極２および除去電
極３は極力絶縁体で覆う構造となっている。 付加電極
２の周囲には、付加電極２と逆の電位を印加する除去電
極３が付加電極２とギャップ１０μｍで、絶縁管により
支持されている。付加電極２の径は、成膜する幅で変え
るがここでは、５００μｍで行った。付加電極２と除去
電極３の構造および成膜する場合を図２を用いて説明す
る。付加電極２の周りに、除去電極３を設ける構造とす
る。除去電極３は、付加電極２を囲むように４本設けて
いる。成膜の方法は、走査方向により対極１を制御し行
う。例えば、Ｘ方向に駆動する場合、付加電極に通電し
成膜したのち除去電極３ｂおよび３ｄを通電し、除去電
極３ｂおよび３ｄ下の膜を削りとる。その際、他の除去
電極３ａおよび３ｃは、通電しない。
【００１１】これを、Ｘ方向に走査しながら成膜するこ
とによりパターン端部をきれいに成膜する。斜め方向に
成膜する場合、たとえば付加電極２に通電し成膜したの
ち除去電極３ｃおよび３ｄを通電し、除去電極３ｃおよ
び３ｄ下の膜を削りとる。斜めへの走査の場合、周辺電
極の数により、パターンの幅の制御が決まるため、パタ
ーン精度に適合した、除去電極３の数および制御方法を
決める必要がある。また、除去電極３を回転機構をもた
せることにより、除去したい部分に移動し除去加工する
こともできる。
【００１２】図５に本発明による微細加工装置の概略図
を示す。電気化学セルは、容器２０の中に、試料１４、
参照電極３０、付加電極２および除去電極３よりなる対
極１より構成されている。さらに、試料１４、参照電極
３０、付加電極２および除去電極３よりなる対極１はポ
テンションスタット２１に電気的に接続されている。試
料１４は導電性の物質あるいは絶縁体上に導電性の物質
が被覆されたものであればよい。参照電極３０は、電気
化学反応の電極電位を制御する場合の基準となる電位を
発生させる電極で、飽和カロメル電極（ＳＣＥ）、銀−
塩化銀電極が一般的である。付加電極２および除去電極
３を構成する電極は、タングステン、白金を使用する。
本発明の電気化学セルは、付加電極２、除去電極３と試
料１４との距離変動を抑えるため、除振台１５の上に設
置されている。
【００１３】対極１の移動は、Ｘ、Ｙ移動およびＺ移動
を伴う。Ｘ、Ｙ移動については、図示しない粗動機構に
より行う（例えばマグネット機構）。Ｚ軸移動について
は、粗動機構（図示せず、例えばボールナットスクリュ
ウ）および微動機構（図示せず、例えば圧電素子）を用
いて行った。微動機構に圧電素子を用いることにより、
数ミクロンオーダの移動制御を圧電素子に加える電圧を
制御することにより行い、それ以上を粗動機構により行
う。このようにＺ軸を制御することにより、高アスペク
ト比の構造を得られる。対極１の移動が、ＸＹＺ軸に対
し移動可能となる。
【００１４】本装置を用いてクロム膜の成膜方法を説明
する。容器２０にクロム酸と硫酸の混合溶液を入れ、試
料１４、参照極３０、対極１を浸漬し、電気化学セルを
構成する。さらに、試料１４、参照極３０、対極１は、
ポテンションスタット２１に接続されている。電極の先
端を試料の加工を行いたい位置にＸ−Ｙ移動機構により
移動する。加工部分に、Ｚ軸移動機構により、対極１を
試料に接近させる（図６（ａ）参照）。次に、ポテンシ
ョスタットにより付加電極２の電位を溶液から試料１４
上へ物質が析出する電位に設定する。これにより、付加
電極２の先端付近で電気化学反応が起こり、試料表面に
クロムの薄膜が形成される。
【００１５】次に、除去電極３に逆電位をかけることに
より、形成した薄膜を除去する。付加電極２および除去
電極３をパルス毎に順次おこなえば、付加加工、除去加
工ができパターン端部がシャープなパターンが得られ
る。所望のパターンを形成する場合、図６（ａ）のよう
にＺ軸移動機構（図示せず）により、対極１を試料に接
近させ、つぎに付加電極２に電位をかけ金属または高分
子を析出させ、除去電極３により逆電位をかけパターン
端部を削りとる。そして、Ｘ−Ｙ移動機構（図示せず）
により対極１を走査させることにより所望パターンを形
成できる（図６（ｂ）、（ｃ）参照）。
【００１６】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように試料１
４、対極１及び参照電極３０とを溶液中に設置した電気
化学セルにおいて、試料１４と対極１の付加電極２を接
近した距離に近づけ、試料１４と付加電極２との間に電
流を流すことで電気化学反応を行わせ、試料１４に金属
あるいは高分子を析出させる装置において、付加電極２
の周囲に付加電極２とは逆の電位をかける除去電極３を
付加したことにより金属あるいは高分子を削れるため、
電気化学反応による高いアスペクト比のパターン端部の
シャープな構造体を得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の微細加工装置に用いる対極の縦断面図
である。
【図２】本発明の微細加工装置に用いる対極の横断面図
である。
【図３】フォトリソグラフィによる微細加工方法を示し
た説明図である。
【図４】従来の付加電極のみによる成膜の説明図であ
る。
【図５】本発明による微細加工装置の概略図である。
【図６】本発明によるパターン形成方法を示した説明図
である。
【符号の説明】
１ 対極 ２ 付加電極 ３ 除去電極 ４ 絶縁管 ５ 析出物 １０ 基板 １１ 薄膜 １２ レジスト １３ 構造体 １４ 試料 １５ 除振台 ２０ 容器 ２１ ポテンショスタット ２２ 溶液 ３０ 参照電極
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２５Ｄ 17/10 Ｃ２５Ｄ 17/10 Ｚ (72)発明者 岩崎 文晴 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイ コー電子工業株式会社内 (72)発明者 安藤 晃人 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイ コー電子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−48099（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−31882（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−23297（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−133134（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23F 4/00

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 溶液中に浸漬した試料に加工電極を近接
    させ、両者の間に電圧を印加することにより、溶液中か
    ら前記試料上の前記加工電極を近接させた近傍のみに選
    択的に金属あるいは高分子を析出させてパタ−ン形成を
    行う微細加工装置において、 前記加工電極が、任意の間隔で電気的に絶縁されて配列
    された複数の導電体領域から構成され 、 前記導電体領域
    の少なくとも一つを 、 前記試料上へ金属あるいは高分子
    が析出する電圧を印可する付加電極部として使用し、前
    記付加電極部以外の前記導電体領域の少なくとも一つ
    を 、 前記付加電極により前記試料上に析出した金属ある
    いは高分子を除去する電圧を印可する除去電極部とする
    構成を特徴とする微細加工装置。
  2. 【請求項２】 前記パターン形成が、 前記加工電極の前記付加電極部と前記試料間への電圧の
    印加により、前記溶液中から前記試料上への金属あるい
    は高分子が析出する成膜プロセスと、 前記除去電極部と前記試料間へ電圧印加により、前記成
    膜プロセスで析出した金属あるいは高分子の端部を除去
    する整形プロセスからなり、 加工工程では、前記成膜プロセスと、前記整形プロセス
    が、 同時もしくはある一定時間間隔で交互に繰り返しな
    がら、前記加工電極を移動させる工程を、任意の回数繰
    り返すことにより行い、 かつ、前記加工工程の繰返しの任意の一回においては、
    前記試料上のすべての加工領域において、前記加工電極
    が移動する回数は一回以下であり、任意の領域の成膜プ
    ロセスと整形プロセスは、加工工程の同一回において同
    時に行われるこ とを特徴とする請求項1記載の微細加工
    装置。
  3. 【請求項３】 前記析出工程が、前記試料と前記加工電
    極の前記付加電極部間への電圧印可に起因する電気化学
    反応であることを特徴とする請求項1記載の微細加工装
    置。
  4. 【請求項４】 前記端部の除去工程が、前記試料と前記
    加工電極の前記除去電極部間への電圧印可に起因する電
    気化学反応であることを特徴とする請求項1記載の微細
    加工装置。
JP4074734A 1992-03-30 1992-03-30 微細加工装置 Expired - Fee Related JP2952539B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4074734A JP2952539B2 (ja) 1992-03-30 1992-03-30 微細加工装置
DE69316419T DE69316419T2 (de) 1992-03-30 1993-03-05 Vorrichtung zur feinelektrochemischen Bearbeitung
EP93103595A EP0563616B1 (en) 1992-03-30 1993-03-05 Electrochemical fine processing apparatus
US08/038,118 US5344539A (en) 1992-03-30 1993-03-29 Electrochemical fine processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4074734A JP2952539B2 (ja) 1992-03-30 1992-03-30 微細加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05271969A JPH05271969A (ja) 1993-10-19
JP2952539B2 true JP2952539B2 (ja) 1999-09-27

Family

ID=13555765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4074734A Expired - Fee Related JP2952539B2 (ja) 1992-03-30 1992-03-30 微細加工装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5344539A (ja)
EP (1) EP0563616B1 (ja)
JP (1) JP2952539B2 (ja)
DE (1) DE69316419T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102092676A (zh) * 2011-01-20 2011-06-15 浙江大学 一种批量制备大纵横比三维微结构的方法及系统

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2896726B2 (ja) * 1992-03-30 1999-05-31 セイコーインスツルメンツ株式会社 微細加工装置
JP2710268B2 (ja) * 1994-08-23 1998-02-10 工業技術院長 局所エッチング方法
US5567300A (en) * 1994-09-02 1996-10-22 Ibm Corporation Electrochemical metal removal technique for planarization of surfaces
CA2264908C (en) * 1996-09-06 2006-04-25 Obducat Ab Method for anisotropic etching of structures in conducting materials
JP3217999B2 (ja) 1997-12-03 2001-10-15 セイコーインスツルメンツ株式会社 部品製作方法及び部品製作装置
AU2864499A (en) * 1998-03-05 1999-09-20 Etchtech Sweden Ab Method of etching
US6143155A (en) * 1998-06-11 2000-11-07 Speedfam Ipec Corp. Method for simultaneous non-contact electrochemical plating and planarizing of semiconductor wafers using a bipiolar electrode assembly
US6121152A (en) * 1998-06-11 2000-09-19 Integrated Process Equipment Corporation Method and apparatus for planarization of metallized semiconductor wafers using a bipolar electrode assembly
US6132586A (en) * 1998-06-11 2000-10-17 Integrated Process Equipment Corporation Method and apparatus for non-contact metal plating of semiconductor wafers using a bipolar electrode assembly
TW466729B (en) 1999-07-26 2001-12-01 Tokyo Electron Ltd Plating method and device, and plating system
US6547937B1 (en) * 2000-01-03 2003-04-15 Semitool, Inc. Microelectronic workpiece processing tool including a processing reactor having a paddle assembly for agitation of a processing fluid proximate to the workpiece
US7129160B2 (en) * 2002-08-29 2006-10-31 Micron Technology, Inc. Method for simultaneously removing multiple conductive materials from microelectronic substrates
US7153410B2 (en) * 2000-08-30 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electrochemical-mechanical processing of microelectronic workpieces
US7078308B2 (en) 2002-08-29 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for removing adjacent conductive and nonconductive materials of a microelectronic substrate
US7220166B2 (en) 2000-08-30 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electromechanically and/or electrochemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate
US7153195B2 (en) * 2000-08-30 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for selectively removing conductive material from a microelectronic substrate
US7192335B2 (en) 2002-08-29 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for chemically, mechanically, and/or electrolytically removing material from microelectronic substrates
US7094131B2 (en) 2000-08-30 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Microelectronic substrate having conductive material with blunt cornered apertures, and associated methods for removing conductive material
US7112121B2 (en) 2000-08-30 2006-09-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electrical, mechanical and/or chemical removal of conductive material from a microelectronic substrate
US7160176B2 (en) * 2000-08-30 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electrically and/or chemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate
US7134934B2 (en) 2000-08-30 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electrically detecting characteristics of a microelectronic substrate and/or polishing medium
US7074113B1 (en) 2000-08-30 2006-07-11 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for removing conductive material from a microelectronic substrate
US7390383B2 (en) * 2003-07-01 2008-06-24 Semitool, Inc. Paddles and enclosures for enhancing mass transfer during processing of microfeature workpieces
US20050063798A1 (en) * 2003-06-06 2005-03-24 Davis Jeffry Alan Interchangeable workpiece handling apparatus and associated tool for processing microfeature workpieces
US7393439B2 (en) * 2003-06-06 2008-07-01 Semitool, Inc. Integrated microfeature workpiece processing tools with registration systems for paddle reactors
US7313462B2 (en) 2003-06-06 2007-12-25 Semitool, Inc. Integrated tool with automated calibration system and interchangeable wet processing components for processing microfeature workpieces
US20050050767A1 (en) * 2003-06-06 2005-03-10 Hanson Kyle M. Wet chemical processing chambers for processing microfeature workpieces
US20070144912A1 (en) * 2003-07-01 2007-06-28 Woodruff Daniel J Linearly translating agitators for processing microfeature workpieces, and associated methods
US7112122B2 (en) 2003-09-17 2006-09-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for removing conductive material from a microelectronic substrate
US7153777B2 (en) * 2004-02-20 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for electrochemical-mechanical polishing
US7566391B2 (en) 2004-09-01 2009-07-28 Micron Technology, Inc. Methods and systems for removing materials from microfeature workpieces with organic and/or non-aqueous electrolytic media
US7569490B2 (en) 2005-03-15 2009-08-04 Wd Media, Inc. Electrochemical etching
US20060207890A1 (en) 2005-03-15 2006-09-21 Norbert Staud Electrochemical etching
US20080181758A1 (en) * 2007-01-29 2008-07-31 Woodruff Daniel J Microfeature workpiece transfer devices with rotational orientation sensors, and associated systems and methods
US20080178460A1 (en) * 2007-01-29 2008-07-31 Woodruff Daniel J Protected magnets and magnet shielding for processing microfeature workpieces, and associated systems and methods
CN103342334B (zh) * 2013-05-10 2016-01-20 厦门大学 一种电化学刻蚀加工聚合物材料表面的方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2399289A (en) * 1940-06-15 1946-04-30 Aqua Electric Corp Ltd Apparatus for purifying liquids
US2862863A (en) * 1957-09-23 1958-12-02 Kenneth F Griffith Apparatus for electrolytic production of a metal product from fused salts
GB1071923A (en) * 1964-01-08 1967-06-14 Ici Ltd Electrolytic production of soluble compounds
AU420670B2 (en) * 1968-04-01 1972-01-21 Electrolytic treatment process
US3852176A (en) * 1971-02-23 1974-12-03 Calspan Corp Embrittlement machining method
US3873512A (en) * 1973-04-30 1975-03-25 Martin Marietta Corp Machining method
US3989604A (en) * 1975-10-15 1976-11-02 National Steel Corporation Method of producing metal strip having a galvanized coating on one side

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102092676A (zh) * 2011-01-20 2011-06-15 浙江大学 一种批量制备大纵横比三维微结构的方法及系统

Also Published As

Publication number Publication date
DE69316419T2 (de) 1998-05-07
US5344539A (en) 1994-09-06
EP0563616B1 (en) 1998-01-21
JPH05271969A (ja) 1993-10-19
EP0563616A2 (en) 1993-10-06
EP0563616A3 (en) 1995-02-01
DE69316419D1 (de) 1998-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2952539B2 (ja) 微細加工装置
US5641391A (en) Three dimensional microfabrication by localized electrodeposition and etching
US5894058A (en) Ultra-fine microfabrication method using a fast atomic energy beam
JP2524458B2 (ja) 電気化学マイクロマシニング方法
JP2001105400A (ja) 細孔の製造方法、並びに該製造方法により製造された細孔および該細孔を有する構造体
Hüsser et al. High‐resolution deposition and etching of metals with a scanning electrochemical microscope
WO2008024783A9 (en) Lithographically patterned nanowire electrodeposition
US20070170064A1 (en) Method of electrolytically depositing materials in a pattern directed by surfactant distribution
CN101554991B (zh) 一种多样性纳米结构的加工方法
EP0563744B1 (en) Method of electrochemical fine processing
US5149404A (en) Fine line scribing of conductive material
JPH0279494A (ja) プリント回路基板およびその製造方法
DE212011100203U1 (de) Entwicklung dreideminsionaler NM-Mitallstrukturen und die entsprechende Vorrichtung
JP2001133615A (ja) 回折格子製作方法および製作装置
JPH06297252A (ja) 微細加工方法及びその装置
JP4257676B2 (ja) めっきによる三次元微細構造体の成形法
JP4110341B2 (ja) 構造体の作成方法
Allen et al. The electrochemical micromachining of microactuator devices from sputterd NiTi thin film
JPH05271998A (ja) 微細加工装置
JPH08285867A (ja) 探針、カンチレバー及びこれ等を具備する力顕微鏡
JP2879644B2 (ja) フォトリソグラフィ用マスクの製造方法
JP2000041671A (ja) 電極の製造方法
JP3422428B2 (ja) 微細加工レジストパターンの形成方法
Peckerar et al. Advanced materials processes for bio-probes
JP3219472B2 (ja) 微細線形成電解析出装置

Legal Events

Date Code Title Description
S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees